JPH0140433B2 - - Google Patents

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JPH0140433B2
JPH0140433B2 JP58210087A JP21008783A JPH0140433B2 JP H0140433 B2 JPH0140433 B2 JP H0140433B2 JP 58210087 A JP58210087 A JP 58210087A JP 21008783 A JP21008783 A JP 21008783A JP H0140433 B2 JPH0140433 B2 JP H0140433B2
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JP
Japan
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data
write
signal
random access
access memory
Prior art date
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Application number
JP58210087A
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Japanese (ja)
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JPS60103576A (en
Inventor
Norimasa Arakawa
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、ランダム・アクセスメモリ
(RAM)のリード・ライト制御装置に係り、特
にデータ保持モードを有するシステムに使用され
るデータ書き込み制御装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a read/write control device for a random access memory (RAM), and more particularly to a data write control device used in a system having a data retention mode.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

一般にRAMのリード・ライト装置におけるラ
イト(書き込み)制御は第1図に示すようなタイ
ミングで行なわれている。先ず、時刻t0でアドレ
スバス上のアドレスデータがラツチされ、次に時
刻t1でRAMチツプのチツプセレクト信号がロ
ウレベルになり、次に時刻t2でライトイネーブル
信号がロウレベルになり、時刻t3で信号
がハイレベルになつたときのデータバス上のデー
タが書き込まれる。即ち、信号および信号
がそれぞれロウレベル状態のときにアドレスバス
上に確定しているアドレスデータにより指定され
るアドレスのRAMセルへ、上記信号がロウ
レベルからハイレベルへ移行するまでにデータバ
ス上に確定しているデータが書き込まれるもので
ある。上記ライトイネーブル信号のパルス幅
twは、RAMおよびリード・ライト制御装置が使
用されるシステムの動作周波数により決定される
ものであり、この動作周波数が小さくなるにした
がつて上記パルス幅tw(書き込み時間)が長くな
る。
Generally, write control in a RAM read/write device is performed at the timing shown in FIG. First, the address data on the address bus is latched at time t0 , then the chip select signal of the RAM chip goes low at time t1 , then the write enable signal goes low at time t2 , and then at time t3. The data on the data bus when the signal goes high is written. That is, when the signal and the signal are in the low level state, the RAM cell at the address specified by the address data fixed on the address bus is fixed on the data bus by the time the signal goes from low level to high level. This is the data that is written. Pulse width of the above write enable signal
tw is determined by the operating frequency of the system in which the RAM and the read/write control device are used, and as the operating frequency decreases, the pulse width tw (write time) increases.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

ところで、動作電源がオフになつたときとか電
源電圧が規定値以下に低下したときなどに、その
直前のデータを保持する動作モード(データ保持
モード)を有するシステムにおいては、前記ライ
トイネーブル信号のロウレベルのときにデー
タ保持モードに入る場合が有り得る。この場合、
WE信号によりRAMセルの書き込みゲートが開
いているので、データ保持モードに入つたときの
データバス上の信頼性が低く、保持すべきでない
データを間違つて書き込んで保持するようにな
る。この場合、前述したようにシステムの動作周
波数が小さくなつて信号のパルス幅twが長く
なるにつれて、この信号のロウレベルのとに
データ保持モードに入る確率が大きくなり、間違
つたデータを書き込み保持するおそれが強くな
る。
By the way, in a system that has an operation mode (data retention mode) that retains the previous data when the operating power is turned off or when the power supply voltage drops below a specified value, the low level of the write enable signal It is possible that the device may enter data retention mode when in this case,
Since the write gate of the RAM cell is opened by the WE signal, the reliability on the data bus is low when entering data retention mode, and data that should not be retained may be written and retained by mistake. In this case, as mentioned above, as the operating frequency of the system decreases and the pulse width tw of the signal becomes longer, the probability of entering data retention mode when this signal is low level increases, causing incorrect data to be written and retained. The fear becomes stronger.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
データ保持モードに入つたときに間違たデータを
書き込み保持するおそれを極力防止でき、正しい
データの保持が可能なランダムアクセスメモリの
データ書き込み制御装置を提供するものである。
The present invention was made in view of the above circumstances, and
To provide a data write control device for a random access memory, which can prevent as much as possible the possibility of writing and holding incorrect data when entering a data holding mode, and can hold correct data.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

即ち、本発明のRAMのデータ書き込み制御装
置は、RAMのデータ書き込みに必要かつ充分な
パルス幅を有するライトイネーブル信号を生成
し、この信号の前縁でライトデータをラツチし、
このラツチデータを書き込むようにしてなること
を特徴とするものである。
That is, the RAM data write control device of the present invention generates a write enable signal having a pulse width necessary and sufficient for data writing to the RAM, latches write data at the leading edge of this signal, and
The feature is that this latch data is written.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図に示すマイクロコンピユータにおいて、
1はCPU(中央処理装置)であつて、共通バス2
にアドレスデータおよびライトデータを送り出
し、上記共通バス2からリードデータを取り込
み、リード制御線3にリード信号を送り出
し、ライト制御線4にライト信号を送り出す
ものであり、これらの各動作を所定のタイミング
で行なう。アドレスラツチ回路5は、上記共通バ
ス2に接続されたアドレスバス6上のアドレスデ
ータを所定のタイミングでラツチする。リードオ
ンリメモリ(ROM)7は、上記アドレスラツチ
回路5からアドレスバス8を経て与えられるアド
レスデータにより指定されたアドレスのデータ
が、前記共通バス2に接続されたデータバス9に
読み出される。データラツチ回路10は、共通バ
ス2上のライトデータを前記ライト制御部線4か
らのライト信号によりラツチする。第1のバ
ツフア回路11は、上記データラツチ回路10の
ラツチデータ(ライトデータ)が入力し、後述す
るライトイネーブル信号′が出力イネーブル
入力端に入力したときに上記ライトデータを
データバス12に出力する。
In the microcomputer shown in Figure 2,
1 is a CPU (central processing unit), and a common bus 2
It sends address data and write data to the common bus 2, takes in read data from the common bus 2, sends a read signal to the read control line 3, and sends a write signal to the write control line 4, and these operations are performed at predetermined timings. Let's do it. Address latch circuit 5 latches address data on address bus 6 connected to common bus 2 at a predetermined timing. In the read-only memory (ROM) 7, data at an address specified by address data provided from the address latch circuit 5 via the address bus 8 is read out onto a data bus 9 connected to the common bus 2. A data latch circuit 10 latches write data on the common bus 2 in response to a write signal from the write control line 4. The first buffer circuit 11 receives the latch data (write data) of the data latch circuit 10 and outputs the write data to the data bus 12 when a write enable signal 'to be described later is input to an output enable input terminal.

一方、ライトイネーブル信号発生回路としてた
とえば単安定マルチバイブレータ13が、用いら
れており、これは前記ライト信号が入力する
とその後縁に同期した所定幅tw′のライトイネー
ブル信号′を発生する。14は上記ライトイ
ネーブル信号′および前記リード信号が入
力する2入力のオアゲートであり、そのオア出力
はチツプセレクト信号′としてRAM15のチ
ツプイネーブル入力端に入力する。このRAM
15は、前記アドレスラツチ回路5からアドレス
データがデータバス16を経て与えられ、リー
ド・ライト制御入力端R/Wに前記ライトイネー
ブル信号′が与えられ、データ入出力端がデ
ータバス12を介して前記第1のバツフア回路1
1の出力側および第2のバツフア回路17の入力
側に接続されている。この第2のバツフア回路1
7は、上記RAM15から読み出されたデータバ
ス12上のリードデータを、前記リード信号
が出力イネーブル入力端に入力したときに前
記共通バス2に接続されたデータバス18に出力
する。
On the other hand, a monostable multivibrator 13, for example, is used as a write enable signal generating circuit, and when the write signal is input, it generates a write enable signal' having a predetermined width tw' synchronized with the trailing edge. Reference numeral 14 denotes a two-input OR gate into which the write enable signal' and the read signal are input, and its OR output is input to the chip enable input terminal of the RAM 15 as a chip select signal'. This RAM
15, address data is applied from the address latch circuit 5 via the data bus 16, the write enable signal' is applied to the read/write control input terminal R/W, and the data input/output terminal is connected via the data bus 12. The first buffer circuit 1
1 and the input side of the second buffer circuit 17. This second buffer circuit 1
7 outputs the read data on the data bus 12 read from the RAM 15 to the data bus 18 connected to the common bus 2 when the read signal is input to the output enable input terminal.

次に、上記構成のマイクロコンピユータにおけ
るRAMのライトモード、リードモードの各動作
について第3図および第4図を参照して説明す
る。
Next, the write mode and read mode operations of the RAM in the microcomputer having the above configuration will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.

第3図はRAMへの書き込み動作におけるデー
タ、信号のタイミングを示している。先ず、時刻
t0でアドレスデータが決定されたのちアドレスラ
ツチ回路5にラツチされてRAM15に与えられ
る。次に、時刻t1でライト信号が発生し、そ
の後縁(時刻t2)で共通バス2上のライトデータ
がデータラツチ回路10にラツチされる。また、
上記ライト信号の後縁に同期して単安定マル
チバイブレータ13でライトイネーブル信号
WE′が発生し、この′信号はRAM15の書き
込み制御入力となる。この場合、上記′信号
のパルス幅tw′は、RAM15へのデータ書き込
みに必要かつ充分な値に設定されており、前記ラ
イト信号(従来例のライトイネーブル信号に
相当する)のパルス幅twに比べて小さい。そし
て、上記′信号の前縁で、第1のバツフア回
路11から前記データラツチ回路10のラツチデ
ータ(ライトデータ)がデータバス12に出力す
る。また、上記′信号はオアゲート14を経
てチツプセレクト信号′となつてRAM15の
チツプイネーブル制御入力となる。したがつて、
ライトイネーブル信号′の後縁(時刻t3)で
RAM15へのライトデータの書き込み動作が終
了する。
FIG. 3 shows the timing of data and signals in a write operation to RAM. First, the time
After the address data is determined at t 0 , it is latched by the address latch circuit 5 and applied to the RAM 15 . Next, a write signal is generated at time t1 , and at the trailing edge (time t2 ), the write data on the common bus 2 is latched into the data latch circuit 10. Also,
A write enable signal is generated by the monostable multivibrator 13 in synchronization with the trailing edge of the above write signal.
WE' is generated, and this ' signal becomes the write control input of the RAM 15. In this case, the pulse width tw of the 'signal' is set to a value necessary and sufficient for writing data to the RAM 15, and is greater than the pulse width tw of the write signal (corresponding to the write enable signal in the conventional example). It's small. Then, at the leading edge of the ' signal, the latch data (write data) of the data latch circuit 10 is output from the first buffer circuit 11 to the data bus 12. Further, the 'signal' passes through the OR gate 14 and becomes a chip select signal ', which becomes a chip enable control input for the RAM 15. Therefore,
At the trailing edge of write enable signal ′ (time t 3 )
The operation of writing write data to the RAM 15 is completed.

第4図はRAMのデータ読み出し動作における
データ、信号のタイミングを示している。先ず、
時刻t0でアドレスデータが決定されたのちアドレ
スラツチ回路5にラツチされる。次に、時刻t1
リード信号が発生し、この信号はオアゲ
ート14を経てチツプセレクト信号′として
RAM15のチツプイネーブル制御入力となる。
これによつて、RAM15のこのときの指定アド
レスのデータがデータバス12に読み出されたの
ち第2のバツフア回路17を通じてデータバス1
8に出力される。
FIG. 4 shows the timing of data and signals in the data read operation of the RAM. First of all,
After the address data is determined at time t0 , it is latched by the address latch circuit 5. Next, a read signal is generated at time t1 , and this signal passes through the OR gate 14 and becomes the chip select signal'.
This is the chip enable control input for RAM15.
As a result, the data at the currently specified address in the RAM 15 is read out to the data bus 12 and then transferred to the data bus 1 through the second buffer circuit 17.
8 is output.

上述したようなRAMの書き込み制御によれ
ば、ライト信号の後縁に同期してRAMへの
データ書き込みに必要かつ充分な一定のパルス幅
tw′のライトイネーブル信号′を成し、この
WE′信号の前縁タイミングでラツチされたライ
トデータを書き込むようにしている。したがつ
て、マイクロコンピユータが前述したようなデー
タ保持モードを有する場合であつてその動作周波
数が低くてライト信号のパルス幅twが大きい
場合であつても、ライトイネーブル信号′の
パルス幅tw′を上記twより常に小さい一定値に設
定しておくことによつて、このパルス幅tw′の期
間(書き込み時間)中にデータ保持モードに入る
確率が低くなるので、間違つたデータを書き込み
保持するおそれが極力防止されるようになり、正
しいデータの保持が可能になる。
According to the RAM write control described above, a constant pulse width that is necessary and sufficient to write data to the RAM is synchronized with the trailing edge of the write signal.
It forms the write enable signal of tw′ and this
The latched write data is written at the leading edge timing of the WE' signal. Therefore, even if the microcomputer has a data retention mode as described above, its operating frequency is low, and the pulse width tw of the write signal is large, the pulse width tw' of the write enable signal ' By setting it to a constant value that is always smaller than the above tw, the probability of entering data retention mode during the period of this pulse width tw' (write time) is lowered, so there is a risk of writing and retaining incorrect data. will be prevented as much as possible, making it possible to maintain correct data.

なお、本発明はワンチツプマイクロコンピユー
タのRAMに対しても適用可能である。
Note that the present invention is also applicable to the RAM of a one-chip microcomputer.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

上述したように本発明のランダムアクセスメモ
リのデータ書き込み制御装置によれば、データ保
持モードに入つたときに間違つたデータを書き込
み保持するおそれを極力防止でき、正しいデータ
の保持が可能になる。
As described above, according to the data write control device for a random access memory of the present invention, it is possible to prevent as much as possible the possibility of writing and holding incorrect data when entering the data holding mode, and it is possible to hold correct data.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のRAMのライトモードにおける
動作タイミングを示す図、第2図は本発明に係る
RAMのデータ書き込み制御装置の一実施例を示
す構成説明図、第3図および第4図はそれぞれ第
2図の装置のライトモード、リードモードにおけ
るそれぞれの動作タイミングを示す図である。 1……CPU、10……データラツチ回路、1
2……バツフア回路、13……単安定マルチバイ
ブレータ。
FIG. 1 is a diagram showing the operation timing of a conventional RAM in write mode, and FIG. 2 is a diagram showing the operation timing in the write mode of a conventional RAM.
FIGS. 3 and 4 are explanatory diagrams showing an embodiment of a RAM data write control device, and are diagrams showing operation timings of the device shown in FIG. 2 in write mode and read mode, respectively. 1...CPU, 10...Data latch circuit, 1
2... Buffer circuit, 13... Monostable multivibrator.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 データ保持モードをもつたランダムアクセス
メモリのデータ書き込み制御装置において、ラン
ダムアクセスメモリに与えるためのアドレスデー
タおよびライトデータを送り出すと共に上記ラン
ダムアクセスメモリのライトモードに際してライ
ト信号を送り出す制御手段と、この制御手段
から送り出されたライト信号の後縁で前記ラ
イトデータをラツチするデータラツチ回路と、前
記制御手段から送り出されたライト信号の後
縁に同期して前記ランダムアクセスメモリへのデ
ータ書き込み動作に必要かつ充分な一定のパルス
幅tw′を有するライトイネーブル信号′を発生
して前記ランダムアクセスメモリのライト制御入
力として与えるライトイネーブル信号発生回路
と、上記ライトイネーブル信号′により前記
データラツチ回路のラツチデータを前記ランダム
アクセスメモリのライトデータ入力として与える
バツフア回路とを具備し、前記ライトイネーブル
信号により、書き込み中にデータ保持モードに入
る確率を少くする構成としたことを特徴とするラ
ンダムアクセスメモリのデータ書き込み制御装
置。
1. In a data write control device for a random access memory having a data retention mode, a control means for sending out address data and write data to be applied to the random access memory and sending out a write signal when the random access memory is in the write mode; A data latch circuit that latches the write data at the trailing edge of the write signal sent from the control means, and a data latch circuit that is necessary and sufficient for data writing operation to the random access memory in synchronization with the trailing edge of the write signal sent from the control means. a write enable signal generating circuit which generates a write enable signal ' having a constant pulse width tw' and supplies it as a write control input to the random access memory; A data write control device for a random access memory, comprising: a buffer circuit for inputting write data to a random access memory, and configured to reduce the probability of entering a data holding mode during writing by the write enable signal.
JP58210087A 1983-11-09 1983-11-09 Data write controller of random access memory Granted JPS60103576A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58210087A JPS60103576A (en) 1983-11-09 1983-11-09 Data write controller of random access memory

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JP58210087A JPS60103576A (en) 1983-11-09 1983-11-09 Data write controller of random access memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60103576A JPS60103576A (en) 1985-06-07
JPH0140433B2 true JPH0140433B2 (en) 1989-08-29

Family

ID=16583599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58210087A Granted JPS60103576A (en) 1983-11-09 1983-11-09 Data write controller of random access memory

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Families Citing this family (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4825416A (en) * 1986-05-07 1989-04-25 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated electronic memory circuit with internal timing and operable in both latch-based and register-based systems
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