JPH02102757U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02102757U JPH02102757U JP1146589U JP1146589U JPH02102757U JP H02102757 U JPH02102757 U JP H02102757U JP 1146589 U JP1146589 U JP 1146589U JP 1146589 U JP1146589 U JP 1146589U JP H02102757 U JPH02102757 U JP H02102757U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- ceramic
- subcarrier
- optical coupling
- metal material
- Prior art date
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- Pending
Links
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Description
第１図ａは本考案の一実施例の構造を示す平面
図、第１図ｂは第１図ａのＸ―Ｘ′線断面図、第
２図は本考案による半導体レーザサブキヤリアを
用いた冷却構造を示す断面図、第３図は従来の冷
却構造を示す断面図である。 １は一体化金属キヤリア、２はセラミツク母材
、３は固定用金属、４はリード線、１２は冷却素
子、１３，１４は半田、１５は半導体レーザ素子
、１６はパツケージ、１７はモニタ用受光素子で
ある。
図、第１図ｂは第１図ａのＸ―Ｘ′線断面図、第
２図は本考案による半導体レーザサブキヤリアを
用いた冷却構造を示す断面図、第３図は従来の冷
却構造を示す断面図である。 １は一体化金属キヤリア、２はセラミツク母材
、３は固定用金属、４はリード線、１２は冷却素
子、１３，１４は半田、１５は半導体レーザ素子
、１６はパツケージ、１７はモニタ用受光素子で
ある。
Claims (1)
- 半導体レーザ、モニタ用受光素子、光結合用レ
ンズが搭載され、冷却素子を備えるパツケージに
固定される半導体レーザサブキヤリアであつて、
セラミツクが母材とされ、前記半導体レーザと光
結合用レンズとが搭載される第１の部分と前記パ
ツケージに当接固定される第２の部分とが連結部
によつて係数がほぼ等しい金属材で構成され、前
記金属材と前記セラミツクと連結され、該第１及
び第２の部分と連結部とが前記セラミツクと熱膨
張が一体化されていることを特徴とする半導体レ
ーザサブキヤリア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146589U JPH02102757U (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1146589U JPH02102757U (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02102757U true JPH02102757U (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=31220046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1146589U Pending JPH02102757U (ja) | 1989-02-03 | 1989-02-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02102757U (ja) |
-
1989
- 1989-02-03 JP JP1146589U patent/JPH02102757U/ja active Pending