JPH01312874A - 有機薄膜el素子 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- -1 quinoline chelate complex Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000004697 chelate complex Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
EL(電界発光)索子に関するものである。
ラー表示素子を実現するものとして注目を集め、−時期
活発に研究されたものの、ZnS :Mn系の無機薄膜
EL素子に比べ輝度が低く、特性劣化も激しかったため
、実用には到らなかった。
化への障害になっていた。
の有機薄膜EL素子が報告され、この素子に強い関心が
集められている。(参考文献ニアブライド・フィジック
ス・レターズ、51巻、913ページ、 1987年)
、この文献によれば螢光性金属キレート錯体を有機螢光
体薄膜層に、アミン系材料を正孔伝導層に使用して明る
い緑色発光が得られ、6〜7vの直流電圧印加で数10
0 cd/イの輝度を有し、最大螢光効率は1.51
n/Wと、実用レベルに近い性能を持っていることが報
告されている。
ス基板21上に透明電極22を形成し、その上に正孔注
入層23と有機薄膜発光層24とをそれぞれ500 A
程度積層し、最上層に背面電極25を形成してシール用
カバー26で覆ったものである。
素子は、初期特性としては実用レベルの発光特性を持っ
ている。しかし、問題は発光特性の劣化が非常に速いこ
とである0例えば、乾燥アルゴン中で51mA/cdの
一定電流で駆動したところ、初期50cd/ rr?で
あった輝度が100時間時間15〜20cd/ばに低下
した。この間、印加電圧は約5.5Vより14Vに上昇
している。また、素子製造過程に充分注意を払い、さら
に素子にシールをしても、この劣化を防止することが困
難であった。EL素子として実用化のためには、少なく
とも一定電圧印加のもとて輝度半減時間が1000時間
であることか必要である。
を提供することにある。
素子においては、少なくとも一方が透明である一対の電
極間に、有機螢光体薄膜I−と、積層の一面に接して積
層された正孔伝導性を示す無機半導体薄膜層と、前記有
機螢光体薄膜層の他方の面に接して積層された電子伝導
性を示す無機半導体薄膜層との三層の積11構造を有す
るものである。
分にシールをし、その素子を乾燥アルゴン中でエージン
グ試験をしたところ、さきに述べたように輝度低下・発
光閾値電圧の上昇という劣化が生じた。この劣化原因を
詳細に調査した結果、以下に示す2点が主な原因であっ
た。一つは正孔注入層からの正孔注入効率が低下してい
ること、他の一つは背面電極界面の劣化であった。正孔
注入効率の低下は、■素子駆動時に発生する0、 2W
/i前後のジュール熱で、一般に耐熱性の劣る有機正孔
注入層材の変質と、■通電自体による正孔注入層の高抵
抗化により生じている。背面電極界面の劣化は、■背面
電極及びガラスシール形成時に有機螢光体薄膜層が大気
に触れ、このとき酸素や湿気を吸着すること、■高い電
子注入効率を持つマグネシウム等化学的活性の高い金属
を使用しているため、電極界面で電気化学反応か生じる
ことによる。
あり、プロセスの改善や素子構造の改造では解決できな
い、更に■を解決するためにはシール工程に多くの時間
が必要になり、経済的に不都合である。
有機正孔注入材料に比べ格段に安定性が優れているとと
もに、高い正孔濃度・移動度を有している正孔伝導(P
)型無機半導体に注目した。
効率の高い無機半導体薄膜を電子注入材料として試みな
1本発明は、従来の有機正孔注入層材料及び電子注入材
料の代わりに正孔及び電子伝導性の無機半導体を正孔注
入層及び電子注入層として使用した結果、安定な発光特
性を有する素子が得られたことに囚っている。
l−X cx (0≦X≦1)が実用的に優れてい
た。非晶質あるいは微結晶のS i + −x Cx薄
膜は大面積成膜も容易であり、ドーピングによりPN制
御することも簡昨である。また、通電や温度による電気
特性の変化も少なく、電極材料との電気化学的反応もな
い、従来の素子は電子注入金属材料に依存していたが、
本発明による素子はそのような依存性が無いためアルミ
ニウム等の金属も使用できるようになった。更に透光性
も優れている。
は正孔注入層を形成することができるため素子形成後の
シール工程を大幅に短縮できた。
As。
とする各種P型あるいはN型無機半導体を組み合わせて
使用することができる。
あった。また、有機螢光体材料を使用しているため多色
発光が容易であると期待されていた。しかし、信頼性・
寿命が充分でなかった。これに対し、本発明ではP型お
よびN型無機半導体薄膜より安定にキャリアを注入する
ことにより有機薄膜EL素子の特徴を生かしたまま、従
来より大幅に信頼性が高い素子を提供できる。
を詳細に説明する。
(ITO)2.P型Si+−xCxによる正孔注入層3
.有機螢光体薄膜層4.N型S i I−x Cxによ
る電子注入層5及び背面電極6がiA次積層されている
。すなわち、一対の電極2.6間に、有機螢光体薄膜層
4と、その両面にそれぞれ接して積層されたP型st+
−xcxl膜およびN型S l +−x Cx薄膜によ
る止孔注入層3と電子注入層5との三層の積層構造を有
するものである。なお、その全体はシール用カバー7で
覆われている。
及び電子注入層5はECRプラズマCVD法で形成しな
、電気伝導率は10−1〜10’ 5cts−’程度の
P型あるいはN型半導体薄膜である。膜厚は100〜1
000人であり、はとんど透明である。有機螢光体薄膜
4の膜厚は50〜1000人形成した、ここに使用した
材料は螢光性金属キノリンキレート錯体である。その化
学式を第2図に示す。
ム蒸着で約2000人形成した。
よる背面電極6側を賃として約10Vの直流電圧を印加
することにより、約500cd/ rdの明るい緑色発
光を得ることができた。また定電圧印加の状態で100
時間エージングを行なったところ、ff度低下は10%
程度であり、格段に安定性か向上した。
も劣化は非常に少なかった。
す有機化合物であれば一般に使用することができる0例
えば、本実施例に示したアルミニウムのキノリンキレー
ト錯体を始め、銅、カドニウム、マグネシウム等のキノ
リン錯体や、金属フタロシアニン錯体等や、アントラセ
ン、テトラセン、ナフタセン等の縮合多環化合物全般と
その誘導体が使用できる0本発明は使用される有機螢光
体材料を制限するものではない。
−x Czに限定するものではなく、他にCuj、Cu
SあるいはP型のm−v、n−vrあるいは■族生導体
薄膜が使用できる。電極は銀・マグネシウム合金のほか
、マグネシウム、インジウム、アルミニウム、スズ、金
、白金や銀が使用できた。
次のような効果がある。すなわち、1)従来の有機薄膜
EL素子に比べ、エージングによる輝度低下が少なくな
った。
度による特性変化が少なくなった。
ることができた。これは、低電圧で有効に正孔および電
子を注入できるようになったためである0例えば、DC
6Vでも実用レベルの輝度が得られた。
ベルまで引き上げることができ、その工業的価値は高い
。
構造を示す図、第2図は本発明に用いた螢光性金属キノ
リンキレート錯体の化学式を示す図、第3図は従来の有
機薄膜EL素子の断面構造を示す図である。 1・・・ガラス基板 2・・・透明電極3−P
型5it−xcx薄膜 (正孔伝導性を示す無機半導体薄膜H1)4・・・有機
螢光体薄膜層 5 ・N型Sj+−xCx薄膜 (電子伝導性を示す無機半導体薄膜層)6・・・背面電
極 第2図 第3図
Claims (1)
- (1)少なくとも一方が透明である一対の電極間に、有
機螢光体薄膜層と、該層の一面に接して積層された正孔
伝導性を示す無機半導体薄膜層と、前記有機螢光体薄膜
層の他方の面に接して積層された電子伝導性を示す無機
半導体薄膜層との三層の積層構造を有することを特徴と
する有機薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14298788A JP2581165B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 有機薄膜el素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14298788A JP2581165B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 有機薄膜el素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01312874A true JPH01312874A (ja) | 1989-12-18 |
JP2581165B2 JP2581165B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=15328298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14298788A Expired - Lifetime JP2581165B2 (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 有機薄膜el素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2581165B2 (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071121 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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R371 | Transfer withdrawn |
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