JPH0155447B2 - - Google Patents
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- JPH0155447B2 JPH0155447B2 JP56078358A JP7835881A JPH0155447B2 JP H0155447 B2 JPH0155447 B2 JP H0155447B2 JP 56078358 A JP56078358 A JP 56078358A JP 7835881 A JP7835881 A JP 7835881A JP H0155447 B2 JPH0155447 B2 JP H0155447B2
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- etching
- light
- silicon wafer
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は遮光膜にて構成された半導体基板をス
ピンナー等で蝕刻の処理をする場合、その処理状
況を高精度に検知し、制御する表面処理方法に関
する。
ピンナー等で蝕刻の処理をする場合、その処理状
況を高精度に検知し、制御する表面処理方法に関
する。
一般に、半導体の製造には、半導体基板に、そ
の基板面の洗浄から始まつて感光剤の塗布、所要
パターンの露光、現像、蝕刻および剥膜に到る工
程を繰返し行なうことで、所要のものを製造する
（勿論、ドーピング等の他の工程とのコンビネー
シヨンを含んでいる。） これらの処理工程のうち蝕刻工程についてみた
場合、従来方式では、その処理を開始した時点か
ら所定の時間が経過した時点をもつて処理終点と
していた。しかし、この様な時間制御では処理条
件のバラツキにより常に安定した高精度のものは
得られず歩留りの悪いものであつた。
の基板面の洗浄から始まつて感光剤の塗布、所要
パターンの露光、現像、蝕刻および剥膜に到る工
程を繰返し行なうことで、所要のものを製造する
（勿論、ドーピング等の他の工程とのコンビネー
シヨンを含んでいる。） これらの処理工程のうち蝕刻工程についてみた
場合、従来方式では、その処理を開始した時点か
ら所定の時間が経過した時点をもつて処理終点と
していた。しかし、この様な時間制御では処理条
件のバラツキにより常に安定した高精度のものは
得られず歩留りの悪いものであつた。
すなわち、蝕刻中に基板表面の蝕刻状況が検知
出来ず、蝕刻後の形状変化を定量的に時間換算し
て検知、制御する従来の十把一からげ方法では、
半導体基板、レジスト、蒸着物等被蝕刻半導体基
板側の不均一性に加えて液温、液濃度、溶出不純
物等、蝕刻剤側の不均一性等の不均一化系では本
来、高精度に安定したものは望めない。
出来ず、蝕刻後の形状変化を定量的に時間換算し
て検知、制御する従来の十把一からげ方法では、
半導体基板、レジスト、蒸着物等被蝕刻半導体基
板側の不均一性に加えて液温、液濃度、溶出不純
物等、蝕刻剤側の不均一性等の不均一化系では本
来、高精度に安定したものは望めない。
それ故、最近、動的検出の概念が普及し、従来
から公知の光学検出法（反射又は透過にて、蝕刻
終点検出の試みがなされつつある。
から公知の光学検出法（反射又は透過にて、蝕刻
終点検出の試みがなされつつある。
例えば、特公昭56−6142号公報に記載されてい
る方法は反射型の１例である。これは反射干渉光
を利用して表面形状を検知する方法で、さらに言
及すれば、半導体基板の蝕刻途中の形状変化を干
渉縞数の変化として検出し、それと蝕刻量とを関
係付けたものである。
る方法は反射型の１例である。これは反射干渉光
を利用して表面形状を検知する方法で、さらに言
及すれば、半導体基板の蝕刻途中の形状変化を干
渉縞数の変化として検出し、それと蝕刻量とを関
係付けたものである。
しかし、この方法は蝕刻液の不均一性に依存し
ないで、所要の蝕刻量を得ることは出来るが、基
板自体の膜厚及び蝕刻中の蝕刻面の入射角等は蝕
刻中は不均一になるため、定常な安定した強弱正
弦波を得るのは難かしく、さらにパターン幅の大
小による蝕刻特性等により、パターンに対応した
高精度の蝕刻終点制御は実用上難かしい。又、そ
の上前述のごとく十把一からげ様式の検出制御方
法では安定した基板の歩留を求めるのは困難であ
る。
ないで、所要の蝕刻量を得ることは出来るが、基
板自体の膜厚及び蝕刻中の蝕刻面の入射角等は蝕
刻中は不均一になるため、定常な安定した強弱正
弦波を得るのは難かしく、さらにパターン幅の大
小による蝕刻特性等により、パターンに対応した
高精度の蝕刻終点制御は実用上難かしい。又、そ
の上前述のごとく十把一からげ様式の検出制御方
法では安定した基板の歩留を求めるのは困難であ
る。
又、特開昭51−20676号公報や特開昭55−
110248号公報に記載されている方法は透過型の例
である。これらに記載されている方法は、本来、
光透過性を必要とするガラス基板上のフオトマス
クを作成する蝕刻の終点検出に利用されている
が、これの有効性は、公知の検出方法により検出
した信号を平均化して、その変化率の最大点を求
め、この信号から直接蝕刻停止させる機能を可能
にし、蝕刻精度を制御出来ること、換言すれば蝕
刻精度を制御出来る程の平均化した変化率の変化
が必要であると言うことである。
110248号公報に記載されている方法は透過型の例
である。これらに記載されている方法は、本来、
光透過性を必要とするガラス基板上のフオトマス
クを作成する蝕刻の終点検出に利用されている
が、これの有効性は、公知の検出方法により検出
した信号を平均化して、その変化率の最大点を求
め、この信号から直接蝕刻停止させる機能を可能
にし、蝕刻精度を制御出来ること、換言すれば蝕
刻精度を制御出来る程の平均化した変化率の変化
が必要であると言うことである。
しかしこの方法は透過性を必要とするガラス基
板に対して有効であるが、半導体等の如く基板そ
のものが光の透過が困難なものに対しては蝕刻精
度を制御出来る程の検出信号の平均化変化率の変
化は望めない。したがつて実際には信号の平均化
での制御はその高精度化が困難であり、むしろ逆
に蝕刻精度の低下を招く。
板に対して有効であるが、半導体等の如く基板そ
のものが光の透過が困難なものに対しては蝕刻精
度を制御出来る程の検出信号の平均化変化率の変
化は望めない。したがつて実際には信号の平均化
での制御はその高精度化が困難であり、むしろ逆
に蝕刻精度の低下を招く。
本発明はかかる従来のものの欠点を解消すべく
考えられたもので、いわゆる非透過性の基板とし
てみられているもののうちでも基板を透過する波
長光域を見い出したことによつて、基板側及び蝕
刻液の不均一性に関係なく、パターンに対応した
高精度の安定した蝕刻終点制御を複雑な検出回路
を要せず簡単に行うことを可能にした。
考えられたもので、いわゆる非透過性の基板とし
てみられているもののうちでも基板を透過する波
長光域を見い出したことによつて、基板側及び蝕
刻液の不均一性に関係なく、パターンに対応した
高精度の安定した蝕刻終点制御を複雑な検出回路
を要せず簡単に行うことを可能にした。
さらに具体的に言えば、半導体基板を構成して
いる物質の遮光性と透過性の領域を光波長の長さ
にて追求し、その結果得られた所定の光波長域で
もつて透過方法にて十把一からげの検出ではなく
基板１枚毎、単独に検出しその検出信号が初期値
に対して変動を生じた時から所定の時間を経過し
た時点をもつて蝕刻終点とする制御方法である。
いる物質の遮光性と透過性の領域を光波長の長さ
にて追求し、その結果得られた所定の光波長域で
もつて透過方法にて十把一からげの検出ではなく
基板１枚毎、単独に検出しその検出信号が初期値
に対して変動を生じた時から所定の時間を経過し
た時点をもつて蝕刻終点とする制御方法である。
この方法によれば、蝕刻液の条件変動は勿論の
こと、基板側の条件変動やパターンによる蝕刻特
性等に関係なく、いわゆるガラス等光透過性を必
要とするもの以外で、半導体基板の如く、光透過
性困難なものに対しても透過型光学検出法で、か
つ検出信号を複雑な回路補正することなく、簡単
により高精度な基板を安定して得られるというも
のである。
こと、基板側の条件変動やパターンによる蝕刻特
性等に関係なく、いわゆるガラス等光透過性を必
要とするもの以外で、半導体基板の如く、光透過
性困難なものに対しても透過型光学検出法で、か
つ検出信号を複雑な回路補正することなく、簡単
により高精度な基板を安定して得られるというも
のである。
以下、本発明を図に示す実施例にもとづいて具
体的に説明する。
体的に説明する。
第１図はシリコンウエハに対するフオトリソグ
ラフイ工程による表面処理を模式的に示した説明
図である。図中イはシリコンウエハ１に対するア
ルミニウムなどの金属薄膜２の蒸着工程、ロは金
属膜２上にフオトレジスト３を塗布する工程、ハ
はマスクパターン４を持つたフオトマスク５を介
して矢印で示す紫外線による露光工程、ニはフオ
トレジスト３をパターン化する現像工程、ホは現
像により露出した金属薄膜２を蝕刻する工程、ヘ
はフオトレジスト３の剥離工程である。
ラフイ工程による表面処理を模式的に示した説明
図である。図中イはシリコンウエハ１に対するア
ルミニウムなどの金属薄膜２の蒸着工程、ロは金
属膜２上にフオトレジスト３を塗布する工程、ハ
はマスクパターン４を持つたフオトマスク５を介
して矢印で示す紫外線による露光工程、ニはフオ
トレジスト３をパターン化する現像工程、ホは現
像により露出した金属薄膜２を蝕刻する工程、ヘ
はフオトレジスト３の剥離工程である。
これらの処理工程のうちで、ニ，ホ，ヘの各処
理工程の実施に当たり、第２図に示すように周囲
をガード１１によつて囲まれていて、、現像液、
蝕刻液、剥離液などの処理液の飛沫や蒸気が作業
室に流出しない手段が講じられた空間の一定位置
を占める水平面内において、真空チヤツク回転板
（スピンナーヘツド）１２を回転させ、その板面
に前記イ，ロ，ハの工程を終えたウエハ１０（シ
リコンウエハ１、金属薄膜２等を含んだ全体をい
う）を固定保持させ、所定の回転速度にて回転さ
せながら、前記処理液、例えば蝕刻液をノズル１
３からその表面に均一に所定時間にわたつて各液
を噴射することによつて表面処理、例えば蝕刻を
行う装置（即ち、スピンスプレイ装置）を示して
いる。
理工程の実施に当たり、第２図に示すように周囲
をガード１１によつて囲まれていて、、現像液、
蝕刻液、剥離液などの処理液の飛沫や蒸気が作業
室に流出しない手段が講じられた空間の一定位置
を占める水平面内において、真空チヤツク回転板
（スピンナーヘツド）１２を回転させ、その板面
に前記イ，ロ，ハの工程を終えたウエハ１０（シ
リコンウエハ１、金属薄膜２等を含んだ全体をい
う）を固定保持させ、所定の回転速度にて回転さ
せながら、前記処理液、例えば蝕刻液をノズル１
３からその表面に均一に所定時間にわたつて各液
を噴射することによつて表面処理、例えば蝕刻を
行う装置（即ち、スピンスプレイ装置）を示して
いる。
次に、前記装置を用い、前記イ〜ニの各工程を
終えたウエハ１０に対して行なわれる蝕刻工程に
ついて説明する。
終えたウエハ１０に対して行なわれる蝕刻工程に
ついて説明する。
ガード１１の上部に設けられた天板（図示せ
ず）の開口部からガード１１の排出口１４へ気流
が流れるようドラフト装置（図示せず）を運転す
ると共に、真空チヤツク回転板１２を例えば約
500rpmで回転駆動し、前記ウエハ１０を回転さ
せ、この回転しているウエハ１０に蝕刻液を蝕刻
液噴射ノズル１３より所定の時間噴射する。
ず）の開口部からガード１１の排出口１４へ気流
が流れるようドラフト装置（図示せず）を運転す
ると共に、真空チヤツク回転板１２を例えば約
500rpmで回転駆動し、前記ウエハ１０を回転さ
せ、この回転しているウエハ１０に蝕刻液を蝕刻
液噴射ノズル１３より所定の時間噴射する。
次に前記所定の時間の噴射についてであるが、
第３図において説明する。
第３図において説明する。
即ち、第２図に示す装置を制御して所定の時間
である蝕刻終点を制御する方法は、噴射ノズル１
３からウエハ１０への噴射方向及び噴射衝突位置
を外れたウエハ１０上の上下側に設置した投光器
１６と受光器１７によりセンサー１９を通して透
過信号を検出し、引き続き、タイマー２０にて設
定された追加蝕刻時間を制御してシリコンウエハ
１上の金属薄膜２の蝕刻を停止させるわけである
が、実施例に従つてもう少し具体的に説明する
と、前記スピンスプレイ装置により蝕刻開始と同
時に、直流電源２１より発光する光源を含むセン
サー１９よりガラスフアイバーを通して9200〜
9400Åの波長光を投光器１６から投光し、シリコ
ンウエハ１上の全遮光性金属膜２の面が溶け始
め、シリコンウエハ１の表面が露出し始めた時、
前記波長光はシリコンウエハ１を通過し、最外殻
に空気吹出口１８を有する受光器１７に受光され
ガラスフアイバーを通して、センセー１９にて始
めてある透過率をもつて感知され、それが電気信
号に変換される。この信号の変動状態をXYレコ
ーダー２２で表示すると第４図のグラフになる。
である蝕刻終点を制御する方法は、噴射ノズル１
３からウエハ１０への噴射方向及び噴射衝突位置
を外れたウエハ１０上の上下側に設置した投光器
１６と受光器１７によりセンサー１９を通して透
過信号を検出し、引き続き、タイマー２０にて設
定された追加蝕刻時間を制御してシリコンウエハ
１上の金属薄膜２の蝕刻を停止させるわけである
が、実施例に従つてもう少し具体的に説明する
と、前記スピンスプレイ装置により蝕刻開始と同
時に、直流電源２１より発光する光源を含むセン
サー１９よりガラスフアイバーを通して9200〜
9400Åの波長光を投光器１６から投光し、シリコ
ンウエハ１上の全遮光性金属膜２の面が溶け始
め、シリコンウエハ１の表面が露出し始めた時、
前記波長光はシリコンウエハ１を通過し、最外殻
に空気吹出口１８を有する受光器１７に受光され
ガラスフアイバーを通して、センセー１９にて始
めてある透過率をもつて感知され、それが電気信
号に変換される。この信号の変動状態をXYレコ
ーダー２２で表示すると第４図のグラフになる。
第４図はスピン蝕刻開始直前から光波長9200〜
9400Åをウエハ１０に照射し、蝕刻進行による遮
光から透過へ変化する経時変化に対する光電変換
した電圧特性曲線である。なお縦軸に電圧Ｖ横軸
に時間Ｔ経過をとつている。
9400Åをウエハ１０に照射し、蝕刻進行による遮
光から透過へ変化する経時変化に対する光電変換
した電圧特性曲線である。なお縦軸に電圧Ｖ横軸
に時間Ｔ経過をとつている。
図中ＡはSiO2基板の透過度合を示す。ただし
ａからｂの間は全遮光してある。Ｂは模疑サンプ
ルとしてSiO2のみの（単純系）上のAl薄膜のパ
ターンに応じた蝕刻状態、Ｃは実用ウエハ（複雑
系）で、Al薄膜の下にPoly―si膜が有り且つド
ープ済みのものの蝕刻状態を示すレコードチヤー
トである。又、図中ａはAl薄膜による全遮光レ
ベル電圧、ｂが遮光Al薄膜が溶け始めて、最初
に下地が露出した時間、ｃは所望の蝕刻パターン
が得られる時点での平均化した電圧レベルであ
る。この特性曲線から分かることはパルス電圧の
発生があること、さらに、傾向として、ウエハそ
のものが単純系でしかも透過率及び面積率が大き
くなければ、平均化したパルス電圧変動は得難い
ことを示している。即ちウエハが複雑系でしかも
パターンでの透過面積率の小さいものについては
パルス電圧の平均化が困難で、たとえ平均化した
としてもその変動率が小さい。
ａからｂの間は全遮光してある。Ｂは模疑サンプ
ルとしてSiO2のみの（単純系）上のAl薄膜のパ
ターンに応じた蝕刻状態、Ｃは実用ウエハ（複雑
系）で、Al薄膜の下にPoly―si膜が有り且つド
ープ済みのものの蝕刻状態を示すレコードチヤー
トである。又、図中ａはAl薄膜による全遮光レ
ベル電圧、ｂが遮光Al薄膜が溶け始めて、最初
に下地が露出した時間、ｃは所望の蝕刻パターン
が得られる時点での平均化した電圧レベルであ
る。この特性曲線から分かることはパルス電圧の
発生があること、さらに、傾向として、ウエハそ
のものが単純系でしかも透過率及び面積率が大き
くなければ、平均化したパルス電圧変動は得難い
ことを示している。即ちウエハが複雑系でしかも
パターンでの透過面積率の小さいものについては
パルス電圧の平均化が困難で、たとえ平均化した
としてもその変動率が小さい。
例えば、Ａのごとく、平均化したパルス電圧レ
ベルｃがａに比して顕著に変化しているのは透過
面が単純系のSiO2のみで、Al薄膜パターンのな
いものであるため、そのSiO2の持つておる透過
率のみでもつて、透過面積率変化のない100％の
飽和光量として、平均化したパルス電圧差が生じ
たに過ぎない。
ベルｃがａに比して顕著に変化しているのは透過
面が単純系のSiO2のみで、Al薄膜パターンのな
いものであるため、そのSiO2の持つておる透過
率のみでもつて、透過面積率変化のない100％の
飽和光量として、平均化したパルス電圧差が生じ
たに過ぎない。
しかし、同じ単純系のSiO2においてもＢのご
とく、経時変化と共に透過面積率が増す場合に
は、SiO2自身の透過率をもつた飽和光量まで達
するための微分的変化となり、しかもその上パタ
ーン形状により、SiO2自身の飽和光量にも達し
難い電圧レベルも有り得るため、平均化されたパ
ルス電圧変動はさらに小さくなり顕著な変化は小
さくなる。それ故複雑系ではなおさらである。複
雑系としてＣのごとく、SiO2以外にpoly―si、ド
ーピング組成等が含まれている実際のウエハ１０
においては、Ａ，Ｂに比して透過率自体の低下を
招き、その上Ｂと同様にパターン形状にも影響を
受けるので前記飽和光量による電圧レベルよりは
るかに低い電圧レベルへと、経時変化でもつてパ
ルス変動が起る。従つて、検知し得るパルス電圧
の変化度は非常に微小で、平均化したパルス電圧
は蝕刻変化を有する時間変化においてもほとんど
変化のない同一電圧レベルとなる。換言すれば
かゝる透過率の悪い透過面積率の変化するウエハ
１０に対しては平均化したパルス電圧変化で高精
度な蝕刻制御は不可能に近い。
とく、経時変化と共に透過面積率が増す場合に
は、SiO2自身の透過率をもつた飽和光量まで達
するための微分的変化となり、しかもその上パタ
ーン形状により、SiO2自身の飽和光量にも達し
難い電圧レベルも有り得るため、平均化されたパ
ルス電圧変動はさらに小さくなり顕著な変化は小
さくなる。それ故複雑系ではなおさらである。複
雑系としてＣのごとく、SiO2以外にpoly―si、ド
ーピング組成等が含まれている実際のウエハ１０
においては、Ａ，Ｂに比して透過率自体の低下を
招き、その上Ｂと同様にパターン形状にも影響を
受けるので前記飽和光量による電圧レベルよりは
るかに低い電圧レベルへと、経時変化でもつてパ
ルス変動が起る。従つて、検知し得るパルス電圧
の変化度は非常に微小で、平均化したパルス電圧
は蝕刻変化を有する時間変化においてもほとんど
変化のない同一電圧レベルとなる。換言すれば
かゝる透過率の悪い透過面積率の変化するウエハ
１０に対しては平均化したパルス電圧変化で高精
度な蝕刻制御は不可能に近い。
それ故、本発明の方法はスピンスプレイ開始時
の全遮光レベル電圧を記憶させ、そのレベルより
変動パルスが出た段階すなわちｂ時点を検出し、
その信号からタイマー２０を作動させ、追加蝕刻
時間を経た時点を蝕刻終点として、蝕刻液噴射ポ
ンプ２２及び蝕刻液付着防止用空気吹出し電磁バ
ルブ２３の停止を行う。
の全遮光レベル電圧を記憶させ、そのレベルより
変動パルスが出た段階すなわちｂ時点を検出し、
その信号からタイマー２０を作動させ、追加蝕刻
時間を経た時点を蝕刻終点として、蝕刻液噴射ポ
ンプ２２及び蝕刻液付着防止用空気吹出し電磁バ
ルブ２３の停止を行う。
尚、この場合、パルス高として0.1Vピツチで
検出でき、追加蝕刻時間制御用タイマーとして１
秒ステツプのものが良い。しかし、勿論デバイス
によりパルス高さ検出を任意に変更できることと
追加蝕刻時間も変化できるようにしてある。
検出でき、追加蝕刻時間制御用タイマーとして１
秒ステツプのものが良い。しかし、勿論デバイス
によりパルス高さ検出を任意に変更できることと
追加蝕刻時間も変化できるようにしてある。
これはパルス発生点を感度良く検知するための
みならず、パルス検知起点の変更により、より的
確な起点を得るためで、たとえばパルストータル
高さで約10V、さらにはより高精度に対応すべ
く、検知点の補正をするために10Vより小さくし
たり、又他の表面処理（例えば現像や剥離工程）
に対応すべく、トータル時間として約60秒のタイ
マーが必要である。
みならず、パルス検知起点の変更により、より的
確な起点を得るためで、たとえばパルストータル
高さで約10V、さらにはより高精度に対応すべ
く、検知点の補正をするために10Vより小さくし
たり、又他の表面処理（例えば現像や剥離工程）
に対応すべく、トータル時間として約60秒のタイ
マーが必要である。
本発明は従来から透過困難とされた反射型検出
法を適応しているものについても、波長光を選択
して、僅かにでも透過する波長であればすなわち
換言すればパルス電圧として僅かにでも検出でき
れば、そのパルスが発生する点を起点として定量
的追加時間を制御してより高精度の表面処理が簡
単にしかも安価に可能となる。
法を適応しているものについても、波長光を選択
して、僅かにでも透過する波長であればすなわち
換言すればパルス電圧として僅かにでも検出でき
れば、そのパルスが発生する点を起点として定量
的追加時間を制御してより高精度の表面処理が簡
単にしかも安価に可能となる。
第１図はシリコンウエハのフオトリソグラフイ
工程による表面処理の模式的説明図、第２図はス
ピンスプレイ装置の断面図、第３図は第２図のス
ピンスプレイ装置の制御を示す模式的構成図、第
４図は第３図中のXYレコーダー２４に表示され
たウエハ１０の表面処理の状態変化を時間経過と
共に電圧変化に表わしたもの。 １……シリコンウエハ、２……金属薄膜、３…
…フオトレジスト、４……マスクパターン、５…
…フオトマスク、１０……ウエハ、１１……ガー
ド、１２……真空チヤツク回転板、１３……ノズ
ル、１４……排気口、１６……投光器、１７……
受光器、１８……空気吹出口、１９……センサ
ー、２０……タイマー、２１……直流電源、２２
……蝕刻液噴射ポンプ、２３……電磁バルブ、２
４……XYレコーダー。
工程による表面処理の模式的説明図、第２図はス
ピンスプレイ装置の断面図、第３図は第２図のス
ピンスプレイ装置の制御を示す模式的構成図、第
４図は第３図中のXYレコーダー２４に表示され
たウエハ１０の表面処理の状態変化を時間経過と
共に電圧変化に表わしたもの。 １……シリコンウエハ、２……金属薄膜、３…
…フオトレジスト、４……マスクパターン、５…
…フオトマスク、１０……ウエハ、１１……ガー
ド、１２……真空チヤツク回転板、１３……ノズ
ル、１４……排気口、１６……投光器、１７……
受光器、１８……空気吹出口、１９……センサ
ー、２０……タイマー、２１……直流電源、２２
……蝕刻液噴射ポンプ、２３……電磁バルブ、２
４……XYレコーダー。
Claims (1)
- １ 金属膜を有するシリコンウエハを水平面内に
おいて回転させながら、その金属膜を有するシリ
コンウエハに蝕刻液を供給することによつて金属
膜を蝕刻する表面処理方法において、前記金属膜
を有するシリコンウエハに、シリコンウエハを透
過する波長域の光を照射し、その金属膜を有する
シリコンウエハからの透過光を受ける受光器から
出力される電気信号に、表面処理の開始前の初期
値に対し、表面処理開始後において受光器が透過
光を受光することによつてレベル変動が生じたこ
とを検出し、そのレベル変動が生じた時から所定
の時間が経過した時をもつて処理を終了させるよ
うにしたことを特徴とする表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7835881A JPS57192954A (en) | 1981-05-23 | 1981-05-23 | Surface processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7835881A JPS57192954A (en) | 1981-05-23 | 1981-05-23 | Surface processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57192954A JPS57192954A (en) | 1982-11-27 |
| JPH0155447B2 true JPH0155447B2 (ja) | 1989-11-24 |
Family
ID=13659759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7835881A Granted JPS57192954A (en) | 1981-05-23 | 1981-05-23 | Surface processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57192954A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6216523A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-24 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの現像方法および現像装置 |
| JPS62193247A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-25 | Fujitsu Ltd | 現像終点決定方法 |
| JPS6412529A (en) * | 1987-07-07 | 1989-01-17 | Sumitomo Gca Kk | Development of wafer |
| KR100452918B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2004-10-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치 |
| JP2023043679A (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120676A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Fuotomasukuno fushokudoaino kenshutsuhohooyobisochi |
| JPS5197380A (ja) * | 1975-02-21 | 1976-08-26 |
-
1981
- 1981-05-23 JP JP7835881A patent/JPS57192954A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120676A (en) * | 1974-08-14 | 1976-02-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Fuotomasukuno fushokudoaino kenshutsuhohooyobisochi |
| JPS5197380A (ja) * | 1975-02-21 | 1976-08-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57192954A (en) | 1982-11-27 |
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