JPH0132443Y2 - - Google Patents
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- JPH0132443Y2 JPH0132443Y2 JP3080680U JP3080680U JPH0132443Y2 JP H0132443 Y2 JPH0132443 Y2 JP H0132443Y2 JP 3080680 U JP3080680 U JP 3080680U JP 3080680 U JP3080680 U JP 3080680U JP H0132443 Y2 JPH0132443 Y2 JP H0132443Y2
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- Japan
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- light
- reflected light
- photomultiplier tube
- shielding plate
- opaque card
- Prior art date
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Picture Signal Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はオペークカード等の不透明陽画を、フ
ライングスポツトスキヤナから発生されるフライ
ングスポツトにより走査し、その反射光を光電子
増倍管等のセンサで受光して光電変換する撮像装
置に関するものである。
ライングスポツトスキヤナから発生されるフライ
ングスポツトにより走査し、その反射光を光電子
増倍管等のセンサで受光して光電変換する撮像装
置に関するものである。
このような撮像装置では、フライングスポツト
スキヤナの発光輝度は低いので出力信号のＳ／Ｎ
を向上するためセンサとしては通常高感度の光電
子増倍管が用いられている。このような場合オペ
ークカード面での反射光は正反射と完全拡散反射
の両方の性質を持つている。正反射光を受光する
ように光電子増倍管を配置すると、その出力は増
大するが、ハレーシヨンを起したり、他の方向か
ら入射する光に対する出力は小さくなり、所謂シ
エーデイングが生ずることになり好ましくない。
スキヤナの発光輝度は低いので出力信号のＳ／Ｎ
を向上するためセンサとしては通常高感度の光電
子増倍管が用いられている。このような場合オペ
ークカード面での反射光は正反射と完全拡散反射
の両方の性質を持つている。正反射光を受光する
ように光電子増倍管を配置すると、その出力は増
大するが、ハレーシヨンを起したり、他の方向か
ら入射する光に対する出力は小さくなり、所謂シ
エーデイングが生ずることになり好ましくない。
このようなハレーシヨンやシエーデイングを回
避しながらＳ／Ｎの高い信号を得る方法は色色と
提案されており、多数の光電子増倍管をオペーク
カードの周囲の空間に配置する方法、光電子増倍
管をオペークカードのいかなる点からの正反射光
をも受光し得ないような位置に配置する方法、装
置全体を囲む外筐内面を艶消処理し、光電子増倍
管をオペークカードに対してそつぽを向かせて配
置する方法、フアイバーオプテイツクス、反射
板、透明プラスチツク材等でオペークカード周辺
での光捕捉をできるだけ均等にする方法などがあ
る。しかし、従来の解決法はいずれも構成が複雑
となつたり、高価となつたり、光電子増倍管の出
力信号のＳ／Ｎが小さくなつたり、シエーデイン
グ補正の効果が少なかつたりする欠点があつた。
避しながらＳ／Ｎの高い信号を得る方法は色色と
提案されており、多数の光電子増倍管をオペーク
カードの周囲の空間に配置する方法、光電子増倍
管をオペークカードのいかなる点からの正反射光
をも受光し得ないような位置に配置する方法、装
置全体を囲む外筐内面を艶消処理し、光電子増倍
管をオペークカードに対してそつぽを向かせて配
置する方法、フアイバーオプテイツクス、反射
板、透明プラスチツク材等でオペークカード周辺
での光捕捉をできるだけ均等にする方法などがあ
る。しかし、従来の解決法はいずれも構成が複雑
となつたり、高価となつたり、光電子増倍管の出
力信号のＳ／Ｎが小さくなつたり、シエーデイン
グ補正の効果が少なかつたりする欠点があつた。
本考案の目的はこのような欠点を除去し、きわ
めて簡単で安価な手段によつてハレーシヨンを防
止しつつ大きなＳ／Ｎが得られ、しかもシエーデ
イングを効果的に補正することができるようにし
た撮像装置を提供しようとするものである。
めて簡単で安価な手段によつてハレーシヨンを防
止しつつ大きなＳ／Ｎが得られ、しかもシエーデ
イングを効果的に補正することができるようにし
た撮像装置を提供しようとするものである。
本考案は、フライングスポツトスキヤナから発
生されるフライングスポツトによつて被写体面を
走査し、被写体情報によつて変調された光を面状
のセンサによつて受光して光電変換する撮像装置
において、複数個のセンサをフラインスポツトス
キヤナの光軸に関して対称に、被写体面からの反
射光を直接受光するように配置し、これらセンサ
の各々の受光面を被写体面の最近点から正反射光
を受光するように配置するとともに受光面の前方
に最近点からの正反射光の大部分を遮蔽するが最
遠点からの乱反射光は殆んど遮蔽しない遮蔽部材
を配置したことを特徴とするものである。
生されるフライングスポツトによつて被写体面を
走査し、被写体情報によつて変調された光を面状
のセンサによつて受光して光電変換する撮像装置
において、複数個のセンサをフラインスポツトス
キヤナの光軸に関して対称に、被写体面からの反
射光を直接受光するように配置し、これらセンサ
の各々の受光面を被写体面の最近点から正反射光
を受光するように配置するとともに受光面の前方
に最近点からの正反射光の大部分を遮蔽するが最
遠点からの乱反射光は殆んど遮蔽しない遮蔽部材
を配置したことを特徴とするものである。
以下図面を参照して本考案を詳細に説明する。
第１図は本考案による撮像装置の原理的構成を
示す線図である。フライングスポツトスキヤナの
陰極線管１のスクリーン上に形成されるフライン
グスポツトの像をレンズ２によりオペークカード
３上に結像する。このオペークカード３の上方に
は光電子増倍管４を、その光軸がオペークカード
の延長面に対して垂直となり、オペークカードか
らの反射光を直接受光するように配置する。この
光電子増倍管４の配置位置は、オペークカード３
の遠くの点P1，P2からの正反射光は全く入射し
ないが、最近点P3からの正反射光は入射するよ
うに配置する。本考案ではこの光電子増倍管４の
前面に遮蔽板５を配置する。この遮蔽板５は、光
電子増倍管４から見てオペークカード３の最も遠
い点P1を見込む立体角ω1は遮蔽板５によつてケ
ラレのないように配置する。したがつてこの立体
角ω1内の最遠点P1からの乱反射光は光電子増倍
管に入射する。オペークカード３の中央の点P2
から光電子増倍管４に張る立体角のω2の一部に
遮蔽板５は侵入し、この立体角ω2内の乱反射光
の一部を遮光する。また、光電子増倍管４に最も
近い点P3から光電子増倍管４に張る立体角ω3内
の光束には正反射光が含まれるようになるが、そ
の大部分は遮蔽板５により遮光され、光電子増倍
管４には殆んど入射しない。このようにオペーク
カード３の各点からの反射光は光電子増倍管４に
近い点から反射光の方が一層多く遮蔽板５によつ
て遮光されることになる。したがつて、オペーク
カード３上のどの点からの反射光もほぼ均一に光
電子増倍管４に入射するようになり、シエーデイ
ングを効果的に補正することができるとともにハ
レーシヨンを有効に防止しつつＳ／Ｎの高い出力
信号を得ることができる。
示す線図である。フライングスポツトスキヤナの
陰極線管１のスクリーン上に形成されるフライン
グスポツトの像をレンズ２によりオペークカード
３上に結像する。このオペークカード３の上方に
は光電子増倍管４を、その光軸がオペークカード
の延長面に対して垂直となり、オペークカードか
らの反射光を直接受光するように配置する。この
光電子増倍管４の配置位置は、オペークカード３
の遠くの点P1，P2からの正反射光は全く入射し
ないが、最近点P3からの正反射光は入射するよ
うに配置する。本考案ではこの光電子増倍管４の
前面に遮蔽板５を配置する。この遮蔽板５は、光
電子増倍管４から見てオペークカード３の最も遠
い点P1を見込む立体角ω1は遮蔽板５によつてケ
ラレのないように配置する。したがつてこの立体
角ω1内の最遠点P1からの乱反射光は光電子増倍
管に入射する。オペークカード３の中央の点P2
から光電子増倍管４に張る立体角のω2の一部に
遮蔽板５は侵入し、この立体角ω2内の乱反射光
の一部を遮光する。また、光電子増倍管４に最も
近い点P3から光電子増倍管４に張る立体角ω3内
の光束には正反射光が含まれるようになるが、そ
の大部分は遮蔽板５により遮光され、光電子増倍
管４には殆んど入射しない。このようにオペーク
カード３の各点からの反射光は光電子増倍管４に
近い点から反射光の方が一層多く遮蔽板５によつ
て遮光されることになる。したがつて、オペーク
カード３上のどの点からの反射光もほぼ均一に光
電子増倍管４に入射するようになり、シエーデイ
ングを効果的に補正することができるとともにハ
レーシヨンを有効に防止しつつＳ／Ｎの高い出力
信号を得ることができる。
第２図はシエーデイングの発生状況を示す線図
であり、オペークカード３の水平方向および垂直
方向の双方においてシエーデイングが発生するこ
とを表わしている。ここで水平方向での画面中心
位置および周辺位置におけるシエーデイング量を
ICHおよびIOHとし、垂直方向での画面中心位置お
よび周辺位置におけるシエーデイング量をICVお
よびIOVとすると、水平および垂直方向のシエー
デイングの量SHおよびSVはそれぞれ次のように
定義することができる。
であり、オペークカード３の水平方向および垂直
方向の双方においてシエーデイングが発生するこ
とを表わしている。ここで水平方向での画面中心
位置および周辺位置におけるシエーデイング量を
ICHおよびIOHとし、垂直方向での画面中心位置お
よび周辺位置におけるシエーデイング量をICVお
よびIOVとすると、水平および垂直方向のシエー
デイングの量SHおよびSVはそれぞれ次のように
定義することができる。
SH＝IOH−ICH／ICH×100（％）
SV＝IOV−ICV／ICV×100（％）
第１図に示すような遮蔽板５を前方に配置した
光電子増倍管４を４本用意し、オペークカード３
の４辺に対応するように配置したときの水平方向
のシエデイングを測定した結果を第３図に示す。
遮蔽板５を光電子増倍管４から遠ざけると、シエ
ーデイング特性は曲線Ａで示すように上方に向け
凹状となる。遮蔽板５を完全に取外したときはSH
21％、SV28％となる。また遮蔽板５を光電
子増倍管４に近付けると、シエーデイング特性は
曲線Ｂで示すように上方に向け凸状となると共に
信号レベルも全体として低下する。本考案では遮
蔽板５と光電子増倍管４との距離を適切に選定
し、曲線Ｃで示すようにシエーデイング特性が波
打つようにする。例えば遮蔽板５と光電子増倍管
４との距離を30〜40mmとしたとき、曲線Ｃで示す
ようなシエーデイング特性が得られ、SH＝SV
４〜６％であつた。本考案のように遮蔽板５遮蔽
板５を用いると光電子増倍管４の出力信号レベル
は遮蔽板を用いない場合に比べると幾分小さくな
るが、従来のように光電子増倍管をオペークカー
ドに対してそつぽを向くように配置する場合に比
べると十分大きな出力が得られる。さらに遮蔽板
によつて最近点からの正反射光の大部分を遮蔽す
るのでハレーシヨンを有効に防止することができ
る。また、撮像管を収納している外筐の内面を真
黒にした場合と、真白にした場合とを比較する
と、後者の場合、シエーデイング特性やハレーシ
ヨン特性には影響せずに出力レベルを30％程度増
大させることができることを実験により確めてい
るので、外筐内面を白色とすることにより出力信
号のレベルをさらに増大させることができる。
光電子増倍管４を４本用意し、オペークカード３
の４辺に対応するように配置したときの水平方向
のシエデイングを測定した結果を第３図に示す。
遮蔽板５を光電子増倍管４から遠ざけると、シエ
ーデイング特性は曲線Ａで示すように上方に向け
凹状となる。遮蔽板５を完全に取外したときはSH
21％、SV28％となる。また遮蔽板５を光電
子増倍管４に近付けると、シエーデイング特性は
曲線Ｂで示すように上方に向け凸状となると共に
信号レベルも全体として低下する。本考案では遮
蔽板５と光電子増倍管４との距離を適切に選定
し、曲線Ｃで示すようにシエーデイング特性が波
打つようにする。例えば遮蔽板５と光電子増倍管
４との距離を30〜40mmとしたとき、曲線Ｃで示す
ようなシエーデイング特性が得られ、SH＝SV
４〜６％であつた。本考案のように遮蔽板５遮蔽
板５を用いると光電子増倍管４の出力信号レベル
は遮蔽板を用いない場合に比べると幾分小さくな
るが、従来のように光電子増倍管をオペークカー
ドに対してそつぽを向くように配置する場合に比
べると十分大きな出力が得られる。さらに遮蔽板
によつて最近点からの正反射光の大部分を遮蔽す
るのでハレーシヨンを有効に防止することができ
る。また、撮像管を収納している外筐の内面を真
黒にした場合と、真白にした場合とを比較する
と、後者の場合、シエーデイング特性やハレーシ
ヨン特性には影響せずに出力レベルを30％程度増
大させることができることを実験により確めてい
るので、外筐内面を白色とすることにより出力信
号のレベルをさらに増大させることができる。
第４図は上述した本考案に基づいて構成した撮
像装置の一実施例の構成を示す縦断面図である。
外筐１１内にはフライングスポツトを発生する陰
極線管１２を水平方向に配置し、そのスクリーン
面の像をビーム分割プリズム１３および第１のレ
ンズ１４によつて第１のオペークカード１５上に
結像させる。一方ビーム分割プリズム１３で反射
されたビームを第２のレンズ１６および反射ミラ
ー１７によつて第２のオペークカード１８上に結
像させる。第１のオペークカード１５の前方の空
間には４本の光電子増倍管１９（第４図では垂直
方向に配置した二本の光電子増倍管のみを示す）
を陰極線管の光軸に対し対称的に配置する。各光
電子増倍管１９の前面には第５図に示すように三
本の脚20−１〜20−３に固着した遮蔽板２１を配
置する。これらの脚はバンド２２に連結し、この
バンドを光電子増倍管１９の外筒に巻回し、ねじ
により緊締できるようになつている。このように
して光電子増倍管１９の受光面と遮蔽板２１との
間の距離を容易に調整することができる。第２の
オペークカード１８の前方の空間にも全く同様の
遮蔽板２３を配置した４本の光電子増倍管２４を
配置する（第４図ではその内の二本のみを示す）。
本例では陰極線管１２からの光ビームをビーム分
割プリズム１３で二分し、第１および第２のオペ
ークカード１５および１８を同時に走査するが、
勿論一時には１枚のオペークカードのみを走査す
るように構成することもできる。また、光電子増
倍管を各オペークカードに対して４本配置した
が、それ以上の光電子増倍管を配置することもで
きる。さらに本例では遮蔽板の直径を53mm、脚の
長さを90mmとした。また、遮蔽板は必らずしも円
板とする必要はなく、任意の形状に構成すること
ができる。
像装置の一実施例の構成を示す縦断面図である。
外筐１１内にはフライングスポツトを発生する陰
極線管１２を水平方向に配置し、そのスクリーン
面の像をビーム分割プリズム１３および第１のレ
ンズ１４によつて第１のオペークカード１５上に
結像させる。一方ビーム分割プリズム１３で反射
されたビームを第２のレンズ１６および反射ミラ
ー１７によつて第２のオペークカード１８上に結
像させる。第１のオペークカード１５の前方の空
間には４本の光電子増倍管１９（第４図では垂直
方向に配置した二本の光電子増倍管のみを示す）
を陰極線管の光軸に対し対称的に配置する。各光
電子増倍管１９の前面には第５図に示すように三
本の脚20−１〜20−３に固着した遮蔽板２１を配
置する。これらの脚はバンド２２に連結し、この
バンドを光電子増倍管１９の外筒に巻回し、ねじ
により緊締できるようになつている。このように
して光電子増倍管１９の受光面と遮蔽板２１との
間の距離を容易に調整することができる。第２の
オペークカード１８の前方の空間にも全く同様の
遮蔽板２３を配置した４本の光電子増倍管２４を
配置する（第４図ではその内の二本のみを示す）。
本例では陰極線管１２からの光ビームをビーム分
割プリズム１３で二分し、第１および第２のオペ
ークカード１５および１８を同時に走査するが、
勿論一時には１枚のオペークカードのみを走査す
るように構成することもできる。また、光電子増
倍管を各オペークカードに対して４本配置した
が、それ以上の光電子増倍管を配置することもで
きる。さらに本例では遮蔽板の直径を53mm、脚の
長さを90mmとした。また、遮蔽板は必らずしも円
板とする必要はなく、任意の形状に構成すること
ができる。
上述したように本考案においては、光電子増倍
管を、最近点からの正反射光を入射するように配
置するとともにこの正反射光の大部分を遮蔽する
遮蔽板を光電子増倍管の前方に配置するといつた
きわめて簡単な構成によつてハレーシヨンを防止
しつつＳ／Ｎを高くすることができ、しかもシエ
ーデイング特性を著しく向上することができる。
さらにシエーデイング特性は光電子増倍管の受光
面と遮蔽板との間の距離を調整することによりき
わめて簡単に調整することができる。
管を、最近点からの正反射光を入射するように配
置するとともにこの正反射光の大部分を遮蔽する
遮蔽板を光電子増倍管の前方に配置するといつた
きわめて簡単な構成によつてハレーシヨンを防止
しつつＳ／Ｎを高くすることができ、しかもシエ
ーデイング特性を著しく向上することができる。
さらにシエーデイング特性は光電子増倍管の受光
面と遮蔽板との間の距離を調整することによりき
わめて簡単に調整することができる。
第１図は本考案の撮像装置の原理的構成を示す
線図、第２図はシエーデイングの発生状況を示す
線図、第３図は本考案の遮蔽板によるシエーデイ
ング補正効果を説明するための線図、第４図は本
考案撮像装置の一実施例の構成を示す線図的縦断
面図、第５図は遮蔽板を光電子増倍管へ調整可能
に取付ける機構の一例を示す図である。 １…陰極線管、２…レンズ、３…オペークカー
ド、４…光電子増倍管、５…遮蔽板。
線図、第２図はシエーデイングの発生状況を示す
線図、第３図は本考案の遮蔽板によるシエーデイ
ング補正効果を説明するための線図、第４図は本
考案撮像装置の一実施例の構成を示す線図的縦断
面図、第５図は遮蔽板を光電子増倍管へ調整可能
に取付ける機構の一例を示す図である。 １…陰極線管、２…レンズ、３…オペークカー
ド、４…光電子増倍管、５…遮蔽板。
Claims (1)
- フライングスポツトスキヤナから発生されるフ
ライングスポツトによつて被写体面を走査し、被
写体情報によつて変調された光を面状のセンサに
よつて受光して光電変換する撮像装置において、
複数個のセンサをフライングスポツトスキヤナの
光軸に関して対称に、被写体面からの反射光を直
接受光するように配置し、これらセンサの各々の
受光面を被写体面の最近点からの正反射光を受光
するように配置するとともに受光面の前方に最近
点からの正反射光の大部分を遮蔽するが最遠点か
らの乱反射光は殆んど遮蔽しない遮蔽部材を配置
したことを特徴とするフライングスポツトスキヤ
ナを具える撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080680U JPH0132443Y2 (ja) | 1980-03-10 | 1980-03-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3080680U JPH0132443Y2 (ja) | 1980-03-10 | 1980-03-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56132871U JPS56132871U (ja) | 1981-10-08 |
| JPH0132443Y2 true JPH0132443Y2 (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=29626700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3080680U Expired JPH0132443Y2 (ja) | 1980-03-10 | 1980-03-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0132443Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-03-10 JP JP3080680U patent/JPH0132443Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56132871U (ja) | 1981-10-08 |
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