JPH02104328U - - Google Patents

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JPH02104328U
JPH02104328U JP1265189U JP1265189U JPH02104328U JP H02104328 U JPH02104328 U JP H02104328U JP 1265189 U JP1265189 U JP 1265189U JP 1265189 U JP1265189 U JP 1265189U JP H02104328 U JPH02104328 U JP H02104328U
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storage capacitor
electrode
insulating film
film
gate
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図は本考案の一実施例を示したも
ので、第1図および第2図はストレージキヤパシ
タ付きTFTパネルの一部分の断面図および平面
図、第3図はストレージキヤパシタ付きTFTパ
ネルの製造工程図、第4図は第3図cの平面図、
第5図は第3図fのA部分の拡大図である。第6
図は従来のストレージキヤパシタ付きTFTパネ
ルの一部分の断面図、第7図および第8図は従来
の他のストレージキヤパシタ付きTFTパネルの
一部分の断面図および平面図である。 21……基板、22……SOG膜、22a……
ストレージキヤパシタ用電極(金属拡散層)、2
3……薄膜トランジスタ、24……ゲート電極、
24a……ゲートライン、25……ゲート絶縁膜
、26……i−a−Si半導体層、27……n
−a−Si層、28……ソース電極、28a……
コンタクト電極、29……ドレイン電極、29a
……データライン、30……ストレージキヤパシ
タ用絶縁膜、31……上部SOG膜、31a……
画素電極(金属拡散層)。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 基板上に多数の画素電極とこの画素電極を選択
    駆動する多数の薄膜トランジスタとを配列形成す
    るとともに、前記画素電極の下に、ストレージキ
    ヤパシタ用絶縁膜を介して前記画素電極と対向す
    るストレージキヤパシタ用電極を設けたストレー
    ジキヤパシタ付きTFTパネルにおいて、前記基
    板上にその全面にわたつてSOG(スピンオンガ
    ラス)膜を設け、このSOG膜の上に、前記薄膜
    トランジスタのゲート電極およびゲートラインと
    、このゲート電極およびゲートラインをその幅よ
    りも広く覆うゲート絶縁膜を形成し、このゲート
    絶縁膜の上に前記薄膜トランジスタの半導体層お
    よびソース、ドレイン電極を形成するとともに、
    前記SOG膜の上記ゲート絶縁膜で覆われていな
    い部分の表面を、導電性金属の拡散により導電性
    をもたせたストレージキヤパシタ用電極とし、こ
    のストレージキヤパシタ用電極の上に、ストレー
    ジキヤパシタ用絶縁膜を介して画素電極を形成し
    たことを特徴とするストレージキヤパシタ付きT
    FTパネル。
JP1265189U 1989-02-07 1989-02-07 ストレージキャパシタ付きtftパネル Expired - Lifetime JPH0750736Y2 (ja)

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JP1265189U JPH0750736Y2 (ja) 1989-02-07 1989-02-07 ストレージキャパシタ付きtftパネル

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JPH02104328U true JPH02104328U (ja) 1990-08-20
JPH0750736Y2 JPH0750736Y2 (ja) 1995-11-15

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ID=31222280

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JPH0750736Y2 (ja) 1995-11-15

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