JPH01315857A - 共有メモリアクセス方式 - Google Patents

共有メモリアクセス方式

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Publication number
JPH01315857A
JPH01315857A JP14676288A JP14676288A JPH01315857A JP H01315857 A JPH01315857 A JP H01315857A JP 14676288 A JP14676288 A JP 14676288A JP 14676288 A JP14676288 A JP 14676288A JP H01315857 A JPH01315857 A JP H01315857A
Authority
JP
Japan
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memory access
shared memory
access device
data
memory
Prior art date
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Application number
JP14676288A
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English (en)
Inventor
Nagakatsu Sudo
須藤 永勝
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH01315857A publication Critical patent/JPH01315857A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、共有メモリアクセス方式、更に詳細には、複
数のメモリアクセス装置からリードライト可能な共有メ
モリのアクセス方式に関する。
(従来の技術) 第5図は、従来の共有メモリアクセス方式の構成図であ
る。この図において、1及び2はアドレスバスドライバ
、3はデータバスドライバ、4はリードデータバスドラ
イバ、5は共有メモリアクセスコントロール、6は共有
メモリである。501はメモリアクセス装置Aより共有
メモリ6のアクセス番地を指定するためのアドレスバス
線(ADRA) 、 502はメモリアクセス装置Bよ
り共有メモリ6のアクセス番地を指定するためのアドレ
スバス線(ADRB) 、 503は前記メモリアクセ
ス装置Aに接続されたデータバス線(DATA A)、
 504は前記メモリアクセス装置Bに接続されたデー
タバス線(OATA B)、  505及び506は前
記ADRA301又はADRB502が有効になったこ
とを示す前記メモリアクセス装置A又はBからの共有メ
モリリフウェスト線(REQ A、 REQ B)、5
07及び508は前記メモリアクセス装置A又はBから
の共有メモリ読出し線(READ A、 READ B
)、509は前記メモリアクセス装置Aからの共有メモ
リ書込み線(WRITE A) 、510は共有メモリ
6をアクセスするためのタイミングを作ったり、メモリ
アクセス装置A又はBの共有メモリアクセス線を切換え
るタイムスロット周期を作るためのクロックである。5
11は前記アドレスバスドライバ1又は2によりADR
A301又はADRB502と接続される共有メモリ6
のアドレス線(MEM ADR) 、512は前記デー
タバスドライバ3又はリードデータバスドライバ4によ
り DATA A303又はDATA 8504と接続
され、共有メモリ6へのデータの書込み又はデータの読
出しを行なうためのデータ線(MEM DATA)、5
13は共有メモリ6のアクセス権がメモリアクセス装置
Aに移ったことを示すA CYCENB線、514は共
有メモリ6のアクセス権がメモリアクセス装置Bに移っ
たことを示すB CYCENB線、515はメモリアク
セス装置A又はBへ共有メモリデータを読出すために共
有メモリアクセスコントロール5によりタイミング化さ
れた読出し線(MEM READ)、516はメモリア
クセス装置Aから共有メモリ6にデータを書込むために
共有メモリアクセスコントロール5によりタイミング化
された書込み線(MEM WRITE)、517及び5
18は、夫々、メモリアクセス装置A又はBからの共有
メモリアクセスに対し読出しデータ又は書込みデータが
確立したことを示すA CYCRDY線及びB CYC
RDY線である。そして、アドレスバスドライバ1は、
A CYCENB513によりADRA301とMEM
 ADR511との接続又は切断を行ない、アドレスバ
スドライバ2は、B CYCENB514によりADR
B502とMEM ADR511との接続又は切断を行
なう。データバスドライバ3は、A CYCENB51
3により DATA A303とMEM DATA51
2との接続又は切断を行ない、リードデータバスドライ
バ4は、B CYCENB514によりDATA B 
504とMEM DATA512 との接続又は切断を
行なう。共有メモリアクセスコントロール5は、メモリ
アクセス装置A又はBから共有メモリ6をアクセスする
ための切換え制御や、共有メモリ6への書込み又は読出
しのためのタイミングを作成する。共有メモリ6は、ラ
ンダムアクセスメモリ(RAM)で構成され、メモリア
クセス装置A及びBのいずれからもアクセスされる。
次に、第5図の共有メモリアクセス方式の動作を説明す
るが、その前に従来方式におけるアクセス権の設定方法
について説明する。
従来方式においては、一般に、メモリアクセス装置A及
びBからのアクセス権が一方に片寄らないタイム、スロ
ット方式の共有メモリが使用されている。このタイムス
ロット方式では、共有メモリアクセスコントロール5が
一定の周期(タイムスロット周期)の信号を作成し、メ
モリアクセス装置A又はBからのアクセス要求を受は入
れる優先権を周期ごとに交互に割当てる。すなわち、メ
モリアクセス装置Aの周期(A CYC) 、メモリア
クセス装置Bの周期(B CYC) 、A CYC、B
 CYC−・・といった具合に交互に割当てる。そして
、B CYCからA CYC又はA CYCからB C
YCへの切換時にアクセス要求のサンプリングが行なわ
れ、例えばA CYCからB CYCの切換時にメモリ
アクセス装置Bからのアクセス要求がサンプリングされ
ると、たとえメモリアクセス装置Aからのアクセス要求
が競合しても、共有メモリ6へのアクセス権がメモリア
クセス装置Bに割当てられる。このように、従来方式で
は、タイムスロット周期とサンブリングタイミングTS
が一致しており、サンプリングタイムTSはメモリアク
セス装置A又はBのうちのアクセス時間の大きい側のア
クセス時間に設定されていた。従って、メモリアクセス
装置AはA CYC間に、メモリアクセス装置BはB 
CYCの間に共有メモリ6への書込み又は読出し動作を
完了するようになっていた。
第6図は、従来の共有メモリアクセス方式の動作を示す
タイムチャートである。
今、A CYC時にメモリアクセス装置A及びBの双方
から夫々書込み要求であるREQ A305゜WRIT
E A309と読出し要求であるREQ B50B。
READ B508があったとする。このときA CY
CからB CYCへの切換点で前記REQ B506が
サンプリングされる。B CYCENB信号514がオ
ンとなり、アドレスバスドライバ2を通して、メモリア
クセス装置Bのアドレス線であるADHB502と共有
メモリ6のアドレス線であるMEM ADR511とが
接続され、共有メモリ6に対しアクセス番地が指定され
る。同時に、リードデータバスドライバ4を通してメモ
リアクセス装置Bのデータ線であるDATA 8504
と共有メモリ6のデータ線であるMEM DATA51
2とが接続される。また、共有メモリアクセスコントロ
ール5により作成された共有メモリ読出しのためのタイ
ミング信号MEM READ515により共有メモリ6
からデータが読出されると同時に、共有メモリ6はデー
タが確立したことを示すレディ信号であるB CYCR
DY信号518を前記メモリアクセス装置Bに送出する
。前記メモリアクセス装置Bは前記B CYCRDY信
号518を検出し、共有メモリ6より読出したデータを
B CYC内に取込むと同時に読出し要求信号REQ 
B506及びREAD B508をオフにする。共有メ
モリアドレスコントロール5は、REQ B506及び
READ B50Bがオフしたことを検出し、メモリア
クセス装置Bの共有メモリアクセス権であるB CYC
ENB514とMEM READ515をオフにし、共
有メモリ6の読出し動作を終了させると共に、アドレス
バスドライバ2及びリードデータバスドライバ4もオフ
にし、前記ADRB 502及びDATA B504と
MEM ADR511及びMEM DATA512との
接続を切放す。このようにして、B CYC内において
メモリアクセス装置Bからのアクセスを終了する。
次にメモリアクセス装置Aから共有メモリ6への書込み
動作について説明する。
書込み要求であるREQ A305及びWRITE A
309はメモリアクセス装置Bのアクセス終了後も継続
しているので、B CYCからA CYCへの切換点で
前記REQ A305がサンプリングされる。A CY
CENB513がオンとなり、アドレスバスドライバ1
及びデータバスドライバ3を通して、メモリアクセス装
置Aのアドレス線であるADRA301と共有メモリ6
のアドレス線であるMEM ADR511が接続され、
共有メモリ6に対しアクセス番地が指定され:同時にメ
モリアクセス装置Aのデータ線であるDATA A30
3と共有メモリ6のデータ線であるMEM DATA5
12が接続される。また共有メモリアクセスコントロー
ル5により作成された共有メモリ書込みのためのタイミ
ング信号MEM WRITE516により共有メモリ6
にデータが書込まれると同時に、共有メモリ6はレディ
信号A CYCRDY517を前記メモリアクセス装置
Aに送出する。メモリアクセス装置Aは前記A CYC
RDY517を検出し、書込み要求信号REQ A30
5及びWRITE A309をオフにする。共有メモリ
アクセスコントロール5は、REQ A305及びWR
ITE A309がオフしたことを検出し、メモリアク
セス装置Aの共有メモリアクセス権であるA CYCE
NB513とMEM WRITE516をオフにし、共
有メモリ6への書込み動作を終了させると共に、アドレ
スバスドライバ1及びデータバスドライバ3もオフにし
、前記ADRA301及びDATA A303 とME
M ADR511及びMEM DATA512との接続
を切放す。
このように、従来は複数のメモリアクセス装置からのメ
モリアクセス要求に対し、メモリ占有権が一方に片寄ら
ないようにアクセスサイクルを割り当てたタイムスロッ
ト方式による共有メモリアクセス方式が一般的に行なわ
れていた。
またこの他に、複数のメモリアクセス要求があった場合
、先にアクセス要求したメモリアクセス装置が共有メモ
リの占有権を付与させる内容のマルチアクセス方式も行
なわれていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記したとおり、従来のタイムスロット
方式は、タイムスロット周期がサンプリング周期と同じ
であるため、例えば前記の例においては、メモリアクセ
ス装置Aがアクセス要求を出してから実際にアクセスが
開始できるまでの時間(待ち時間)が長いという問題点
があった。
また、マルチアクセス方式は、共有メモリの占有権が片
寄るという欠点があって技術的に満足できるものは得ら
れなかった。
この発明は、以上述べたタイムスロット方式での待ち時
間が長いという問題点と、マルチアクセス方式でのメモ
リ占有権が一方に片寄るという欠点を除去し、待ち時間
が短く、かつ、メモリ占有権が片寄らない優れた共有メ
モリアクセス方式を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 本発明は、複数のメモリアクセス装置からのメモリアク
セス可能な共有メモリアクセス方式であって、前記メモ
リアクセス装置からの共有メモリアクセス要求を選択し
共有メモリの占有権をアクセス要求を出しているメモリ
アクセス装置のいずれかに片寄らないように割り当てる
選択手段を有するタイムスロット構造の共有メモリアク
セス方式において、占有権を付与されたときメモリアク
セス装置が共有メモリから読出したデータを一時格納す
る蓄積手段を設け、共有メモリアクセス要求が競合した
場合に、先に占有権を付与されたメモリアクセス装置が
読出したデータを前記蓄積手段に格納後、その占有権が
解除されると同時に他のメモリアクセス装置のアクセス
要求をサンプリングするそのタイミングを作成するサン
プリングタイミング作成手段を前記選択手段に設け、前
記光に占有権を付与されたメモリアクセス装置が前記蓄
積手段からデータの読出し処理を行なっている間にも並
行して他のメモリアクセス装置が前記共有メモリに対し
アクセスすることができることを特徴とする共有メモリ
アクセス方式である。
(作用) 本発明の共有メモリアクセス方式(以下、本発明方式と
いうことがある)の蓄積手段は、占有権を付与されたメ
モリアクセス装置が共有メモリから読出したデータを一
時格納するためのものである。従って、前記メモリアク
セス装置がデータの読出しを完了した後占有権が次のメ
モリアクセス装置に移される従来方式に比べ共有メモリ
の占有時間を短縮できる。
また、本発明方式のサンプリングタイム作成手段は、共
有メモリアクセス要求が競合した場合に、先に占有権を
付与されたメモリアクセス装置が読出したデータを前記
蓄積手段に格納後、その占有権が解除されると同時に他
のメモリアクセス装置のアクセス要求をサンプリングす
るそのタイミングを作成する。このタイミングに従って
、先後のメモリアクセス装置の動作を並行して行なうこ
とによって後のメモリアクセス装置の待ち時間を短縮で
きる。
更にまた、前記選択手段のアクセス要求がない場合のサ
ンプリングタイムは、前記メモリアクセス装置が前記蓄
積手段に格納されたデータの読出し処理を完了し得る時
間に設定され、従来方式におけるサンプリングタイムよ
り短いので、メモリアクセス装置がアクセス要求を出し
てからアクセス開始できるまでの待ち時間も短縮される
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面と共に説明する。
第1図は、本発明の共有メモリアクセス方式の一実施例
の構成図である。この図において、11及び12はアド
レスバスドライバ、13はデータバスドライバ、14は
リードデータレジスタ、15は共有メモリアクセスコン
トロール、15aはサンプリングタイム作成回路、16
は共有メモリ、17はパイロットフリップフロップ(F
F)である。101はメモリアクセス装置Aより共有メ
モリ16のアクセス番地を指定するためのアドレスバス
線(ADRA) 、102はメモリアクセス番地Bより
共有メモリ16のアクセス番地を指定するためのアドレ
スバス線(ADRB) 、103は前記メモリアクセス
装置Aに接続されたデータバス線(DATA A)、1
04は前記メモリアクセス装置Bに接続されたデータバ
ス線(DATA B)、 105及び106は前記AD
RAl0I又はADRB102が有効になったことを示
す前記メモリアクセス装置A又はBからの共有メモリリ
フウェスト線(REQ A、 REQ B)、107及
び108は前記メモリアクセス装置A又はBからの共有
メモリ読出し線(READ A 、 READ B) 
、 109は前記メモリアクセス装置Aからの共有メモ
リ書込み線(WRITE A) 、110は共有メモリ
16をアクセスするためのタイミングを作ったりメモリ
アクセス装置A又はBの共有メモリアクセス権を切換え
るタイムスロットを設定するためのクロックである。I
llは前記アドレスバスドライバ11又は12によりA
DRAl0I又はADRB102と接続される共有メモ
リ16のアドレス線(MEM ADR) 、112は前
記データバスドライバ13又はリードデータレジスタ1
4によりDATA AlO3又はDATA B104と
接続され、共有メモリ16へのデータの書込み又はデー
タの読出しを行なうためのデータ線(MEM DATA
)、113は共有メモリ16のアクセス権がメモリアク
セス装置Aに移ったことを示すA CYCEND線、1
14は共有メモリ16のアクセス権がメモリアクセス装
置Bに移ったことを示すB CYCENB線、115は
メモリアクセス装置A又はBへ共有メモリを読出すため
に共有メモリアクセスコントロール15によりタイミン
グ化されたリード線(MEM READ)、116はメ
モリアクセス装置Aから共有メモリ16にデータを書込
むために共有メモリアクセスコントロール15によりタ
イミング化された書込み線(MEM WRITE)、1
17はメモリアクセス装置Aからの共有メモリアクセス
に対し読出しデータ又は書込みデータが確立したことを
示すA CYCRDY線、11Bはメモリアクセス装置
Bへ読出しデータが前記リードデータレジスタ14に格
納されたことを知らせるレディ信号(B CYCRDY
) 、119は共有メモリ16から共有メモリアクセス
コントロール15へのレディ信号(RDY) 、120
はメモリアクセス装置Bからの共有メモリアクセスに対
し読出したデータをリードデータレジスタ14に格納し
、前記B CYCRDY信号118をパイロットFF1
7にセットするラッチ信号(B LATCH)である。
そして、アドレスバスドライバ11は、A CYCEN
B113によりADRAl0IとMEM ADRIII
との接続又は切断を行ない、アドレスバスドライバ12
は、B CYCENB114によりADRB102とM
EM ADRIIIとの接続又は切断を行なう。データ
バスドライバ13は、A CYCENB113により 
DATA AlO3とMEM DATA112との接続
又は切断を行ない、リードデータレジスタ14は、共有
メモリ16から読出したデータを格納する。共有メモリ
アクセスコントロール15は、メモリアクセス装置A又
はBから共有メモリ16をアクセスするための切換え制
御や、共有メモリ16への書込み又は読出しのためのタ
イミングを作成する。サンプリングタイム作成回路15
aは、この切換え制御のためのサンプリングタイムを作
成する。共有メモリ16は、ランダムアクセスメモリ(
RAM)で構成され、メモリアクセス装置A及びBのい
ずれからもアクセスされる。パイロットFF17は、メ
モリアクセス装置Bからの共有メモリアクセスに対し、
共有メモリ16か”ら続出したデータがリードデータレ
ジスタ14に格納されたことをB CYCRDY信号1
18を通してメモリアクセス装置Bに通知する。
次に、第1図の共有メモリアクセス方式の動作を説明す
るが、その前に本発明におけるアクセス権の設定方法に
ついて説明する。
本発明の共有メモリアクセス方式は、従来のタイムスロ
ット方式と同様、複数のメモリアクセス装置からのメモ
リアクセス要求に対し、メモリ占有権が一方に片寄らな
いようにA CYCとB CYCを割り当てる方式であ
るが、A CYC,B CYCの割り当てのためのサン
プリングタイムがタイムスロットの幅と一致しない点で
相異する。すなわち、前記作用の項で述べたように、本
発明方式は、サンプリングタイムをタイムスロットの幅
より短い特定の幅に設定し、従来方式よりサンプリング
を短周期で行なうと共に、共有メモリへのアクセス終了
後(例えばリードデータレジスタ14にデータ蓄積後)
、直ちに他のメモリアクセス装置に共有メそり占有権を
移すことによって共有メモリの占有期間を可能な限り短
縮しようとするものである。
第2図は、本発明の共有メモリアクセス方式の動作を示
すタイムチャートである。この図において、126はサ
ンプリングタイムで、第1図のサンプリングタイム作成
回路15aで作成される。
TSはサンプリング周期、TA、TBは夫々メモリアク
セス装置A、Bの共有メモリ占有時間である。メモリア
クセス装置A、Bへの共有メモリ占有権の割り当ては、
サンプリングタイム126に従って行なわれる。すなわ
ち、通常はサンプリング周期TSでメモリアクセス装置
A、Bからのアクセス要求REQ AlO3又はREQ
 B106のサンプリングが交互に行なわれ、例えば装
置A、Bからの双方のアクセス要求が競合した場合、A
 CYCからB CYCへの切換点でメモリアクセス装
置Bからのアクセス要求がサンプリングされると、装置
Bが共有メモリ16の占有権を行使できる。読出しデー
タがリードデータレジスタ14に格納完了すると、サン
プリングタイム126が切換わり、共有メモリ16の占
有権はメモリアクセス装置Aに移る。このとき切換点で
メモリアクセス装置Aのアクセス要求がサンプリングさ
れると直ちにメモリアクセス装置Aの共有メモリ占有権
が行使できる。メモリアクセス装置Bは、前記切換点か
らTSの間にリードデータレジスタ14に格納されてい
る読出しデータの読出しを行なう。メモリアクセス装置
Aのアクセス終了後は、再びB CYC。
A CYCにおけるサンプリングが継続される。
次に、本発明の共有メモリアクセス方式の動作を前記第
2図に従って詳細に説明する。
今、A CYC時にメモリアクセス装置A及びBの双方
から夫々書込み要求であるREQ AlO3゜WRIT
E A109と、読出し要求であるREQ 8106゜
READ B108があった場合、A CYCからB 
CYCへの切換点で前記REQ 8106がサンプリン
グされ、B CYCENB信号114がオンとなり、ア
ドレスバスドライバ12を通してメモリアクセス装置B
のアドレス線であるADH8102と共有メモリ16の
アドレス線であるMEM ADRIIIが接続され、共
有メモリ16に対しアクセス番地が指定される。また前
記REQ 8106及びREAD B10Bは共有メモ
リアクセスコントロール15に入力され、前記共有メモ
リアクセスコントロール15により前記共有メモリ16
からのデータ読出しのためのタイミング信号MEM R
EADl15が作成され、共有メモリ16からデータが
読出されると同時に、共有メモリ16はデータが確立し
たことを示すレディ信号119を前記共有メモリアクセ
スコントロール15に送出する。
共有メモリアクセスコントロール15はB LATCH
信号120を送出し、前記共有メモリ16より読出され
たデータを前記リードデータレジスタ14に格納し、メ
モリアクセス装置Bのデータ読出しを可能にすると共に
、同時にパイロットFF17ヘメモリアクセス装置Bへ
のレディ信号であるB CYCRDY118をセットし
、更にB CYCENB114をオフにしB CYCを
終了させA CYCに切換える。
次いで、B CYCからA CYCへの切換点でメモリ
アクセス装置Aからの書込み要求REQ AlO3及び
WRITE A109がサンプリングされると、A C
YCENB113がオンとなり、アドレスバスドライバ
11及びデータバスドライバ13を通して、メモリアク
セス装置Aのアドレス線であるADHAl0Iと共有メ
モリ16のアドレス線であるMEM ADRIIIが接
続され、共有メモリ16に対しアクセス番地が指定され
、同時にメモリアクセス装置Aのデータ線であるDAT
A AlO3と共有メモリ16のデータ線であるMEM
 DATA112が接続される。また前記REQ Al
O3及びWRITE A109は、共有メモリアクセス
コントロール15に入力され、共有メモリアクセスコン
トロール15により、共有メモリ16へのデータ書込み
のためのタイミング信号MEM WRITE116が作
成され、共有メモリ16への書込みを行なうと同時に、
書込みデータが確立したことを示すレディ信号(RDY
)119を共有メモリアクセスコントロール15へ送出
する。共有メモリアクセスコントロール15はメモリア
クセス装置Aへレディ信号であるA CYCRDYl1
7を送出する。メモリアクセス装置AはA CYCRD
Y117を検出し、書込み要求信号REQ AlO3及
びWRITE A109をオフにする。共有メモリアク
セスコントロール15はREQ AlO3及びWRIT
E A109がオフしたことを検出し、後述する書込み
終了信号A CYCEND121を送出する。A CY
CEND121によりメモリアクセス装置Aの共有メモ
リアクセス権であるA CYCENBI13と書込みタ
イミング信号MEM WRITE116がオフされ、ア
ドレスバスドライバ11及びデータバスドライバ13が
無効にされ、ADHAl0I及びDATA AlO3と
MEM ADRIII及びMEM DATA112との
接続が切放されると共にA CYCが終了されB CY
Cへ切換えられる。
一方、メモリアクセス装置Bは、B CYCからA C
YCへの切換後TSの間にDATA B104を通して
リードデータレジスタ14に格納されたデータの読出し
を完了する。
このようにして、メモリアクセス装置Aからのデータ書
込みとメモリアクセス装置Bからのデータ読出しが同時
に行なわれ、共有メモリへのアクセス時間が短縮される
なお、前記B CYCからA CYCへの切換点でメモ
リアクセス装置Aからの書込み要求が無かった場合は、
メモリアクセス装置Bが前記リードデータレジスタ14
の読出し処理が可能なTSの間B CYC状態が保持さ
れ、その後A CYCへ切換えられる。
第3図は、第1図中のサンプリングタイム作成回路15
aの一実施例を示す図面である。
この図において、31はサンプリングタイムを作るカウ
ンタ(第3図、第4図においてCTと略記する)、32
はサンプリングタイム設定用のスイッチ、33はサンプ
リングタイムFFで、前記カウンタ31が設定値(TS
)に達したとき、又はリードレジスタ14にデータをラ
ッチするB LATCH120若しくは後述するメモリ
アクセス装置Aからの共有メモリアクセス動作が終了し
たことを示すA CYCEND121ニょすACYCま
たはBcYcニ交互に切換わるサンプリングタイム12
6を作成する。
第4図は、第3図のサンプリングタイム作成回路15a
の動作を示すタイムチャートである。このタイムチャー
トは、第2図のサンプリングタイム126を作成する場
合について示しである。この図において、サンプリング
タイム(TS)は、メモリアクセス装置A及びBからの
メモリアクセス要求に対し、共有メモリ16の占有権を
該メモリアクセス装置のいずれかに決定するための時間
であり、リードデータレジスタ14にデータがラッチさ
れてからメモリアクセス装置Bがリードデータレジスタ
14のデータ読出し処理を完了するまでの時間に設定さ
れている。但し、メモリアクセス装置が複数あって、そ
の夫々がリードデータレジスタ14に相当する蓄積手段
を有する場合には、最も遅いメモリアクセス装置の読出
し処理が完了するまでの時間に設定される。
第3図のサンプリングタイム作成回路において、メモリ
アクセス装置A及びBからのアクセス要求が無ければ、
カウンタ31はTSの値までカウントアツプし、TS値
に達した時点でスイッチ32の内容をロードし、この動
作を繰り返す。
この繰り返しのうちに、メモリアクセス装置Bのアクセ
ス要求があれば、共有メモリ16がメモリアクセス装置
Bに占有されたことを示すB CYCENB信号114
によりカウンタ31のカウントアツプは停止され、共有
メモリ16から読出したデータを前記リードデータレジ
スタ14にラッチするB LATC)I信号120が来
るまで(TBの間)この状態は続き、前記B LATC
)!信号120によりメモリアクセス装置Bの共有メモ
リ16の占有権は解除される。このとき、メモリアクセ
ス装置Aからのメモリ書込み要求があれば、共有メモリ
16の占有権はメモリアクセス装置Aに移り共有メモリ
16がメモリアクセス装置Aに占有されたことを示すA
 CYCENB信号113によりカウンタ31のカウン
トアツプは停止され、メモリアクセス装置Aの書込み処
理が完了したことを示すA CYCEND121が来る
まで(TAO間)この状態は続き、解除後−時前記メモ
リアクセス装置Bによる前記リードデータレジスタ14
からの読出し処理と、前記メモリアクセス装置Aによる
共有メモリ16へのアクセス動作が並行して行なわれる
ことになる。一方、前記メモリアクセス装置Bの共有メ
モリ16の占有権が解除される時点でメモリアクセス装
置Aからの書込み要求が無ければ、カウンタ31にはT
S値がロードされJカウントアツプがTSに達するまで
の間に前記メモリアクセス装置Bは前記リードデータレ
ジスタ14のデータ読取り処理を完了させる。
本実施例においては、2つのメモリアクセス装置からの
共有メモリアクセス方式について説明したが、2つ以上
のメモリアクセス装置においても実現できることは云う
までもない。また、メモリアクセス装置Bからの書込み
動作及びメモリアクセス装置Aについての読出し動作に
ついて触れていないがこれは説明を容易にするためのも
のである。
(発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明では、複数のメモリ
アクセス装置からリードライト可能な共有メモリのアク
セス方式において共有メモリの占有権を有するメモリア
クセス装置により読出されたデータを一時格納する蓄積
手段を設け、この蓄積手段に共有メモリから読出したデ
ータを格納した後共有メモリ占有権を解除し、他のメモ
リアクセス装置にメモリ占有権を移し、前記読出しを行
なったメモリアクセス装置が前記蓄積手段から読出し処
理を行なっている間にも並行して、前記他のメモリアク
セス装置が共有メモリをアクセスできるようにし、かつ
、前記複数のメモリアクセス装置からの共有メモリアク
セス要求をサンプリングする周期を前記蓄積手段からメ
モリアクセス装置が読出し処理できる時間に設定するこ
とにより、従来方式におけるサンプリング周期より短縮
し、サンプリングタイム発生回路により、この短縮され
たサンプリング周期に基づきメモリ占有権を各メモリア
クセス装置に付与する時間を設定するようにした。
従って、本発明によれば、各メモリアクセス装置の共有
メモリ占有時間を短縮することができ、後続のメモリア
クセス装置の待ち時間を短縮することができる。また、
サンプリング周期を短縮した結果、各メモリアクセス装
置からのアクセス要求を高頻度でチエツクできるので、
アクセス要求を出してから実際にアクセスできるまでの
待ち時間をも短縮できる。
本発明は、前記サンプリング手段を前記アクセス要求に
対して各々メモリ占有権を割り当てたサンプリング方式
としているため、共有メモリ占有権が一方に片寄らない
等の効果を奏することは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の共有メモリアクセス方式の一実施例の
構成図、第2図は本発明の共有メモリアクセス装置の動
作を示すタイムチャート、第3図は第1図中のサンプリ
ングタイム作成回路15aの一実施例を示す図面、第4
図は第3図のサンプリングタイム作成回路15aの動作
を示すタイムチャート、第5図は従来の共有メモリアク
セス方式の構成図、第6図は従来の共有メモリアクセス
方式の動作を示すタイムチャートである。 14・・・リードデータレジスタ、 15・・・共有メモリアクセスコントロール、15a・
・・サンプリングタイム作成回路、16・・・共有メモ
リ、17・・・パイロットFF。 126・・・サンプリングタイム。 特許出願人 沖電気工業株式会社 515  MEMREAD 516 MEM VIRITE 従来の共有メモリアクセス方式の構成図第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、複数のメモリアクセス装置からのメモリアクセス可
    能な共有メモリアクセス方式であって、前記メモリアク
    セス装置からの共有メモリアクセス要求を選択し共有メ
    モリの占有権をアクセス要求を出しているメモリアクセ
    ス装置のいずれかに片寄らないように割り当てる選択手
    段を有するタイムスロット構造の共有メモリアクセス方
    式において、 占有権を付与されたときメモリアクセス装置が共有メモ
    リから読出したデータを一時格納する蓄積手段を設け、 共有メモリアクセス要求が競合した場合に、先に占有権
    を付与されたメモリアクセス装置が読出したデータを前
    記蓄積手段に格納後、その占有権が解除されると同時に
    他のメモリアクセス装置のアクセス要求をサンプリング
    するそのタイミングを作成するサンプリングタイミング
    作成手段を前記選択手段に設け、 前記先に占有権を付与されたメモリアクセス装置が前記
    蓄積手段からデータの読出し処理を行なっている間にも
    並行して他のメモリアクセス装置が前記共有メモリに対
    しアクセスすることができることを特徴とする共有メモ
    リアクセス方式。 2、前記選択手段のアクセス要求がない場合のサンプリ
    ングタイムが、前記メモリアクセス装置が前記蓄積手段
    に格納されたデータの読出し処理を完了し得る時間に設
    定されたものである請求項1記載の共有メモリアクセス
    方式。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002526848A (ja) * 1998-09-25 2002-08-20 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ マルチポートメモリを含む装置
JP2006527878A (ja) * 2003-06-16 2006-12-07 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 多重メモリを有するデータ処理回路

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US8190829B2 (en) 2003-06-16 2012-05-29 Callahan Cellular L.L.C. Data processing circuit with multiplexed memory
US8473706B2 (en) 2003-06-16 2013-06-25 Callahan Cellular L.L.C. Data processing circuit with multiplexed memory

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