JPH02108242A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH02108242A JPH02108242A JP26202888A JP26202888A JPH02108242A JP H02108242 A JPH02108242 A JP H02108242A JP 26202888 A JP26202888 A JP 26202888A JP 26202888 A JP26202888 A JP 26202888A JP H02108242 A JPH02108242 A JP H02108242A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気記録媒体の製造方法に係り、特に磁気ディ
スク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁気記録製
質に用いられる磁気記録媒体であって、その保磁力特性
が改善された磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
スク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁気記録製
質に用いられる磁気記録媒体であって、その保磁力特性
が改善された磁気記録媒体の製造方法に関するものであ
る。
[従来の技術]
磁気ディスク、フロッピーディスク、磁気テープ等の磁
気記録媒体に用いられる磁気記録媒体には、近年、高記
録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記録媒体がバイ
ンダーを用いる塗布型の磁気記録媒体に代わって用いら
れ始めた。
気記録媒体に用いられる磁気記録媒体には、近年、高記
録密度化の観点から、金属薄膜型の磁気記録媒体がバイ
ンダーを用いる塗布型の磁気記録媒体に代わって用いら
れ始めた。
この金属薄膜型の磁気記録媒体は、無電解めっき、電気
めっき、スパッタ、蒸着等の方法で容易に作成される。
めっき、スパッタ、蒸着等の方法で容易に作成される。
これらのうち無電解めっき法は、高い生産性と長年の技
術蓄積による技術面の向上から、広く実用化が進められ
ている。
術蓄積による技術面の向上から、広く実用化が進められ
ている。
従来、無電解めっき法により製造される磁気記録媒体は
、その磁性薄膜がCo(コバルト)−P(リン)又はC
o−Niにニッケル)−pよりなるものが主流であり、
一部は既に製品化されている。
、その磁性薄膜がCo(コバルト)−P(リン)又はC
o−Niにニッケル)−pよりなるものが主流であり、
一部は既に製品化されている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来の無電解めっき法により無電解めっ
き浴を用いて磁性膜を作成する場合、同一浴組成で無電
解めっき浴を調製しても、使用する薬品の実際上管理不
可能なわずかな純度の差異によるめっき浴の組成誤差、
或いはめつき日数の経過によるめっき浴の組成変化、即
ち、めっき浴の消耗度合又はめっき浴の昇温、降温の繰
り返し回数によるめっき浴の組成変化により、得られる
磁性膜はその電磁変換特性に強く影響する保磁力が著し
く変化する現象が見られる。このようなことから、従来
においては特定の無電解めっき浴から、許容範囲内の保
磁力を有する磁性膜は、限られた数量しか得ることかで
鮒ないという欠点があった。
き浴を用いて磁性膜を作成する場合、同一浴組成で無電
解めっき浴を調製しても、使用する薬品の実際上管理不
可能なわずかな純度の差異によるめっき浴の組成誤差、
或いはめつき日数の経過によるめっき浴の組成変化、即
ち、めっき浴の消耗度合又はめっき浴の昇温、降温の繰
り返し回数によるめっき浴の組成変化により、得られる
磁性膜はその電磁変換特性に強く影響する保磁力が著し
く変化する現象が見られる。このようなことから、従来
においては特定の無電解めっき浴から、許容範囲内の保
磁力を有する磁性膜は、限られた数量しか得ることかで
鮒ないという欠点があった。
本発明は上記従来の問題点を解決し、所望とする比較的
低い保磁力を有する磁気記録媒体を製造することができ
る方法を提供することを目的とする。
低い保磁力を有する磁気記録媒体を製造することができ
る方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、金属イオンとして
少なくともコバルトイオン及びニッケルイオンを含み、
さらにこれら金属イオンの還元剤と、前記金属イオンの
錯化剤とを含む無電解めっき浴を用いて非磁性基板上に
コバルト及びニッケルを含む磁性層を形成する方法にお
いて、前記めっき浴中にニオブ化合物及び/又はルテニ
ウム化合物を含有させることを特徴とする。
少なくともコバルトイオン及びニッケルイオンを含み、
さらにこれら金属イオンの還元剤と、前記金属イオンの
錯化剤とを含む無電解めっき浴を用いて非磁性基板上に
コバルト及びニッケルを含む磁性層を形成する方法にお
いて、前記めっき浴中にニオブ化合物及び/又はルテニ
ウム化合物を含有させることを特徴とする。
以下に本発明の詳細な説明する。
本発明において、磁性膜を形成する非磁性基板としては
、金属、プラスチック、セラミック、ガラス等の基板が
用いられ、通常、これらは公知の方法に従ってN1−P
無電解めっき、Pd触媒化処理等の表面処理を施した後
、磁性膜の形成に供される。
、金属、プラスチック、セラミック、ガラス等の基板が
用いられ、通常、これらは公知の方法に従ってN1−P
無電解めっき、Pd触媒化処理等の表面処理を施した後
、磁性膜の形成に供される。
また、本発明で磁性膜の形成に用いる無電解めっき浴中
のコバルトイオン及びニッケルイオンは各々その水溶性
化合物を用いて調製され、例えば、硫酸塩、塩化物、硝
酸塩、酢酸塩等の水溶性コバルト化合物又は水溶性ニッ
ケル化合物を用いて調製される。通常は硫酸塩、塩化物
が好適に用いられる。還元剤としては、次亜リン酸塩、
水素化ホウ素化合物、ヒドラジン、ジメチルアミンボラ
ン等、好ましくは次亜リン酸塩が用いられる。
のコバルトイオン及びニッケルイオンは各々その水溶性
化合物を用いて調製され、例えば、硫酸塩、塩化物、硝
酸塩、酢酸塩等の水溶性コバルト化合物又は水溶性ニッ
ケル化合物を用いて調製される。通常は硫酸塩、塩化物
が好適に用いられる。還元剤としては、次亜リン酸塩、
水素化ホウ素化合物、ヒドラジン、ジメチルアミンボラ
ン等、好ましくは次亜リン酸塩が用いられる。
錯化剤としては、ジカルボン酸、オキシカルボン酸、ア
ミノ酸等の有機酸及びそれらの可溶性塩から選ばれる1
種又は2種以上が適宜用いられる。
ミノ酸等の有機酸及びそれらの可溶性塩から選ばれる1
種又は2種以上が適宜用いられる。
なお、本発明において、無電解めっぎ浴中のコバルトイ
オン濃度は0.01〜0.5モル/Uであることが好ま
しく、またニッケルイオン濃度は0001〜01モル/
j2であることが好ましい。
オン濃度は0.01〜0.5モル/Uであることが好ま
しく、またニッケルイオン濃度は0001〜01モル/
j2であることが好ましい。
本発明の方法において、無電解めつぎ浴中に添加するニ
オブ化合物としては、ニオブのハロゲン化物、ニオブ酸
化合物等が挙げられる。また、ルテニウム化合物として
は、ルテニウムのハロゲン化物、ヘキサクロロルテニウ
ム酸化合物、ヘキサアンミンルテニウム化合物等が挙げ
られる。これらのニオブ化合物及び/又はルテニウム化
合物は、1種を単独で用いても、2種以上を併用して用
いても良く、その添加濃度は、めつき浴中のコバルトイ
オンとニッケルイオンとの合計4度に対するニオブイオ
ン及び/又はルテニウムイオンの濃度が0.01〜10
モル%、好ましくは0. 1〜5モル%となるようにす
るのが望ましい。
オブ化合物としては、ニオブのハロゲン化物、ニオブ酸
化合物等が挙げられる。また、ルテニウム化合物として
は、ルテニウムのハロゲン化物、ヘキサクロロルテニウ
ム酸化合物、ヘキサアンミンルテニウム化合物等が挙げ
られる。これらのニオブ化合物及び/又はルテニウム化
合物は、1種を単独で用いても、2種以上を併用して用
いても良く、その添加濃度は、めつき浴中のコバルトイ
オンとニッケルイオンとの合計4度に対するニオブイオ
ン及び/又はルテニウムイオンの濃度が0.01〜10
モル%、好ましくは0. 1〜5モル%となるようにす
るのが望ましい。
本発明においては、上記成分により調製される無電解め
っき浴を、苛性ソーダ又はアンモニア化合物等のpH調
節剤、pH緩衝剤により、pH8〜11に調整し、また
浴温を60〜90℃に調整した後、前記非磁性基板を浸
漬するのが好適である。非磁性基板の浸漬時間は、目的
とする磁性膜の厚さにより適宜決定される。
っき浴を、苛性ソーダ又はアンモニア化合物等のpH調
節剤、pH緩衝剤により、pH8〜11に調整し、また
浴温を60〜90℃に調整した後、前記非磁性基板を浸
漬するのが好適である。非磁性基板の浸漬時間は、目的
とする磁性膜の厚さにより適宜決定される。
このような本発明の方法により製造される磁気記録媒体
の磁性層中のCO愈は、磁性層の総量に対して50〜9
8重量%、特に70〜98fii%であることが望まし
い。また、NiはCOに対し−Co、1〜so!!xf
fi%、特ニ1〜4 o!1fff1%i’することが
好ましい。
の磁性層中のCO愈は、磁性層の総量に対して50〜9
8重量%、特に70〜98fii%であることが望まし
い。また、NiはCOに対し−Co、1〜so!!xf
fi%、特ニ1〜4 o!1fff1%i’することが
好ましい。
[作用]
無電解めっき法により形成されるCo−Ni系磁性膜に
おいて、ニオブ化合物又はルテニウム化合物は他の磁気
特性を悪化させることなく保磁力を低下させる働きがあ
る。このため、保磁力が許容範囲の上限を超えるような
場合、保磁力を許容範囲内に保つことができる。
おいて、ニオブ化合物又はルテニウム化合物は他の磁気
特性を悪化させることなく保磁力を低下させる働きがあ
る。このため、保磁力が許容範囲の上限を超えるような
場合、保磁力を許容範囲内に保つことができる。
[実施例]
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例1
アルミニウム合金非磁性基板上に公知の方法に従って非
磁性N1−P層の無電解めっき被覆を施した後、下記の
めつき浴組成及びめっき条件にて磁性膜を形成した。
磁性N1−P層の無電解めっき被覆を施した後、下記の
めつき浴組成及びめっき条件にて磁性膜を形成した。
めっき浴組成(モル/ρ )
硫酸コバルト :0.05硫酸ニツケル
:0.01 塩化ニオブ : o、oot次亜リン酸
ナトリウム :0.20 ホウ酸 :0.50 酒石酸カリウムナトリウム:0.50 めっき条件 めっき浴のpH:9.0 (25℃にてNaOHでpH調整) 浴温 :80℃ めっき時間 :100秒 得られた磁気記録媒体の保磁力(Hc)、角形性(S)
、保磁力角形性(S“)を測定し、結果を第1表に示し
た。
:0.01 塩化ニオブ : o、oot次亜リン酸
ナトリウム :0.20 ホウ酸 :0.50 酒石酸カリウムナトリウム:0.50 めっき条件 めっき浴のpH:9.0 (25℃にてNaOHでpH調整) 浴温 :80℃ めっき時間 :100秒 得られた磁気記録媒体の保磁力(Hc)、角形性(S)
、保磁力角形性(S“)を測定し、結果を第1表に示し
た。
実施例2
実施例1において、塩化ニオブの代わりに塩化ルテニウ
ムo、ootモル/Itを用い、たこと以外は全く同様
にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒体の保磁力
(Hc)、角形性(S)、保磁力角形性(S′)の測定
結果を第1表に示した。
ムo、ootモル/Itを用い、たこと以外は全く同様
にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒体の保磁力
(Hc)、角形性(S)、保磁力角形性(S′)の測定
結果を第1表に示した。
比較例1
実施例1において、塩化ニオブを用いなかったこと以外
は全く同様にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒
体の保磁力(Hc)、角形性(S)、保磁力角形性(S
”)の測定結果を第1表に示した。
は全く同様にして磁性膜を形成し、得られた磁気記録媒
体の保磁力(Hc)、角形性(S)、保磁力角形性(S
”)の測定結果を第1表に示した。
第 1 表
第1表より、本発明の方法により得られる磁気記録媒体
によれば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁力
を低下させることができることが明らかである。
によれば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁力
を低下させることができることが明らかである。
[発明の効果]
以上詳述した通り、本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法によれば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁
力を低下させることができ、このため、製造条件等の誤
差により保磁力が許容範囲の上限を超えるような場合に
おいて、保磁力を許容範囲内に容易に保つことが可能な
磁気記録媒体が提供される。
法によれば、他の磁気特性を悪化させることなく、保磁
力を低下させることができ、このため、製造条件等の誤
差により保磁力が許容範囲の上限を超えるような場合に
おいて、保磁力を許容範囲内に容易に保つことが可能な
磁気記録媒体が提供される。
l 事件の表示
昭和63年特許願第262028号
2 発明の名称
磁気記録媒体の製造方法
3 補正をする者
l!11件との関係 特許出願人
名 称 (596)三菱化成株式会社4 代理人
住 所 東京都港区虎ノ門1丁目15番7号〒105
TG115ビル 8階 代理人 弁理士 重 野 剛 7 補正の内容 (1) 明細書第1頁第18行に「その保磁力特性が改
善された」とあるのを「保磁力を所望の範囲に容易にコ
ントロールすることができる1と訂正する。
TG115ビル 8階 代理人 弁理士 重 野 剛 7 補正の内容 (1) 明細書第1頁第18行に「その保磁力特性が改
善された」とあるのを「保磁力を所望の範囲に容易にコ
ントロールすることができる1と訂正する。
(2) 同第2頁第8行及び第18行に「作成」とある
のをそれぞれr作製」と訂正する。
のをそれぞれr作製」と訂正する。
(3) 同第9頁下から第5行に「誤差」とあるのをr
変動1と訂正する。
変動1と訂正する。
以 上
Claims (1)
- (1)金属イオンとして少なくともコバルトイオン及び
ニッケルイオンを含み、さらにこれら金属イオンの還元
剤と、前記金属イオンの錯化剤とを含む無電解めっき浴
を用いて非磁性基板上にコバルト及びニッケルを含む磁
性層を形成する方法において、前記めっき浴中にニオブ
化合物及び/又はルテニウム化合物を含有させることを
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26202888A JPH02108242A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26202888A JPH02108242A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02108242A true JPH02108242A (ja) | 1990-04-20 |
Family
ID=17370022
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26202888A Pending JPH02108242A (ja) | 1988-10-18 | 1988-10-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02108242A (ja) |
-
1988
- 1988-10-18 JP JP26202888A patent/JPH02108242A/ja active Pending
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