JPH01316003A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 本発明は混成集積回路、特にマイクロ波混成集積回路（
以下ＭＩＣと略記する；　Ｍ　ｉ　ｃｒ、ｏｗａｖｅｈ
ｙｂｒｉｄ工ｎｔｅｇｒａｔａｄ　　Ｃ１ｒｃｕｉｔ）
の製造時の特性調整に係る製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 第４図はＭＩＣの平面図である。図において、（１）は
テフロン、アルミナ等の誘電体基板であり、この誘電体
基板（１）上に導電ペースト、銅泊等の導電性材料によ
り回路パターン（伝送線路（２ａ）。

等測的にキャパシタンスやインダクタンス成分を発生す
るエレメントパターン（２ｂ）、及びアースパターン（
２Ｃ）で構成される。）が形成されている。この回路パ
ターンの所定の位置にトランジスタ（６ａ）やコンデン
サ（６ｂ）がハンダ付は等で固着されている。

上述の構成により所望の特性を有するＭＩＣを実現でき
る。

しかしながら、回路パターンの形状設計時には誘電体基
板材料、導電材料、トランジスタ、またはコンデンサ等
の基本特性として一定の基準値（例えば、カタログデー
タの標準値や実測データの平均値）を仮定して計算する
ため、実際に出来上がったＭＩＣが所望の特性を示すと
は限らない。

すなわち、誘電体基板の厚さの誤差、回路パターンの幅
の誤差、またはチップ部品（トランジスタ、コンデンサ
等）の取付位置の誤差、チップ部品の特性のバラツキ等
が影響してＭＩＣの全体の特性を低下させる虞がある。

設計時には上述の誤差要因を考慮して、所望特性からの
許容範囲も設定しているが、数ＧＨｚ以上の高周波にな
ると、微少な誤差であっても特性に大きく影響を与える
。

従って、所望の特性を得るにはＭＩＣ完成後に特性を測
定し、調整する必要がある。

この特性調整は例えば第５図に示す如く、回路パターン
の周辺に調整用アイランドＣ島状パターン）（２（ｆ）
を設けておき、金ワイヤ（４）をボンディングしたり、
あるいは導電ペーストを付着させることにより、回路パ
ターンと調整用アイランド（２ｄ）を接続することによ
り成される（例えば特洲昭６１−４９５０１号公報参照
）。調整用アイランド（２ｄ）を回路パターンに接続す
ると等価的に回路パターンを延長することができる。

ｅタ　　発明が解決しようとする課題 上述の従来の調整方法では、調整用アイランド及び特別
な装置（金ワイヤをボンディングする装置、金属片を導
電ペーストにする装置）を用意しなければならないとい
う問題がある。

本発明は上述の事情に鑑み為されたものであり、調整用
アイランド及び特別な装置を必要とせず、しかも容易に
特性調整できる混成集積回路の製造方法を提供しようと
するものである。

に）課題を解決するための手段 本発明は誘電体基板上に形成された回路パターン上また
は近傍に誘電体小片を設けることにより特性を調整する
ことを特徴とする混成集積回路の製造方法である。

（ホ）作　用 ＭＩＣ上の回路パターンを伝送する高周波信号の状態は
、回路パターン周囲の電磁界により決定される。特に、
回路パターンが形成されている誘電体基板の厚さと比誘
電率及び回路パターンの幅の影響が大きい。誘電体基板
の厚さ及び回路パターンの幅を変更するのは実質的に出
来ないが、誘電体基板の比誘電率を変更することは、回
路パターン上または近傍に誘電体小片を設置することに
より可能である。すなわち、元来、空気（比誘電率−１
）であったところに誘電体小片（テフロンでは比誘電率
−２６、アルミナでは比誘電率−９゜７）を設置するこ
とにより、等価的に誘電体基板の比誘電率を大きくする
ことができ、回路パターンを延長したのと同じ効果を得
ることができる。

この場合、誘電体小片の形状、比誘電率、設置位置等を
変えることにより、簡単にかつ可逆的に最適値を得るた
めの微調整をすることができる。

（ハ）実施例 第１図は本発明に係る混成集積回路の製造方法を説明す
るための平面図であり、第４図と同一部分には同一符号
を付しその説明は省略する。

第１図に示す如＜ＭＩＣの完成後、該ＭＩＣの電気特性
測定器により特性を測定する。そして、この測定結果が
所望の特性ではなく、例えば回路パターンのエレメント
パターン（２ｂ　）　全延長する必要がある場合、前記
電気特性測定器を接続した状態でエレメントパターン（
２ｂ）上または近傍に第２図（ａ）に示す如くテフロン
、アルミナ等の誘電体小片（５）を設置する。続いて、
前記電気特性測定器を見ながら前記誘電体小片（５）の
最適な（所望の特性が得られる）設置位置を決定し、樹
脂よりなる接着剤により固定する。

而して、エレメントパターン（２ｂ）上に誘電体小片（
５）を固定することで該エレメントパターン（２ｂ）が
実質的に延長され、所望の特性を得ることができる。

また、他の実施例として、誘電体小片（５）を第２図（
ｂ）に示す如く構成してもよい。すなわち、誘電体小片
（５）の回路パターンに接触する側に導電層（７ａ）を
形成し、誘電体小片（５）固定（導電性の接着剤で固定
）時、回路パターンからはみ出した部分を回路パターン
として利用するものであり、回路パターンの形状を変え
る（回路パターンを延長する）ことができる。この誘電
体小片（５）によると、誘電体小片（５）の比誘電率の
変化による実質的な回路パターンの延長に加え、実際に
回路パターンを延長することができる。

また、他の実施例として、誘電体小片（５）を第２図（
ψに示す如く構成してもよい。すなわち、上述の第２図
（ｂ）に示した誘電体小片（５）の導電層（７ａ）が形
成された面の反対側の面に導電＃（７ｂ）を形成し、こ
の導電層（７ｂ）を接地するものであり、電磁界の効果
を強くすることができる。第３図はこの第２図（Ｃ）に
示す如く誘電体小片（５）を設置した状態の側面図であ
る。特性の調整時には導電層（７ｂ）を接地した状態で
行ない、その後の組立工程で接地導体ブロック（６ａ）
と天井導体ブロック（６ｂ）で構成される導体ブロック
内に収容し、導電層（７ｂ）と天井導体ブロック（６ｂ
）を接続導体ブロック（６ｃ）により接続する。

この構造はいわゆるストリップライン構造と呼ばれるも
のであり、回路パターンの上下が誘電体を介して接地さ
れる。

この構造により電磁界の効果を強くすること、すなわち
回路パターンから天井導体（６ｂ）側に放射される電気
力線を集中させることができる。

よって、誘電体小片（５）により生成される寄性成分を
大きくすることができ、該誘電体小片（５）を小型化で
きる。

（ト）発明の効果 本発明は以上の説明から明らかな如＜、ＭＩＣ全体の特
性を測定しながら、該特性の調整を調整用アイランド及
び特別な装置を用いることなく、容易に行なうことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る混成集積回路の製造方法を説明す
るための平面図、第２図（ａ）（ロ）（Ｃ）は誘電体小
片の斜視図、第３図はＭＩＣを導体ブロックに収容した
状態の側面図、第４図はＭＩＣの平面図、第５図は従来
の混成集積回路の製造方法を説明するための平面図、で
ある。 （１）・・誘電体基板、（２ａ）・・・伝送線ｙ＆、（
２ｂ）・・・ニレナンドパターン、（２ｂ）・・・アー
スパターン、（３ａ）・・・トランジスタ、（３ｂ）・
・・コンデンサ、（５）・・・誘電体小片。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）誘電体基板上に形成された回路パターン上または
   近傍に誘電体小片を設けることにより特性を調整するこ
   とを特徴とする混成集積回路の製造方法。