JPH0132443Y2 - - Google Patents

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JPH0132443Y2
JPH0132443Y2 JP3080680U JP3080680U JPH0132443Y2 JP H0132443 Y2 JPH0132443 Y2 JP H0132443Y2 JP 3080680 U JP3080680 U JP 3080680U JP 3080680 U JP3080680 U JP 3080680U JP H0132443 Y2 JPH0132443 Y2 JP H0132443Y2
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light
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opaque card
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はオペークカード等の不透明陽画を、フ
ライングスポツトスキヤナから発生されるフライ
ングスポツトにより走査し、その反射光を光電子
増倍管等のセンサで受光して光電変換する撮像装
置に関するものである。
このような撮像装置では、フライングスポツト
スキヤナの発光輝度は低いので出力信号のS/N
を向上するためセンサとしては通常高感度の光電
子増倍管が用いられている。このような場合オペ
ークカード面での反射光は正反射と完全拡散反射
の両方の性質を持つている。正反射光を受光する
ように光電子増倍管を配置すると、その出力は増
大するが、ハレーシヨンを起したり、他の方向か
ら入射する光に対する出力は小さくなり、所謂シ
エーデイングが生ずることになり好ましくない。
このようなハレーシヨンやシエーデイングを回
避しながらS/Nの高い信号を得る方法は色色と
提案されており、多数の光電子増倍管をオペーク
カードの周囲の空間に配置する方法、光電子増倍
管をオペークカードのいかなる点からの正反射光
をも受光し得ないような位置に配置する方法、装
置全体を囲む外筐内面を艶消処理し、光電子増倍
管をオペークカードに対してそつぽを向かせて配
置する方法、フアイバーオプテイツクス、反射
板、透明プラスチツク材等でオペークカード周辺
での光捕捉をできるだけ均等にする方法などがあ
る。しかし、従来の解決法はいずれも構成が複雑
となつたり、高価となつたり、光電子増倍管の出
力信号のS/Nが小さくなつたり、シエーデイン
グ補正の効果が少なかつたりする欠点があつた。
本考案の目的はこのような欠点を除去し、きわ
めて簡単で安価な手段によつてハレーシヨンを防
止しつつ大きなS/Nが得られ、しかもシエーデ
イングを効果的に補正することができるようにし
た撮像装置を提供しようとするものである。
本考案は、フライングスポツトスキヤナから発
生されるフライングスポツトによつて被写体面を
走査し、被写体情報によつて変調された光を面状
のセンサによつて受光して光電変換する撮像装置
において、複数個のセンサをフラインスポツトス
キヤナの光軸に関して対称に、被写体面からの反
射光を直接受光するように配置し、これらセンサ
の各々の受光面を被写体面の最近点から正反射光
を受光するように配置するとともに受光面の前方
に最近点からの正反射光の大部分を遮蔽するが最
遠点からの乱反射光は殆んど遮蔽しない遮蔽部材
を配置したことを特徴とするものである。
以下図面を参照して本考案を詳細に説明する。
第1図は本考案による撮像装置の原理的構成を
示す線図である。フライングスポツトスキヤナの
陰極線管1のスクリーン上に形成されるフライン
グスポツトの像をレンズ2によりオペークカード
3上に結像する。このオペークカード3の上方に
は光電子増倍管4を、その光軸がオペークカード
の延長面に対して垂直となり、オペークカードか
らの反射光を直接受光するように配置する。この
光電子増倍管4の配置位置は、オペークカード3
の遠くの点P1,P2からの正反射光は全く入射し
ないが、最近点P3からの正反射光は入射するよ
うに配置する。本考案ではこの光電子増倍管4の
前面に遮蔽板5を配置する。この遮蔽板5は、光
電子増倍管4から見てオペークカード3の最も遠
い点P1を見込む立体角ω1は遮蔽板5によつてケ
ラレのないように配置する。したがつてこの立体
角ω1内の最遠点P1からの乱反射光は光電子増倍
管に入射する。オペークカード3の中央の点P2
から光電子増倍管4に張る立体角のω2の一部に
遮蔽板5は侵入し、この立体角ω2内の乱反射光
の一部を遮光する。また、光電子増倍管4に最も
近い点P3から光電子増倍管4に張る立体角ω3
の光束には正反射光が含まれるようになるが、そ
の大部分は遮蔽板5により遮光され、光電子増倍
管4には殆んど入射しない。このようにオペーク
カード3の各点からの反射光は光電子増倍管4に
近い点から反射光の方が一層多く遮蔽板5によつ
て遮光されることになる。したがつて、オペーク
カード3上のどの点からの反射光もほぼ均一に光
電子増倍管4に入射するようになり、シエーデイ
ングを効果的に補正することができるとともにハ
レーシヨンを有効に防止しつつS/Nの高い出力
信号を得ることができる。
第2図はシエーデイングの発生状況を示す線図
であり、オペークカード3の水平方向および垂直
方向の双方においてシエーデイングが発生するこ
とを表わしている。ここで水平方向での画面中心
位置および周辺位置におけるシエーデイング量を
ICHおよびIOHとし、垂直方向での画面中心位置お
よび周辺位置におけるシエーデイング量をICV
よびIOVとすると、水平および垂直方向のシエー
デイングの量SHおよびSVはそれぞれ次のように
定義することができる。
SH=IOH−ICH/ICH×100(%) SV=IOV−ICV/ICV×100(%) 第1図に示すような遮蔽板5を前方に配置した
光電子増倍管4を4本用意し、オペークカード3
の4辺に対応するように配置したときの水平方向
のシエデイングを測定した結果を第3図に示す。
遮蔽板5を光電子増倍管4から遠ざけると、シエ
ーデイング特性は曲線Aで示すように上方に向け
凹状となる。遮蔽板5を完全に取外したときはSH
21%、SV28%となる。また遮蔽板5を光電
子増倍管4に近付けると、シエーデイング特性は
曲線Bで示すように上方に向け凸状となると共に
信号レベルも全体として低下する。本考案では遮
蔽板5と光電子増倍管4との距離を適切に選定
し、曲線Cで示すようにシエーデイング特性が波
打つようにする。例えば遮蔽板5と光電子増倍管
4との距離を30〜40mmとしたとき、曲線Cで示す
ようなシエーデイング特性が得られ、SH=SV
4〜6%であつた。本考案のように遮蔽板5遮蔽
板5を用いると光電子増倍管4の出力信号レベル
は遮蔽板を用いない場合に比べると幾分小さくな
るが、従来のように光電子増倍管をオペークカー
ドに対してそつぽを向くように配置する場合に比
べると十分大きな出力が得られる。さらに遮蔽板
によつて最近点からの正反射光の大部分を遮蔽す
るのでハレーシヨンを有効に防止することができ
る。また、撮像管を収納している外筐の内面を真
黒にした場合と、真白にした場合とを比較する
と、後者の場合、シエーデイング特性やハレーシ
ヨン特性には影響せずに出力レベルを30%程度増
大させることができることを実験により確めてい
るので、外筐内面を白色とすることにより出力信
号のレベルをさらに増大させることができる。
第4図は上述した本考案に基づいて構成した撮
像装置の一実施例の構成を示す縦断面図である。
外筐11内にはフライングスポツトを発生する陰
極線管12を水平方向に配置し、そのスクリーン
面の像をビーム分割プリズム13および第1のレ
ンズ14によつて第1のオペークカード15上に
結像させる。一方ビーム分割プリズム13で反射
されたビームを第2のレンズ16および反射ミラ
ー17によつて第2のオペークカード18上に結
像させる。第1のオペークカード15の前方の空
間には4本の光電子増倍管19(第4図では垂直
方向に配置した二本の光電子増倍管のみを示す)
を陰極線管の光軸に対し対称的に配置する。各光
電子増倍管19の前面には第5図に示すように三
本の脚20−1〜20−3に固着した遮蔽板21を配
置する。これらの脚はバンド22に連結し、この
バンドを光電子増倍管19の外筒に巻回し、ねじ
により緊締できるようになつている。このように
して光電子増倍管19の受光面と遮蔽板21との
間の距離を容易に調整することができる。第2の
オペークカード18の前方の空間にも全く同様の
遮蔽板23を配置した4本の光電子増倍管24を
配置する(第4図ではその内の二本のみを示す)。
本例では陰極線管12からの光ビームをビーム分
割プリズム13で二分し、第1および第2のオペ
ークカード15および18を同時に走査するが、
勿論一時には1枚のオペークカードのみを走査す
るように構成することもできる。また、光電子増
倍管を各オペークカードに対して4本配置した
が、それ以上の光電子増倍管を配置することもで
きる。さらに本例では遮蔽板の直径を53mm、脚の
長さを90mmとした。また、遮蔽板は必らずしも円
板とする必要はなく、任意の形状に構成すること
ができる。
上述したように本考案においては、光電子増倍
管を、最近点からの正反射光を入射するように配
置するとともにこの正反射光の大部分を遮蔽する
遮蔽板を光電子増倍管の前方に配置するといつた
きわめて簡単な構成によつてハレーシヨンを防止
しつつS/Nを高くすることができ、しかもシエ
ーデイング特性を著しく向上することができる。
さらにシエーデイング特性は光電子増倍管の受光
面と遮蔽板との間の距離を調整することによりき
わめて簡単に調整することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の撮像装置の原理的構成を示す
線図、第2図はシエーデイングの発生状況を示す
線図、第3図は本考案の遮蔽板によるシエーデイ
ング補正効果を説明するための線図、第4図は本
考案撮像装置の一実施例の構成を示す線図的縦断
面図、第5図は遮蔽板を光電子増倍管へ調整可能
に取付ける機構の一例を示す図である。 1…陰極線管、2…レンズ、3…オペークカー
ド、4…光電子増倍管、5…遮蔽板。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. フライングスポツトスキヤナから発生されるフ
    ライングスポツトによつて被写体面を走査し、被
    写体情報によつて変調された光を面状のセンサに
    よつて受光して光電変換する撮像装置において、
    複数個のセンサをフライングスポツトスキヤナの
    光軸に関して対称に、被写体面からの反射光を直
    接受光するように配置し、これらセンサの各々の
    受光面を被写体面の最近点からの正反射光を受光
    するように配置するとともに受光面の前方に最近
    点からの正反射光の大部分を遮蔽するが最遠点か
    らの乱反射光は殆んど遮蔽しない遮蔽部材を配置
    したことを特徴とするフライングスポツトスキヤ
    ナを具える撮像装置。
JP3080680U 1980-03-10 1980-03-10 Expired JPH0132443Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3080680U JPH0132443Y2 (ja) 1980-03-10 1980-03-10

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JP3080680U JPH0132443Y2 (ja) 1980-03-10 1980-03-10

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Publication Number Publication Date
JPS56132871U JPS56132871U (ja) 1981-10-08
JPH0132443Y2 true JPH0132443Y2 (ja) 1989-10-04

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ID=29626700

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JP3080680U Expired JPH0132443Y2 (ja) 1980-03-10 1980-03-10

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