JPH02105342A - 光ディスク記録装置 - Google Patents
光ディスク記録装置Info
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- JPH02105342A JPH02105342A JP63258963A JP25896388A JPH02105342A JP H02105342 A JPH02105342 A JP H02105342A JP 63258963 A JP63258963 A JP 63258963A JP 25896388 A JP25896388 A JP 25896388A JP H02105342 A JPH02105342 A JP H02105342A
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は書込可能形光ディスクに情報を記録するため
の光ディスク記録装置に関し、記録光源の波長によるデ
ィスクの記録感度依存性を補償して、記録光源の波長に
かかわらず常に適切な記録光パワーが得られるようにし
て、適切な記録状態が得られるようにしたものである。
の光ディスク記録装置に関し、記録光源の波長によるデ
ィスクの記録感度依存性を補償して、記録光源の波長に
かかわらず常に適切な記録光パワーが得られるようにし
て、適切な記録状態が得られるようにしたものである。
書込可能形ディスクは、一般にディスク面上に記録媒質
として例えば金属記録膜を蒸着またはスパッタ形成して
構成されるものや、有機色素を塗布して構成されるもの
があり、レーザ光照射で発生した熱によって記録媒質を
焼き切ったり、記録膜の光学特性を変化させて情報ピッ
トが形成される。従来用いられていた記録媒質は記録光
源の波長によらず記録感度がほぼ一定であり、書込め際
記録光源の波長を考慮する必要はなかった。
として例えば金属記録膜を蒸着またはスパッタ形成して
構成されるものや、有機色素を塗布して構成されるもの
があり、レーザ光照射で発生した熱によって記録媒質を
焼き切ったり、記録膜の光学特性を変化させて情報ピッ
トが形成される。従来用いられていた記録媒質は記録光
源の波長によらず記録感度がほぼ一定であり、書込め際
記録光源の波長を考慮する必要はなかった。
従来用いられていた記録媒質は一般に光反射率が低く(
ミラ一部反射率が例えば50%以下)、CDプレーヤ等
既存のディスク再生装置では再生することができず、専
用の再生装置が必要であった。また、記録媒質の光反射
率を高めようとすると、記録光パワーをかなり高くしな
ければ情報ピットが形成されず、記録に強力なガスレー
ザ等が必要となり、記録装置が大型かつ高価になり、民
生機器として利用することができなかった。
ミラ一部反射率が例えば50%以下)、CDプレーヤ等
既存のディスク再生装置では再生することができず、専
用の再生装置が必要であった。また、記録媒質の光反射
率を高めようとすると、記録光パワーをかなり高くしな
ければ情報ピットが形成されず、記録に強力なガスレー
ザ等が必要となり、記録装置が大型かつ高価になり、民
生機器として利用することができなかった。
そこで、最近このような欠点を解決して、光反射率を高
めて既存のCDプレーヤ等で再生可能にし、かつ半導体
レーザ等の低い記録光パワーで記録可能にした記録媒質
が考えられている。この種の記録媒質としては、ポリメ
チン系色素(シアニン系)、ナフトキノン系色素、アン
トラキノン系色素、フタロシアニン系色素、ジチオール
金属錯体系色素等の有機色素系が挙げられる。
めて既存のCDプレーヤ等で再生可能にし、かつ半導体
レーザ等の低い記録光パワーで記録可能にした記録媒質
が考えられている。この種の記録媒質としては、ポリメ
チン系色素(シアニン系)、ナフトキノン系色素、アン
トラキノン系色素、フタロシアニン系色素、ジチオール
金属錯体系色素等の有機色素系が挙げられる。
ところが、この種の光反射率が高くかつ低い記録光パワ
ーで記録可能な記録媒質においては、般に記録光源の波
長によって最適記録光パワー(記録情報にエラーが少な
く、かつ記録後の反射率が高い記録光パワー)が大きく
変化する傾向があることがわかった。半導体レーザの波
長は、第8図(a)(b)に示すように温度、光源出力
等によって変化するので(温度が高くなるほど、また光
源出力が高くなるほど波長が長くなる。)、一定の記録
パワーで記録すると、温度変化や光源出力の変化に伴う
記録光波長の変化により記録状態が不適切になる場合が
あった。
ーで記録可能な記録媒質においては、般に記録光源の波
長によって最適記録光パワー(記録情報にエラーが少な
く、かつ記録後の反射率が高い記録光パワー)が大きく
変化する傾向があることがわかった。半導体レーザの波
長は、第8図(a)(b)に示すように温度、光源出力
等によって変化するので(温度が高くなるほど、また光
源出力が高くなるほど波長が長くなる。)、一定の記録
パワーで記録すると、温度変化や光源出力の変化に伴う
記録光波長の変化により記録状態が不適切になる場合が
あった。
この発明は、従来技術におけるこのような欠点を解決し
て、記録光源の波長によって最適記録光パワーが変化す
る記録媒質を用いる場合に、記録光源の波長にかかわら
ず、常に適切な記録光パワーが得られるようにした光デ
ィスク記録装置を提供しようとするものである。
て、記録光源の波長によって最適記録光パワーが変化す
る記録媒質を用いる場合に、記録光源の波長にかかわら
ず、常に適切な記録光パワーが得られるようにした光デ
ィスク記録装置を提供しようとするものである。
この発明は、記録光源からディスクへ照射される光の波
長を検出する光波長検出手段と、この光波長検出手段の
検出出力に応じて前記記録光源への供給電力を制御する
ことにより、光波長にかかわらず適切な記録光パワーが
得られるようにする供給電力制御手段とを具備してなる
ものである。
長を検出する光波長検出手段と、この光波長検出手段の
検出出力に応じて前記記録光源への供給電力を制御する
ことにより、光波長にかかわらず適切な記録光パワーが
得られるようにする供給電力制御手段とを具備してなる
ものである。
この発明によれば、記録光源からディスクへ照射される
光の波長を検出して、その検出出力に応じて前記記録光
源への供給電力を制御するようにしたので、光波長にか
かわらず適切な記録光パワーが得られるようになり、適
切な記録状態を得ることができる。
光の波長を検出して、その検出出力に応じて前記記録光
源への供給電力を制御するようにしたので、光波長にか
かわらず適切な記録光パワーが得られるようになり、適
切な記録状態を得ることができる。
この発明の一実施例を第1図に示す。ディスク1は例え
ばポリ力ニボネイトやアクリル(PMMA)等の透明な
ディスク基板の表面にポリメチン系色素(シアニン系)
、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、フタロ
シアニン系色素、ジチオール金属錯体系色素等からなる
厚さ数10nI11の有機色素を塗布して構成されてい
る。
ばポリ力ニボネイトやアクリル(PMMA)等の透明な
ディスク基板の表面にポリメチン系色素(シアニン系)
、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、フタロ
シアニン系色素、ジチオール金属錯体系色素等からなる
厚さ数10nI11の有機色素を塗布して構成されてい
る。
この記録媒質は、照射光の波長によってミラ一部反射率
が例えば第2図のように変化する。一般に記録媒質の光
学特性には反射、透過、吸収の3つの要素があり、(反
射率)+(透過率)+(吸収率)−100%となるわけ
で、同じ記録光パワーでも吸収が大きい波長では情報ピ
ットが形成し易く、吸収が少ない波長ではピット形成さ
れないという状態がある。したがって、透過率がほぼ一
定であるとすれば反射率が高いと吸収率が小さく、当然
大きい記録光パワーが必要になるわけである。
が例えば第2図のように変化する。一般に記録媒質の光
学特性には反射、透過、吸収の3つの要素があり、(反
射率)+(透過率)+(吸収率)−100%となるわけ
で、同じ記録光パワーでも吸収が大きい波長では情報ピ
ットが形成し易く、吸収が少ない波長ではピット形成さ
れないという状態がある。したがって、透過率がほぼ一
定であるとすれば反射率が高いと吸収率が小さく、当然
大きい記録光パワーが必要になるわけである。
このため、第2図のような場合照射光の波長が長いほど
大きな記録光パワーが必要となる。半導体レーザ10か
らは記録用レーザ光が記録信号によって変調されて出力
される。この記録用レーザ光はコリメータレンズ12、
ハーフプリズム14あるいは偏光ビームスプリッタ14
、対物レンズ16を介してディスク1の記録面に照射さ
れて記録媒質が消除されて記録が行われる。このとき、
ディスク1からの反射光が対物レンズ16、ハーフプリ
ズムを介してフォーカス及びトラッキング用フォトダイ
オード(図示せず)に照射されて、フォーカス制御およ
びトラッキング制御が行われる。
大きな記録光パワーが必要となる。半導体レーザ10か
らは記録用レーザ光が記録信号によって変調されて出力
される。この記録用レーザ光はコリメータレンズ12、
ハーフプリズム14あるいは偏光ビームスプリッタ14
、対物レンズ16を介してディスク1の記録面に照射さ
れて記録媒質が消除されて記録が行われる。このとき、
ディスク1からの反射光が対物レンズ16、ハーフプリ
ズムを介してフォーカス及びトラッキング用フォトダイ
オード(図示せず)に照射されて、フォーカス制御およ
びトラッキング制御が行われる。
半導体レーザ10から出力された記録用レーザ光の一部
はハーフプリズム14で反射されて、光波長検出手段1
8に入射される。光波長検出手段18は、検出媒体Ml
、M2を具えている。検出媒体M1は検出の基準として
用いられるもので、入射光の波長により反射率、透過率
が変化しない材料で構成されている。検出媒体M2はデ
ィスク1と全く同じ組成で構成されたもので、ディスク
基板材料等に入射光の波長により反射率、透過率か変化
する全く同じ材料を塗布して構成されている。前記ハー
フプリズム14で反射さ・れなレーザ光は、検出媒体M
l、M2を透過してフォトダイオード20.22に入射
される。フォトダイオード20.22の出力は引算器2
4で引算される。
はハーフプリズム14で反射されて、光波長検出手段1
8に入射される。光波長検出手段18は、検出媒体Ml
、M2を具えている。検出媒体M1は検出の基準として
用いられるもので、入射光の波長により反射率、透過率
が変化しない材料で構成されている。検出媒体M2はデ
ィスク1と全く同じ組成で構成されたもので、ディスク
基板材料等に入射光の波長により反射率、透過率か変化
する全く同じ材料を塗布して構成されている。前記ハー
フプリズム14で反射さ・れなレーザ光は、検出媒体M
l、M2を透過してフォトダイオード20.22に入射
される。フォトダイオード20.22の出力は引算器2
4で引算される。
検出媒体M1は入射光の波長により透過率が変化ぜす、
検出媒体M2は入射光の波長により透過率が変化するの
で、引算器24からは第3図のように光波長に応じて変
化する検出出力が得られる。
検出媒体M2は入射光の波長により透過率が変化するの
で、引算器24からは第3図のように光波長に応じて変
化する検出出力が得られる。
関数回路26は光波長検出手段18の検出出力を制御し
易いように第4図のように変換する。
易いように第4図のように変換する。
ALPC(八utoIatic La5er Po
wer Controller)囲路28は、関数回
路26の出力に応じて、半導体レーザ10への供給電力
を制御する。これにより、半導体レーザ10から出力さ
れる記録光パワーは、その波長に応じて第5図のように
変化し、波長が長くなるほど記録光パワーは増大する。
wer Controller)囲路28は、関数回
路26の出力に応じて、半導体レーザ10への供給電力
を制御する。これにより、半導体レーザ10から出力さ
れる記録光パワーは、その波長に応じて第5図のように
変化し、波長が長くなるほど記録光パワーは増大する。
したがって、半導体レーザ10が温度変化や光源出力の
変化等によって出力波長を変化しても、それに応じて記
録光パワーが変化するので、常に最適な記録状態が得ら
れる。
変化等によって出力波長を変化しても、それに応じて記
録光パワーが変化するので、常に最適な記録状態が得ら
れる。
なお、第1図の実施例では検出媒体Ml、M2の透過光
の差により光波長を検出するようにしたが、これらの反
射光の差により検出することもできる。
の差により光波長を検出するようにしたが、これらの反
射光の差により検出することもできる。
〔実施例2〕
この発明の他の実施例を第6図に示す。この実施例では
コリメータレンズ12とハーフプリズム14との間に波
形整形用プリズム30を配置しており、この波形整形用
プリズム30の反射光を光波長検出手段18に入射して
光波長の検出を行っている。第1図と共通ずる部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。
コリメータレンズ12とハーフプリズム14との間に波
形整形用プリズム30を配置しており、この波形整形用
プリズム30の反射光を光波長検出手段18に入射して
光波長の検出を行っている。第1図と共通ずる部分には
同一の符号を付してその説明を省略する。
〔実施例3〕
この発明のさらに別の実施例を第7図に示す。
この実施例では回折格子32を用いて光波長の検出を行
っている。第1図の実施例と共通する部分には同一の符
号を用いる。第7図において、半導体レーザ10から出
力されたレーザ光の一部はコリメータレンズ12、ハー
フプリズム14を介して光波長検出手段19の回折格子
32を透過する。
っている。第1図の実施例と共通する部分には同一の符
号を用いる。第7図において、半導体レーザ10から出
力されたレーザ光の一部はコリメータレンズ12、ハー
フプリズム14を介して光波長検出手段19の回折格子
32を透過する。
回折格子32は波長により1次回折光の角度が大きく変
化するものが望ましい。透過したレーザ光のうち1次回
折光L1は2分割フォトダイオード34に入射される。
化するものが望ましい。透過したレーザ光のうち1次回
折光L1は2分割フォトダイオード34に入射される。
2分割フォトダイオード34の各出力は引算器36に入
力される。1次回折光L1は波長によって2分割フォト
ダイオード34の分割線と直交方向(矢印A方向)に動
くので、引算器36からは波長に応じて変化する出力が
得られる。したがって、引算器36の出力によってAL
PC回路28の供給電力を制御して半導体レーザ10か
ら出力される記録光パワーを制御することにより、常に
最適な記録状態が得られる。
力される。1次回折光L1は波長によって2分割フォト
ダイオード34の分割線と直交方向(矢印A方向)に動
くので、引算器36からは波長に応じて変化する出力が
得られる。したがって、引算器36の出力によってAL
PC回路28の供給電力を制御して半導体レーザ10か
ら出力される記録光パワーを制御することにより、常に
最適な記録状態が得られる。
なお、回折格子32の0次光LOの全光量が波長により
変化することを利用して、この0次光LOをダイオード
38で検出して、アンプ40を介してALPC回路28
の供給電力を制御することもできる。
変化することを利用して、この0次光LOをダイオード
38で検出して、アンプ40を介してALPC回路28
の供給電力を制御することもできる。
〔実施例4〕
前記各実施例では、光波長を検出するために別途検出媒
体Ml、M2(第1図)や回折格子32(第7図)を設
けたが、ディスク1そのものの反射光を例えばフォーカ
ス及びトラッキング用フォトダイオードを兼用して検出
して(または反射光検出用ユニットを専用に設けて検出
して)その検出出力に応じて記録光パワーを制御するこ
ともできる。
体Ml、M2(第1図)や回折格子32(第7図)を設
けたが、ディスク1そのものの反射光を例えばフォーカ
ス及びトラッキング用フォトダイオードを兼用して検出
して(または反射光検出用ユニットを専用に設けて検出
して)その検出出力に応じて記録光パワーを制御するこ
ともできる。
前記各実施例では、この発明を追記形ディスクに適用し
た場合について示したが、書換可能形ディスクにも適用
することができる。
た場合について示したが、書換可能形ディスクにも適用
することができる。
以上説明したように、この発明によれば、記録光源から
ディスクへ照射される光の波長を検出して、その検出出
力に応じて前記記録光源への供給電力を制御するように
したので、光波長にかかわらす適切な記録光パワーが得
られるようになり、適切な記録状態を得ることができる
。
ディスクへ照射される光の波長を検出して、その検出出
力に応じて前記記録光源への供給電力を制御するように
したので、光波長にかかわらす適切な記録光パワーが得
られるようになり、適切な記録状態を得ることができる
。
第1図は、この発明の第1実施例を示すブロック図であ
る。 第2図は、第1図のディスク1における照射光波長と反
射率との関係を示す特性図である。 第3図は、第1図の光波長検出手段18による検出特性
を示す特性図である。 第4図は、第1図の関数回路28の入出力特性図である
。 第5図は、第1図の光波長サーボによる記録光パワー特
性図である。 第6図は、この発明の第2実施例を示すブロック図であ
る。 第7図は、この発明の第3実施例を示すブロック図であ
る。 第8図(a)(b)は、レーザ波長の温度、光出力依存
性を説明するための図である。 A L P C(Auton+atic La5er
Power Controller)回路(供給電力制
御手段)。
る。 第2図は、第1図のディスク1における照射光波長と反
射率との関係を示す特性図である。 第3図は、第1図の光波長検出手段18による検出特性
を示す特性図である。 第4図は、第1図の関数回路28の入出力特性図である
。 第5図は、第1図の光波長サーボによる記録光パワー特
性図である。 第6図は、この発明の第2実施例を示すブロック図であ
る。 第7図は、この発明の第3実施例を示すブロック図であ
る。 第8図(a)(b)は、レーザ波長の温度、光出力依存
性を説明するための図である。 A L P C(Auton+atic La5er
Power Controller)回路(供給電力制
御手段)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 記録光源からディスクへ照射される光の波長を検出する
光波長検出手段と、 この光波長検出手段の検出出力に応じて前記記録光源へ
の供給電力を制御することにより、光波長にかかわらず
適切な記録光パワーが得られるようにする供給電力制御
手段と を具備してなる光ディスク記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258963A JPH02105342A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光ディスク記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63258963A JPH02105342A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光ディスク記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02105342A true JPH02105342A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17327453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63258963A Pending JPH02105342A (ja) | 1988-10-14 | 1988-10-14 | 光ディスク記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02105342A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6497772B1 (en) | 2000-09-27 | 2002-12-24 | Molecular Metallurgy, Inc. | Surface treatment for improved hardness and corrosion resistance |
KR100423824B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2004-03-22 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 레이저 파워 제어 장치 및 광 디스크 장치 |
-
1988
- 1988-10-14 JP JP63258963A patent/JPH02105342A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100423824B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2004-03-22 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 레이저 파워 제어 장치 및 광 디스크 장치 |
US6497772B1 (en) | 2000-09-27 | 2002-12-24 | Molecular Metallurgy, Inc. | Surface treatment for improved hardness and corrosion resistance |
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