JPH01633A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子ビームの照射により１′−導体集積回路の
パターンを露光する電子ビーム露光装置に関するもので
ある。

し従来の技１ホｊ］ 従来、電子ビーム露光装置における電子ビーム照射輝度
の−Ｅニターは描画開始、終了時点及びパターン描画中
の一定間隔時点毎に間欠的に実施していた。

［発明が解決しようとする問題点］ 上述した従来の電子ビーム露光装置は電子ビーム照射輝
度を常時モニターしていないため、短時間、例えば可変
整形方式の電子ビーム露光装置では整形電子ビームショ
ット間の短時間（１μＳＥＣ程度）に照射輝度が変動し
た場合、描画基板（フォトマスク又はウェハー）には所
望のパターンを露光させることが不可能になるという欠
点がある。

短時間に電子ビーム照射輝度が変化する要素としては電
子ビーム銃の電子放出源であるフィラメントの寿命等に
よる電子放出分布の変動及びフィラメント形状異常によ
る放出電子♀の変動等がある。

本発明の目的は前記問題点を解消した電子ビーム露光装
置を提供することにおる。

［発明の従来技術に対する相違点］ 上述し、た従来の電子ビーム露光装置に対し、本発明は
基本性能を低下させることなく、全ての描画パターンの
照射電子ビーム輝度をしニターし、描画基、仮の各々の
（１／１両パターンの寸法変動を容易に検出覆るという
独創的内容を右する。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は電子ビームの照ＩＪにより半導体集積回路のパ
ターンを露光する電子ビーム露光装置において、電子ビ
ームの光路途中に設けたアパーヂ（・−と、該アパーヂ
Ｖ−への電子ビームの照射量を検出する検知部と、該検
知部よりの検出信号に塁づぎ電子ビーム照射輝度を−し
ニターする処聞ｊ部とを右することを特徴とプる電子ビ
ーム露光装置で（りる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図により説明する。

（実施例１） 第１図は本発明をラウンドビーム方式の電子ビーム露光
装置に適用した第１の実施例を示す図である。

ｕ）１図において、電子ビーム銃１から放射される電子
ビームの光路中に、ビーム絞りアパーチャー２と、照射
レンズ３と、位置決め偏向器４及び投影レンズ５とを設
置する。ざらに前記アパーチ（ｔ　−２への電子ビーム
の照射量を検出する検知部７と、該検知部７よりの検出
信号に基づき電子ビーム照０４輝度をモニターする処理
部８とを備えている。

実施例において、電子ビーム銃１から放射した電子ビー
ムはビーム絞りアパーチャー２に照射される。パターン
露光用として用いる均一の電子ビームは前記ビーム絞り
アパーチャー２を通過し照射レンズ３を経て位置決め偏
向器４により所定の位置に偏向され、）Δトマスク６上
に照射される。

本発明の電子ビーム露光装置はビーム絞りアパーチｘ□
−２に当る電子量を検知部７により検知することにより
電子ビーム照射輝度の変動を常時モニターするものであ
る。

検知部７の機構は第２図に示すようにビーム校リアパー
チャー２に接続した検出片９を有してあり、該検出片９
はアース１０されている。尚、検出片９は導体を用い、
ビーム絞りアパーチャー２の電位変化によるビーム絞り
アパーチｐ−２を通過するパターン発生用電子ビームの
影響をなくすようになっている。電子ビーム照射輝度検
出は、検出片９にあらかじめ垂直方向（第２図ト１方向
）に磁場を与えておぎ、ビーム絞りアパーチｌ７−２か
らの電流か検出片９に流れることにより磁場と電流の垂
直方向に生じる電位（ホール効果）を電位差圧計１１で
検出することにより行われる。この検出信号は、処理部
８に送られ常時モニターすることにより輝度変動を知る
ことができる。

又整形矩形方式における電子ビーム露光装置にＪ３いて
も照射レンズ３まではラウンドビーム方式と同一構造で
おるため、本発明により電子ビーム照射輝度の検出は可
能である。

ざらに処理部８での輝度変動モニター信号とパターン描
画タイミングとを時間軸で一致させると、各々の描画パ
ターンの電子ビーム照射輝度を知ることがで゛きる。

（実施例２） 第３図は本発明をラウンドビーム方式の電子ビーム露光
装置に適用した第２の実施例を示す図である。本実施例
は電子ビームの広がりを規制するビーム規制アパーチャ
ー１２に照射する電子ビームの照射量を実施例１の方法
と同一の検知部７て検知して電子ビーム照射輝度の変動
をモニターするものである。

本実施例はビーム規制アパーチャー１２に照射する電子
ビーム量が実施例１のビーム絞りアパーチレ−２に照射
する電子ビーム層より少なくなり輝度変動の検出精度は
多少低下するが、ビーム規制アパーチャー１２から電子
ビーム銃１までの間の電子ビーム照射輝度変動を−しニ
ターできるため、照射レンズ等のトラブル等による照射
輝度変動をモニターできるメリットがおる。

［発明の効果］ 以上説明したように本発明は電子銃から放出した電子ビ
ームの輝度を常時モニターすることにより、短時間によ
る輝度変動を検知可能となり、変動による各々の描画パ
ターンの寸法変動を容易に知ることができ、描画パター
ンの品質管理を強化できる効果がある。また、輝度変動
が発生すると、１μ描画パターンにおいては輝度変動１
０％に対してパターン寸法変動が約±０．２μの範囲で
現われ描画パターンの寸法精度が低下するが、本発明に
よれば、輝度変動のある描画パターンを把握することが
できるため、輝度変動による半導体集積回路の不良の発
生を未然に防止することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す構成図、第２図は
電子ビーム照射輝度の検出部を示す図、第３図は本発明
の第２の実施例を示す構成図である。 １・・・電子ビーム銃、　　２・・・ビーム絞りアパー
チｐ＋、３・・・照射レンズ、　４・・・位置決め偏向
器、　５・・・投影レンズ、　６・・・フォトマスク。 ７・・・検知部、　８・・・処理部、　９・・・検出片
。 １１・・・電位差圧計、１２・・・ビーム規制アパーチ
ャー第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子ビームの照射により半導体集積回路のパター
   ンを露光する電子ビーム露光装置において、電子ビーム
   の光路途中に設けたアパーチャーと、該アパーチャーへ
   の電子ビームの照射量を検出する検知部と、該検知部よ
   りの検出信号に基づき電子ビーム照射輝度をモニターす
   る処理部とを有することを特徴とする電子ビーム露光装
   置。