JPH0134323B2 - - Google Patents

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JPH0134323B2
JPH0134323B2 JP9070482A JP9070482A JPH0134323B2 JP H0134323 B2 JPH0134323 B2 JP H0134323B2 JP 9070482 A JP9070482 A JP 9070482A JP 9070482 A JP9070482 A JP 9070482A JP H0134323 B2 JPH0134323 B2 JP H0134323B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
bit position
circuit
inspection
predetermined number
Prior art date
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Expired
Application number
JP9070482A
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Japanese (ja)
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JPS58207633A (en
Inventor
Kikuo Mita
Moritoshi Ando
Giichi Kakigi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57090704A priority Critical patent/JPS58207633A/en
Publication of JPS58207633A publication Critical patent/JPS58207633A/en
Publication of JPH0134323B2 publication Critical patent/JPH0134323B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明はパターンの欠陥検査に際し交差する測
長センサを用いる欠陥検査方式の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a defect inspection method using intersecting length measurement sensors when inspecting a pattern for defects.

(2) 発明の背景 プリント基板、集積回路には、導電パターンが
フオトマスクを用いたプロセスを経て形成されて
いるが、その導電パターンに欠陥が有るか否かと
いうことは、それらに形成される電子回路の生死
を決する重要な事柄であり、その欠陥の検出は顕
微鏡を用いての目視による原始的な手法に代つ
て、自動検査装置も実用化に向けて開発されてい
る。しかしながら、その装置も導電パターンに生
じている欠陥周囲にある凹凸の状態によつてはそ
の検出機能を首尾よく発揮し得なくなることがあ
り、その技術的改良が望まれている。
(2) Background of the Invention Conductive patterns are formed on printed circuit boards and integrated circuits through a process using a photomask. This is an important matter that determines the life or death of a circuit, and automatic inspection equipment is being developed for practical use in place of the primitive method of visual inspection using a microscope to detect defects. However, this device may not be able to successfully perform its detection function depending on the state of irregularities surrounding the defect occurring in the conductive pattern, and therefore, technical improvements are desired.

(3) 従来技術と問題点 上述のような不都合を来たす装置は、導電パタ
ーンの左右方向にそのパターンの測長を行つてそ
の中心を求め、その中心から上下方向にパターン
の測長を行つて欠陥の判定を行う方式を採つてい
る。このような直交する方向における単なる測長
を行う方式では、許容され得るような小さなパタ
ーン突起における欠陥判定に誤動作を生ぜしめ、
丸まつたパターンの角の部分を誤つて欠陥と判定
する如き不具合がある。
(3) Prior art and problems The device that causes the above-mentioned problems measures the length of the conductive pattern in the horizontal direction to find its center, and then measures the length of the pattern in the vertical direction from the center. A method is used to determine defects. This method of simply measuring the length in orthogonal directions causes malfunctions in determining defects in small pattern protrusions that would otherwise be acceptable.
There is a problem that a corner part of a rounded pattern is mistakenly determined to be a defect.

(4) 発明の目的 本発明は上述の如き技術的課題を解決すべく創
案されたもので、その目的は小さなパターン突起
乃至量子化誤差で生ずる誤動作を防いで確実な欠
陥検出をなしうる欠陥検査方式を提供することに
ある。
(4) Purpose of the Invention The present invention was devised to solve the above-mentioned technical problem, and its purpose is to provide a defect inspection that can prevent malfunctions caused by small pattern protrusions or quantization errors and ensure defect detection. The purpose is to provide a method.

(5) 発明の目的 そして、この目的はパターンを光学的に読取つ
てこれを二値化し、そのパターンの型態を保存し
て記憶回路に記憶した後二値化パターンの非パタ
ーン部を表わす信号がある任意のビツト位置にお
いて交差する方向のうちの1つの方向について非
パターン部を測長してその中心を求め、該中心か
ら上記1つの方向と交差する方向に非パターン部
を測長してそのパターンに欠陥があるか否かを検
査する欠陥検査方式において、上記1つの方向と
交差する方向において上記中心から両側に予め決
められた値だけ離れた位置に設けられたガードセ
ンサの出力が予め決められた出力関係にあるとき
上記検査を禁止することによつて達成される。
(5) Purpose of the invention This purpose is to optically read a pattern, to binarize it, to save the form of the pattern and to store it in a storage circuit, and then to generate a signal representing the non-pattern part of the binarized pattern. Measure the length of the non-pattern part in one of the intersecting directions at an arbitrary bit position to find its center, and measure the length of the non-pattern part from the center in the direction intersecting the one direction. In a defect inspection method for inspecting whether or not there is a defect in the pattern, the output of a guard sensor installed at a predetermined value on both sides of the center in a direction crossing the one direction is determined in advance. This is achieved by inhibiting the above-mentioned test when a determined output relationship exists.

(6) 発明の実施例 以下、添付図面を参照しながら本発明の実施例
を説明する。
(6) Embodiments of the invention Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明を実施する装置の構成を示す。
1はパターン部2及び非パターン部3から成るパ
ターンを有する被検査試料、例えばプリント基板
を示す。4は被検査試料を走査してそのパターン
を読取つて二値化回路5へ供給する撮像系、例え
ばテレビカメラ、レーザ走査装置である。6は撮
像系4の走査と同期しておつて、二値化回路5の
二値化信号を順次に記憶する記憶回路である。7
は検査回路であり、その詳細を第2図に示す。
FIG. 1 shows the configuration of an apparatus for implementing the present invention.
Reference numeral 1 indicates a sample to be inspected, such as a printed circuit board, which has a pattern consisting of a patterned portion 2 and a non-patterned portion 3. Reference numeral 4 denotes an imaging system, such as a television camera or a laser scanning device, which scans the sample to be inspected, reads the pattern, and supplies the pattern to the binarization circuit 5. Reference numeral 6 denotes a storage circuit which is synchronized with the scanning of the imaging system 4 and sequentially stores the binarized signals from the binarization circuit 5. 7
is a test circuit, the details of which are shown in FIG.

第2図には、記憶回路6に二値化されて記憶さ
れているパターンの任意のビツト位置P毎にこれ
を中心にして交差、例えば直交する方向における
所要ビツトを記憶回路6から入力しうる測長セン
サがS1,S2,S3,S4で示されており、上
記ビツト位置Pから測長センサS3,S4の方向
に予め決められた値だけ離れた位置において測長
センサS1,S2と同一方向にガードセンサG
1,G2が設けられている。
In FIG. 2, for each arbitrary bit position P of the pattern which is binarized and stored in the memory circuit 6, required bits in a direction that intersects, for example perpendicularly, can be inputted from the memory circuit 6. The length measurement sensors are indicated by S1, S2, S3, and S4, and the length measurement sensors S1 and S2 are located in the same direction as the length measurement sensors S1 and S2 at a position separated from the bit position P by a predetermined value in the direction of the length measurement sensors S3 and S4. guard sensor G
1 and G2 are provided.

測長センサS1,S2はそれら各別にビツト位
置Pから同一の二値化信号が連続するその数を減
算回路8の対応する入力へ供給するように構成さ
れている。又、測長センサS3,S4はそれら各
別にビツト位置Pから上記センサS1,S2が同
一としたと同じ二値化信号が連続するその数を加
算回路9の対応する入力へ供給するように構成さ
れている。これに加えて、ガードセンサG1,G
2はそれら各別に、上述各センサS1,S2,S
3,S4において数えられる二値化信号の反転信
号をすべてのビツト位置に有する場合に論理的に
上記数えられる信号と同一の信号を二入力アンド
回路10の対応する入力へ供給するように構成さ
れている。
The length measurement sensors S1 and S2 are each configured to supply the number of successive identical binary signals from the bit position P to the corresponding input of the subtraction circuit 8. Further, the length measurement sensors S3 and S4 are each configured to supply the number of consecutive same binary signals from the bit position P to the corresponding input of the addition circuit 9, assuming that the sensors S1 and S2 are the same. has been done. In addition to this, guard sensors G1, G
2 is for each of the above-mentioned sensors S1, S2, S
3. When the inverted signal of the binarized signal counted in S4 is present at all bit positions, it is configured to logically supply the same signal as the signal counted above to the corresponding input of the two-input AND circuit 10. ing.

減算回路8の出力は比較回路11の一方の入力
へ接続され、比較回路11の他方の入力には予め
設定される基準値が供給されるように構成されて
いる。比較回路11の出力は二入力アンド回路1
2の一方の入力へ接続され、その他方の入力には
アンド回路10の出力が接続されている。そし
て、アンド回路12の出力は二入力アンド回路1
3の一方の入力へ接続されている。
The output of the subtraction circuit 8 is connected to one input of a comparison circuit 11, and the other input of the comparison circuit 11 is configured to be supplied with a preset reference value. The output of the comparison circuit 11 is a two-input AND circuit 1
2, and the output of the AND circuit 10 is connected to the other input. Then, the output of the AND circuit 12 is the two-input AND circuit 1
Connected to one input of 3.

加算回路9の出力は上限比較回路14及び下限
比較回路15の一方の入力へ接続され、上限比較
回路14の他方の入力には予め設定される上限基
準値が供給され、下限比較回路15の他方の入力
には予め設定される下限基準値が供給されるよう
に構成されている。これら両比較回路14,15
の出力はナンド回路16へ接続され、ナンド回路
16の出力はアンド回路13の他方の入力に接続
されている。
The output of the adder circuit 9 is connected to one input of the upper limit comparison circuit 14 and the lower limit comparison circuit 15, the other input of the upper limit comparison circuit 14 is supplied with a preset upper limit reference value, and the other input of the lower limit comparison circuit 15 is connected to the other input of the upper limit comparison circuit 14. It is configured such that a preset lower limit reference value is supplied to the input. Both comparison circuits 14 and 15
The output of the NAND circuit 16 is connected to the NAND circuit 16, and the output of the NAND circuit 16 is connected to the other input of the AND circuit 13.

次に、上記構成の本発明を実施する装置の動作
を説明する。
Next, the operation of the apparatus implementing the present invention having the above configuration will be explained.

被検査試料1に形成されているパターンが撮像
系4によつて読取られ、そのアナログ信号が二値
化回路5で二値化され、撮像系4と同期して記憶
動作を生ぜしめられている記憶回路6に記憶され
る。従つて、記憶動作が終了したときには、被検
査試料のパターンのパターン部2は二値化信号の
うちのいずれか一方の論理値、例えば“1”に、
又その非パターン部3は二値化信号のうちのいず
れか他方の論理値、例ええば“0”に二値化さ
れ、且つそのパターン型態を存して記憶してい
る。
The pattern formed on the sample to be inspected 1 is read by the imaging system 4, and its analog signal is binarized by the binarization circuit 5, and a storage operation is generated in synchronization with the imaging system 4. It is stored in the memory circuit 6. Therefore, when the storage operation is completed, the pattern portion 2 of the pattern of the sample to be inspected is set to one of the logical values of the binary signals, for example, "1".
Further, the non-pattern portion 3 is binarized to the other logical value of the binary signal, for example, "0", and stores the pattern type thereof.

この記憶動作の終了後に、測長センサS1,S
2,S3,S4の交点Pを記憶回路6の各ビツト
位置に位置させつゝ、その位置からセンサS1,
S2とセンサS3,S4との交差方向に予め決め
られた数だけ延びているビツト位置の各論理値を
各センサS1,S2,S3,S4に取り込むと共
に、ガードセンサG1,G2にも対応するビツト
位置の各論理値を取り込む。
After this memorization operation is completed, the length measurement sensors S1, S
2, S3, and S4 is located at each bit position of the memory circuit 6, and from that position, the sensors S1,
Each logic value of a predetermined number of bit positions extending in the cross direction of S2 and sensors S3, S4 is taken into each sensor S1, S2, S3, S4, and the bits corresponding to guard sensors G1, G2 are also taken in. Capture each logical value of the position.

このような取り込みが、例えば第3図に示すよ
うなビツト位置Pに来ているとすると、このビツ
ト位置における欠陥検査は次のようになる。
Assuming that such capture occurs, for example, at a bit position P as shown in FIG. 3, the defect inspection at this bit position is as follows.

センサS1及びS2のビツト位置P(論理“0”
である。)から左右方向にこれらセンサS1,S
2内に存在する論理“0”の数が減算回路8へ入
力さる、即ち左右方向における測長が行われ、こ
れら両者の差が減算回路8から出力される。その
差が比較回路11で基準値と比較され、比較回路
11から出力が得られないつまりビツト位置Pを
中心とし得ないことを表わす論理“0”が比較回
路から発生されるならば次のビツト位置について
それが中心として用いうるか否かの上述の処理が
行われる。
Bit position P (logic “0”) of sensors S1 and S2
It is. ) in the left-right direction from these sensors S1, S
The number of logical "0"s existing in the subtraction circuit 8 is input to the subtraction circuit 8, that is, the length is measured in the left and right directions, and the difference between these two is outputted from the subtraction circuit 8. The difference is compared with a reference value in the comparator circuit 11, and if a logic "0" is generated from the comparator circuit, which indicates that no output can be obtained from the comparator circuit 11, that is, the bit position P cannot be centered, then the next bit is determined. The above-described processing is performed on a position to determine whether it can be used as a center.

比較回路11からの出力が論理“1”であるつ
まりビツト位置Pを中心としうる(中心が求ま
る)場合に、ガードセンサG1にも又ガードセン
サG2にもそのいずれかのビツト位置に論理
“0”を含むならば、アンド回路10の各入力に
論理“1”が入り、その出力から論理“1”が発
生し、従つて、アンド回路12からも論理“1”
が発生する。
When the output from the comparator circuit 11 is a logic "1", that is, the center can be found at the bit position P (the center can be found), the guard sensor G1 and the guard sensor G2 have a logic "0" at either of the bit positions. ”, a logic “1” is input to each input of the AND circuit 10, a logic “1” is generated from its output, and therefore a logic “1” is also generated from the AND circuit 12.
occurs.

一方、センサS3,S4のビツト位置Pから上
下方向にこれらセンサS3,S4内に存在する論
理“0”の数が加算回路9へ入力される、即ち上
下方向における測長が行われる。加算回路9の和
出力が比較回路14,15に設定される範囲内に
いないならば、ナンド回路16出力に論理“0”
を発生する。従つて、アンド回路13からは欠陥
信号は発生しない。逆に、上記和出力が比較回路
14,15に設定される範囲内にあるならば、ナ
ンド回路16から欠陥信号が発生される。
On the other hand, the number of logic "0"s present in the sensors S3, S4 in the vertical direction from the bit position P of the sensors S3, S4 is input to the adder circuit 9, that is, the length is measured in the vertical direction. If the sum output of the adder circuit 9 is not within the range set in the comparator circuits 14 and 15, logic "0" is output to the NAND circuit 16 output.
occurs. Therefore, no defect signal is generated from the AND circuit 13. Conversely, if the sum output is within the range set in the comparison circuits 14 and 15, the NAND circuit 16 generates a defect signal.

このようなビツト位置Pについての欠陥検査に
おいて、ガードセンサG1又はカードセンサG2
のいずれか一方にそのビツト位置のすべてに論理
“1”を含む(例えば、第3図例示ではガーセン
サG2のすべてのビツト位置に論理“1”を含
む)ならば、上述の如く、中心が求められたとし
ても、アンド回路10の出力は論理“0”のた
め、アンド回路12からは論理“1”が発生され
ない。つまり、そのビツト位置Pについての検査
は禁止される。従つて、第3図の図示例の如き小
さな突起Aに起因して生ずる欠陥検査の誤動作を
防止しうる。このような欠陥検査の誤動作防止機
能はパターンの量子化誤差部分でも発揮され、パ
ターンの欠陥検査の確実性が得られる。
In defect inspection for such a bit position P, guard sensor G1 or card sensor G2
If any one of them contains logic "1" in all its bit positions (for example, in the example shown in FIG. 3, all bit positions of Gar sensor G2 contain logic "1"), the center can be found as described above. Even if the output of the AND circuit 10 is a logic "0", the AND circuit 12 does not generate a logic "1". In other words, testing for that bit position P is prohibited. Therefore, malfunctions in defect inspection caused by small protrusions A as shown in FIG. 3 can be prevented. Such defect inspection malfunction prevention function is also exhibited in the quantization error portion of the pattern, and reliability of pattern defect inspection can be obtained.

又、上述のようなセンサは90度だけ位置を変え
て設けられると共に、それに付随する回路も設け
て上述と同様の処理を生じさせる。
Also, a sensor such as that described above may be provided at a 90 degree position change, and associated circuitry may be provided to produce the same processing as described above.

上記実施例においては、パターン部を論理
“0”とし、非パターン部を論理“1”として回
路を構成することも出来る。
In the above embodiment, the circuit can also be constructed with the pattern portion set to logic "0" and the non-pattern section set to logic "1".

(7) 発明の効果 以上要するに、本発明によれば、交差する測長
センサのうちの、中心を求める方向に交差する方
向にその交点から予め決められた値だけ離れた位
置にガードセンサを設け、その出力が予め決めら
れた関係にあるか否かによつて欠陥検査の禁止を
生ぜしめているから、小さなパターン突起乃至量
子化誤差部分で生ずる誤動作を防いで確実な欠陥
検査をなし得る外、このような効果は比較的簡単
な回路の追加で実現しうる等の効果が得られる。
(7) Effects of the Invention In summary, according to the present invention, a guard sensor is provided at a position a predetermined value away from the intersection of intersecting length measurement sensors in a direction intersecting the direction for finding the center. Since defect inspection is prohibited depending on whether the outputs are in a predetermined relationship or not, it is possible to prevent malfunctions caused by small pattern protrusions or quantization errors and to perform reliable defect inspection. Such an effect can be achieved by adding a relatively simple circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を実施する装置の構成を示す
図、第2図は検査回路の詳細図、第3図は被検査
試料のパターン一部の拡大図である。 図において、1は被検査試料、4は撮像系、5
は二値化回路、6は記憶回路、7は検査回路、S
1,S2,S3,S4は測長センサ、G1,G2
はガードセンサ、8は減算回路、9は加算回路、
10,12,13はアンド回路、11は比較回
路、14は上限比較回路、15は下限比較回路、
16はナンド回路である。
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an apparatus for carrying out the present invention, FIG. 2 is a detailed diagram of an inspection circuit, and FIG. 3 is an enlarged diagram of a part of a pattern of a sample to be inspected. In the figure, 1 is the sample to be inspected, 4 is the imaging system, and 5
is a binarization circuit, 6 is a storage circuit, 7 is a test circuit, S
1, S2, S3, S4 are length measurement sensors, G1, G2
is a guard sensor, 8 is a subtraction circuit, 9 is an addition circuit,
10, 12, 13 are AND circuits, 11 is a comparison circuit, 14 is an upper limit comparison circuit, 15 is a lower limit comparison circuit,
16 is a NAND circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 パターンを光学的に読み取つてこれを二値化
し、そのパターンの型態を保存して記憶し、 二値化パターン内の非パターン部を表す信号が
ある検査ビツト位置毎に交差する方向のうちの1
つの方向において該検査ビツト位置を含む所定ビ
ツト位置数の非パターン部を測長しての前記検査
ビツト位置における中心の有無判定、及び前記1
つの方向と交差する方向において検査ビツト位置
を含む所定ビツト位置数の非パターン部を測長し
てのパターン欠陥候補信号の発生を為し、 前記中心有りの判定が生じ、且つ前記1つの方
向と交差する方向において前記検査ビツト位置か
ら両側に予め決められたビツト位置数だけ離れた
判定禁止ビツト位置においてこれを含んで前記1
つの方向での所定ビツト位置数範囲内に所定数の
パターン部を表す信号がないときだけ、前記パタ
ーン欠陥候補信号をパターン欠陥信号として出力
する欠陥検査方法。 2 前記交差は直交であることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の欠陥検査方法。 3 記憶回路の二値化パターン内の非パターン部
についての信号がある検査ビツト位置毎に交差す
る方向のうちの1つの方向において前記検査ビツ
ト位置を含んで所定ビツト位置数範囲内の非パタ
ーン部についての信号の各々を出力する第1のセ
ンサ回路31,32と、 前記第1のセンサ回路31,32からの非パタ
ーン部についての信号に応答して前記検査ビツト
位置であつて前記1つの方向における非パターン
部の中心を出力する中心判定回路20と、 前記検査ビツト位置毎に前記1つの方向と交差
する方向において前記検査ビツト位置を含んで所
定ビツト位置数範囲内の非パターン部についての
信号の各々を出力する第2のセンサ回路33,3
4と、 前記第2のセンサ回路33,34からの非パタ
ーン部についての信号に応答してパターン欠陥候
補信号を発生するパターン欠陥候補信号発生回路
22と、 前記1つの方向と交差する方向において前記検
査ビツト位置から両側に予め決められたビツト位
置数だけ離れた判定禁止ビツト位置においてこれ
を含んで前記1つの方向での所定ビツト位置数範
囲内のパターン部についての信号の各々を出力す
る前記両側毎の第3のセンサ回路41,42と、 前記両第3のセンサ回路41,42の出力に応
答するパターン部判定回路24とを設け、 前記中心判定回路20及びパターン部判定回路
24の出力で前記パターン欠陥候補信号発生回路
22からのパターン欠陥候補信号をパターン欠陥
信号として出力するか否かを制御することを特徴
とする欠陥検査装置。 4 前記交差は直交であることを特徴とする特許
請求の範囲第3項記載の欠陥検査装置。
[Scope of Claims] 1. A pattern is optically read and binarized, the type of the pattern is saved and memorized, and each inspection bit position where there is a signal representing a non-pattern part in the binarized pattern is read. one of the directions intersecting
determining the presence or absence of the center at the inspection bit position by measuring the length of non-pattern portions of a predetermined number of bit positions including the inspection bit position in two directions;
A pattern defect candidate signal is generated by measuring the length of a non-pattern part of a predetermined number of bit positions including the inspection bit position in a direction intersecting with the one direction, and the determination of the presence of the center occurs, and 1 above, including this at the determination prohibited bit position which is separated from the inspection bit position by a predetermined number of bit positions on both sides in the intersecting direction.
A defect inspection method that outputs the pattern defect candidate signal as a pattern defect signal only when there are no signals representing a predetermined number of pattern parts within a predetermined number of bit positions in one direction. 2. The defect inspection method according to claim 1, wherein the intersections are orthogonal. 3. A non-pattern part within a predetermined number of bit positions including the test bit position in one of the directions that intersect for each test bit position where a signal regarding a non-pattern part in the binarized pattern of the storage circuit is detected. first sensor circuits 31, 32 that output signals, respectively, for the non-pattern portion, and detecting the test bit position in the one direction in response to the signals for the non-pattern portion from the first sensor circuits 31, 32; a center determination circuit 20 that outputs the center of a non-pattern portion in a direction intersecting the one direction for each inspection bit position, and a signal for a non-pattern portion within a predetermined number of bit positions including the inspection bit position in a direction intersecting the one direction; second sensor circuits 33, 3 that output each of
4; a pattern defect candidate signal generation circuit 22 that generates a pattern defect candidate signal in response to signals regarding non-pattern portions from the second sensor circuits 33 and 34; said both sides outputting each of the signals for a pattern portion within a predetermined number of bit positions in said one direction, including the determination inhibited bit position which is separated by a predetermined number of bit positions on both sides from the inspection bit position; a pattern portion determination circuit 24 responsive to the outputs of the third sensor circuits 41 and 42, and a pattern portion determination circuit 24 responsive to the outputs of the center determination circuit 20 and the pattern portion determination circuit 24. A defect inspection apparatus characterized by controlling whether or not a pattern defect candidate signal from the pattern defect candidate signal generation circuit 22 is output as a pattern defect signal. 4. The defect inspection device according to claim 3, wherein the intersections are orthogonal.
JP57090704A 1982-05-28 1982-05-28 Defect detection system Granted JPS58207633A (en)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57090704A JPS58207633A (en) 1982-05-28 1982-05-28 Defect detection system

Applications Claiming Priority (1)

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JP57090704A JPS58207633A (en) 1982-05-28 1982-05-28 Defect detection system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6256442A (en) * 1985-09-05 1987-03-12 Sumikin Coke Co Ltd Purification of naphthalene

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6256442A (en) * 1985-09-05 1987-03-12 Sumikin Coke Co Ltd Purification of naphthalene

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