JPH01500351A - ヘキサ置換シクロヘキサン化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ヘキサ置換シクロヘキサン化合物 本発明は次式Ｉで示されるヘキサ置換シクロヘキサン化合物に関する： 〔式中Ｑは、−が−（Ａ１−２りｐ−リーＲ１であり、そして複数の基Ｑのうち の一つはまたＯＨであってもよく、モしてＸは、−Ｎ、、−ＮＨＲ”、−ＮＣＲ ，Ｒ’、−ＮＨＣＯＲ’、　−ＮＣＲ，ＣＯＲ”、−ＮＨ−Ｃｏ−（Ａ”−Ｚ” ）ｐ−Ａ”−Ｒ’、−ＮＣＨｓ−ＣＯ−（Ａ’−Ｚリ−ＡＩ−Ｒ１、−ＮＨ−Ｃ Ｈ，−（Ａ’−Ｚ”）ｐ−Ａ”−Ｒ”、−ＮＣＨＩ−ＣＨ，−（Ａ’−Ｚｌ）Ｐ −Ａ”−Ｒ’、−Ｏ、−ＯＨまたは−ＳＨであり、 ｚｌハ、−ｃｏ−ｘ　’−１−Ｘ　１−ＣＯ−１−ＣＨ，−Ｘ”−１−ｘ”−ｃ ａ＊−または−ＣＨ，−ＣＨ，−であり、 ２！は、ｚｌの意味のうちの一つを有するか、あるいは単結合であり、 Ｘｌは、０またはＳであり、 ｘ”＋よ、０、Ｓ、ＳＯまたはｓｏ、テあり、ＡＩおよびＡＩは、相互に独立し て、それぞれ、１．４−フェニレン基であり、この基は非置換であるか、あるい は置換基として１個または２個以上のハロゲン原子および（または）　ＣＨ，基 および（または）　ＣＮ基を有し、そしてこの基中に存在する１個または２個以 上のＯＨ基はＮ原子により置き換えられていてもよく、あるいはＡＩおよびＡ： はに存在する１個のＣＨ，基または隣接していない２個のＣＨ。

基は一〇−および（または）−Ｓ−により置き換えられていてもよく、あるいは Ａ１およびＡＩは、それぞれ、ピペリジン−１，４−ジイル基、１．４−ビシク ロ（２，２，２）オクチレン基または単結合であり、 ｐは０またはｌであり、そして 記号Ｒ１は相互に独立して、それぞれ、Ｃ原子１〜２０個を有するアルキル基で あり、この基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個以上のＣＨ ，基は一〇−１−Ｓ−１−ＣＨＣＨ３−１−ＣＨＣＮ−１−ＣＨハロゲン−１− ＣＯ−１−Ｏ−ＣＯ−１−ＣＯ−Ｏ−および（または）−Ｃｌ−ＣＨ−により置 き換えられていてもよく、あるいは、Ｒ１は、Ｈ，Ｆ、　ＣＱ、　Ｂｒ、　Ｉ、 ＯＨ。

ＮＨ，、Ｃ０ＯＨまたはＣＮである。

ただしくａ）　Ｒ”が環状基ＡＩまたはＡ２に結合している場合には、Ｒ１はＴ ｉｓ　Ｆ％　ＣＱｓ　Ｂｒ、　１％　ＯＨ％　ＮＨ３、Ｃ０ＯＲまたはＣＮであ るか、あるいはＲ１はＣ原子１〜２０個を有しそして上記の核の側にある末端Ｃ Ｈ，基の一つが一〇−１−Ｓ−１−Ｏ−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｏ−により置き換 えられているアルキル基であり、そして（ｂ）複数の基Ｑの全部がアセトキシで ある場合には、ＸはＮ、ではないものとする〕。

簡潔にするために、以下の記載において、「Ｃｙ」は６個の遊離原子価を有する シクロヘキサン−１，２，３，４，５，６−ヘキサイル基であり、Ｃｙｃはトラ ンス−１，４−シクロへキシレン基であり、この基中に存在する１個のＣＨ，基 または隣接していない２個のＣＨ，基は０および（または）Ｓにより置き換えら れていてもよく、そしてＰｈｅは１．４−フェニレン基であり、この基中に存在 する１個または２個以上のＯＨ基はＮにより置き換えられていてもよい。基Ｃｙ ｃおよびＰｈｅは非置換であるか、あるいはラテラルに置換されていることがで きる。

類似化合物、すなわちヘキサアルカノイルシクロヘキサン化合物は既知である西 ドイツ国公開特許出願公報第３．３３２．９５５号；　Ｂ、　Ｋｏｈｎｅおよび に、　ＰｒａｅｆｃｋｅによるＡｎｇｅｗ。

Ｃｈｅｗ、　９６　（１９８４年）、７０〜７１頁；　Ｚ、　Ｌｕｚ、　Ｗ、　 Ｐｏｕｌｅｓ、　Ｒ。

Ｐｏｕｐｋｏ、　Ｋ、　ＰｒａｅｆｃｋｅおよびＢ、　５ｃｈｅｕｂｌｅによる 、第２１回Ｂｕｎｓｅｎ　ＣＣｏ１１ｏｑｕｉｕ、ＴＵ　Ｂｅｒｔｉｎ、９月／ １０月　１９８３年；および西ドイツ国公開特許出願公報第３．５１０．３２５ 号参照）、゛類似化合物と同様に、式Ｉで示される化合物はディスコティック液 晶相、特にゲスト−ホスト効果、整列相の変形の効果または光の楕円偏光におけ る変化にもとづく表示用のディスコティック液晶相の成分として使用することが できる。

本発明は、ディスコティック液晶相の成分として適する、新規で安定な液晶メソ ーゲン性化合物を発見するという目的にもとづく。この目的は式Ｉで示される化 合物を提供することにより達成された。

式！で示される化合物は、ディスコティック液晶相の成分として格別に適するこ とが見い出された。特に、これらの化合物を使用することにより、電気光学的効 果に係り好ましい位置にある広い温度範囲でメンフェースを有しモして誘電異方 性に係り非常に好ましい数値を有する安定なディスコティック液晶相を調製する ことができる。

さらにまた、式Ｉで示される化合物は分光分析による研究用の異方性ディスコテ ィックマトリックスとして適している。

ディスコティック物性を有する別種の化合物およびこれらの化合物の電気光学的 表示素子における使用は米国特許明細書第４．３３３．７０９号に記載されてい る。しかしながら、この使用分野で知られているディスコティック液晶は全て、 比較的低い誘電異方性値ΔＣを有する。これはこの異方性がこれらの分子の分極 性の異方性に起因しているだけであるからである。フタロシアニンタイプの極性 ディスコティック液晶はＣ，ＰｉｅｃｈｏｃｋｉおよびＪ。

ＳｉｍｏｎによるＪ、　Ｃｈｅｗ、　Ｓｏｃ、、　Ｃｈｅｗ、　Ｃｏｍｍｕｎ、 　１０８５　（５）＋２５９頁の記載から確かに既知であるが、本発明によるシ クロヘキサン化合物は西ドイツ国公開特許出願公報第３．５１０．３２５号およ び西ドイツ国公開特許出願公報第３．３３２．９５５号から知られている非極性 シクロヘキサン化合物の利点と永久双極特性とを組合せて有する。

驚くべきことに、式！で示される化合物はディスコテインク液晶化合物であり、 成る群の場合に、非常に広いメン範囲および特に好ましい誘電異方性値を有する ことが証明された。式１で示される化合物はまた、永久双極特性にもとづくＡ８ を有するディスコティック液晶であり、従って、米国特許明細書第４．３３３． ７０９号に記載の電気光学表示素子を実質的にさらに好ましいしきい電圧を有す るものにすることができる。

式■で示される化合物を提供することにより、種々の技術的観点から液晶混合物 の調製に適する液晶物質の範囲が広く一般的に著しく拡大される。

式！で示される化合物はまた、液晶ディスコティック相の成分として使用できる 別種の物質を製造するための中間生成物として適している。

式Ｉで示される化合物は純粋な状態で無色であり、電気光学用途に係り好ましい 位置にある温度範囲で液晶メンフェースを形成する。これらの化合物は化学物質 、熱および光に対して非常に安定である。

従って、本発明は式Ｉで示される化合物に関する。さらにまた、本発明は式Ｉで 示される化合物をディスコティック液晶相の成分として使用することに関する。

本発明はまた、式！で示される化合物の少なくとも一種を含有するディスコティ ック液晶相およびこのような相を含む液晶表示素子に関する。

本発明はさらにまた、二種の異なる光学的状態の間で電気的にスイッチすること ができ、そして導電性電極層をそれぞれ有する２枚の基礎電極板間に挿入されて いるディスコティック液晶材料を含有する電気光学表示素子に関する。

本明細書全体を通［、テ、Ｑ、　Ｘ、　Ｚ”、　Ｚ！、ｘｌ、Ｘ！、ＡＩ。

Ａ”％　ｐおよびＲ１は、別設のことわりが示されていないかぎり、前記の意味 を有するものとする。

従って、式１で示される化合物は下記の部分式Ｉａ〜ＩＩで示される化合物を包 含する： ＣｙＱｓＮｓ　Ｉ　ａ ＣｙＱｓＮＨＲ”　Ｉ　ｂ ＣｙＱｓＮＣＨｓＲ’　Ｉ　ｃ ＣｙＱｓＮＨＣＯＲ’　Ｉ　ｄ ＣｙＱｓＮＣＨｓＣＯＲ”　Ｉ　ｅ Ｃ）ｌＱｓＮＨ−Ｃｏ−（Ａ’−Ｚ”）ｐ　−Ａ”−Ｒ’　Ｉ　ｆＣｙＱａＮＣ Ｈｓ−Ｃｏ−（Ａ’−Ｚ”）ｐ−Ａ”−Ｒ’　Ｉ　ｇＣｙＱｓＮＨ−Ｃ１ｈ−（ Ａ”−Ｚ’）Ｐ−Ａ”−Ｒ”　Ｉ　ｈｃｙｏ　ｓ　ＮＣＨｓ　−ＣＨ！　−（Ａ 　”　−Ｚ　”　）ｐ−Ａ　”　−Ｒ”　Ｉ　１ｃｙｏ、ｓｕ　Ｉ　ｊ ＣｙＱｓＯＨＩ　ｋ ＣｙＱｓＯＩ　１ 部分式１ａ、Ｉｂ、Ｉｄ、Ｉｆｓ　Ｉｋおよび１１で示される化合物が好ましい 。

式Ｉまたは部分式Ｉａ〜Ｉｋで示される化合物の中で、その分子中に存在する基 Ｑのうちの４個が同一の意味を有し、そして基Ｑのうちの１個が異なる意味を有 する相当する化合物が特に好ましい。この１個の基Ｑは特に好ましくはＯＨ，Ｏ Ｒ’または０ＣＯＲ’である。特に好ましい化合物は、他の４個の基Ｑと構造的 に異なっているこの１個の基Ｑが式Ｉ中で置換基Ｘと直接に隣接している化合物 である。

−（Ａ’−Ｚす、−Ａ３−は特に好ましくは下記の意味を有する： さらにまた、式Ｉで示されるシクロヘキサン化合物の中で、それぞれ向い合って いる置換基が二カドリアル位、置にあり、そして相互に対してトランス位置にあ る化合物が好ましい。これはスキローイノシトールの位置に相当する。

式Ｉにおいて、基Ｑのうちの一つがＯＨである相当する化合物において、このＯ Ｈ基は好ましくは基Ｘに対して隣位位置に存在する。この場合に、シクロヘキサ ン環上に存在する全部で６個の置換基は、Ｘまたは隣位−ＯＨ基を除いて、好ま しくはエフアトリアル位置に存在する。この隣位ＯＨ基それ自体または基Ｘは好 ましくはアキシャル位置に存在する。これはミオ−イノシトールの位置に相当す る。６個の置換基の全部がエフアトリアル位置にある化合物はまた好ましい。

１個または２個以上の不斉Ｃ原子を有する式Ｉで示される化合物はラセミ体形ま たは光学活性形であることができ、これら画形が式Ｉで示されている。

基Ｑのうちの一つがＯＲまたはＯＲ’、好ましくはＯＲである場合に、Ｘは好ま しくはＯＨであり、そして他の基Ｑは好ましくは、Ｃ原子３〜１３個を有すると 好ましいアルコキシまたはアルカノイルオキシ基である。従って、下記の式Ｉｋ および１１が好ましい： 置換基Ｑは好ましくは、一つの化合物中で同一であり、アルコキシまたはアルカ ノイルオキシを表わす。

記号Ｒ１はそれぞれ、好ましくは同一または異なるアルキル基であり、この基中 に存在する１個のＣＨ，基（オキサアルキルまたはアルコキシ）あるいは２個の ＣＨ，基（ジオキサアルキル）はＯＫ子により置き換えられていてもよい。これ らの基は直鎖状または分校鎖状であることができる。好ましくは、これらの基は 直鎖状であり、Ｃ原子３．４．５．６．７．８．９．１Ｏ１１１，１２または１ ３個を有し、従って、好ましくはプロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプ チル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、プロポ キシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、オクトキシ、ツノキシ、デコキシ、 ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシ、２−オキサプロピル（−メトキシメ チル）、２−（−二トキシメチル）または３−オキサブチル（−２−メトキシエ チル）、２−１３−または４−オキサペンチル、２−１３−１４−または５−オ キサヘキシルあるいは２−１３−１４−１５−または６−オキサヘプチルであり 、さらにまたエチル、テトラデシル、ペンタデシル、２−１３−１４−１５−１ ６−または７−オキサオクチル、２−１３−１４−１５−１６−１７−または８ −オキサノニル、２−１３−１４−１５−１６−１７−１８−または９−オキサ デシル、２−１３−１４−１５−１６−１７−１８−１９−または１０−オキサ ウンデシル、２−１３−１４−１５−１６−１７−１８−１９−１ｉｏ−＊たは １１−オキサドデシル、２−１３−１４−１５−１６−１７−１８−１９−１１ ０−１１１−または１２−オキサトリデシル、２．４−ジオキサペンチル、２． ４−１２．５−または３．５−ジオキサヘキシルあるいは２．４−１２．５−１ ２．６−１３，５−１３，６−または４．６−シオキサヘプチルである。

分子鎖状Ｒ１を有する式！で示される化合物はこれらが慣用の液晶基材に良好な 溶解性を有することから場合により重要であるが、これらが光学活性である場合 に、カイラルドーピング物質として特に重要である。この種の分枝鎖状基は一般 に、多くて１個の鎖分校を有する。

本 好適な分枝鎖状基Ｒは−ＣＨＣＨ５−１−ＣＨＣＮ−また１ｉ−ＣＨハ０ゲン基 を含み、そして好ましくは２−ブチル（−１−メチルプロピル）、イソブチル（ −２−メチルプロピル）、２−メチルブチル、インペンチル（−３−メチルブチ ル）、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プ ロピルペンチル、２−オクチル、イソプロポキシ、２−メチルブトキシ、２−メ チルブトキシ、３−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペント キシ、２−エチルヘキソキシ、ｌ−メチルヘキソキシ、２−オキサ−３−メチル ブチル、３−オキサ−４−メチルペンチル、２−オクチルオキシ、２−クロロ− プロピオニルオキシ、２−クロロ−３−メチルブチリルオキシ、２−クロロ−４ −メチルバレリルオキシ、２−クロロ−３−メチルバレリルオキシ、２−メチル −３−オキシ−ペンチルあるいは２−メチル−３−オキサ−ヘキシルである。

式Ｉおよび式Ｉａ＝Ｉｊで示される化合物の中で、その分子中に存在する使用で きる基のうちの少なくとも一つが前記の好ましい意味のうちの一つを有する化合 物が好ましい。

式Ｉで示される化合物は文献〔たとえばＢｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌに゛よるＭｅｔ ｈｏｄｅｎ　ｄｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ　Ｃｈｅ＋＋＋ｉｅ　（Ｇｅｏｒ ｇ−Ｔｈｉｅｍｅ出版社、Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ市）のような標準的学術書〕に記 載されているようなそれ自体既知の方法により、特に、あげられている反応に適 する既知の反応条件の下で製造することができる。それ自体既知であって、ここ では詳細に説明されていない変法も使用できる。

原料物質は既知であるか、またはこれらの化合物は既知化合物と同様に、それ自 体既知の方法により難なく製造することができる。

原料物質はまた所望により、これらを反応混合物から単離せずに、直ちにさらに 反応させて式Ｉで示される化合物を生成するような方法で、その場で生成させる こともできる。

式！で示されるエーテル化合物（式中、たとえば基Ｚ１およびＺ！のうちの少な くとも一つは一〇−ＣＨ，−または一〇Ｈ，−０−である）は相当するヒドロキ シ化合物のエーテル化により得ることができる。ヒドロキシ化合物は有利には先 ず、相当する金属誘導体に、たとえばＮａＨｓ　ＮａＮＨ，、ＮａＯＨ。

ＫＯＨ，Ｎａ、Ｃｏ、またはに、Ｃｏ、で処理することにより相当するアルカリ 金属アルコレート化合物またはアルカリ金属フエルレート化合物に変換する。こ の生成物は次いで相当するアルキルハライド、アルキルスルホネートまたはジア ルキルスルフェート化合物と、有利にはアセトン、１．２−ジメトキシエタン、 ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）またはジメチルスルホキシドなどの不活性溶媒 中で、あるいはまた過剰の水性または水性−アルコール性ＮａＯＨまたはＫＯＨ 中で、約２０″〜１００’の温度において反応させることができる。

式ｌで示されるエステル化合物（式中、たとえば基Ｚｌおよび基２２のうちの少 なくとも一つは一〇−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｏ−である）は相当するカルボン酸 のエステル化により得ることができる。

カルボン酸および（または）アルコールの代りに、それらの反応性誘導体を使用 することもできる。

前記カルボン酸化合物の適当な反応性誘導体は特に酸ハライド化合物、中でもク ロライド化合物およびブロマイド化合物、およびまた酸無水物、たとえば混合無 水物、アジド化合物あるいはエステル化合物、特にアルキル基にＣｙＫ子ｌ〜４ 個を有するアルキルエステル化合物である。前記アルコール化合物の反応性誘導 体は、特にその分子中に存在するＯＨ基（１個または２個以上）の代りに０Ｍ基 （１個または２個以上）を有し、モしてＭが１価の金属、好ましくはＮａまたは Ｋのようなアルカリ金属である相当する金属アルコレート化合物である。

エステル化は有利には、不活性溶媒の存在下に行なう。

特に適当な溶媒はジエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、テトラヒドロフ ラン、ジオキサンまたはアニソールのようなエーテル、アセトン、ブタノンまた はシクロヘキサノンのようなケトン、ジメチルホルムアミドまたはリン酸ヘキサ メチルトリアミドのようなアミド、ベンゼン、トルエンまたはキシレンのような 炭化水素、四塩化炭素またはテトラクロロエチレンのようなハロゲノ炭化水素、 ジメチルスルホキシドまたはスルホランのようなスルホキシドおよび三フッ化酢 酸のようなカルボン酸である。水不混和性溶媒を同時に有利に使用でき、これに よりエステル化中に生成された水を共沸蒸溜により留去できる。場合により、エ ステル化用溶媒として、過剰の有機塩基、たとえばピリジン、キノリンまたはト リエチルアミンを使用することもできる。エステル化はまた溶媒の不存在下に、 たとえば反応成分を酢酸ナトリウムの存在の下で単純に加熱することにより行な うこともできる。反応温度は通常、−５０＠〜＋２５０＠、好ましくは一２０° 〜＋８０″である。これらの温度で、エステル化反応は一般に１５分〜４８時間 後に完了する。

詳細には、エステル化の反応条件はほとんど使用する原料物質の種類に依存する 。すなわち、遊離カルボン酸は遊離アルコールと一般に強酸、たとえば塩酸また は硫酸のような鉱酸の存在の下で反応させる。好適な反応方法は酸無水物、また は特に酸クロライドをアルコールと、好ましくは塩基性媒質中で反応させる方法 であり、この場合に塩基としては、特に水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム のようなアルカリ金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カ リウムまたは炭酸水素カリウムのようなアルカリ金属の炭酸塩あるいは炭酸水素 塩、酢酸ナトリウムまたは酢酸カリウムのようなアルカリ金属酢酸塩、水酸化カ ルシウムのようなアルカリ土類金属水酸化物、あるいはトリエチルアミン、ピリ ジン、ルチジン、コリジンまたはキノリンのような有機塩基が重要である。もう 一つの好適なエステル化方法は上記のアルコールを先ずたとえば水酸化ナトリウ ムまたは水酸化カリウムのエタノール溶液で処理することによりナトリウムアル コレートまたはカリウムアルコレートに変換し、このアルコレートを単離し、次 いでアセトン中またはジエチルエーテル中に炭酸水素ナトリウムまたは炭酸カリ ウムとともに、撹拌しながら懸濁し、この懸濁液にジエチルエーテル、アセトン またはジメチルホルムアミド中の酸クロライドまたは酸無水物の溶液を、有利に は約−２５＠〜＋２０″の温度で加えることよりなる方法である。

式Ｉで示されるチオエーテル化合物（式中基ｚｌおよび基Ｚ３のうちの少なくと も一つは−５−ＣＨ，−または−ＣＨ，−Ｓ−である）は、たとえば相当するメ シレート、トリフルオロメシレート、トシレートまたはハロゲン化合物（好まし くはミオ−イノシトールの配置を有する）を相当するチオール化合物または好ま しくはその塩の一種、特に相当するＮａチオレートと反応させることにより製造 することができる。この反応は不活性溶媒の存在下または不存在下に、特に約− ２０〜２５０＠、好ましくはｌＯ〜１５０＠の温度で行なうことができる。適当 な溶媒の例には、ベンゼン、トルエン、キシレンまたはメシチレンのような炭化 水素、トリエチルアミン、ピリジンまたはピコリンのような三級塩基、メタノー ル、エタノールまたはブタノールのようなアルコール、エチレングリコール、ジ エチレンクリコールおよび２−メトキシエタノールのようなグリコールおよびグ リコールエーテル、アセトンのようなケトン、テトラヒドロフランまたはジオキ サンのようなエーテル、ジメチルホルムアミドまたはリン酸へキサメチルトリア ミド（ＨＭＰＴ）のようなアミドあるいはジメチルスルホキシドのようなスルホ キシドがある。これらの溶媒の混合物もまた適当である。

式１で示される隣位シス−ジオール化合物は、たとえばミオ−イノシトールの２ 個の隣位シス−ＯＨ基を環状ケタール、たとえばシクロヘキシリデンケタールと して保護し、次いで前記の方法の一つまたは二つ以上により遊離ＯＨ基を誘導体 化し、次いでケタールを開裂させることにより製造することができる。

本発明によるディスコティック液晶相は２〜２５種、好ましくは３〜１２種の成 分よりなり、これらの成分のうちの少なくとも一種が式！で示される化合物であ る。

他の成分は好ましくは既知のディスコティック液晶物質、特にヘキサ置換ベンゼ ンまたはトリフェニレン誘導体の群から選ばれる。本発明による相は式１で示さ れる化合物の一種または二種以上を約０．１〜１００％、好ましくは１０〜１０ ０％の量で含有する。

本発明によるディスコティック液晶相はそれ自体慣用の方法で製造する。一般に 、諸成分を相互に、好ましくは高められた温度で溶解する。

本発明によるディスコティック液晶相はまた、適当な添加剤で変性することがで きる。たとえば、導電性を改善するために、導電性塩を添加でき、あるいは多色 性染料またはディスコティック相の配向、粘度および（または）誘電異方性を変 えるための物質を添加することができる。

驚くべきことに、式Ｉで示される化合物はまた、ライオトロピック相を生成し、 従って、重合性化合物の重合により、異方性重合体物質の製造に格別に適してい る。

この重合は特に、ライオトロピック相を生成する式Ｉで示される化合物の少なく とも一種を存在させて行なう。

異方性重合体物質は、たとえばエレクトロニクスにおける光学メディアとして適 している。

適当な重合性化合物は遊離基により開始させることができる重合が可能である一 宮能性または多官能性エチレン状不飽和単量体、オリゴマーあるいはプレポリマ ーまたはその混合物および重縮合または重付加することができる二官能性または 多官能性単量体、オリゴマーまたはプレポリマーの両方である。この場合に、適 当な化合物の広範囲の選択が従来技術により提示されている。

適当なエチレン状不飽和化合物の例はエチレン、プロピレン、ブテン、イソブチ レン、ブタジェン、イソプレン、ビニルクロライド、ビニリデンクロライド、ア クリロニトリル、メタアクリロニトリル、アクリルアミド、メタアクリルアミド 、メチル、エチル、ｎ−またはｔｅｒｔ。

−ブチル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、ベンジル、フェノキシエチル 、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピル、低級アルコキシエチルまたはテトラ ヒドロフルフリルアクリレートまたはメタアクリレート、酢酸ビニル、プロピオ ン酸ビニル、アクリル酸ビニル、コハク酸ビニル、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ− ビニルカルバゾール、スチレン、ジビニルベンゼン、置換スチレンおよびこのよ うな不飽和化合物の混合物である。たとえばエチレンジアクリレート、１．６− ヘキサンジオールジアクリレートおよびプロポキシル化ビスフェノールＡジアク リレートおよびジメタアクリレートのような多不飽和化合物もまた本発明による 方法に使用することができる。

エチレン状不飽和化合物は遊離基により、イオン的に、または金属複合体を用い ることにより重合させることができる。

重合の開始に要する遊離基は種々の方法で、たとえば単量体を紫外線光、Ｘ線ま たは放射線照射源で照射することにより生成させることができる。

照射源として、太陽光または人工灯を使用することもできる。有利な例には高圧 、中圧または低圧水銀蒸気灯およびキセノンおよびタングステン灯がある。レー ザー光源および電子ビーム管も使用できる。

重合反応の連鎖開始は開始剤の加温および照射による崩壊により行なうことがで きる。適当な開始剤の例にはジベンゾイルパーオキシド、アゾ−ビス−イソブチ ロニトリル、過硫酸カリウム、クメンハイドロバーオキシトまたはジー第三ブチ ルバーオキシドがある。

イオン的に開始される重合の引き金には、　フェニルリチウム、ナフタレンナト リウムまたはナトリウムメシレートのような有機−アルカリ金属化合物、あるい は三７フ化ホウ素、塩化アルミニウムまたは四塩化スズのようなルイス酸が適当 である。

さらにまた、エチレン状不飽和化合物は金属複合化合物を用いて重合させること もできる。この方法に適する複合化合物の例には、アルミニウムまたはチタニウ ム（Ｚｉｅｇｌｅｒ−Ｎａｔｔａ触媒）の複合化合物がある。

「重合」の用語は最も広い意味で理解されるべきである。たとえば、重合体材料 、たとえばプレポリマーの引き統く重合または交叉結合および単純な単量体の均 一重合、共重合および三元重合が包含される。

式！で示される化合物は、重合性化合物との重合体においてライオトロピック相 を形成する必要はない。むしろ、ライオトロピック相の生成能力が重合体相の中 で「準−ライオトロビック」相として、それ自体示されていることができる。

重合反応は容易に行なうことができる。重合は前記の方法で、たとえば加熱によ り、照射によりまたは重合性化合物およびライオトロピック相を生成する化合物 の生成混合物に単純に溶解または撹拌することによる開始剤の添加により行なう 。重合はまた、非重合性溶媒の存在の下で行なうこともできる。適当な溶媒は原 則として全部の親油性溶媒、たとえばジエチルエーテル、テトラヒドロフランま たはジオキサン、あるいはベンゼン、トルエンまたはキシレンのような炭化水素 である。

重合性化合物対ライオトロピック相を生成する化合物の比率は広い限界内で変え ることができる０通常、ライオトロピック相を生成する化合物を約０．１〜８０ ％、好ましくは０．５〜５０％、そして特に、１−１５％の比率で添加する。

このようにして得られた異方性重合体材料は光学的、磁気的および（または）電 気的異方性に係り有利な数値を有する点で、および有利な機械的物性、たとえば 弾性または可塑性および（または）熱的物性を有する点で差異を有する。

本発明による異方性重合体材料は層、フィルムおよび繊維を形成する能力のよう なそれらの典型的な重合体物性を有し、そして成形が容易であることから、種々 の可能な用途が開かれる。

次側は本発明を制限することなく、説明するためのものである。ｍ、−融点であ り、Ｃ１−透明点である。本明細書全体を通して、パーセンテージは重量による パーセンテージである。全ての温度は摂氏度で示すものである。

「慣用の方法で仕上げる」の用語は次の意味を有する：水を加え、混合物を塩化 メチレンで抽出し、有機相を分離し、乾燥させ、次いで蒸発させ、生成物を結晶 化および（または）クロマトグラフィにより精製する。

例　ｌ Ｎ−アセチル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール４５０１１９ 　（この化合物はベンターローアセチルー１−アジド−１−デオキシ−スキロー イノシトール（この化合物はＴ、　Ｓｕａｍｉ等によるＢｕｌｌ、　Ｓｏｃ、　 Ｊａｐ、　３９（１９６６年）、１７０頁に記載されている）から、Ｎ−アセチ ル−ペンタ−Ｏ−アセチル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール およびその６Ｎ塩酸による加水分解を経て得られる〕、ピリジン２５峠およびｎ −ヘキサノイルクロライド２゜１５９の混合物を５０°で撹拌しながら６時間加 熱する。慣用の方法で仕上げ処理し、Ｎ−アセチル−ベンター〇−ヘキサノイＪ レー１−アミノ−１−チオキシ−スキローイノシトールを得る、ｍ、７６°、ｃ 、１９２°。

同様にして、下記の化合物を製造する：Ｎ−アセチルーペンター〇ローロピオニ ル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−アセチル−ベンタ ーローブチリルー１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−アセ チル−ペンター０−イソブチリル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシ トール、Ｎ−アセチル−ベンターローバレリルー１−アミノ−１−デオキシ−ス キローイノシトール、Ｎ−アセチル−ペンタ−〇−ヘプタノイルー１−アミノー １−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−アセチル−ベンターローオクタノイ ルー１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−アセチル−ペンタ −Ｏ−ノナノイル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−ア セチル−ベンターローデカノイルー１−アミノ−ｌ−チオキシ−スキローイノシ トール、Ｎ−アセチル−ベンターローウンデカノイルー１−アミノ−１−デオキ シ−スキローイノシトール、Ｎ−アセチル−ペンタ−〇−ドデカノイルー１−ア ミノー１−デオキシ−スキローイノシトール例　２ 例１に記載のとおりに、スキローイノサミン塩酸塩１．０ｈ（この化合物はＨ， Ｅ、　Ｃａｒｔｅｒ等によるＪ、　Ｂｉｏｌ、　Ｃｈｅ＋＋。

１７５　（１９４８年）、６８３頁に記載されている〕の混合物をｎ−ヘキサノ イルクロライド５．３６９と反応させる。Ｎ−ヘキサノイル−ペンタ−〇−ヘキ サノイルー１−アミノー１−デオキシ−スキローイノシトールが得られる、１ｍ ＋３４．８°、ｃ、　２５９’。

同様にして、下記の化合物を製造する：Ｎ−７’ロビオニルーベンター〇−バレ リル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−’ロビオニルー ペンター〇−ヘプタノイル−ｉ−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール 、Ｎ−プロピオニル−ベンターローノナノイルー１−アミノ−１−デオキシ−ス キローイノシトール、Ｎ−プロピオニル−ペンタ−〇−デカノイルー１−アミノ ー１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−７’チリル−ベンターローバレリ ルー１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−ブチリル−ペンタ −〇−ヘプタノイルー１−アミノー１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ− ブチリル−ペンタ−〇−ノナノイルー１−アミノー１−デオキシ−スキローイノ シトール、Ｎ−ブチリル−ベンターローデカノイルー１−アミノ−ｉ−デオキシ −スキローイノシトール、Ｎ−バレリル−ベンターローヘプタノイルー１−アミ ノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−バレリル−ペンタ−〇−ノナノ イルー１−アミノー１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−バレリル−ペン タ−〇−デカノイルー１−アミノーｉ−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ− ヘプタノイル−ベンターローバレリルー１−アミノ−１−７’オキシ−スキロー イノシトール、Ｎ−ヘプタノイル−ペンタ−〇−ヘプタノイルー１−アミノー１ −デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−ヘプタノイル−ベンターローノナノイ ルー１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−ヘプタノイル−ペ ンタ−〇−デカノイル−１−アミノー１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ −ノナノイル−ペンター０−バレリル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイ ノシトール、Ｎ−ノナノイル−ベンターローヘプタノイルー１−アミノ−１−デ オキシ−スキローイノシトール、Ｎ−ノナノイル−ペンタ−Ｏ−ノナノイル−１ −アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−ノナノイル−ペンタ−〇 −デカノイル−１−アミノー１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−デカノ イル−ペンタ−Ｏ−バレリル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトー ル、Ｎ−デカノイル−ペンタ−〇−ヘプタノイルー１−アミノー１−デオキシ− スキローイノシトール、Ｎ−デカノイル−ペンタ−〇−ノナノイル−１−アミノ ー１−デオキシ−スキローイノシトール、Ｎ−デカノイル−ベンターＯ−デカノ イルー１−アミノ−１−デオキシ−スキローイノシトール例　３ １−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール６００１９（この化合物はペ ンター０−アセチル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトールからＣ Ｈ３０Ｈ／ＮＨ３との反応により得られる）、ピリジン３０ｍｆｆおよびｎ−ヘ キサノイルクロライド２．８９の混合物を５０°で６時間撹拌する。慣用の方法 で仕上げ処理し、ペンタ−０−ヘキサノイル−１−アジド−１−デオキシ−スキ ローイノシトールを得る、ｍ、室温以下、ｃ、　１５２’。

同様にして、下記の化合物を製造する：ベンター０−プロピオニルー１−アジド −１−デオキシ−スキローイノシトール、 ペンタ−０−ブチリル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール、 ペンタ−Ｏ−バレリル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール、 ペンタ−Ｏ−ヘプタノイル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール 、・ ペンター０−オクタノイル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール 、 ペンタ−Ｏ−ノナノイル−１−アジド・−１−デオキシ−スキローイノシトール 、 ペンター０−デカノイル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール、 ペンタ−Ｏ−ウンデカノイル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトー ル、 ペンター０−ドデカノイル−１−アジド−１−デオキシ−スキローイノシトール 例　４ １．２−０−シクロへキシリデン−３，４，５，６−チトラーＯ−ヘキシルーミ オーイノシトール１４．９５９、氷酢酸３５０ｔＱおよびＨ３Ｏ９０ｉ＋ｆｆの 混合物を１００”で４時間加熱する。溶媒を留去した後に、油状残留物をシリカ ゲル（６００ｍＭ）上で、溶出剤としてＣＨＯｆｆ　、を用いるカラムクロマト グラフィにより精製する。Ｑ、ｌ＋ｍＨｇで乾燥させると、高度に粘性のディス コティック生成物に固化する、淡黄色油状物、３．４，５．６−チトラーＯ−ヘ キシルーミオーイノシトールが得られる、０．３５〜３６６゜ 同様にして、下記の化合物を製造する：３．４，５．６−チトラーＯ−ブチリル ーミオーイノシトール、 ３．４，５．６−テトラ−０−ペンチル−ミオーイノシト−３，４，５，６−テ トラ−０−ヘプチル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−テトラ−０−オクチル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−チトラーＯ−ノニルーミオーイノシトール、３．４．５．６− チトラーＯ−デシルーミオーイノシトール、３．４．５．６−テトラ−０−ウン デシル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−チトラーＯ−ドデシルーミオーイノシトール、 ３．４．５．６−テトラ−ｏ−トリデシル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−チトラーＯ−ブチリルーミオーイノシトール、 ３．４．５．６−テトラ−０−ペンタノイル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−テトラ−０−ヘキサノイル−ミオ−イノシトール、ｍ、１２０ 〜１２２’ ３．４．５．６−テトラ−０−オクタノイル−ミオ−イノシトール、 ３．４，５．６−テトラ−０−ノナノイル−ミオ−イノシトール、 ３、．４．５．６−テトラ−０−デカノイル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−テトラ−０−ウンデカノイル−ミオ−イノシトール、 ３．４，５．６−テトラ−０−ドデカノイル−ミオ−イノシトール、 ３．４．５．６−テトラ−０−トリデカノイル−ミオ−イノシトール 例　５ １．２−０−シクロへキシリデン−３，４，５，６−テトラ−０−ヘキサノイル −ミオ−イノシトール２−６ｇ（４ミリモル）（この化合物はミオ−イノシトー ルからシクロヘキサノンとの反応によりミオ−イノシトールから２個のシス−Ｏ Ｈ基を有する環状ケタールを生成し、次いでその分子中に存在する４個の遊離Ｏ Ｈ基をｎ−ヘキサノイルクロライド／ピリジンでエステル化することにより得ら れる）および酢酸（８０％）２０ｍｆｆの混合物を１００℃で４時間加熱する。

慣用の方法で仕上げ処理し、次いでシリカゲル３００ｍ（ｌ上で石油エーテル（ ３０”　〜７０℃）／酢酸エチル２：１を溶出剤として使用するカラムクロマト グラフィで処理した後に、無色固形物として、３．４．５．６−チトラーＯ−ヘ キサノイルーミオーイノシトールを得る、＋ｍ、１２０°〜１２２℃。

スペクトル分析特性データ： ＪＲ（ＣＨＣ（１３）　：　１７４５ｃｉ＋−”（Ｃ＝＝Ｏ）’Ｈ−ＮＭＲ（Ｂ ｒｕｋｅｒ　ＷＭ　４００．　ＤＭＳＯ−ｄ６）　：δ−５，５４（ｄ、２−０ Ｈ）；　５−１４　ｐｐｍ　（ｄ、　１−ＯＨ）１３Ｃ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ 　ＷＭ　２７０，０ｆｆ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、ＣＤＣｌ２．）：ａ　−１７４ ，１９，１７２，６ｔ、　１７２．５３および１７２．４１　（４ｓ、全部がＣ 冨０）；　７２．６１．７（Ｌ８９．７０．７３．７０．４６．７０．１３およ び６９−２３　ｐｐｍ　（６ｄ、全部が環−ＣＨ）ＭＳ　（１７０℃）　：　ｒ ｒｒ／ｚ−５７２（Ｍ”、　＜１％）；　９９　（１００％）例　６ １．２−０−シクロへキシリデン−３，４，５，６−チトラー〇−ヘキシルーミ オーイノシトール１４．９５９（２Ｓミリモル）〔この化合物は１．２−０−シ クロヘキシリデン−ミオ−イノシトール（例５の化合物）からｎ−ヘキシルブロ マイド／水酸化カリウムによるエステル化により得られる〕および氷酢酸３５０ ｍＱ／水９０ｉＩＱの混合物を１００℃で４時間加熱する。慣用の方法で仕上げ 処理し、次いでシリカゲル６００ｍ！上で溶出剤としてクロロホルムを用いるカ ラムクロマトグラフィで処理した後に、無色で高度に粘性の生成物、３．４，５ ．６−テトラ−０−ヘキシル−ミオ−イノシトールが得られる。

スペクトル分析特性データ： 夏Ｒ（ＣＨＣ（２ｓ）：　３５９０ｃｍ−１（ＯＨ）”Ｈ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅ ｒ　ＷＭ　４００．　ＤＭＳＯ−ｄａ）　：δ−４，５（ｄ、　２−０Ｈ）；　 ４．５１　ｐｐ＋ｍ　（ｄ、　１−０Ｈ）δ−８３，３２，８１，４５，８０， ９１，８０，５９，７１，７０およびＭＳ　（１７５℃）　：　ｗ＋／ｚ−５１ ６（Ｍ”、　＜１％）；　２４１および１５７（１００％） 例　７ ２−０−ベンジル−３，４，５，６−テトラ−０−ヘキシル−スキローイノシト ール６０７１１９　（ｌミリモル）〔この化合物は３，４，５．６−チトラーＯ −ヘキシルーミオーイノシトール（例６の化合物）からエカトリアルＯＨ基をベ ンジルクロライド／水酸化カリウムでエステル化し、次いでアキシャルＯＨ基を メタンスルホニルクロライドと反応させてメシレートを生成し、次いで超酸化カ リウム／１８−クラウン−６によりヒドロキシトイオンで置換することにより得 られる〕を氷酢酸２０ｙａＱに溶解し、次いでＰｄ触媒（１０％Ｐｄ／Ｃ）を用 いて、室温および４バールにおいて２４時間水素添加する。慣用の方法で仕上げ 処理し、次いでシリカゲル１５０ｍＱ上で溶出剤としてクロロホルム／酢酸エチ ル　１５：１を用いてカラムクロマトグラフィ処理し、無色の高度に粘性の生成 物３．４．５．６−テトラ−０−ヘキシル−スキローイノシトールを得る。

スペクトル分析特性データ： ＩＲ（ＣＨＣＩ２ｓ）　＝　３６００ｃｍ−”（ＯＨ）”Ｈ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋ ｅｒ　ＷＭ　４００．　ＤＭＳＯ−ｄ６）　：δ−４，７２ｐｐｍ（２ｄ。

ｌ−および２−０Ｈ） ”Ｃ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅｒ　ＡＭ　２７０．０ｆｆ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、　 ＣＤＣＱ３）　：δ−８３，１４，８２，３３および７３．６１　（３ｄ、　１ ：ｌ：１の比率のｌ：ｌの比率の強度、全部が０−ＣＨ，）ＭＳ　（１４５℃） 　：　＋ｎ／ｚ−５１６ＣＭ”、　＜１％）；　２４１および１５７（１００％ ） 例・　８ ３．４．５．６−テトラ−０−ヘキシル−ミオ−イノシトール８．７９ｇ（１７ ミリモル）（例６の化合物）、ｎ−ヘキシルブロマイド４．２９（２５，４ミリ モル）、水酸化カリウム末４８９およびベンゼン３００ｍ（＋の混合物を７時間 、加熱還流させる。

慣用の方法で仕上げ処理し、次いでシリカゲル３００ｍ１２上で溶出剤としてヘ プタン／酢酸エチル　ｉｏ：ｔを用いてカラムクロマトグラフィ処理し、淡黄色 油状物として、１．３．４．５．６−ペンター０−ヘキシル−ミオ−イノシトー ルを得る、ＤＭＳＯ中で不溶出。

スペクトル分析特性データ： ＩＲ（ＣＨＣＱｓ）　：　３５５０ｃｍ−’（ＯＨ）”Ｃ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋｅ ｒ　ＡＭ　２７０．０ｆｆ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、　ＣＤＣｆｆ、）　：δ−８ ３，１８，８０，８６，８０，４６および６７．２９　（４ｄ、　１：２：２： １の比率の強度、全部が環−９Ｈ）； ７４．０３．７３．８８および７１．０８　ｐｐ＋ｎ　（３ｔ、　１：２＝２の 比率の強度、全部が０−ＣＨ，） ＭＳ　（１００℃）　：　ｒａ／ｚ−６００（Ｍ”、　＜１％）；　２５４．２ ４１およびｓｓ　ｃｔｏｏ％） 例　９ ２−０−メタンスルホニル−１，３，４，５，６−ペンタ−０−ヘキシル−ミオ −イノシトール３．４■（５ミリモル）〔この化合物は１．３．４．５．６−ペ ンタ−０−ヘキシル−ミオ−イノシトール（例８の化合物）からピリジン中にお けるメタンスルホニルクロライドとの反応により得られる〕および無水ジメチル スルホキシド２０ｉ＋１２の混合物を超酸化カリウム１．０７９（１５ミリモル ）、１８−クラウン−６０，４９（１，５ミリモル）および無水ジメチルスルホ キシド３０１１Ｉ２の混合物に撹拌しながら室温で加える。水分を排除した雰囲 気中において、混合物を室温で７０時間撹拌する。氷水中に注ぎ入れ、慣用の方 法で仕上げ処理し、次いでシリカゲル３００ｍｆｆ上で溶出剤としてヘプタン／ 酢酸エチル１０：１を用いてカラムクロマトグラフィ処理した後に、無色油状物 として、２，３．４．５．６−ベンターＯ−ヘキシルースキローイノシトールを 得る、ＤＭＳＯ中で不溶出。

スペクトル分析特性データ： ＩＲ（ＣＨＣＩ２ｓ）　：　３５５０ｃｍ−”（ＯＨ）”Ｃ−ＮＭＲ（Ｂｒｕｋ ｅｒ　ＡＭ　２７０．０ｆｆ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、　ＣＤＣＱｓ）　＝・δ− ８３，２３，８２，８４および８２．２５　（３ｄ、　１：２：２の比率のＭＳ 　（１６０℃）　：　ａ＋／ｚ−６００（Ｍ”、　１％）；　２４１　（１００ ％）例　ｌＯ 氷酢酸３５０ｍＱ中の三酸化クロム１．７５ｍｇ（１７，５ミリモル）の溶液を 撹拌し、１００℃に加熱する。１．３．４．５．６−ペンター０−ヘキシル−ミ オ−イノシトール（例８の化合物）３．０９（５ミリモル）および氷酢酸５０ｍ ｆｆの混合物をこの溶液に滴下して加える。混合物を１００℃で２時間撹拌し、 次いで蒸発させる。残留物を炭酸カリウム２０ｇおよび水２００ｍｍとともに撹 拌し、慣用の方法で仕上げ処理し、次いでシリカゲル３００ｍｎ上で溶出剤とし てヘプタン／酢酸エチル　１５：１を用いてカラムクロマトグラフィ処理した後 に、淡黄色油状物として、ベンターＯ−ヘキシルーミオーイノシトールを得る、 ｍ、７℃。

スペクトル分析特性データ： ＩＲ（ＣＨＣ（Ｉｓ）　：　１７３５ｃｍ−’（Ｃ＝Ｏ）”Ｃ−ＮＭＲ（Ｖａｒ ｉａｎ　ＣＦＴ　２０．０ｆｆ−Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、　ＣＤＣｎ３）　：δ− ２０２，９６（Ｃ・Ｏ）、　８５．０４．８２．６２および８１．６０　（３ｄ 。

２：ｌ：２の比率の強度、全部が環−ＣＨ）；　７４．３９．７４．１７および ７２．２２　ｐｐｍ　（３ｔ、　１：２：２の比率の強度、全部が〇−ＣＨ，） ＭＳ　（１２０℃）　：　！ｌ／Ｚ−５９８ＣＭ”、　８％）；　５６　（１０ ０％）例　１１ １．３，４．５．６−ペンター０−へキシル−２−０−メシル−ミオ−イノシト ール５−７７９、ナトリウムアジド１．７９．２−メトキシ−エタノール１４４ ｍＱおよびＨ＊０２６ｍｆｆの混合物を１３０’（浴温度）で撹拌しながら７２ 時間加熱する。溶媒を留去した後に、油状残留物をシリカゲル（３００ｍｆｆ） 上で移動相としてヘプタン／酢酸エチル　１５：１を用いるカラムクロマトグラ フィにより精製する。はとんど無色の生成物が得られる。Ｑ、ｌ＋ｍｍＨｇで乾 燥させた後に固化する不透明のディスコティック生成物、ｌ−アジド−１−デオ キシ−２，３，４，５，６−ベンターＯ−ヘキシルースキローイノシトールが得 られる、ｃ、　３２．７＠。

同様にして、下記の化合物を製造する：ｌ−アジドー１−デオキシー２．３，４ ．５．６−ベンター〇−ブチルースキローイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペンタ−０−ペンチル−スキ ローイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペンタ−Ｏ−へブチル−スキ ローイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ベンター〇−オクチルースキ ローイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペンタ−Ｏ−ノニル−スキロ ーイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペンタ−０−デシル−スキロ ーイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ベンター〇−ウンデシルース キローイノシトール、ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ベンタ ーＯ−ドデシルースキローイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ベンター〇−トリデシルース キローイノシトール、ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペンタ −〇−ブチリルースキローイノシトール、 ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ベンター〇−ペンタノイルー スキローイノシトール、ｌ−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペン タ−〇−ヘキサノイルースキローイノシトール、ｌ−アジド−１−デオキシ−２ ，３，４，５，６−ベンター〇−オクタノイルースキローイノシトール、ｌ−ア ジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ペンター。

−ノナノイルースキローイノシトール、１−アジドー１−デオキシ−２，３，４ ，５，６−ペンタ−０−デカノイル−スキローイノシトール、ｌ−アジド−１− デオキシ−２，３，４，５，６−ペンタ−〇−ウンデカノイルースキローイノシ トール、１−アジド−１−デオキシ−２，３，４，５，６−ベンター〇−ドデカ ノイルースキローイノシトール、ｌ−アジド−１−デオキシ−２゜３．４．５． ６−ベンター〇−トリデカノイルースキローイノシトール、例　Ａ Ｎ−バレリル−ペンタ−〇−バレリルー１−アミノー１−デオキシ−スキローイ ノシトール１００１１９％アゾ−ビス−イソブチロニトリル１２．５１１９およ びスチレン４００１１９の混合物を、窒素で浄化しながら、６０℃で１８時間加 熱する。弾性重合体が得られる。この重合体は偏光顕微鏡下に高度の複屈折を示 す。

例　Ｂ Ｎ−バレリル−ペンタ−Ｏ−バレリル−１−アミノ−１−デオキシ−スキローイ ノシトール１００１１９．アゾ−ビス−イソブチロニトリル１２　、５ｔ１ｇお よびメチルメタアクリレート４００ｍｇの混合物を窒素で浄化しながら、６０℃ で１８時間加熱する。高度の複屈折物性を示す弾性重合体が得られる。

国際調査報告 ―、−−Ａ−暢−”’、　ＰＣＴ／ＥＰ　８７１００３１８

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. １．式Ｉ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ 〔式中Ｑは、−Ｚ１−（Ａ１−Ｚ２）ｐ−Ａ２−Ｒ１であり、そしてこれらＱの うちの一つはまたＯＨであってもよく、そしてＸは、−Ｎ２、−ＮＨＲ１、−Ｎ ＣＨ３Ｒ１、−ＮＨＣＯＲ１、−ＮＣＨ３ＣＯＲ１、−ＮＨ−ＣＯ−（Ａ１−Ｚ ２）ｐ−Ａ２−Ｒ１、−ＮＣＨ３−ＣＯ−（Ａ１−Ｚ２）ｐ−Ａ２−Ｒ１、−Ｎ Ｈ−ＣＨ２−（Ａ１−Ｚ２）ｐ−Ａ２−Ｒ２、−ＮＣＨ３−ＣＨ２−（Ａ１−Ｚ ２）ｐ−Ａ２−Ｒ１、＝Ｏ、−ＯＨまたは−ＳＨであり、 Ｚ１は、−ＣＯ−Ｘ１−、−Ｘ１−ＣＯ−、−ＣＨ２−Ｘ２−、−Ｘ２−ＣＨ２ −または−ＣＨ２−ＣＨ２−であり、 Ｚ２は、Ｚ１の意味のうちの一つを有するか、または単結合であり、 Ｘ１はＯまたはＳであり、 Ｘ２はＯ、Ｓ、ＳＯまたはＳＯ２であり、Ａ１およびＡ２は、相互に独立して、 それぞれ、１，４−フェニレン基であり、この基は非置換であるかあるいは置換 基として１個または２個以上のハロゲン原子および（または）ＣＨ３基および（ または）ＣＮ基を有し、そしてこの基中に存在する１個または２個以上のＣＨ基 はＮ原子により置き換えられていてもよく、あるいはＡ１およびＡ２は、それぞ れ、１，４−シクロヘキシレン基で　あり、この基中に存在する１個のＣＨ２基 または隣接していない２個のＣＨ２基は−Ｏ−および（または）−Ｓ−により置 き換えられていてもよく、あるいはＡ１およびＡ２は、それぞれ、ピベリジン− １，４−ジイル基、１，４−ビシクロ〔２，２，２〕オクチレン基または単結合 であり、ｐは０または１であり、そして 記号Ｒ１は、相互に独立して、それぞれ、Ｃ原子１〜２０個を有するアルキル基 であり、この基中に存在する１個のＣＨ２基または隣接していない２個以上のＣ Ｈ２基は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＨＣＨ３−、−ＣＨＣＮ−、−ＣＨハロゲン−、 −ＣＯ−、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−および（または）−ＣＨ＝ＣＨ−により 置き換えられていてもよく、あるいは、Ｒ１は、それぞれ、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ 、Ｉ、ＯＨ、ＮＨ２、ＣＯＯＨまたはＣＮである。 ただし、（ａ）Ｒ１が環状基Ａ１またはＡ２に結合している場合には、Ｒ１はＨ 、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＮＨ２、ＣＯＯＲまたはＣＮであるか、あるいは Ｃ原子１〜２０個を有し、上記の核側にある末端ＣＨ２基の一つが−Ｏ−、−Ｓ −、−Ｏ−ＣＯ−または−ＣＯ−Ｏ−により置き換えられているアルキル基であ り、そして（ｂ）複数の基Ｑの全部がアセトキシである場合には、ＸはＮ３では ないものとする〕で示されるヘキサ置換シクロヘキサン化合物。
2. ２．ディスコティック液晶相の成分としての請求項１に記載の式Ｉで示される化 合物の使用。
3. ３．少なくとも一種の成分が請求項１に記載の式Ｉで示される化合物であること を特徴とする少なくとも二種の液晶成分を含有するディスコティック液晶相。
4. ４．請求項３に記載の液晶相を含むことを特徴とする液晶表示素子。 発明の詳細な説明■