JPH0157362B2 - - Google Patents

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JPH0157362B2
JPH0157362B2 JP54077212A JP7721279A JPH0157362B2 JP H0157362 B2 JPH0157362 B2 JP H0157362B2 JP 54077212 A JP54077212 A JP 54077212A JP 7721279 A JP7721279 A JP 7721279A JP H0157362 B2 JPH0157362 B2 JP H0157362B2
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JP
Japan
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terminal
transistor
collector
base
emitter
Prior art date
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Application number
JP54077212A
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Japanese (ja)
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JPS561769A (en
Inventor
Masanori Murata
Mitsutoshi Ito
Yukio Akazawa
Tsunetaka Sudo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication of JPS561769A publication Critical patent/JPS561769A/en
Publication of JPH0157362B2 publication Critical patent/JPH0157362B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、定電流回路に係り特に、デジタル入
力信号により、オン、オフ動作をする。I2L構造
の定電流回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a constant current circuit, and particularly to a constant current circuit that is turned on and off by a digital input signal. This relates to a constant current circuit with an I 2 L structure.

I2Lはバイポーラ構造の新しい論理素子として、
近年、大いに注目を集めているが、特にリニア回
路と共存できる論理素子として、通信用、あるい
は計測用のIC等に、広く採用されている。
I 2 L is a new logic element with bipolar structure,
They have attracted a lot of attention in recent years, and are widely used in communication and measurement ICs, especially as logic elements that can coexist with linear circuits.

又デジタル信号より、アナログ信号への変換に
はデイジタル―アナログ変換集積回路いわゆる
DACが、用いられるため、I2L構造のDACはこれ
からのIC化技術にとつて不可欠のものと思われ
る。
In addition, a so-called digital-to-analog conversion integrated circuit is used to convert digital signals to analog signals.
Since DAC is used, I 2 L structure DAC is considered to be indispensable for future IC technology.

本発明の目的は、この様な要求に応えるべく、
I2L構造のICにおいて、一定の出力電流をスイツ
チング動作により得ることのできる回路を提供す
ることにある。
The purpose of the present invention is to meet such demands,
The object of the present invention is to provide a circuit that can obtain a constant output current through a switching operation in an IC having an I 2 L structure.

本発明による定電流回路はコレクタ端子とベー
ス端子とを相互接続されたエミツタ接地の第1の
トランジスタと前記第1のトランジスタと同型で
あり、前記ベース端子にベース端子を接続された
エミツタ接地の第2のトランジスタと前記第1の
トランジスタとは異型であり前記第1のトランジ
スタの前記コレクタ端子にコレクタ端子を接続さ
れたベース接地の第3のトランジスタと、前記第
3のトランジスタのエミツタ端子に第1端子を接
続され、第2端子を外部電源に接続された抵抗を
有し、前記第1のトランジスタの前記ベース端子
を入力端子とし、前記第2のトランジスタの前記
コレクタ端子を出力端子に接続した構造を少なく
とも1つ有することを特徴とする 第1図を参照して本発明の一実施例により、本
発明の動作原理につき概説する。
A constant current circuit according to the present invention includes a first transistor with a common emitter whose collector terminal and base terminal are interconnected, and a first transistor with a common emitter whose base terminal is connected to the base terminal. The second transistor and the first transistor are of different types, and a third transistor has a common base and whose collector terminal is connected to the collector terminal of the first transistor, and a first transistor whose collector terminal is connected to the collector terminal of the third transistor, and A structure in which the base terminal of the first transistor is an input terminal, and the collector terminal of the second transistor is connected to an output terminal. The operating principle of the present invention will be summarized in accordance with an embodiment of the present invention with reference to FIG.

第1図において、トランジスタQ1はコレクタ
端子とベース端子とを相互接続されたエミツタ接
地NPNトランジスタ、トランジスタQ2はベース
端子をトランジスタQ1と、共有するエミツタ接
地NPNトランジスタ、トランジスタQ3はエミツ
タ端子が抵抗を介して、外部電源に接続され、コ
レクタ端子はトランジスタQ1およみびQ2のベー
ス端子に接続されたベース接地PNPトランジス
タである。
In Figure 1, transistor Q 1 is a common emitter NPN transistor whose collector terminal and base terminal are interconnected, transistor Q 2 is an emitter common NPN transistor whose base terminal is shared with transistor Q 1 , and transistor Q 3 is an emitter common NPN transistor. is a common-base PNP transistor connected to an external power supply through a resistor, and whose collector terminal is connected to the base terminals of transistors Q1 and Q2 .

入力信号はトランジスタQ1のベース端子1に
加え、出力電流はトランジスタQ2のコレクタ電
流I2である。
The input signal is added to the base terminal 1 of the transistor Q 1 , and the output current is the collector current I 2 of the transistor Q 2 .

いま、入力端子1が接地されたとすると、トラ
ンジスタQ1およびQ2はオフとなりトランジスタ
Q2のコレクタ電流は流れない。又トランジスタ
Q3のコレクタ電流は端子1を通つて、接地端子
に流れる。
Now, if input terminal 1 is grounded, transistors Q 1 and Q 2 are turned off and transistors
Collector current of Q 2 does not flow. Also transistor
The collector current of Q 3 flows through terminal 1 to the ground terminal.

逆に端子1が開放のときはトランジスタQ3
コレクタ電流は、ほとんど、トランジスタQ1
通つて接地端子に流れる。このときトランジスタ
Q1とベース端子およびエミツタ端子をそれぞれ
共通とするトランジスタQ2のコレクタ端子には
トランジスタQ1のコレクタ電流に、トランジス
タQ1とQ2のエミツタ面積比を剰じた値とほゞ等
しい電流が流れることになる。そしてトランジス
タQ1のコレクタ電流I1はトランジスタQ3のコレ
クタ電流I3にほゞ等しく、I3は外部電源Vccと、抵
抗Rによつて、次式により決められる。
Conversely, when terminal 1 is open, most of the collector current of transistor Q3 flows to the ground terminal through transistor Q1 . At this time the transistor
At the collector terminal of transistor Q 2 , which shares a base terminal and an emitter terminal with Q 1 , a current approximately equal to the collector current of transistor Q 1 plus the emitter area ratio of transistors Q 1 and Q 2 is generated. It will flow. The collector current I 1 of the transistor Q 1 is approximately equal to the collector current I 3 of the transistor Q 3 , and I 3 is determined by the external power supply V cc and the resistor R according to the following equation.

I3≒Vcc−VBE3/R (1) 但し、VBE3はトランジスタQ3のベース、エミ
ツタ端子間電圧である。
I 3 ≒V cc −V BE3 /R (1) However, V BE3 is the voltage between the base and emitter terminals of the transistor Q 3 .

したがつてトランジスタQ2のコレクタ電流I2は I2=A2/A1・Vcc−VBE3/R (2) より、Vccが一定とすれば抵抗Rにより任意に設
定できる。但し、A1およびA2は、それぞれトラ
ンジスタQ1およびQ2のエミツタ面積とする。
Therefore, the collector current I 2 of the transistor Q 2 can be arbitrarily set by the resistor R from I 2 =A 2 /A 1 ·V cc −V BE3 /R (2) assuming that V cc is constant. However, A 1 and A 2 are the emitter areas of transistors Q 1 and Q 2 , respectively.

次に第2図を参照して本発明の他の実施例を説
明する。第2図は第1図に示す回路が外部電源端
子2および接続端子を共有して、3ケ並列に接続
されている。更に、出力トランジスタQ12,Q22
およびQ32のコレクタ端子は共通接続され、出力
端子3に接続されている。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 2, three circuits shown in FIG. 1 are connected in parallel, sharing the external power supply terminal 2 and the connection terminal. Furthermore, the output transistors Q 12 , Q 22
The collector terminals of Q 32 and Q 32 are commonly connected and connected to output terminal 3.

いま、入力端子11のみが、開放され他の入力
端子21および31が接地されたとすると、出力
端子3の電流I0は I0=A12/A11・Vcc−VBE13/R1 (3) となる。但し、A11,A12はそれぞれトランジス
タQ11,Q12のエミツタ面積を示す。
Now, assuming that only the input terminal 11 is open and the other input terminals 21 and 31 are grounded, the current I 0 of the output terminal 3 is I 0 =A 12 /A 11・V cc −V BE13 /R 1 (3 ) becomes. However, A 11 and A 12 indicate the emitter areas of transistors Q 11 and Q 12 , respectively.

又、端子21および31が開放で、端子11の
みが接地された場合は I0=A22/A21・Vcc−VBE23/R2+A32/A31 ・Vcc−VBE33/R3 (4) となる。但し、A21,A22,A31,A32は、それぞ
れトランジスタQ21,Q22,Q31,Q32のエミツタ
面積を示す。
Also, if terminals 21 and 31 are open and only terminal 11 is grounded, I 0 = A 22 /A 21・V cc −V BE23 /R 2 +A 32 /A 31・V cc −V BE33 /R 3 (4) becomes. However, A 21 , A 22 , A 31 , and A 32 represent the emitter areas of transistors Q 21 , Q 22 , Q 31 , and Q 32 , respectively.

これらのことより明らかな様に、抵抗R1,R2
およびR3の値を適当に選ぶか、あるいは、A12
A11,A22/A21およびA32/A31の値を適当に設定
することにより、ロジツク信号が加わる入力端子
の組合わせに応じた大きさの定電流出力が得られ
ることがわかる。
As is clear from these, the resistances R 1 and R 2
and R 3 values, or A 12 /
It can be seen that by appropriately setting the values of A 11 , A 22 /A 21 and A 32 /A 31 , a constant current output of a magnitude corresponding to the combination of input terminals to which logic signals are applied can be obtained.

また第3図に示すように抵抗R1,R2およびR3
を共通の抵抗Rで置き換えることも可能である。
Also, as shown in Figure 3, the resistors R 1 , R 2 and R 3
It is also possible to replace R with a common resistor R.

以上述べた様に、本発明によれば、I2L構造で、
しかもロジツク信号入力により電流値が制御でき
る定電流回路がきわめて簡単に得られる。
As described above, according to the present invention, in the I 2 L structure,
Moreover, a constant current circuit whose current value can be controlled by logic signal input can be obtained very easily.

又、入力端子を接地、あるいは開放すること
は、付加トランジスタ等のオン、オフ動作で実行
できることは言うまでもない。更に、第2図、第
3図では入力端子数が3の場合について例示した
が、任意の入力端子数となる様に、回路が構成で
きることを制限するものではない。なお、本発明
はI2L構造のデバイスにとつて、最も適したもの
でではあるが、通常のリニア用トランジスタで
も、あるいは、NPNとPNPとを置き換えても、
有効であることは、その動作原理より明白であ
る。
Furthermore, it goes without saying that grounding or opening the input terminal can be accomplished by turning on and off an additional transistor or the like. Further, although FIGS. 2 and 3 illustrate the case where the number of input terminals is three, this does not limit the circuit to be configured to have any number of input terminals. Although the present invention is most suitable for devices with an I 2 L structure, it can also be applied to ordinary linear transistors, or even if NPN and PNP are replaced.
Its effectiveness is obvious from its operating principle.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図ないし第3図はそれぞれ本発明の第1な
いし第3の実施例を示す回路図である。 1……入力端子、2……外部電源端子、3……
出力端子、Q1,Q2……NPNトランジスタ、Q3
…PNPトランジスタ、R……抵抗、I0……出力電
流、11,21,31……入力端子、2……外部
電源端子、3……出力端子、Q11,Q12,Q21
Q22,Q31,Q32……NPNトランジスタ、Q13
Q23,Q33……PNPトランジスタ、R1,R2,R3
…抵抗、I0……出力電流第2図と共通、R……抵
抗。
1 to 3 are circuit diagrams showing first to third embodiments of the present invention, respectively. 1...Input terminal, 2...External power supply terminal, 3...
Output terminal, Q 1 , Q 2 ... NPN transistor, Q 3 ...
...PNP transistor, R...resistance, I0 ...output current, 11, 21, 31...input terminal, 2...external power supply terminal, 3...output terminal, Q11 , Q12 , Q21 ,
Q 22 , Q 31 , Q 32 ...NPN transistor, Q 13 ,
Q 23 , Q 33 ... PNP transistor, R 1 , R 2 , R 3 ...
...Resistance, I 0 ...Output current common to Figure 2, R...Resistance.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 コレクタ端子と、ベース端子とを相互接続さ
れ、エミツタ接地された一導電型の第1のトラン
ジスタと、前記ベース端子に、ベース端子が接続
され、エミツタ接地された一導電型の第2のトラ
ンジスタと前記第1のトランジスタの前記コレク
タ端子にコレクタ端子が接続され、ベース接地さ
れた逆導電型の第3のトランジスタと、前記第3
のトランジスタのエミツタ端子に第1端子を接続
され、第2端子を外部電源に接続された抵抗を有
し、前記第1のトランジスタの前記ベース端子を
入力端子とし、前記第2のトランジスタの前記コ
レクタ端子を出力端子に接続したことを特徴とす
る定電流回路。
1. A first transistor of one conductivity type whose collector terminal and base terminal are interconnected and whose emitter is grounded; and a second transistor of one conductivity type whose base terminal is connected to the base terminal and whose emitter is grounded. and a third transistor of an opposite conductivity type whose collector terminal is connected to the collector terminal of the first transistor and whose base is grounded;
a resistor having a first terminal connected to the emitter terminal of the transistor and a second terminal connected to an external power supply, the base terminal of the first transistor being an input terminal, and the collector of the second transistor A constant current circuit characterized in that a terminal is connected to an output terminal.
JP7721279A 1979-06-19 1979-06-19 Constant current circuit Granted JPS561769A (en)

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JPS59157729A (en) * 1983-02-26 1984-09-07 Rohm Co Ltd Constant current circuit
US4600876A (en) * 1985-09-23 1986-07-15 Gte Communication Systems Corp. Integrated bootstrap bias circuit

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50146854A (en) * 1974-04-23 1975-11-25

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JPS50146854A (en) * 1974-04-23 1975-11-25

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