JPH01503625A - 光学対掌体的に純粋な単環β‐ラクタム中間体の不斉合成 - Google Patents

光学対掌体的に純粋な単環β‐ラクタム中間体の不斉合成

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JPH01503625A
JPH01503625A JP50498887A JP50498887A JPH01503625A JP H01503625 A JPH01503625 A JP H01503625A JP 50498887 A JP50498887 A JP 50498887A JP 50498887 A JP50498887 A JP 50498887A JP H01503625 A JPH01503625 A JP H01503625A
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トーマス,リチャード・シイ
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ジ・アップジョン・カンパニー
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 光学対掌体的に純粋な単環β−ラクタム中間体の不斉合成発明の分野 本発明は光学対字体的に純粋な単環β−ラクタム中間体およびその製法に関する 。
情報の開示 C−4−ヒドロキシメチル−アゼチジノンおよび抗菌性モノバクタムを合成する ためのその使用は当該分野において公知である。化合物(33、4S)−3−t ert−ブトキシカルボニルアミノ−4−tニトロキシメチル−アゼチジン−2 −オンおよび抗菌性モノバクタムの合成用中間体としてのその使用がヨーロッパ 特許比1N76758号に開示されている。ケミカル・アブストラクト(Che m、Abst、)99(13):105052rも参照。化合物(3S、4S) −3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−4−ヒドロキシメチル−アゼチジン− 2−オンがヨーロッパ特許比[[93376号およびヨーロッパ特許比9144 B40号に開示されている。ジャーナル・オブ・アンティバイオテ4 ックス( J 、Antibiotics)、38:346〜371(1985)およびエ バンズら(Evans et al、)、テトラヘドロン・レターズ(Tetr ahedron Letters)、26:3783〜3786(1985)も 参照。
グリシンからのゾーン(D ane)塩、トリエチルアミンおよびクロロギ酸エ チルと共にトリフェニルシリルエーテル誘導体を一20’Cに8いてアニールす ると収率50〜60%で光学活性なシス−β−ラクタムを生じに。エイ・ケイ・ ポーゼら(A、に、Bose et al、)、テトラヘドロン・レターズ(T etrahedron Letters)、26:33−36(1985)。
シイ・トイチェおよびエイ・ボネット(G、 Teutsch and A。
B onnett)、テトラヘドロン・レターズ(Tetrahedron L ett、)、25:1561〜1562(1984)は、塩化フタルイミドアセ チルとフルオロアセトアルデヒドのキラルイミンのシクロ付加に基づく4−フル オロメチルアゼチジノンの光学対掌体選択的合成を開示している。
L−セリンメチルエステル塩酸塩のtert−ブチル−ジメチルシリル誘導体が そのシンナミルシッフ塩基に変換され、−10°Cにおける塩化メチレン中での 塩化アジドアセチルおよびトリエチルアミンとの反応に際し、所望のβ−ラクチ ムが収率50%で得られた。シイ・シュストおよびティ・リアク(G 、 J  ust and L 1ak)、カナディアン・ジャーナル・オプ・ケミストリ ー(Can、 J 、Chem、)、56:211〜217(1978)。
D−スレオニンから出発して、ニス・エム・テネソンおよびビイ・べo(S 、 M、Tenneson and B 、Be1leau)、カナディアン俸ジャ ーナルーオブ・ケミストリー(Can、 J 、Chem、)、58:1605 〜1607(1980)は、3−メチル−7−フェニルアセトアミド−〇−2− インセフェム(isocephem)のデキストロ施光性バイオ活性エナンチオ マーの不斉合成を達成した。保1iD−スレオニンのシンナミリデンシッフ塩基 に対する塩化アジドアセチルの不斉シクロ付加が誘導される鍵となる工程は所望 のシス−β−ラクタムを90%の光学収率で生成させる。
シュタウジンガー反応における塩化4〜フェニルオキサゾリンルアセチルの適用 はホモキラルなシス縮合アゼチジノンへの合成経路を与え!二。ディ・エイ・エ バンズおよびイー・ビイ・シミグレン(D、A、Evans and E 、B  、S 3ogren)、テトラヘドロン・レターズ(Tetrahedron  Lett、)、26:3783−3786(1985)。
シイ・フグシュベルレンおよびシイ・シュミット(C9Hubschwerle n and G、Scbmid)、ヘルベチ力・シミ力・アクタ(Helv、C him、Acta)、66:2206〜2209(1983)は3.4−シス− β−ラクタムを生成する活性グリシン誘導体とL−(S)−グリセルアルデヒド アセトニドからのアルドイミンとのシクロ縮合の間に完全なジアステレロ選択性 を観察した。
ヨーロッパ特許出願96296号(ホフマン・ラロシェ(Hoff+nanL  a Roche)は広域スペクトルの抗菌活性を有する3−イミノ−アセトアミ ドアゼチジノン−1−スルホン酸誘導体およびその合成を開示している。
ヨー0γパ特許出願144840号(タケダ(T akeda))は好ましくは 3位にフタルイミドもしくはベンジルオキシカルボニルアミノ基、4位にスチリ ル基および1位に光学活性アミノ酸由来のエステルもしくはアミド基を有する新 しい光学活性3−アミノ−1,4−ジ置換−2−アゼチジノンを開示している。
これらの化合物はβ−ラクタム抗生物質の合成における中間体として有用である 。ヨーロッパ特許出願144840号は不斉源として牛うルアミノ酸を用いるこ れらの化合物の製造方法も開示している。
ダーウェント・ベーシック・アブストラクト(Dervent Ba5icA  bstract)、照会番号84−057614号は1位に低級2−アルケニル 、−CH,−CHoまたは−CH=CH−アミノ、3位にフタルイミド基および 4位にスチリル基を有することができる抗菌剤用中間体としてのβ−ラクタム誘 導体を開示している。
ダーウェント・ベーシック・アブストラクト(Derwent Ba5icA  bstract)、照会番号43419Y号は1位にカルボキシル機能またはそ のエステルおよび4位にスチリル基を有することができる抗菌性(アシル)アミ ノアゼチジノン用中間体を開示している。
ダーウェント・ベーシック・アブストラクト(Derwent Ba5icA  bstract)、照会番号25257Y号は1位にカルボキシアルキ(ケニ) ル側鎖および4位にアリール、アルアルケニルまたは核性基を有する抗菌性アゼ チジノンを開示している。
ダーウェント・ベーシック・アブストラクト(Derwent Ba5icAb stract)、照会番号85−128883号は中間体として有用でありかつ 1位にカルボキシル機能またはそのエステルおよび4位にアシルオキシ基を有す ることができるアゼチジン−2−オン誘導体を開示している。
発明の要約 本発明は特に式1: 〔式中、R3はtert−ブトキシカルボニル(BOC)またはベンジルオキシ カルボニル(Cbz)であってR1は水素;あるいはここに−N(R2XR3) はフタルイミド;ここに、R4は (a) −CH−CH−C* Hs、または(b)−CH*OH; ここに、Phはフェニルを意味する] で示される化合物、 (a)式■のゾーン(Dane)塩をクロロギ酸(C1−C4)アルキルおよび 塩基と反応させ; (b)R−(+)−6−メチルベンジルアミンおよびシンナムアルデヒドを反応 させ、次いで遊離した水を混合物から除去し;(c)塩基の存在において工程( a)の混合物を工程(b)の混合物と反応させ: (d)工程(c)の得られた混合物を酸で処理し、次いでベンジルオキシカルボ ニル、jerk−ブトキシカルボニルまたはフタルイミド基を導入することを特 徴とするRsがtert−ブトキシカルボニル(BOC)またはベンジルオキシ カルボニル(Cbz)であってR6が水素であるか;まt二は−N(RSXR, )が7タルイミドであり、Phがフェニルである式■の化合物の製法、 σ−メチルベンジル基をPhがフェニルである式■の化合物のβ−ラクタム窒素 から脱離することを特徴とするR6がtert−ブトキシカルボニル(BOC) またはベンジルオキシカルボニル(Cbz)であってR1が水素であるか:また は−N(RlXR,)が7タルイミドである式■の化合物の製法を提供するもの である。
各種炭化水素含有基の炭素原子含有量は該基における炭素原子の最小および最大 数を表わす接頭辞によって示す。すなわち、接頭辞(Ci−Cj)は包括的Iこ 整数「j」個ないし整数「j」個の炭素原子の基を示す。かくして、例えば、( C+−CS)アルキルは包括的に1〜3個の炭素原子のアルキル、またはメチル 、エチル、プロピル、およびイソプロピルをいう。
1〜9個の炭素原子のアルキルの例は包括的にメチル、エチル、プロピル、ブチ ル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、およびノニル、ならびにその異 性体形である。
本発明の方法はβ−ラクタム形成についての2+2シクロ付加法における不斉導 入による。該方法の重要な特徴は高度に結晶性の式Hの化合物を得るt;めのす べての化合物の適当な選択にある。これにより、縮合反応において生成されるジ アステレオマーの非常に容易な分離が可能となり、かくしてかなり複雑な古典的 分割方法まl;は追加の分離操作の必要がなくなる。該方法のもう1つの重栗な 特徴は用いるアルデヒドおよびキラルアミンの商業的入手可能性および低コスト l二ある。かくして、本発明の方法はキラルモノバクタム中間体を合成する公知 方法よりもよりコストが低く、工程が少なく、より高収率を与える。
チャートA チャートAの方法は純粋形態の所望の式A−7の化合物を得るために用いる。グ リシンの窒素原子を式A−1のゾーン(D ane)塩として一時的に保護する 。エイ・ケイ・ボーゼら(A、 K、 Bose etal、)、テトラヘドロ ン・レターズ(Tetrahedron Lett、)、26:33〜36(1 985)。クロロギ酸エチルでの活性化および塩基処理は系内に必要な式A−2 の活性エステルを生じさせる。該活性化はクロロギ酸イソブチル、クロロギ酸n −ブチル、およびクロロギ酸メチルの如き他のクロロギ酸エステルまたは類縁試 薬を用いて行うことができ、用いる塩基はトリエチルアミン、ジイソプロピルエ チルアミン、およびトリブチルアミンのうちから変更できる。
式A−5のイミン成分は、共沸蒸留により、または硫酸マグネシウム、硫酸カル シウム、硫酸ナトリウムもしくはモレキュラシーブの如き乾燥剤を併用すること により遊離した水を除去し、式A−3のシンナムアルデヒドおよび式A−4のR −(+)−σ−メチルベンジルアミンから調製される。実用的理由で、該アミン 成分は商業的入手可能な光学活性アミンであるべきである。σ−メチルベンジル アミンの両エナンチオマーは安価で容易に入手できる。
式A−5のイミンおよび式A−2の活性エステルをトリエチルアミンの如き塩基 の存在において反応させて式A−6の縮合生成物を得る。この反応は約0〜25 ℃の温度で約1〜24時間行う。用いるイミンに対する活性エステルのモル比は 約2〜1である。式A−6の化合物は単離することができるが、そうしないのが 都合よい。
式A−6の縮合生成物を塩酸の如き酸で処理して式A−6aの脱保護アミンを得 、次いで例えばベンジルオキシカルボニルもしくはL−ブトキシカルボニル基で 、あるいはフタルイミドとしてc−3アミン窒素について保護してR5がベンジ ルオキシカルボニルもしくはtart−ブトキシカルボニルであってR6が水素 であるか、あるいは−N(RsXRa)が7タルイミドである式A−7およびA −8の化合物を得る。式A−6およびA−6aは2種のシスジアステレオマーの 混合物を表わす。ベンジルオキシカルボニル基の使用が好ましい。式A−7およ びA−8の化合物の粗混合物のプロトンおよび炭素13NMR分析は式A−7の 所望化合物が式A−8の化合物より多いことを示した。
R,がベンジルオキシカルボニルであってR6が水素である場合、出発物質およ び窒素保護基の適当な選択の結果、所望の式A−7の化合物は反応混合物より純 粋形で容易に単離される。アセトン/ヘキサンからの反応生成物の一回の再結晶 化はR2がベンジルオキシカルボニルであってR,が水素である光学的および化 学的に純粋な式A−7の化合物を与える。かくして、単一工程で、光学的に純粋 な式A−7の化合物が容易に入手可能で安価な前駆体から良好な収率で合成され る。
チャートB チャートAの式A−7化合物を弐B−1出発物質として用いる。
クロロホルム中での0℃におけるオゾンを用いる弐B−1化合物の処理、ひき続 いての水性エタノール性ホウ水素化ナトリウムでの還元的仕上げ処理は弐B−2 化合物の4−ヒドロキシメチル置換基を与える。
酸化開裂または還元開裂により弐B−2化合物のβ−ラクタム窒素からσ−メチ ルベンジル基を除去する。酸化開裂において、水性アセトニトリル中での過剰の 過硫酸アンモニウムでの弐B−2の化合物の酸化は弐B−3の化合物を与える。
炭素−窒素結合の切断についての末法は広く研究されており、反応条件の数多く の修飾が当該分野に8いて公知である。ラクタム開裂の他の酸化方法が公知であ る。例えば、エム・モリおよびワイ・パン(M、 Mori 書ndY。
B an)、ヘテロサイクルズ(Heterocycles)、23:317− 323(1985)。
チャートC チャートCは溶解金属還元およびひき続いての基保護操作を用いるσ−メチルベ ンジル基の還元開裂を説明する。BOC保護基は反応条件に対して不活性である から、それを用いる。液体アンモニア中でのナトリウムでの反応により弐〇−1 の化合物の環窒素は完全に脱保護されて弐G−2の化合物が得られ、これを公知 方法、例えば抽出、結晶化などによって単離する。所望により、BOC基の除去 およびCBz基の導入によって弐〇−2化合物を弐〇−3化合物に変換する。
本発明の製造工程の好ましい系列は:(I)チャートAの工程についてのCbz 基の使用;(2)チャー)BのB−1のB −2(RsがCbz)への変換;( 3)Cbz基のBOC基での置換;(4)チャートCのC−1のC−2への変換 :および(5)さらに合成反応でCbz基が所望される場合のC−2のC−3へ の変換である。
窒素保護基の導入および除去は有機化学の分野においてよく知られている。例え ば、ジェイ・ニア・ダブりニー・マクオミ−(J。
F 、 W、 McOmie)、アドバーンシズ・イン・オーガニック・ケミス トリー(Advances in Organic Chemistry)、3 巻、191−281頁(1963);アール・エイ・ポイソナス(R、A 、  B oissonas)、アドバーンシズ・イン・オーガニック・ケミストリー (Advancesin Organic Chemistry)、3巻、15 9〜190頁(1963);「ブロテクティブ・グループス・イン・オーガニッ ク・ケミストリ(Protective Groups in Organic  Chemistry)」、ジェイΦエフ・ダブリュー・マクオミー(J 、  F 、 W、 McOmie)編、プレナム・プレス(P 1enu+++ P  ress)、ニューヨーク、1973.74頁;プロテクティブ・グループス ・イン・オーガニック・シンセンス(Protective Groups i n Organic 5ynthesis)、チオドラ−ダブリュー・グリーネ (T heodora W 、 G reene)、ジョン・ウィリー・アンド ・サンズ(Jone Willy and 5ons)、ニューヨーク、198 1;エム・ガルら(M、Ga1l et al、)、米国特許第3957761 号:およびニス・ウォル7工ら(S 、Wolfe eL al、)、カナディ アン・ジャーナル・オン・ケミストリー(Can、 J 、Chem)、48: 3572−3579(1970)参照。例えば、(塩化ベンジルオキシカルボニ ルとしても公知の)クロロギ酸ベンジルとアミンの反応によりベンジルオキシカ ルボニル基を導入し、パラジウム黒触媒上での水素化分解によってそれを除去す る。例えば、ジーt−プチルジカルポネートとアミンの反応によりt−ブトキシ カルボニル基を導入し、トリフルオロ酢酸との反応によりそれを除去する。例え ば、アミンとN−カルボエトキシフタルイミドもしくは無水7タル酸とを反応さ せることによってアミンを7タルイミドとして保護し、ヒドラジン水和物または メチルアミンとの反応によってフタルイミド基を第一級アミンに変換する。
ヨーロッパ特許出願76758号:ヨーロッパ特許出願93376号;ヨーロッ パ特許出!i[144840号および前掲他の出版物に示されている如く、本発 明の中間体および製法を用いて調製できる弐〇−2およびC−3の化合物、およ び抗菌性モノバクタムの合成用中間体としてのそれらの使用は当該分野において 公知である。
好ましい具体例の記載 当業者ならば、さらに技巧を凝らすことなく、これまでの記載を用いて本発明を 最大限に実施することができると信じる。以下の詳細な実施例は各種化合物の調 製の仕方および/または本発明の各種方法を記載するものであり、これまでの開 示をなんら限定するものでない。当業者ならば、反応体ならびに反応の条件およ び技術の双方についての方法から適当な変形を直ちに認識するであろう。
実施例1 (3S、4R)−1−(R−1−フェニルエチル)−3−ベンジルオ キシカルボニルアミノ−4−(2−フェニルエテニル)アゼチジン−2−オン( 式A−7: RSはベンジルオキシカルボニル、およびR6は水素である)チャ ートA参照。
R−(+)−a−メチルベンジルアミン25−0gおよびシンナムアルデヒド2 5.9gを塩化メチレン500n+Qに溶解する。混合物を加熱し、1時間で塩 化メチレンを蒸留して除去し、要すればさらに溶媒を添加する。混合物を室温ま で冷却し、無水硫酸マグネシウム2Ogで1時間処理し、濾過し、濃縮して粗イ ミンを得る。
窒素雰囲気下、−78℃にてゾーン(Dane)塩87.0gをテトラヒドロフ ラン500m12中でスラリー化し、トリエチルアミン62゜9111cで処理 する。クロロギ酸エチル43.3rn(lのテトラヒドロフラン3201中溶液 を15分間にわたって添加し、混合物を一78℃にて1時間攪拌する。粗製イミ ンおよびトリエチルアミン28.6m12のテトラヒドロフラン300−中溶液 を60分間にわたって反応混合物に添加する。混合物を徐々に室温までもどし、 18時間攪拌する。真空中でテトラヒドロ7ランを除去し、残渣を塩化メチレン 112および水30OuQ間に分配する。有機層を水100mQで洗浄し、次い で濃縮する。残渣をアセトン600+a2に溶解し、室温にて2゜ON塩a20 0mQで1時間処理する。クロロギ酸ベンジル60.0mQ、続いて水30〇− 中の炭酸カリウム65gを添加し、次いで固体炭酸カリウムを添加してpHを8 .5とする。室温にて混合物を2時間攪拌し、その間に主要異性体がいくらか晶 出する。真空中でアセトンを除去し、塩化メチレン111.次いで200+nQ で残渣を抽出する。有機相を食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、脱色 用にダルコ(Darco)のカーボンを添加する。溶媒を除去して淡オレンジ色 油を得る。該油をアセトン400+++ρに溶解し、n−ヘキサン】、2gを添 加する。濾過により生成物を収集して純粋な表記生成物を灰色がかった白色の結 晶状固体として得る。母液は表記化合物およびそのジアステレオマーをかなり含 有する。生成物の一部・を酢酸エチルから再結晶して分析用試料を白色結晶状固 体として得る。
物理特性は以下のとおりである: 融点:150.0〜150.9 [σlI)ニー64(c 0−78、りoe+ホルム)I R(cm”、クロロ ホルム):3435.3001,1745.1510.1470.1390.1 325.1220’HNMR(δ、CDC(lx)ニア、3.6,5.6.o7 .5.88.5゜0.4.26.1.60 ”CNMR(J、CDC(Is):l 66.156.140,135.9.1 28.8.128.6.12g、4.128.2.127.9.127.2.1 26.7.67.0,61−0,60.5.52.3.19゜マススペクトル( Ell/Z): 426.291,275.231.187.171S 105 .91 元素分析値CxtHz*NxOsとして、実測値(%):C,75,65;H。
6.20;N、6.58 実施例2 (3S、4S)−1−(R−1−フェニルエチル)−3−ベンジルオ キシカルボニルアミノ−4−ヒドロキシメチルアゼチジン−2−オン(弐B−2 :Rsはベンジルオキシカルボニル、およびR1は水素)チャートB参照。
実施例1の表記生成物10.0gのクロロホルム300rna中溶液を0℃まで 冷却し、TLC(シリカゲル、50%酢酸エチル/ヘキサン)がもはや出発物質 を示さなくなるまで(7時間)オゾン気流を通気する。ホウ水素化ナトリウム2 .64gの冷25%水性エタノール500−中溶液を添加する。反応物を室温ま で加温し、5時間攪拌する。真空中で溶媒を除去し、残渣を酢酸エチル300m Q9よび水100−中にとる。10%塩酸でpHを2に調整し、層分離を行う。
水性相をさらに50−の酢酸エチルで抽出する。合した有機層を水40−1食塩 水50mQで洗浄し、i酸マグネシウム上で乾燥する。
真空中での溶媒の除去により無色油10.8gを得る。該物質をすばや<800 m(2ベツドのシリカゲル上のクロマトグラフィーに付し、1O120,40お よび50%酢酸エチル/塩化メチレン各1gで溶出する。生成物をTLC(Rf −0,23、シリカゲル、50%酢酸エチル/ヘキサン)に基づいてプールして 表記生成物を結晶状固体として得る。一部を酢酸エチル/ヘキサンから再結晶し て表記化合物の分析用試料を硬い白色結晶として得る。
物理特性は以下のとおりである: 融点:84.5@〜85.9°C [ff]Dニー4ピ(co、8165、クロロホルム)IR(am”、クロロホ ルム):3420.3300.1745.1720.1512.1450.13 90.1370,1310,1230.1060.910.700 ’HNMR(δ、CDCQ>>ニア、35.5.93.5.1O14,74,3 ,65,2,2,1,73 ”CNMR(zlCD CQs): 167.156.140.136.130 .129.0.128.5.128.1.126.8.67.3.59.2.5 8.5.52.9.19.3マススペクトル(m/ zlC1−N )(s): 372 CM+ N H4” )元素分析値CzeHxzN*04 :C,67 ,55;H,6,43;N、7゜51施例3 (35,4S)−3−ベンジルオ キシカルボニルアミノ−−3:R1はベンジルオキシカルボニル水素) チャートB参照。
過を酸アンモニウム512+ngおよびリン酸水素カリウム374!l1gの水 13m12中溶液を90℃まで加熱する。硫酸銅(■)5水和物70!119の 水2−中溶液、続いて実施例2の表記生成物500mgのアセトニトリルlom ff中溶液を添加する。混合物を30分間還流し、冷却し、濃縮してアセトニト リルを除去する。クロロホルム75−での抽出および濃縮により茶色の固体を得 る。シリカゲル上の生成物のクロマトグラフィー(メタノール/クロロホルムの グラジェント)により回収された出発物質および表記生成物を得る。
示された出発物質のエナンチオマーに関するこの系列のくり返しにより.(3R .4R)−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−4−ヒドロキシメチルアゼチ ジン−2−オンを得る。いくらかの出発物質が回収される。
物理特性は以下のとおりである: IH NMR(δ,CDCQs)ニア、3、6.9、6.3、5.0、3.65 、 In ( N M R (δ,CDC(Is):l 70.8、156.9、1 36.6、129、3、128.9、67、8、60.2、59.5、55[σ IDニー1 1.4” (c,1.50,クロロホルム)実施例4 (33.4 S)−1−(R−1−フェニルエ゛チル)−3−tart−ブトキシカルボニル アミノ−4−ヒドロキシメチルアゼチジン−2−オン(弐〇− 1)チャートC 参照。
実施例2の表記生成物1.7gのテトラヒドロフラン30社中溶液にパラジウム 黒5001119を添加する。水素雰囲気下、室温にて混合物を1時間攪拌する 。メタノール5mQを添加し、反応を30分間継続し、濾過し、真空中で濃縮す る。残渣をテトラヒドロフラン15tnaに溶解し、ジーtープチルジカルポネ ー)1.09gを添加する。
室温にて混合物を2.25時間攪拌し、濾過して濁りを除去し、濃縮して白色固 体を得る。クロロホルム(2+IIQ)/ヘキサン(35mff)から再結晶し て表記化合物の第1収量を白色固体として得る。
物理特性は以下のとおりである: 融点:134.1−135.5℃ [alpニー 1 6” (c O.86、クロロホルム)IR(cm”、クロ ロホルム):3440、2980、1745、1710、1500、1370、 1230、1160IH NMR(δ,CDC123)ニア、37、5.60、 4.96、4.77、3、7、2.1,1.70、1.44 マススペクトル(m/z, F AB)=3 2 1 [M − +)11”  s正確な質量C+tHzsNzO,として:321.1828元素分析値C+y H24N20+として、実測値(%):C.63.58;H。
?.62;N.8.72 実施例5 (3S.4s)−3−tert−ブトキシカルボニルアミノ−4−ヒ ドロキシメチルアゼチジン−2−オン(式C−チャートC参照。
ドライアイス・コンデンサーを用いてアンモニア3Qm12を凝縮し、金属ナト リウム360m<+を添加し、10分間攪拌して溶解させる。
実施例4の表記生成物1.00gのテトラヒドロ7ランlQm(+中溶液を反応 物に添加し、さらにテトラヒドロフラン2mQですすぐ。混合物を10分間攪拌 し、塩化アンモニウム1 、0 0gを添加する。青色が脱色されると、窒素気 流でアンモニアおよびテトラヒドロフランを除去する。残液を水4Qm(lおよ び塩化メチレン2oomQ中にとり、−晩継続して抽出する。真空中での抽出物 の濃縮により表記生成物6501119をTLC的に純粋な白色固体として得る 。アセトン/クロロホルム/ヘキサンからの再結晶により表記生成物の第1収量 を白色結晶状固体として得る。
物理特性は以下のとおりである: 融点:167.0〜167.5℃ [aID:+21(C,0,5185、アセトン)I R(am”、 ATR) :3320.2990.2970.1740゜1690.1525.1365. 1330.1245.1160、’HNMR(δ、アセトンda):6.30. 5.04.3.7〜4.2.2.80.1.44 +3c NMR(J、DMSOds):168.l、155.0.78.5.6 1.0.58.9.54.1.28.1マススペクトル(m/z、 CI −1 sob)= 217 [M + Hド、161元素分析値C,H,,N、O,と して、実測値(%):C,49,62;H。
7.27;N、12.67 実施f16 (3S、4 S)−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−4−ヒ ドロキシメチルアゼチジン−2−オン(式CチャートC参照。
窒素雰囲気下0℃にて攪拌した実施例5の表記生成物115111gの塩化メチ レンErnQ中溶液にトリフルオロ酢酸0.7rnQを添加する。
0℃にて混合物を2時間攪拌し、真空中で濃縮し、塩化メチレンlO−から再濃 縮する。残渣をアセトン5 +JJこ溶液し、水2−1統いて炭酸水素ナトリウ ム210mgおよび塩化ベンジルオキシカルボニル0.08+n+2を添加する 。室温で混合物を2時間攪拌し、真空中で濃縮してアセトンを除去し、酢酸エチ ル25mQおよび水2mI2中にとる。酢酸エチル層を硫酸ナトリウム上で乾燥 し、濃縮して粗生成物154mgを得る。該物質を酢酸エチルを用いるシリカゲ ル10g上のクロマトグラフィーに付し、TLc(Rr−0,35,10%メタ ノール/クロロホルム、シリカゲル)に基づいて画分をプールして表記生成物を 白色結晶状固体として得る。酢酸エチル/ヘキサンからの再結晶により白色結晶 状固体を得る。
物理特性は以下のとおりである: 融点:127.0〜128.0℃ [σ]D:+9’ (C,0,9305、クロロホルム)I R(am”、りo oホルム):3420.1764.1715.1510.1318.1220. 1060’HNMR(δ、CD5COCDs)ニア−35,6,8,5,1,4 ,2,3,7 マススペクトル(m/z、 CI −1sob): 251 [M + Hドh 式(続き) チャートA チャートB h h チャートC ↓ ↓ 国際調査報告 1+w、1.−A−―、−,PCτ/US 87101684国際調査報告 US 8701684

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.式I: ▲数式、化学式、表等があります▼I 〔式中、R3はtert−プトキシカルボニル(BOC)またはベンジルオキシ カルボニル(Cbz)であってR2は水素であるか;あるいはここに、−N(R 2)(R3)はフタルイミド;ここに、R4は (a)−CH=CH−C6H5、または(b)−CH2OH; ここにPhはフエニルを意味する〕 を有する化合物。
  2. 2.(3S,4R)−1−(R−1−フェニルエチル)−3−ベンジルオキシカ ルボニルアミノ−4−(2−フエニルエテニル)アゼチジン−2−オンである請 求の範囲第1項記載の化合物。
  3. 3.(3S,4R)−1−(R−1−フェニルエチル)−3−tert−プトキ シカルボニルアミノ−4−(2−フエニルエテニル)アゼチジン−2−オンであ る請求の範囲第1項記載の化合物。
  4. 4.(3S,4S)−1−(R−1−フェニルエチル)−3−ベンジルオキシカ ルボニルアミノ−4−ヒドロキシメチルアゼチジン−2−オンである請求の範囲 第1項記載の化合物。
  5. 5.(3S,4S)−1−(R−1−フェニルエチル)−3−tert−プトキ シカルボニルアミノ−4−ヒドロキシメチルアゼチジン−2−オンである請求の 範囲第1項記載の化合物。
  6. 6.(a)式VI: ▲数式、化学式、表等があります▼VIのデーン(Dane)塩をクロロギ酸( C1−C4)アルキルおよび塩基と反応させ; (b)R−(+)−α−メチルベンジルアミンおよびシンナムアルデヒドを反応 させ、次いで遊離した水を混合物から除去し;(c)塩基の存在において工程( a)の混合物を工程(b)の混合物と反応させ; (d)得られた工程(c)の混合物を酸で処理し、次いでベンジルオキシカルボ ニル、tert−プトキシカルボニルもしくはフタルイミド基を導入することを 特徴とする式II: ▲数式、化学式、表等があります▼II〔式中、R5はter−プトキシカルボ ニル(BOC)またはベンジルオキシカルボニル(Cbz)であってR6は水素 であるか;あるいはここに、−N(R5)(R6)はフタルイミド;ここに、P hはフェニルを意味する〕 の化合物の製法。
  7. 7.工程(a)のクロロギ酸(C1−C4)アルキルおよび塩基がクロロギ酸エ チルおよびトリエチルアミンであり、工程(c)の塩基がトリエチルアミンであ って、工程(d)の酸が塩酸である請求の範囲第6項記載の製法。
  8. 8.さらに、(e)式IIの化合物を反応混合物より単離することよりなる請求 の範囲第6項記載の製法。
  9. 9.式IIの化合物が(3S,4R)−1−(R−1−フェニルエチル)−3− ベンジルオキシカルボニルアミノ−4−(2−フェニルエテニル)アゼチジン− 2−オンである請求の範囲第6項記載の製法。
  10. 10.式IIの化合物が(3S,4R)−1−(R−1−フェニルエチル)−3 −tert−ブトキシカルボニルアミノ−4−(2−フェニルエテニル)アゼチ ジン−2−オンである請求の範囲第6項記載の製法。
  11. 11.α−メチルベンジル基をPhがフェニルである式III:▲数式、化学式 、表等があります▼IIIの化合物のβ−ラクタム窒素から脱離させることを特 徴とする式IV: ▲数式、化学式、表等があります▼IV〔式中、R5はtert−プトキシカル ボニル(BOC)またはベンジルオキシカルボニル(Cbz)であってR6は水 素であるか;あるいはここに、 −N(R5)(R6)はフタルイミドを意味する〕の化合物の製法。
  12. 12.オゾン分解し、続いて還元性仕上げ処理することによって式IIIの化合 物を式II: ▲数式、化学式、表等があります▼II〔式中、R5はtert−プトキシカル ボニル(BOC)またはベンジルオキシカルボニル(Cbz)であってR6は水 素であるか;あるいはここに、−N(R5)(R6)はフタルイミド;ここに、 Phはフェニルを意味する〕 の化合物から調製する請求の範囲第11項記載の製法。
  13. 13.式IIIおよびIVの化合物においてR5がベンジルオキシカルボニルで あってR6が水素であり、ここに酸化開裂によってα−メチルベンジル基を切断 する請求の範囲第11項記数の製法。
  14. 14.式IIIおよびIVの化合物においてR5がtert−プトキシカルボニ ルであってR5が水素であり、ここに還元開裂によってα−メチルベンジル基を 切断する請求の範囲第11項記載の製法。
  15. 15.さらに、式IVの化合物を酸で処理し、次いでベンジルオキシカルボニル 基を導入して式V: ▲数式、化学式、表等があります▼V の化合物を得ることよりなる請求の範囲第14項記載の製法。
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