JPH02102755U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02102755U JPH02102755U JP1091289U JP1091289U JPH02102755U JP H02102755 U JPH02102755 U JP H02102755U JP 1091289 U JP1091289 U JP 1091289U JP 1091289 U JP1091289 U JP 1091289U JP H02102755 U JPH02102755 U JP H02102755U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser element
- laser device
- monitors
- optical path
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Description
第1図、第2図は本考案に係る半導体レーザー
装置の実施例を示す図で、第1図は一部を断面に
した斜視図、第2図は概略図、第3図は従来の半
導体レーザー装置の概略図、第4図は他の従来の
半導体レーザー素子を示す一部を断面にした斜視
図である。 12……半導体レーザー装置、50……光導電
変換部。
装置の実施例を示す図で、第1図は一部を断面に
した斜視図、第2図は概略図、第3図は従来の半
導体レーザー装置の概略図、第4図は他の従来の
半導体レーザー素子を示す一部を断面にした斜視
図である。 12……半導体レーザー装置、50……光導電
変換部。
Claims (1)
- 面発光型の半導体レーザー素子の光路側面に、
前記半導体レーザー素子から発生する光の出力を
モニターする光導電変換部を形成してなる構成の
半導体レーザー装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1091289U JPH02102755U (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1091289U JPH02102755U (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02102755U true JPH02102755U (ja) | 1990-08-15 |
Family
ID=31218995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1091289U Pending JPH02102755U (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02102755U (ja) |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1091289U patent/JPH02102755U/ja active Pending