JPH03268339A - Semiconductor sensor - Google Patents
Semiconductor sensorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、半導体センサに関するものであり、詳しくは
、半導体センサチップに加わる応力の影響の改善に間す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to a semiconductor sensor, and more specifically, to improving the effects of stress applied to a semiconductor sensor chip.
〈従来の技術〉
第4図は、従来の半導体センサの要部の一例を示す構成
説明図である9図において、半導体センサチップ1(例
えば温度センサ)は配線部分が表になるようにして例え
ばエポキシ系の接着剤2を介してベース3にグイボンド
されている。これら半導体センサチッ11およびベース
3は図示しないカンパラゲージ内に収納封着される。ま
た、カンパラゲージのリードピンには半導体センサチッ
プ1の配線部がワイヤボンディングされるが図示しない
。<Prior Art> FIG. 4 is a configuration explanatory diagram showing an example of the main parts of a conventional semiconductor sensor. In FIG. It is bonded to a base 3 via an epoxy adhesive 2. These semiconductor sensor chip 11 and base 3 are housed and sealed in a camper gauge (not shown). Furthermore, the wiring portion of the semiconductor sensor chip 1 is wire-bonded to the lead pins of the Kampara gauge, but this is not shown.
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、このような従来の構成によれば、半導体センサ
チップ1のダイボンドに用いる接着剤によって半導体セ
ンサチップ1に応力が加わることになる。<Problems to be Solved by the Invention> However, according to such a conventional configuration, stress is applied to the semiconductor sensor chip 1 by the adhesive used for die-bonding the semiconductor sensor chip 1.
この結果、半導体ウェハの状態での10−ビング測定に
よって優れた特性(例えば直線性)が得られた半導体セ
ンサチップであってもダイボンドによって歪みが発生し
、特性が悪化したり、出力信号レベルが変動してしまう
ことがある。As a result, even if a semiconductor sensor chip has excellent characteristics (e.g. linearity) obtained by 10-bing measurements on a semiconductor wafer, distortion occurs due to die bonding, resulting in deterioration of the characteristics or a decrease in the output signal level. It may change.
また、グイボンドによる歪みの大きさには個体差が生じ
ることは避けられず、特性に変動が出てしまう。Furthermore, it is inevitable that there will be individual differences in the magnitude of distortion caused by Guibond, resulting in variations in characteristics.
さらに、ダイボンドに接着剤を使用していることから、
半導体センサの使用温度範囲は接着剤の特性で制限され
ることにもなる。Furthermore, since adhesive is used for die bonding,
The operating temperature range of semiconductor sensors is also limited by the characteristics of the adhesive.
本発明は、このような点に着目したものであり、その目
的は、半導体センサチップに加わる応力を除去すること
により特性の向上を図るとともに、広い使用温度範囲が
得られる半導体センサを提供することにある。The present invention has focused on these points, and its purpose is to provide a semiconductor sensor that improves characteristics by removing stress applied to a semiconductor sensor chip and that can be used over a wide temperature range. It is in.
〈課題を解決するための手段〉
本発明の半導体センサは、
半導体センサチップと、
この半導体センサチップの接続部分に形成されたバンプ
と、
このバンブを介して半導体センサが接続される配線パタ
ーンが形成されたキャリアテープと、このキャリアテー
プの配線パターンを外部に接続する電極を有し、キャリ
アテープを内包するパッケージ、
とで構成されたことを特徴とする。<Means for Solving the Problems> The semiconductor sensor of the present invention includes: a semiconductor sensor chip; a bump formed at a connecting portion of the semiconductor sensor chip; and a wiring pattern to which the semiconductor sensor is connected via the bump. and a package containing the carrier tape and having an electrode for connecting the wiring pattern of the carrier tape to the outside.
〈作用〉
半導体センサチップはキャリアテープを介してパッケー
ジに収納される。<Function> The semiconductor sensor chip is housed in a package via a carrier tape.
これにより、半導体センサチップに応力がかかることは
なく、優れた特性が得られる。As a result, no stress is applied to the semiconductor sensor chip, and excellent characteristics can be obtained.
また、接着剤を使わないので、接着剤に起因する使用範
囲の制限を受けることもない。Furthermore, since no adhesive is used, there are no restrictions on the range of use due to adhesives.
〈実施例〉 以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。<Example> Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第2図は
第1図の製作工程の流れを示すフローチャート、第3図
は第2図の製作工程図である。FIG. 1 is a configuration explanatory diagram showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flowchart showing the flow of the manufacturing process of FIG. 1, and FIG. 3 is a manufacturing process diagram of FIG. 2.
まず、第1図において、半導体センサチップ4の接続部
分にはバンブ5が形成されている。このバンブ5はキャ
リアチーズ6の図示しない配線パターンに接続されてい
る。キャリアチーズ6はパッケージ7の段付部8に嵌め
合わされ、配線パターンは図示しない電極に接合固着さ
れている。そして、パッケージ7の開口部はカバー9で
塞がれ、封止されている。First, in FIG. 1, a bump 5 is formed at the connection portion of the semiconductor sensor chip 4. As shown in FIG. This bump 5 is connected to a wiring pattern (not shown) of the carrier cheese 6. The carrier cheese 6 is fitted into the stepped portion 8 of the package 7, and the wiring pattern is bonded and fixed to an electrode (not shown). The opening of the package 7 is closed and sealed with a cover 9.
具体的な製作工程を説明する。The specific manufacturing process will be explained.
完成ウェハについて、各半導体センサチップ4の検査を
行った後(ステップ■)、各チップ4にバンブ5を形成
する(ステップ■)。そして、半導体センサチップ4を
タイシングする(ステップ■)。これにより、第3図(
a)のような半導体センサチップ4が得られる。一方、
キャリアチルプロについても、検査を行う(ステップ■
)、検査が完了した後、第3図(b)のように半導体セ
ンサチップ4のバンブ5をキャリアテープ6の配線パタ
ーンに′!#枕する(ステップ■)、このようにして半
導体センサチップ4が取り付けられたキャリアテープ6
を第3図(C)のようにパッケージ7の段付#8に嵌め
合わせ、キャリアテープ6の配線パターンとパッケージ
7に設けられている電極とを接合固着する(ステップ■
)、そして、第3図(d)のようにパッケージ7の開口
部を塞ぐようにカバー9を重ね合わせて封止する(ステ
ップ■)。After inspecting each semiconductor sensor chip 4 on the completed wafer (step 2), bumps 5 are formed on each chip 4 (step 2). Then, the semiconductor sensor chip 4 is tiled (step ■). As a result, Figure 3 (
A semiconductor sensor chip 4 as shown in a) is obtained. on the other hand,
Carrier Chill Pro is also tested (Step ■
), After the inspection is completed, the bumps 5 of the semiconductor sensor chip 4 are connected to the wiring pattern of the carrier tape 6 as shown in FIG. 3(b). #Put the carrier tape 6 on which the semiconductor sensor chip 4 is attached in this way (step ■)
As shown in FIG. 3(C), fit it into the stepped #8 of the package 7, and bond and secure the wiring pattern of the carrier tape 6 and the electrode provided on the package 7 (Step 2).
), and the cover 9 is overlaid and sealed so as to close the opening of the package 7 as shown in FIG. 3(d) (step 2).
このような工程により、第1図のような半導体センサが
形成される。Through these steps, a semiconductor sensor as shown in FIG. 1 is formed.
このようにして構成される半導体センサは、半導体セン
サチップ4がキャリアテープ6を介してパッケージ7に
取り付けられるので半導体センサチップ4にパラゲルシ
フがら応力が加わることはなく、ウェハ状態でのプロー
ビングによる測定結果と同様の特性を得ることができ、
出方信号の変動も防止できる。In the semiconductor sensor configured in this way, since the semiconductor sensor chip 4 is attached to the package 7 via the carrier tape 6, no stress is applied to the semiconductor sensor chip 4 due to paragel shift, and the measurement results obtained by probing in the wafer state are It is possible to obtain characteristics similar to
Fluctuations in the output signal can also be prevented.
また、応力がないことがら、応力に起因する特性のバラ
ツキを解決できる。Furthermore, since there is no stress, it is possible to resolve variations in properties caused by stress.
また、従来のような接着剤を用いていないので、接着剤
によって制限されていた使用可能温度範囲を拡大できる
。Furthermore, since no adhesive is used as in the past, the usable temperature range, which was previously limited by the adhesive, can be expanded.
なお、上記実施例では温度センサの例を説明したが、例
えば光センサなどにも有効である。In the above embodiment, an example of a temperature sensor has been described, but it is also effective for, for example, an optical sensor.
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、半導体センサチ
ップに加わる応力を除去することにより特性の向上を図
るとともに、広い使用温度範囲が得られる半導体センサ
が実現できる。<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, it is possible to realize a semiconductor sensor that improves characteristics by removing stress applied to a semiconductor sensor chip and that can be used over a wide temperature range.
第1図は本発明の一実施例を示す構成説明図、第2図は
第1図の製作工程の流れを示すフローチャート、第3図
は第2図の製作工程図第4図は従来の装置の構成説明図
である。Fig. 1 is a configuration explanatory diagram showing one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a flowchart showing the flow of the manufacturing process of Fig. 1, Fig. 3 is a manufacturing process diagram of Fig. 2, and Fig. 4 is a conventional apparatus. FIG.
Claims (1)
続部分に形成されたバンプと、このバンプを介して半導
体センサが接続される配線パターンが形成されたキャリ
アテープと、このキャリアテープの配線パターンを外部
に接続する電極を有し、キャリアテープを内包するパッ
ケージ、とで構成されたことを特徴とする半導体センサ
。A semiconductor sensor chip, a bump formed at the connecting portion of this semiconductor sensor chip, a carrier tape on which a wiring pattern is formed to connect the semiconductor sensor via this bump, and the wiring pattern of this carrier tape is connected to the outside. 1. A semiconductor sensor comprising: a package containing an electrode and a carrier tape;
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6600690A JPH03268339A (en) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | Semiconductor sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6600690A JPH03268339A (en) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | Semiconductor sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03268339A true JPH03268339A (en) | 1991-11-29 |
Family
ID=13303431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6600690A Pending JPH03268339A (en) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | Semiconductor sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03268339A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011523068A (en) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | System support for electronic elements and manufacturing method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55143040A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-08 | Hitachi Ltd | Tape carrier type semiconductor device |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6600690A patent/JPH03268339A/en active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS55143040A (en) * | 1979-04-25 | 1980-11-08 | Hitachi Ltd | Tape carrier type semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011523068A (en) * | 2008-06-13 | 2011-08-04 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | System support for electronic elements and manufacturing method thereof |
US9331010B2 (en) | 2008-06-13 | 2016-05-03 | Epcos Ag | System support for electronic components and method for production thereof |
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