JPH0193467A - 酸化物系セラミックス - Google Patents
酸化物系セラミックスInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
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- H10N10/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はM g 、 T i 、酸素(0)から成る新
規な酸化物系セラミックスに関し、更に詳しくは、N型
半導体特性を備えており、水蒸気、−酸化炭素、水素、
アンモニア、四塩化炭素、硫化水素などのガス成分に対
する感知機能を有しているため各種センサーへの適用が
可能であり、また、液体窒素温度(−195,8℃)か
ら500℃の温度域において熱起電力を利用する熱電発
電機能特性を備えている酸化物系セラミックスに関する
。
規な酸化物系セラミックスに関し、更に詳しくは、N型
半導体特性を備えており、水蒸気、−酸化炭素、水素、
アンモニア、四塩化炭素、硫化水素などのガス成分に対
する感知機能を有しているため各種センサーへの適用が
可能であり、また、液体窒素温度(−195,8℃)か
ら500℃の温度域において熱起電力を利用する熱電発
電機能特性を備えている酸化物系セラミックスに関する
。
(従来の技術)
S n02 、ZnO、Fe203 (7)ような金
属酸化物はN型半導体特性を備えており、またこれに−
酸化炭素、アルコールのようなガスを吸着させるとその
電気伝導度が変化をする。このような性質を利用して、
例えば5n02は水素、−酸化炭素、メタン、アルコー
ルのような可燃性ガスの警報器センサーとして、ZnO
はプロパン、エタン、ブタンのような炭化水素化合物系
ガスとくに酸化・還元ガス検知用のセンサーに、モして
Fe2O3は都市ガス用センサーに組込む素材として実
用に供されている。
属酸化物はN型半導体特性を備えており、またこれに−
酸化炭素、アルコールのようなガスを吸着させるとその
電気伝導度が変化をする。このような性質を利用して、
例えば5n02は水素、−酸化炭素、メタン、アルコー
ルのような可燃性ガスの警報器センサーとして、ZnO
はプロパン、エタン、ブタンのような炭化水素化合物系
ガスとくに酸化・還元ガス検知用のセンサーに、モして
Fe2O3は都市ガス用センサーに組込む素材として実
用に供されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、現在までのところ、Ti。
Mg、Oを必須成分としていてガス感知機能を備えた酸
化物系セラミックスは知られていない。本発明は、Ti
、Mg、Oから成り、N型半導体特性を備えていてガス
感知機能を有し、しかも熱電発電機能特性をも備える新
規な酸化物系セラミックスの提供を目的とする。
化物系セラミックスは知られていない。本発明は、Ti
、Mg、Oから成り、N型半導体特性を備えていてガス
感知機能を有し、しかも熱電発電機能特性をも備える新
規な酸化物系セラミックスの提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段・作用)本発明の酸化物
系セラミックスは、MgOに0.1〜40%ル%JIノ
T i Ox (ただし、Xは0.64≦x≦1.25
の関係を満足する数を表わす)が固溶した相から成るこ
とを特徴とし、また他のものは、上記した相と、TiO
xに多くとも30モル%量のMgOが固溶した相とが混
在して成るセラミックスであることを特徴とする。
系セラミックスは、MgOに0.1〜40%ル%JIノ
T i Ox (ただし、Xは0.64≦x≦1.25
の関係を満足する数を表わす)が固溶した相から成るこ
とを特徴とし、また他のものは、上記した相と、TiO
xに多くとも30モル%量のMgOが固溶した相とが混
在して成るセラミックスであることを特徴とする。
本発明の酸化物系セラミックスの第1は、NaC文型結
晶構造のMgOに同じ<NaC文型結晶構造の一酸化チ
タン(T i Ox)が固溶して成る単相のセラミック
スである。ここでXはTiに固溶されている酸素の原子
モル数を表わし、この値が0.64〜1.25の範囲を
外れている場合には、得られたセラミックスはN型半導
体としての特性を発現しない、好ましくは。
晶構造のMgOに同じ<NaC文型結晶構造の一酸化チ
タン(T i Ox)が固溶して成る単相のセラミック
スである。ここでXはTiに固溶されている酸素の原子
モル数を表わし、この値が0.64〜1.25の範囲を
外れている場合には、得られたセラミックスはN型半導
体としての特性を発現しない、好ましくは。
0.85≦x≦1.05である。
またTiOxのMgOへの固溶量は0.1〜40モル%
に設定される。この固溶量が40モル%より多い場合は
、得られたセラミックスはN型半導体特性を喪失して電
気伝導度が導電金属のそれに近似する値になるとともに
ゼーベック係数は増加しなくなる。また0、1モル%よ
り少ない場合は、電気伝導度が著減して絶縁性が顕著に
なりN型半導体特性が消失する。固溶量は、10〜25
モル%であることが好ましい。
に設定される。この固溶量が40モル%より多い場合は
、得られたセラミックスはN型半導体特性を喪失して電
気伝導度が導電金属のそれに近似する値になるとともに
ゼーベック係数は増加しなくなる。また0、1モル%よ
り少ない場合は、電気伝導度が著減して絶縁性が顕著に
なりN型半導体特性が消失する。固溶量は、10〜25
モル%であることが好ましい。
本発明の酸化物系セラミックスの第2は、上記した単相
の外に、TiOxにMgOが多くとも30モル%固溶し
て成る相が存在し、両相が混在しているセラミックスで
ある。
の外に、TiOxにMgOが多くとも30モル%固溶し
て成る相が存在し、両相が混在しているセラミックスで
ある。
またこの後者の相において、TiOxへのMgOの固溶
量が30モル%よりも多い場合は、2相混合相となり電
気伝導性の劣化のような問題を生じて不都合である。好
ましくは10〜20モル%である。
量が30モル%よりも多い場合は、2相混合相となり電
気伝導性の劣化のような問題を生じて不都合である。好
ましくは10〜20モル%である。
この第2のセラミックスにおいて、MgOにTiOxを
固溶せしめた相と前述したTiOxにMgOを固溶せし
めた相との混在割合で、後者の混在量が50モル%を超
えて多くなる場合は、電気的絶縁性となるから好ましく
ない。好ましくは前者:後者のモル比が90〜60:1
0〜40の場合である。
固溶せしめた相と前述したTiOxにMgOを固溶せし
めた相との混在割合で、後者の混在量が50モル%を超
えて多くなる場合は、電気的絶縁性となるから好ましく
ない。好ましくは前者:後者のモル比が90〜60:1
0〜40の場合である。
このような本発明の酸化物系セラミックスは、いずれも
、常温から500℃の温度域における電気伝導度がlX
1O−14〜lX103Ω−1m cm−1であり、ま
たゼーベック係数は−50〜0.V/にである。
、常温から500℃の温度域における電気伝導度がlX
1O−14〜lX103Ω−1m cm−1であり、ま
たゼーベック係数は−50〜0.V/にである。
本発明の酸化物系セラミックスは粉末冶金法を適用した
焼結体として製造することができるし、また、物理蒸着
法(PVD法)、化学蒸着法(CVD法)、プラズマC
VD法のような真空薄膜形成法を適用して、適宜な基材
の表面に上記組成のセラミックスを薄膜として1層また
は複数層を積層して製造することもできる。
焼結体として製造することができるし、また、物理蒸着
法(PVD法)、化学蒸着法(CVD法)、プラズマC
VD法のような真空薄膜形成法を適用して、適宜な基材
の表面に上記組成のセラミックスを薄膜として1層また
は複数層を積層して製造することもできる。
しかしながら、製造が容易である、特性の調整が容易で
あるなどの点から、焼結体として製造することが好まし
い。
あるなどの点から、焼結体として製造することが好まし
い。
焼結体として製造する場合には、まず原料粉としてMg
O粉末、TiO粉末を準備する。これら粉末の粒度は、
焼結性促進と焼結体の緒特性の向上の点からして、平均
粒径100〜5000人であることが好ましい、とくに
好ましくは500〜3000人である。
O粉末、TiO粉末を準備する。これら粉末の粒度は、
焼結性促進と焼結体の緒特性の向上の点からして、平均
粒径100〜5000人であることが好ましい、とくに
好ましくは500〜3000人である。
目的とする焼結体の組成に対応させて両粉末を混合し、
更にここに例えばパラフィンを成形助剤として全体重量
に対し3〜10重量%程度添加し全体を充分に混合する
。このとき、例えばアセトンのような溶媒を適量添加し
てもよい。
更にここに例えばパラフィンを成形助剤として全体重量
に対し3〜10重量%程度添加し全体を充分に混合する
。このとき、例えばアセトンのような溶媒を適量添加し
てもよい。
得られた混合粉を乾燥したのち例えばプレス成形して所
定形状の成形体に賦形する0通常、成形圧は500−1
000kg/c−%に設定される。ついで温度300〜
800℃で成形体を予備焼成し、添加されている成形助
剤や溶媒を除去したのちこれを焼結する。
定形状の成形体に賦形する0通常、成形圧は500−1
000kg/c−%に設定される。ついで温度300〜
800℃で成形体を予備焼成し、添加されている成形助
剤や溶媒を除去したのちこれを焼結する。
焼結は真空またはAr雰囲気中で行なわれる。
とくに真空雰囲気であることが好ましい、このときの焼
結炉の炉内圧はlO4〜1O−2Torrであることが
好ましい、炉内圧が低すぎると、Mgが揮発し易すい状
態となり目的組成と特性のセラミックスが製造されにく
くなり、また炉内圧が高すぎると酸素、窒素が固溶して
安定な化合物となるからである。焼結時に留意すべきこ
とは、炉内における酸素分圧の制御である。この場合の
酸素分圧は、用いたMgO,Ti0両粉末の量、TiO
xまたはMgOとして固溶させる量、試料容積との関係
で適宜管理されるべきで一義的に決めることはできない
。
結炉の炉内圧はlO4〜1O−2Torrであることが
好ましい、炉内圧が低すぎると、Mgが揮発し易すい状
態となり目的組成と特性のセラミックスが製造されにく
くなり、また炉内圧が高すぎると酸素、窒素が固溶して
安定な化合物となるからである。焼結時に留意すべきこ
とは、炉内における酸素分圧の制御である。この場合の
酸素分圧は、用いたMgO,Ti0両粉末の量、TiO
xまたはMgOとして固溶させる量、試料容積との関係
で適宜管理されるべきで一義的に決めることはできない
。
焼結温度は1100〜1600’oが好ましい。
この温度が低すぎるとMgOへのT i OXの固溶反
応またはTlOxへのMgOの固溶反応が円滑に進行せ
ず、また高すぎるとMgの揮発傾向が増大して富酸素化
するからである。
応またはTlOxへのMgOの固溶反応が円滑に進行せ
ず、また高すぎるとMgの揮発傾向が増大して富酸素化
するからである。
また、例えば後述するガス感知機能を活用するためには
、この焼結体を多孔質にすればよいが、その場合、焼結
温度が高すぎると全体は緻密化するので焼結は例えば8
00〜1200℃と比較的低温の温度域で行なえばよい
、この温度域の場合には5〜50%程度の多孔質体が得
られる。また、焼結時間は、酸素、窒素の富化防止及び
焼結性の制御の点からして0.5〜2時間であることが
好ましい。
、この焼結体を多孔質にすればよいが、その場合、焼結
温度が高すぎると全体は緻密化するので焼結は例えば8
00〜1200℃と比較的低温の温度域で行なえばよい
、この温度域の場合には5〜50%程度の多孔質体が得
られる。また、焼結時間は、酸素、窒素の富化防止及び
焼結性の制御の点からして0.5〜2時間であることが
好ましい。
このようにして得られた焼結体は、その構成粒子の粒径
が100〜5000人であり、その比表面積は1〜20
0m″/gとなっている。
が100〜5000人であり、その比表面積は1〜20
0m″/gとなっている。
(発明の実施例)
実施例1〜10
(1)セラミックスの製造
原料粉として粒径100〜5000人のMgO粉末、T
iO粉末を用意した0両粉末を第1表に示した割合(重
量%)で混合し、更にこの鈍合粉に対し4〜lO重量%
量のパラフィンを添加し、全体をアセトン溶媒中で湿式
ボールミルにより混合した。得られた混合粉を大気中で
乾燥したのち1000kg/dの圧でプレス成形して長
方体とした。各長方体を500℃の真空炉で予備焼成し
たのち、第1表に示した条件下で焼結した。
iO粉末を用意した0両粉末を第1表に示した割合(重
量%)で混合し、更にこの鈍合粉に対し4〜lO重量%
量のパラフィンを添加し、全体をアセトン溶媒中で湿式
ボールミルにより混合した。得られた混合粉を大気中で
乾燥したのち1000kg/dの圧でプレス成形して長
方体とした。各長方体を500℃の真空炉で予備焼成し
たのち、第1表に示した条件下で焼結した。
得られた各焼結体の組成、密度、構成粒子の粒径、比表
面積をそれぞれ測定しその値を第1表に示した。表中、
人相とはMgOに固溶したTiOxとから成る相を表わ
し、B相とは、TiOxに固溶したMgOとから成る相
を表わす。
面積をそれぞれ測定しその値を第1表に示した。表中、
人相とはMgOに固溶したTiOxとから成る相を表わ
し、B相とは、TiOxに固溶したMgOとから成る相
を表わす。
(2)セラミックスの特性
■電気伝導度の測定
実施例1〜6の各焼結体長方体を常温下のAr気流中に
置き、それぞれの長方体について4端子法によって電気
伝導度(σ:Ω−1・cm−’ )を測定した。その結
果を第1図に示した。第1図における横軸はA相の混在
割合(%)を表わし、縦軸は測定した電気伝導度の対数
値(見Ogσ)を表わす。
置き、それぞれの長方体について4端子法によって電気
伝導度(σ:Ω−1・cm−’ )を測定した。その結
果を第1図に示した。第1図における横軸はA相の混在
割合(%)を表わし、縦軸は測定した電気伝導度の対数
値(見Ogσ)を表わす。
第1図から明らかなように、本発明のセラミックスはB
相が減少してA相が増量する、すなわちTiOの含有量
が減少するに伴って電気伝導度は減少し、σが10″I
o〜103Ω−’ @ C1−’ テあり半導体的な導
電性を示す。
相が減少してA相が増量する、すなわちTiOの含有量
が減少するに伴って電気伝導度は減少し、σが10″I
o〜103Ω−’ @ C1−’ テあり半導体的な導
電性を示す。
■ゼーベック係数の測定
実施例1,3.5の各長方体をAr気流中に置き、それ
ぞれの両端に温度差を与え、常温から350°Cまでの
温度範囲でゼーベック熱起電力を測定した。その値から
ゼーベック係数(α:pV/K)を求めそれを第2図に
示した。
ぞれの両端に温度差を与え、常温から350°Cまでの
温度範囲でゼーベック熱起電力を測定した。その値から
ゼーベック係数(α:pV/K)を求めそれを第2図に
示した。
図から明らかなように、B相の減少、すなわちTiO含
有量の減少に伴ない本発明のセラミックスのゼーベック
係数は負の側に大きく変移しその半導体極性はN形であ
ることがわかる。
有量の減少に伴ない本発明のセラミックスのゼーベック
係数は負の側に大きく変移しその半導体極性はN形であ
ることがわかる。
■ガス濃度に対する電気抵抗の変化
実施例7の長方体を常温(25℃)下において濃度の異
なる硫化水素(H2S)、水蒸気(H20)、アンモニ
ア(NH3)、エタン(C2H6)の各ガス雰囲気中に
置き、長方体の電気比抵抗(ρ:Ω・cm)を測定した
。その結果を、各ガスの濃度との関係図として第3図に
示した。
なる硫化水素(H2S)、水蒸気(H20)、アンモニ
ア(NH3)、エタン(C2H6)の各ガス雰囲気中に
置き、長方体の電気比抵抗(ρ:Ω・cm)を測定した
。その結果を、各ガスの濃度との関係図として第3図に
示した。
図から明らかなように、本発明のセラミックスは、H2
S、水蒸気に対しその濃度が上昇すると明確に電気抵抗
値も増大してこれらガスに対する感知機能を有している
。
S、水蒸気に対しその濃度が上昇すると明確に電気抵抗
値も増大してこれらガスに対する感知機能を有している
。
■ガス濃度に対する電気抵抗
実施例1Oの長方体を、いずれも濃度11000ppの
一酸化炭素(CO)、水素(H2)、プロパン(C3H
a)、塩化水素(HC文)、窒酸化物(NOx)のガス
雰囲気中に置き、雰囲気温度を変化させたときの長方体
の電気抵抗を測定した。その結果を第4図に示した。
一酸化炭素(CO)、水素(H2)、プロパン(C3H
a)、塩化水素(HC文)、窒酸化物(NOx)のガス
雰囲気中に置き、雰囲気温度を変化させたときの長方体
の電気抵抗を測定した。その結果を第4図に示した。
図から明らかなように、本発明のセラミックスは、HC
I 、NOxに対しては非常に高感度であり、これらガ
スに対するセンサーとして使用することができる。
I 、NOxに対しては非常に高感度であり、これらガ
スに対するセンサーとして使用することができる。
■熱エネルギーの電気エネルギーへの変換効率指数(Z
) 実施例3,7.10の各長方体につき、ゼーベック係数
(α)、熱伝導率(K)、電気伝導度(σ)を測定し、
次式:Z=σα2/にで示される性能指数を算出した。
) 実施例3,7.10の各長方体につき、ゼーベック係数
(α)、熱伝導率(K)、電気伝導度(σ)を測定し、
次式:Z=σα2/にで示される性能指数を算出した。
この性能指数Zが大きな値である材料はど熱エネルギー
と電気エネルギーとの変換効率が高く、熱電材料として
の価値は大きいことになる。
と電気エネルギーとの変換効率が高く、熱電材料として
の価値は大きいことになる。
以上の結果を第2表に示した。比較のために、Ag(比
較例1)、Bi2Te3 (比較例2)のデータも示
した。
較例1)、Bi2Te3 (比較例2)のデータも示
した。
第2表から明らかなように、本発明のセラミックスは、
Z値が熱電材料として知られている比較例2の値に及ば
ないとはいえ、しかしその融点は高く高温下で用いる熱
電材料としての意義は大きい。
Z値が熱電材料として知られている比較例2の値に及ば
ないとはいえ、しかしその融点は高く高温下で用いる熱
電材料としての意義は大きい。
(発明の効果)
以上の説明で明らかなように、本発明のセラミックスは
、熱エネルギーを電気エネルギーに、また逆に電気エネ
ルギーを熱エネルギーに変換することができるので、こ
れら材料が利用されているガス、石油のファンヒータ、
ガス温情し器の温度制御素子や強制排気の電源等の分野
に使用することができる。また、本発明のセラミックス
は低原子量の元素で構成されているため、例えば、低温
用の天体長波長放射線利用の天気計やスポット形差動式
火災検知器などの素子材料ともなり得る。
、熱エネルギーを電気エネルギーに、また逆に電気エネ
ルギーを熱エネルギーに変換することができるので、こ
れら材料が利用されているガス、石油のファンヒータ、
ガス温情し器の温度制御素子や強制排気の電源等の分野
に使用することができる。また、本発明のセラミックス
は低原子量の元素で構成されているため、例えば、低温
用の天体長波長放射線利用の天気計やスポット形差動式
火災検知器などの素子材料ともなり得る。
更に本発明のセラミックスは負のゼーベック係数を有す
るN型半導体であるため、これをCoo、NiO,Cu
(M)ような正のゼーベ+7り係数を有するP形半導体
と接合して通電すれば。
るN型半導体であるため、これをCoo、NiO,Cu
(M)ような正のゼーベ+7り係数を有するP形半導体
と接合して通電すれば。
周囲の熱を奪う電子冷凍素子としても機能し小形冷凍器
への組込みが可能となる。
への組込みが可能となる。
また、第3図、第4図からも明らかなように、この材料
はH2S、水蒸気、HC文、NOx等のガスに対する感
知機能を有するため、これらガスのセンサー材料として
も使用し得る。
はH2S、水蒸気、HC文、NOx等のガスに対する感
知機能を有するため、これらガスのセンサー材料として
も使用し得る。
更に、この材料は、第2表に示したようにその融点が高
く、熱安定性に優れるとともに、適切な電気伝導性も備
えているので高温下で用いる積層コンデンサの電極材料
として使用することができる。
く、熱安定性に優れるとともに、適切な電気伝導性も備
えているので高温下で用いる積層コンデンサの電極材料
として使用することができる。
第1図は、本発明セラミックスのA相の混在割合と電気
伝導度との関係を表わす図であり、第2図は本発明セラ
ミックスのゼーベック係数の温度変化を表わす図である
。第3図は本発明セラミックスのガス濃度と電気抵抗の
関係図、第4図は本発明セラミックスのガス雰囲気温度
と電気抵抗との関係図である。 父方池り1」1 第2図 第3図
伝導度との関係を表わす図であり、第2図は本発明セラ
ミックスのゼーベック係数の温度変化を表わす図である
。第3図は本発明セラミックスのガス濃度と電気抵抗の
関係図、第4図は本発明セラミックスのガス雰囲気温度
と電気抵抗との関係図である。 父方池り1」1 第2図 第3図
Claims (6)
- (1)MgOに0.1〜40モル%量のTiO_x(た
だし、xは0.64≦x≦1.25の関係を満足する数
を表わす)が固溶した相から成ることを特徴とする酸化
物系セラミックス。 - (2)常温から500℃までの温度域における電気伝導
度、ゼーベック係数が、それぞれ、1×10^+^4〜
1×10^3Ω^−^1・cm^−^1、−50〜0μ
V/Kである特許請求の範囲第1項記載の酸化物系セラ
ミックス。 - (3)酸化物系セラミックスが焼結体である特許請求の
範囲第1項または第2項記載の酸化物系セラミックス。 - (4)焼結体が、粒径100〜5000Å、比表面積が
1〜200m^2/gの多孔質体から成る特許請求の範
囲第3項記載の酸化物系セラミックス。 - (5)MgOに0.1〜40モル%量のTiO_x(た
だし、xは0.64≦x≦1.25の関係を満足する数
を表わす)が固溶した相と、TiO_xに多くとも30
モル%量のMgOが固溶した相とが混在していることを
特徴とする酸化物系セラミックス。 - (6)MgOに0.1〜40モル%量のTiO_x(た
だし、xは0.64≦x≦1.25の関係を満足する数
を表わす)が固溶した相と、TiO_xに多くとも30
モル%量のMgOが固溶した相との混在割合が、モル比
で95〜50:5〜50である特許請求の範囲第5項記
載の酸化物系セラミックス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62245902A JPH085708B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 酸化物系セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62245902A JPH085708B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 酸化物系セラミックス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0193467A true JPH0193467A (ja) | 1989-04-12 |
JPH085708B2 JPH085708B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=17140520
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62245902A Expired - Lifetime JPH085708B2 (ja) | 1987-10-01 | 1987-10-01 | 酸化物系セラミックス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH085708B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005091393A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Japan Science And Technology Agency | 多孔質熱電材料及びその製造方法 |
CN104661983A (zh) * | 2013-03-29 | 2015-05-27 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | MgO-TiO烧结体靶及其制造方法 |
WO2017170152A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Jx金属株式会社 | Mg-Ti-Oスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN111403769A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-10 | 罗伯特·博世有限公司 | 防腐蚀和导电材料 |
JP2020147822A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 株式会社高純度化学研究所 | MgO−TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201632482A (zh) * | 2014-12-05 | 2016-09-16 | 宇部材料股份有限公司 | 濺鍍用MgO靶材及薄膜 |
-
1987
- 1987-10-01 JP JP62245902A patent/JPH085708B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005091393A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Japan Science And Technology Agency | 多孔質熱電材料及びその製造方法 |
CN104661983A (zh) * | 2013-03-29 | 2015-05-27 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | MgO-TiO烧结体靶及其制造方法 |
CN111792919A (zh) * | 2013-03-29 | 2020-10-20 | 捷客斯金属株式会社 | MgO-TiO烧结体靶及其制造方法 |
WO2017170152A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | Jx金属株式会社 | Mg-Ti-Oスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPWO2017170152A1 (ja) * | 2016-03-29 | 2018-04-05 | Jx金属株式会社 | Mg−Ti−Oスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN111403769A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-10 | 罗伯特·博世有限公司 | 防腐蚀和导电材料 |
JP2020147822A (ja) * | 2019-03-15 | 2020-09-17 | 株式会社高純度化学研究所 | MgO−TiO系スパッタリングターゲットの製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH085708B2 (ja) | 1996-01-24 |
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