JPH0155768B2 - - Google Patents

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JPH0155768B2
JPH0155768B2 JP58228002A JP22800283A JPH0155768B2 JP H0155768 B2 JPH0155768 B2 JP H0155768B2 JP 58228002 A JP58228002 A JP 58228002A JP 22800283 A JP22800283 A JP 22800283A JP H0155768 B2 JPH0155768 B2 JP H0155768B2
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JP
Japan
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transistor
collector
emitter
current
voltage
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JP58228002A
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Japanese (ja)
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Kenji Kano
Shintaro Mori
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、制御信号の状態によつて出力端子か
ら流出又は流入する電流の電流比が、出力端子電
圧によつて変化することのない流入、流出電流発
生回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention provides an inflow system in which the current ratio of current flowing out or flowing in from an output terminal depending on the state of a control signal does not change depending on the output terminal voltage. This relates to an outflow current generation circuit.

〔従来技術〕[Prior art]

第1図に従来の流入、流出電流発生回路を示
す。この回路において、Q1,Q2はそれぞれの
ベースが同一のバイアス電源Vbに接続された同
一エミツタサイズの第1、第2のトランジスタで
ある。このためトランジスタQ1のコレクタ電流
I1とトランジスタQ2のコレクタ電流I2との間に
は次の関係が成立する。
FIG. 1 shows a conventional inflow/outflow current generation circuit. In this circuit, Q1 and Q2 are first and second transistors with the same emitter size and whose respective bases are connected to the same bias power supply Vb. Therefore, the collector current of transistor Q1
The following relationship holds between I1 and collector current I2 of transistor Q2.

I1=I2 ……(1) Q3,Q4は同じベース、エミツタ間電圧を持
ち、そのエミツタ面積比が1:nである第3、第
4のトランジスタであり、トランジスタQ3のコ
レクタ電流をI3、トランジスタQ4のコレクタ電
流をI4とすると次式が成立する。
I1=I2...(1) Q3 and Q4 are the third and fourth transistors that have the same base-to-emitter voltage and have an emitter area ratio of 1:n, and the collector current of transistor Q3 is If the collector current of Q4 is I4, the following equation holds true.

I4=nI3 ……(2) また、第5のトランジスタQ5のベース電流が
無視できるとすれば次式が成立する。
I4=nI3 (2) Furthermore, if the base current of the fifth transistor Q5 can be ignored, the following equation holds true.

I1=I3 ……(3) したがつて、制御信号の入力がなく、第6のト
ランジスタQ6がOFF状態の時には、出力から
Io=I4−I2、即ち(n−1)I1の電流が流出す
る。
I1=I3...(3) Therefore, when there is no control signal input and the sixth transistor Q6 is in the OFF state, the output
Io=I4-I2, that is, a current of (n-1)I1 flows out.

一方、制御信号の入力があり、トランジスタQ
6がONしている時は、トランジスタQ4からの
電流がなくなるため、出力にIi=I2、即ちI1の電
源が流れ込む。
On the other hand, there is a control signal input, and the transistor Q
When Q6 is on, the current from transistor Q4 disappears, so Ii=I2, that is, the power of I1 flows into the output.

したがつて流入する電流Iiと流出する電流Ioの
比は1:(n−1)となる。
Therefore, the ratio of the inflowing current Ii to the outflowing current Io is 1:(n-1).

以上が第1図の回路の概略の動作説明である
が、この回路において、トランジスタQ1とトラ
ンジスタQ2、及びトランジスタQ3とトランジ
スタQ4のコレクタ、エミツタ間電圧が出力端子
電圧に依存するため、トランジスタのアーリ効果
によつてトランジスタQ1,Q2の電流比、及び
トランジスタQ3,Q4の電流比が出力電圧
Voutに依存することとなる。
The above is a general explanation of the operation of the circuit shown in FIG. Depending on the effect, the current ratio of transistors Q1 and Q2 and the current ratio of transistors Q3 and Q4 will be the output voltage.
It will depend on Vout.

次にこの効果によりどの程度上記電流比が変化
するかを考察してみる。
Next, let us consider how much the above current ratio changes due to this effect.

NPNトランジスタQ1,Q2のアーリ効果と
して、そのコレクタ、エミツタ間電圧が1V変化
する毎にαだけ上記電流比がずれるとする。一
方、PNPトランジスタQ3,Q4のアーリ効果
として、そのコレクタ、エミツタ間電圧が1V変
化する毎にβだけ上記電流比がずれるものとす
る。
Assume that the Early effect of the NPN transistors Q1 and Q2 is that the above current ratio shifts by α every time the voltage between the collector and emitter changes by 1V. On the other hand, as an Early effect of the PNP transistors Q3 and Q4, it is assumed that the above current ratio shifts by β every time the voltage between the collector and emitter changes by 1V.

各トランジスタのベース、エミツタ間電圧を
Vbe、ダイオードD1の順方向電圧降下をVfと
すれば、トランジスタQ1のコレクタ、エミツタ
間電圧はVcc−2Vbe、一方、トランジスタQ2
のコレクタ、エミツタ間電圧はVoutである。従
つて次式が成立する。
The voltage between the base and emitter of each transistor is
Vbe, and if the forward voltage drop of diode D1 is Vf, the voltage between the collector and emitter of transistor Q1 is Vcc-2Vbe, while transistor Q2
The collector-emitter voltage of is Vout. Therefore, the following equation holds.

I2={1+(Vout−Vcc+2Vbe)α}I1 ……(4) また、トランジスタQ3のコレクタ、エミツタ
間電圧は2Vbeであり、トランジスタQ4のコレ
クタ、エミツタ間電圧はVcc−Vf−Voutである。
したがつて次式が成立する。
I2={1+(Vout-Vcc+2Vbe)α}I1...(4) Also, the voltage between the collector and emitter of transistor Q3 is 2Vbe, and the voltage between the collector and emitter of transistor Q4 is Vcc-Vf-Vout.
Therefore, the following equation holds.

I4=n{1+(Vcc−Vf−Vout−2Vbe)β}I3
……(5) したがつて流出電流Ioと流入電流Iiの比は次の
様になる。
I4=n{1+(Vcc−Vf−Vout−2Vbe)β}I3
...(5) Therefore, the ratio between the outflow current Io and the inflow current Ii is as follows.

Io/Ii=I4−I2/I2 =n{1+(Vcc−Vf−Vout−2Vbe)β/1+(Vout
−Vcc+2Vbe)α−1 (n−1){1+n/n−1(Vcc−Vf−Vout −2Vbe)β−(Vout−Vcc+2Vbe)α}
……(6) 但しI3≒I1 α、βの値は通常1%/V程度のオーダであ
り、したがつて流出電流Ioと流入電流Iiの比は2
%/V程度のオーダで変化してしまうことにな
る。従つてこの回路の出力端子に各種の制御回路
を接続する場合、該出力端子電圧の変動によつて
上記制御回路の性能が損なわれてしまうなどの問
題があつた。
Io/Ii=I4-I2/I2 =n{1+(Vcc-Vf-Vout-2Vbe)β/1+(Vout
−Vcc+2Vbe)α−1 (n−1) {1+n/n−1(Vcc−Vf−Vout −2Vbe)β−(Vout−Vcc+2Vbe)α}
...(6) However, I3≒I1 The values of α and β are usually on the order of 1%/V, so the ratio of outflow current Io and inflow current Ii is 2.
It will change on the order of %/V. Therefore, when various control circuits are connected to the output terminal of this circuit, there is a problem that the performance of the control circuit is impaired due to fluctuations in the output terminal voltage.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明は、かかる点に鑑みてなされたもので、
各々ベース、エミツタが共通接続された第1、第
2のトランジスタ、及び各々ベース、エミツタが
共通接続され各々のコレクタが上記第1、第2の
トランジスタのコレクタに接続された第3、第4
のトランジスタからなり、上記第4のトランジス
タのコレクタ電流を制御して、上記第2のトラン
ジスタのコレクタに接続された出力端子から流
入、流出電流を得るようにした流入、流出電流発
生回路において、上記第2のトランジスタのコレ
クタに、入力インピーダンスがその入力電流を0
とするほど高く、しかも電圧利得を持たないバツ
フア回路を接続し、その出力電圧を所定レベルシ
フトして上記第3、第4のトランジスタのエミツ
タに接続することにより、上記出力端子に得られ
る流入、流出電流の比を出力端子電圧の値に無関
係にすることができる流入、流出電流発生回路を
提供することを目的としている。
The present invention has been made in view of these points,
first and second transistors each having a base and emitter commonly connected; and third and fourth transistors each having a base and emitter commonly connected and each collector connected to the collectors of the first and second transistors.
In the inflow/outflow current generation circuit, the inflow/outflow current generation circuit is configured to control the collector current of the fourth transistor to obtain an inflow/outflow current from an output terminal connected to the collector of the second transistor. At the collector of the second transistor, an input impedance reduces its input current to zero.
By connecting a buffer circuit with a high voltage gain that is as high as It is an object of the present invention to provide an inflow/outflow current generation circuit that can make the ratio of outflow currents independent of the value of the output terminal voltage.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明の実施例を図について説明する。
第2図は本発明の一実施例による流入、流出電流
発生回路を示し、図において、Q1はバイアス用
電源Vbにベースが接続された第1導電型、即ち
NPNの第1のトランジスタ、Q2はベースが上
記バイアス用電源Vbに、エミツタが上記トラン
ジスタQ1のエミツタに接続された第2のNPN
トランジスタ、Q3はコレクタが上記トランジス
タQ1のコレクタに接続され、そのコレクタとベ
ースとがトランジスタQ5(エミツタフオロア回
路)のベース、エミツタを介して接続された第2
導電型の、即ちPNPのトランジスタ、Q4はこ
のトランジスタQ3とベース、エミツタを共通と
し、コレクタがダイオードD1を介して上記トラ
ンジスタQ2のコレクタに接続された第4の
PNPトランジスタ、11はトランジスタQ2の
コレクタにその入力が接続され、入力インピーダ
ンスが非常に高く電圧利得を持たないバツフア回
路、12は2つのダイオードD2,D3を直列接
続してなり、バツフア回路11の出力電圧を一定
値(2Vf)シフトさせるレベルシフト回路であ
り、その出力は上記トランジスタQ3,Q4のエ
ミツタに接続されている。そして上記トランジス
タQ4のコレクタをトランジスタQ6で制御する
ことにより、流入又は流出電流Ii、Ioを上記トラ
ンジスタQ2のコレクタに接続された出力端子に
得るようになつている。また、上記トランジスタ
Q3,Q4は同じベース、エミツタ間電圧を持
ち、そのエミツタ面積比は1:nとなつている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 2 shows an inflow/outflow current generation circuit according to an embodiment of the present invention, and in the figure, Q1 is of the first conductivity type whose base is connected to the bias power supply Vb.
The first NPN transistor Q2 is a second NPN whose base is connected to the bias power supply Vb and whose emitter is connected to the emitter of the transistor Q1.
The transistor Q3 has a collector connected to the collector of the transistor Q1, and a second transistor whose collector and base are connected via the base and emitter of the transistor Q5 (emitter follower circuit).
A conductivity type, ie, PNP, transistor Q4 has a common base and emitter with this transistor Q3, and a fourth transistor whose collector is connected to the collector of the transistor Q2 through a diode D1.
11 is a PNP transistor whose input is connected to the collector of transistor Q2; 12 is a buffer circuit with very high input impedance and no voltage gain; 12 is composed of two diodes D2 and D3 connected in series; the output of buffer circuit 11 is This is a level shift circuit that shifts the voltage by a fixed value (2Vf), and its output is connected to the emitters of the transistors Q3 and Q4. By controlling the collector of the transistor Q4 with the transistor Q6, inflow or outflow currents Ii and Io are obtained at the output terminal connected to the collector of the transistor Q2. Further, the transistors Q3 and Q4 have the same base-to-emitter voltage, and have an emitter area ratio of 1:n.

本実施例におけるミラー回路の電源電圧(トラ
ンジスタQ3,Q4のエミツタ電圧)は、バツフ
ア回路11の出力Voutにレベルシフト回路12
のダイオードD2,D3の順方向電圧降下分を加
えたVout+2Vfとなる。ここでトランジスタQ
1のコレクタ、エミツタ間電圧はトランジスタQ
4のエミツタ電圧Vout+2Vfよりトランジスタ
Q3のベース・エミツタ過電圧Vbeおよびトラン
ジスタQ5のベース・エミツタ間電圧Vbeを引い
た値、即ちVout+2Vf−2Vbeとなる。ダイオー
ドの順方向電圧降下Vfはトランジスタのベース、
エミツタ間電圧Vbeに等しいからトランジスタQ
1のコレクタ、エミツタ間電圧はVoutとなり、
一方トランジスタQ2のコレクタ、エミツタ間電
圧もVoutであるから、トランジスタQ1,Q2
のコレクタ、エミツタ間電圧は出力電圧Voutの
値に関わらず常に等しくなる。従つてアーリ効果
を考慮した場合にも次式が成立する。
In this embodiment, the power supply voltage of the mirror circuit (the emitter voltage of transistors Q3 and Q4) is connected to the output Vout of the buffer circuit 11 by the level shift circuit 12.
The sum of the forward voltage drops of the diodes D2 and D3 is Vout+2Vf. Here transistor Q
The voltage between the collector and emitter of transistor Q is
The value obtained by subtracting the base-emitter overvoltage Vbe of transistor Q3 and the base-emitter voltage Vbe of transistor Q5 from the emitter voltage Vout+2Vf of transistor Q4, ie, Vout+2Vf-2Vbe. The forward voltage drop Vf of the diode is the base of the transistor,
Since it is equal to the emitter voltage Vbe, the transistor Q
The voltage between the collector and emitter of 1 is Vout,
On the other hand, since the voltage between the collector and emitter of transistor Q2 is also Vout, transistors Q1 and Q2
The voltage between the collector and emitter of is always the same regardless of the value of the output voltage Vout. Therefore, the following equation holds true even when the Early effect is taken into account.

I2=I1 ……(7) またトランジスタQ3のコレクタ、エミツタ間
電圧は2Vbe、トランジスタQ4のコレクタ、エ
ミツタ間電圧はVfであり、次式が成立する。
I2=I1 (7) Also, the voltage between the collector and emitter of transistor Q3 is 2Vbe, the voltage between the collector and emitter of transistor Q4 is Vf, and the following equation holds true.

I4=n{1−(2Vbe−Vf)β}I3 ……(8) したがつて流出電流Ioと流入電流Iiの比は次の
様になる。
I4=n{1-(2Vbe-Vf)β}I3...(8) Therefore, the ratio of the outflow current Io to the inflow current Ii is as follows.

Io/Ii=I4−I2/I2 =n{1−(2Vbe−Vf)β}−1 ……(9) (9)式は流入電流Iiと流出電流Ioの比が出力電圧
Voutの値に無関係であることを示している。
Io/Ii=I4-I2/I2 =n{1-(2Vbe-Vf)β}-1...(9) Equation (9) shows that the ratio of inflow current Ii to outflow current Io is the output voltage
This shows that it is unrelated to the value of Vout.

このような本実施例回路では、出力端子が接続
されたトランジスタQ2のコレクタに、入力イン
ピーダンスが非常に高く、しかも電圧利得を持た
ないバツフア回路11を接続し、このバツフア回
路11の出力電圧を所定電圧分シフトしてトラン
ジスタQ3,Q4のエミツタに印加するようにし
たので、上記出力端子に得られる流入、流出電流
の比を出力電圧の値に無関係にすることができ
る。そしてこの電流比が出力電圧に関係せず一定
であるということは、例えば、上記出力端子に容
量を接続して積分機能をさせる回路において、そ
の性能を向上できることになる。
In this embodiment circuit, a buffer circuit 11 having a very high input impedance and no voltage gain is connected to the collector of the transistor Q2 to which the output terminal is connected, and the output voltage of the buffer circuit 11 is set to a predetermined value. Since the voltage is shifted by the voltage and applied to the emitters of the transistors Q3 and Q4, the ratio of the inflow and outflow currents obtained at the output terminal can be made independent of the value of the output voltage. The fact that this current ratio is constant regardless of the output voltage means that, for example, the performance of a circuit that connects a capacitor to the output terminal to perform an integration function can be improved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、本発明によれば、ベース、エミ
ツタが共通接続された第1、第2のトランジスタ
のコレクタに、ベース、エミツタが共通接続され
た第3、第4のトランジスタのコレクタのそれぞ
れを接続し、上記第4のトランジスタのコレクタ
電流を制御して上記第2のトランジスタのコレク
タに接続された出力端子に流入、流出電流を得る
ようにした流入、流出電流発生回路において、上
記出力端子と接続された第2のトランジスタのコ
レクタに、入力インピーダンスがその入力電流を
0とするほど高く、しかも電圧利得を持たないバ
ツフア回路を接続し、このバツフア回路の出力電
位を所定電圧分シフトしてこれを上記第3、第4
のトランジスタに印加するようにしたので、上記
流入、流出電流の電流比を出力端子電圧にかかわ
らず一定とすることができ、該出力端子に接続さ
れる各種回路の性能を向上させることができる効
果がある。
As described above, according to the present invention, the collectors of the first and second transistors, whose bases and emitters are commonly connected, are connected to the collectors of the third and fourth transistors, whose bases and emitters are commonly connected. In the inflow/outflow current generation circuit, the inflow/outflow current generation circuit is configured to control the collector current of the fourth transistor to obtain an inflow/outflow current to the output terminal connected to the collector of the second transistor. A buffer circuit whose input impedance is high enough to make its input current 0 and has no voltage gain is connected to the collector of the second connected transistor, and the output potential of this buffer circuit is shifted by a predetermined voltage. The above 3rd and 4th
Since the current ratio between the inflow and outflow currents can be kept constant regardless of the output terminal voltage, the performance of various circuits connected to the output terminal can be improved. There is.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の流入、流出電流発生回路の構成
図、第2図は本発明の一実施例による流入、流出
電流発生回路の構成図である。 Q1……第1のトランジスタ、Q2……第2の
トランジスタ、Q3……第3のトランジスタ、Q
4……第4のトランジスタ、Q5……エミツタフ
オロア回路、Vb……バイアス用電源、11……
バツフア回路、12……レベルシフト回路。なお
図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。
FIG. 1 is a block diagram of a conventional inflow/outflow current generation circuit, and FIG. 2 is a block diagram of an inflow/outflow current generation circuit according to an embodiment of the present invention. Q1...first transistor, Q2...second transistor, Q3...third transistor, Q
4... Fourth transistor, Q5... Emitter follower circuit, Vb... Bias power supply, 11...
Buffer circuit, 12...Level shift circuit. In the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ベースがバイアス用電源に接続された第1導
電型の第1のトランジスタと、ベース、エミツタ
が上記第1のトランジスタのベース、エミツタと
共通接続された第1導電型の第2のトランジスタ
と、コレクタが上記第1のトランジスタのコレク
タに接続されベースがそのコレクタに接続された
第2導電型の第3のトランジスタと、ベース、エ
ミツタが上記第3のトランジスタのベース、エミ
ツタと共通接続されコレクタが上記第2のトラン
ジスタのコレクタに接続された第2導電型の第4
のトランジスタと、入力が上記第2のトランジス
タのコレクタに接続され入力インピーダンスがそ
の入力電源を0とするほど高く電圧利得を持たな
いバツフア回路と、該バツフア回路の出力電位を
所定値シフトさせこれを上記第3、第4のトラン
ジスタのエミツタに印加するレベルシフト回路
と、上記第4のトランジスタのコレクタに電流制
御用信号を印加するための制御信号入力端子と、
上記第2のトランジスタのコレクタから取り出さ
れ上記制御信号に応じて本回路への流入又は流出
電流を得る出力端子とを備えたことを特徴とする
流入、流出電流発生回路。 2 上記第3のトランジスタのベースは、エミツ
タフオロア回路を介してそのコレクタに接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の流入、流出電流発生回路。
[Claims] 1. A first transistor of a first conductivity type whose base is connected to a bias power source; and a first transistor of a first conductivity type whose base and emitter are commonly connected to the base and emitter of the first transistor. a second transistor; a third transistor of a second conductivity type, the collector of which is connected to the collector of the first transistor; the base of which is connected to the collector of the third transistor; a fourth transistor of the second conductivity type, the collector of which is connected in common with the collector of the second transistor;
a buffer circuit whose input is connected to the collector of the second transistor and whose input impedance is so high as to make the input power supply 0 and has no voltage gain, and which shifts the output potential of the buffer circuit by a predetermined value. a level shift circuit for applying a current control signal to the emitters of the third and fourth transistors; a control signal input terminal for applying a current control signal to the collector of the fourth transistor;
An inflow/outflow current generating circuit comprising: an output terminal taken out from the collector of the second transistor to obtain an inflow or outflow current to the circuit according to the control signal. 2. The inflow/outflow current generation circuit according to claim 1, wherein the base of the third transistor is connected to its collector via an emitter follower circuit.
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