JPH01315175A - Trimming of temperature sensor ic wafer - Google Patents

Trimming of temperature sensor ic wafer

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Publication number
JPH01315175A
JPH01315175A JP63147883A JP14788388A JPH01315175A JP H01315175 A JPH01315175 A JP H01315175A JP 63147883 A JP63147883 A JP 63147883A JP 14788388 A JP14788388 A JP 14788388A JP H01315175 A JPH01315175 A JP H01315175A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature sensor
wafer
chip
offset
trimming
Prior art date
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Pending
Application number
JP63147883A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Taguchi
一夫 田口
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
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Publication of JPH01315175A publication Critical patent/JPH01315175A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain an inexpensive temperature sensor IC chip with high precision by comparing with a standard wafer to trim a first temperature sensor IC chip, calibrating it on temperature to detect an offset, making a reference of the quantity in which the offset is subtracted from the standard wafer and trimming other temperature sensor IC chips. CONSTITUTION:An end is connected to a first temperature sensor IC chip 31 at the approximately center position and a connector 4 electrically connected to a wiring pattern 311 by the use of a temperature sensor IC wafer 3 in which the wiring pattern 311 arranged on the periphery of a wafer 3 is provided is attached to the other end. It is compared with the standard wafer 1 to trim a first temperature sensor IC chip. The first temperature sensor IC chip is calibrated with respect to temperature, with the temperature sensor IC wafer 3 intact, to detect an offset, and trimming of the other temperature sensor IC chips of the temperature sensor IC wafer 3 is performed by making a reference of the quantity in which the offset is subtracted from a standard reference wafer 1. Thereby an inexpensive temperature sensor IC chip with high precision can be obtained.

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、温度センサIC(温度センサ集積回路)ウェ
ハの、トリミング方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a method for trimming a temperature sensor IC (temperature sensor integrated circuit) wafer.

更に詳述すれば、本発明は、精度の良い温度センサIC
ウェハのトリミング方法に関するものである。
More specifically, the present invention provides a highly accurate temperature sensor IC.
This invention relates to a wafer trimming method.

〈従来の技術〉 第4図は従来より一般に使用されている従来例の工程説
明図で、第5図は第4図の工程概念図である。
<Prior Art> FIG. 4 is a process explanatory diagram of a conventional example commonly used, and FIG. 5 is a conceptual diagram of the process of FIG. 4.

第4図において、(A)は第1トリミング工程である。In FIG. 4, (A) is the first trimming step.

トリミング工程(A)では、第5図(A3に示すごとく
、リファレンスウェハ1を基準TREFにして、トリミ
ング対象の温度センサICウェハ2中の、縦横十文次部
分21がトリミングされる。
In the trimming step (A), as shown in FIG. 5 (A3), the vertical and horizontal portions 21 of the temperature sensor IC wafer 2 to be trimmed are trimmed using the reference wafer 1 as a reference TREF.

第4図(B)は第1ダイシング工程である。第5図(B
)にしめすごとく、温度センサICウエハ2から十文次
部分21がダイシングされる。
FIG. 4(B) shows the first dicing step. Figure 5 (B
), the ten-piece portion 21 is diced from the temperature sensor IC wafer 2.

第4図(C)は、第1パツケージ工程である。FIG. 4(C) shows the first packaging step.

第9図(C)にしめすごとく、十文次部分21は、個々
の温度センサICチップ211毎にパッケージされる。
As shown in FIG. 9(C), the ten-piece portion 21 is packaged for each individual temperature sensor IC chip 211.

第4図(D)は温度校正工程である。第5図(D)にし
めすごとく、恒温槽D1中に配置し、例えば、デジタル
ボルトメータ等を使用して、温度校正を行いリファレン
スウェハ1のオフセットToFSを検出する。
FIG. 4(D) shows the temperature calibration process. As shown in FIG. 5(D), the reference wafer 1 is placed in a constant temperature bath D1, temperature is calibrated using, for example, a digital voltmeter, and the offset ToFS of the reference wafer 1 is detected.

第4図(E)は第2トリミング工程である。第5図(E
)にしめすごとく、温度センサICウェハ2の十文次部
分21以外の温度センサICウェハ2の部分、22,2
3,24.25 (第5図(B)にしめず)部分毎に、
リファレンスウェハ1による基準TRE F−オフセッ
トT。FSを基準にして、各温度センサICチップがト
リミングされる。
FIG. 4(E) shows the second trimming step. Figure 5 (E
), the parts of the temperature sensor IC wafer 2 other than the jubunji part 21 of the temperature sensor IC wafer 2, 22, 2
3,24.25 (Figure 5 (B)) For each part,
Reference TRE F-offset T by reference wafer 1. Each temperature sensor IC chip is trimmed based on the FS.

第4図(F)は第2グイシング工程である。第5図(F
)にしめすごとく、温度センサICつエバ2の部分、2
2.23,24.25部分各々が各温度センサICチッ
プにダイシングされる。
FIG. 4(F) shows the second guishing process. Figure 5 (F
), the temperature sensor IC part 2, 2
2.23, 24.25 portions are each diced into each temperature sensor IC chip.

第4図(G)は第2パツケージ工程である。第5図(G
)にしめすごとく、個々の温度センサICチップ毎にパ
ッケージされる。
FIG. 4(G) shows the second packaging step. Figure 5 (G
), each individual temperature sensor IC chip is packaged.

〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、この様な方法においては、オフセットを
検出するために、ダイシング工程(B)、バラゲージン
グ工程(C)を行うため、リードタイムが長くなる。
<Problems to be Solved by the Invention> However, in such a method, a dicing process (B) and a bulkaging process (C) are performed in order to detect the offset, resulting in a long lead time.

また、オフセットを検出する温度センサTCチップは切
離された単体のチップであり、オフセットを計算にいれ
て、トリミングされるトリミングウェハ22,23,2
4.25はウェハ状態であるので、より高精度なトリミ
ングを実施することが出来ない。
Further, the temperature sensor TC chip that detects the offset is a separate chip, and the trimming wafers 22, 23, 2 to be trimmed are trimmed by taking the offset into account.
4.25 is in a wafer state, so trimming with higher precision cannot be performed.

本発明は、この問題点を解決するものである。The present invention solves this problem.

本発明の目的は、高精度で、安価な温度センサICチッ
プが得られる温度センサICウェハのトリミング方法を
提供するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for trimming a temperature sensor IC wafer with which a highly accurate and inexpensive temperature sensor IC chip can be obtained.

〈課題を解決するための手段〉 この目的を達成するために、本発明は、複数の温度セン
サICチップが形成された温度センサICウェハのトリ
ミング方法において、 温度センサICウェハのほぼ中央の位置の所定の第一温
度センサICチップに一端が接続され他端が該温度セン
サICウェハの周縁部に配置された配線パターンが設け
られた温度センサICウェハに、前記配線パターンに電
気的に接続されるコネクターを取付けて、基準リファレ
ンスウェハと比較して該第一温度センサICチップをト
リミングし、該温度センサICウェハのまま該第一温度
センサICチップを温度校正してオフセットを検出し、
前記基準リファレンスウェハから該オフセットを差引い
た量をリファレンスとして、該温度センサICウェハの
他の温度センサICチップのトリミングを行うようにし
たことを特徴とする温度センサICウェハのトリミング
方法を採用したものである。
<Means for Solving the Problems> In order to achieve this object, the present invention provides a method for trimming a temperature sensor IC wafer on which a plurality of temperature sensor IC chips are formed. A temperature sensor IC wafer is provided with a wiring pattern, one end of which is connected to a predetermined first temperature sensor IC chip, and the other end of which is disposed around the periphery of the temperature sensor IC wafer, and is electrically connected to the wiring pattern. attaching a connector, trimming the first temperature sensor IC chip by comparing it with a standard reference wafer, calibrating the temperature of the first temperature sensor IC chip while the temperature sensor IC wafer is in place, and detecting an offset;
A method for trimming a temperature sensor IC wafer, characterized in that other temperature sensor IC chips of the temperature sensor IC wafer are trimmed using an amount obtained by subtracting the offset from the standard reference wafer as a reference. It is.

く作用〉 以上の方法において、基準リファレンスウェハと比較し
て第一温度センサICチップをトリミングし、温度セン
サICウェハのまま、第一温度センサICチップを温度
校正してオフセットを検出し、基準リファレンスウェハ
からオフセットを差引いた量をリファレンスとして、温
度センサICウェハの他の温度センサICチップのトリ
ミングを行うようにしたので、従来例の如く、オフセッ
トを検出するための、第1ダイシング工程、第1パツゲ
ージング工程を行う必要がない。
In the above method, the first temperature sensor IC chip is trimmed by comparing it with the reference reference wafer, the temperature of the first temperature sensor IC chip is calibrated to detect the offset while the temperature sensor IC wafer remains, and the offset is detected. Since the amount obtained by subtracting the offset from the wafer is used as a reference to trim other temperature sensor IC chips on the temperature sensor IC wafer, the first dicing process and the first There is no need to perform a packaging process.

また、従来例において、オフセットを検出する温度セン
サICチップは切離された単体のチップであり、オフセ
ットを計算にいれて、トリミングされるトリミングウェ
ハはウェハ状態であるので、より高精度なトリミングを
実施することが出来ないが、本発明では、第一温度セン
サICチップのオフセットを検出して、同一ウェハのト
リミングを行うので、誤差が少ない。
In addition, in the conventional example, the temperature sensor IC chip that detects the offset is a separate chip, and since the trimming wafer to be trimmed is in a wafer state, taking the offset into account, trimming can be performed with higher precision. Although it cannot be carried out, in the present invention, the offset of the first temperature sensor IC chip is detected and the same wafer is trimmed, so there is little error.

以下、実施例に基づき詳細に説明する。Hereinafter, a detailed explanation will be given based on examples.

〈実施例〉 第1図は、本発明の一実施例の工程説明図である。<Example> FIG. 1 is a process explanatory diagram of an embodiment of the present invention.

第1図において、(A)は第1トリミング工程である。In FIG. 1, (A) is the first trimming step.

この場合、トリミングされる温度センサICウェハは、
第2図に示すごとく、温度センサICウェハ3のほぼ中
央の位置の所定の第一温度センサICチップ31に一端
が接続され他端が該温度センサICウェハの周縁部に配
置された配線パターン311が設けられた温度センサI
Cウェハ3を用い、第3図に示すごとく、配線パターン
311に電気的に接続されるコネクター4を取付けて、
以後、従来例と同様に、基準リファレンスウェハ1と比
較して第一温度センサICチップ31をトリミングする
In this case, the temperature sensor IC wafer to be trimmed is
As shown in FIG. 2, a wiring pattern 311 has one end connected to a predetermined first temperature sensor IC chip 31 located approximately in the center of the temperature sensor IC wafer 3, and the other end arranged at the periphery of the temperature sensor IC wafer. Temperature sensor I equipped with
Using the C wafer 3, as shown in FIG. 3, a connector 4 that is electrically connected to the wiring pattern 311 is attached,
Thereafter, as in the conventional example, the first temperature sensor IC chip 31 is trimmed by comparing it with the standard reference wafer 1.

第1図(B)は、温度校正工程である。温度センサIC
ウェハ3のまま、第一温度センサICチップを温度校正
してオフセットT。FSを検出する。
FIG. 1(B) shows a temperature calibration process. temperature sensor ic
With wafer 3 still in use, calibrate the temperature of the first temperature sensor IC chip and set the offset T. Detect FS.

第1図(C)は第2トリミング工程である。第2トリミ
ング工程では、基準リファレンスウェハ1からオフセッ
トT。FSを差引いた量をリファレンスとして、温度セ
ンサICウェハ3の他の温度センサICチップのトリミ
ングを行う。
FIG. 1(C) shows the second trimming step. In the second trimming process, an offset T is applied from the standard reference wafer 1. Using the amount obtained by subtracting FS as a reference, other temperature sensor IC chips on the temperature sensor IC wafer 3 are trimmed.

以後、従来例と同様に、温度センサICウェハ3の、ダ
イシング工程(D)、バラゲージ工程(E)を行う。
Thereafter, similarly to the conventional example, the temperature sensor IC wafer 3 is subjected to a dicing process (D) and a bulk gauge process (E).

以上の方法において、配線パターン311を設けたので
、基準リファレンスウェハ1と比較して第一温度センサ
ICチップ31をトリミングし、温度センサICウェハ
3のまま第一温度センサICチップ31を温度校正して
オフセットを検出出来る。
In the above method, since the wiring pattern 311 is provided, the first temperature sensor IC chip 31 is trimmed by comparing it with the standard reference wafer 1, and the temperature of the first temperature sensor IC chip 31 is calibrated using the temperature sensor IC wafer 3. offset can be detected.

また、基準リファレンスウェハ1からオフセットを差引
いた量をリファレンスとして、温度センサICウェハ3
の同一ウエバ内の他の温度センサICチップのトリミン
グを行うようにしたので、従来例の如く、オフセットを
検出するための、第1グイシング工程、第1バツケージ
ング工程を行う必要がない。
Also, using the amount obtained by subtracting the offset from the standard reference wafer 1 as a reference, the temperature sensor IC wafer 3
Since the other temperature sensor IC chips in the same wafer are trimmed, there is no need to perform the first guising process and the first bagging process for detecting an offset as in the conventional example.

また、従来例において、オフセットを検出する温度セン
サICチップ211は切離された単体のチップであり、
一方、オフセットを計算にいれて、トリミングされるト
リミングウェハ22,23゜24.25はウェハ状態で
あるので、より高精度なトリミングを実施することが出
来ないが、本発明では、第一温度センサtCチップ31
のオフセットを検出して、同一ウェハのトリミングを行
うので、誤差が少ない。
Further, in the conventional example, the temperature sensor IC chip 211 for detecting the offset is a separate chip,
On the other hand, since the trimming wafers 22, 23° and 24.25 to be trimmed are in a wafer state by taking the offset into account, it is not possible to perform trimming with higher precision. tC chip 31
Since the offset of the wafer is detected and trimming is performed on the same wafer, there are few errors.

したがって、高精度で、安価な温度センサICチップが
得られる温度センサICウェハのトリミング方法が得ら
れる。
Therefore, a method for trimming a temperature sensor IC wafer is obtained that provides a highly accurate and inexpensive temperature sensor IC chip.

〈発明の効果〉 以上説明したように、本発明は、複数の温度センサIC
チップが形成された温度センサICウェハのトリミング
方法において、 温度センサICウェハのほぼ中央の位置の所定の第一温
度センサICチップに一端が接続され他端が該温度セン
サICウェハの周縁部に配置された配線パターンが設け
られた温度センサICウェハに、前記配線パターンに電
気的に接続されるコネクターを取付けて、基準リファレ
ンスウェハと比較して該第一温度センサICチップをト
リミングし、該温度センサICウェハのまま該第一温度
センサICチップを温度校正してオフセットを検出し、
前記基準リファレンスウェハから該オフセットを差引い
た量をリファレンスとして、該温度センサICウェハの
他の温度センサICチップのトリミングを行うようにし
たことを特徴とする温度セシサICウェハのトリミング
方法を採用したものである。
<Effects of the Invention> As explained above, the present invention provides a plurality of temperature sensor ICs.
In a method for trimming a temperature sensor IC wafer on which a chip has been formed, one end is connected to a predetermined first temperature sensor IC chip located approximately at the center of the temperature sensor IC wafer, and the other end is arranged at the periphery of the temperature sensor IC wafer. A connector electrically connected to the wiring pattern is attached to a temperature sensor IC wafer provided with a wiring pattern, and the first temperature sensor IC chip is trimmed by comparing it with a standard reference wafer. calibrating the temperature of the first temperature sensor IC chip as an IC wafer and detecting the offset;
A method for trimming a temperature sensor IC wafer, characterized in that other temperature sensor IC chips of the temperature sensor IC wafer are trimmed using an amount obtained by subtracting the offset from the standard reference wafer as a reference. It is.

この結果、 (1)配線パターンを設けたので、基準リファレンスウ
ェハと比較して第一温度センサICチップをトリミング
し、温度センサICウェハのまま第一温度センサICチ
ップを温度校正してオフセットを検出出来る。
As a result, (1) Since the wiring pattern was provided, the first temperature sensor IC chip was trimmed by comparing it with the standard reference wafer, and the temperature of the first temperature sensor IC chip was calibrated using the temperature sensor IC wafer to detect the offset. I can do it.

また、基準リファレンスウェハからオフセットを差引い
た量をリファレンスとして、温度センサIcウェハの同
一ウエバ内の他の温度センサICチップのトリミングを
行うようにしたので、従来例の如く、オフセットを検出
するための、第1ダイシング工程、第1パツゲージング
工程を行う必要がない。
In addition, other temperature sensor IC chips in the same wafer of the temperature sensor IC wafer are trimmed using the amount obtained by subtracting the offset from the standard reference wafer as a reference, so that the amount obtained by subtracting the offset from the standard reference wafer is used as a reference. , it is not necessary to perform the first dicing process and the first part gauging process.

(2)従来例において、オフセットを検出する温度セン
サICチップは切離された単体のチップであり、一方、
オフセットを計算にいれて、トリミングされるトリミン
グウェハはウェハ状態であるので、より高精度なトリミ
ングを実施することが出来ないが、本発明では、第一温
度センサICチップのオフセットを検出して、同一ウェ
ハのトリミングを行うので、誤差が少ない。
(2) In the conventional example, the temperature sensor IC chip that detects the offset is a separate chip;
Since the trimming wafer to be trimmed is in a wafer state, it is not possible to perform trimming with higher precision by taking the offset into account in calculation, but in the present invention, the offset of the first temperature sensor IC chip is detected, Since trimming is performed on the same wafer, there are few errors.

従って、本発明によれば、高精度で安価な温度センサI
Cチップが得られる温度センサICウェハのトリミング
方法を実現することが出来る。
Therefore, according to the present invention, a highly accurate and inexpensive temperature sensor I
A method for trimming a temperature sensor IC wafer that yields C chips can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例の工程説明図、第2図、第
3図は第1図の説明図、第4図は従来より一般に使用さ
れている従来例の工程説明図、第5図は第4図の1稈概
念図である。 1・・・リファレンスウェハ、3・・・温度センサIC
ウェハ、31・・・第1温度センサIC1311・・・
配線パターン、4・・・コネクター。
FIG. 1 is a process explanatory diagram of an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are explanatory diagrams of FIG. 1, and FIG. 4 is a process explanatory diagram of a conventional example commonly used. Figure 5 is a conceptual diagram of one culm in Figure 4. 1... Reference wafer, 3... Temperature sensor IC
Wafer, 31...first temperature sensor IC1311...
Wiring pattern, 4...connector.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  複数の温度センサICチップが形成された温度センサ
ICウェハのトリミング方法において、温度センサIC
ウェハのほぼ中央の位置の所定の第一温度センサICチ
ップに一端が接続され他端が該温度センサICウェハの
周縁部に配置された配線パターンが設けられた温度セン
サICウェハに、前記配線パターンに電気的に接続され
るコネクターを取付けて、基準リファレンスウエハと比
較して該第一温度センサICチップをトリミングし、該
温度センサICウェハのまま該第一温度センサICチッ
プを温度校正してオフセットを検出し、前記基準リファ
レンスウエハから該オフセットを差引いた量をリファレ
ンスとして、該温度センサICウェハの他の温度センサ
ICチップのトリミングを行うようにしたことを特徴と
する温度センサICウェハのトリミング方法。
In a method for trimming a temperature sensor IC wafer on which a plurality of temperature sensor IC chips are formed,
A temperature sensor IC wafer is provided with a wiring pattern, one end of which is connected to a predetermined first temperature sensor IC chip located approximately at the center of the wafer, and the other end of which is disposed at the periphery of the temperature sensor IC wafer. trim the first temperature sensor IC chip by comparing it with a standard reference wafer, calibrate the temperature of the first temperature sensor IC chip while using the temperature sensor IC wafer, and offset the temperature of the first temperature sensor IC chip. A method for trimming a temperature sensor IC wafer, characterized in that the other temperature sensor IC chips of the temperature sensor IC wafer are trimmed using the amount obtained by subtracting the offset from the standard reference wafer as a reference. .
JP63147883A 1988-06-15 1988-06-15 Trimming of temperature sensor ic wafer Pending JPH01315175A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9324704B2 (en) 2014-02-04 2016-04-26 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Electronic device, circuit and method for trimming electronic components

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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