JPH0131257B2 - - Google Patents

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JPH0131257B2
JPH0131257B2 JP22479A JP22479A JPH0131257B2 JP H0131257 B2 JPH0131257 B2 JP H0131257B2 JP 22479 A JP22479 A JP 22479A JP 22479 A JP22479 A JP 22479A JP H0131257 B2 JPH0131257 B2 JP H0131257B2
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JP
Japan
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electron beam
magnetic field
focusing
cathode ray
ray tube
Prior art date
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Expired
Application number
JP22479A
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English (en)
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JPS5593641A (en
Inventor
Kyohei Fukuda
Soichi Sakurai
Masanobu Takada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5593641A publication Critical patent/JPS5593641A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電磁集束形陰極線管、特に内蔵永久磁
石による電磁集束レンズを備えた電磁集束形陰極
線管に関するものである。
一般に、陰極線管の電子ビーム電磁手段として
は、静電集束方式と電磁集束方式の2種類があ
り、解像度の点においては、電磁集束方式のもの
が高い解像度が得られる。これは電磁集束レンズ
系では電子ビーム集束作用を行なうレンズ空間に
おいて、静電集束方式よりも高い電圧が印加でき
るため、電子相互の反撥による電子ビームの広が
りが小さく抑制されることに第1の原因がある。
また、第2の原因としては、レンズ作用を行なう
作用空間の電子ビーム進行方向距離を、電磁集束
方式の方が静電集束方式の場合よりも長くとれる
ため、球面、色収差を小さくできることにある。
しかしながら、このような利点を有する電磁集束
方式も従来は集束磁界発生用コイルを陰極線管の
外面に取り付けたり、コイル電流源が必要となつ
たりして重量や価格等を上昇させるなどの欠点を
有しているため、一部の陰極線管のみしか用いら
れていなかつた。しかしながら、このような問題
を解決するために、最近では電子銃電極系の一部
に電子ビームの通路に沿つて加速電極の作用を兼
ねた一対の集束磁性体を組み込み、集束磁界を効
率的に形成させることや、集束磁性体による磁界
形成効率の向上を利用して集束磁界を、管内に内
蔵した永久磁石によつて発生させることが提案さ
れている。
第1図、第2図、第3図、第4図は集束磁性体
と永久磁石とから構成される集束磁気回路を組込
んだ電磁集束形陰極線管の一例を示したものであ
り、第1図は陰極線管の要部断面図、第2図は第
1図の整磁用ヨークの横断面図、第3図はその縦
断面図、第4図はその側面図である。これらの図
において、1はバルブ、1aは螢光面、2はカソ
ード、3は第1グリツド、4は第2グリツド、5
は第3グリツド、6は整磁用ヨーク、7は電子ビ
ーム通過孔、8は電子ビームの進行方向に着磁さ
れた永久磁石、9,10,11は電子ビーム、1
2は集束磁界分布、13は漏洩磁界である。
このように構成された電磁集束形陰極線管にお
いて、カソード2から放出された電子は、カソー
ド2、第1グリツド3、第2グリツド4によつて
構成される三極レンズによつて集束作用を受けて
いわゆるクロスオーバを形成する。その後、約
20KV程度の高電圧が印加された第3グリツド5
によつて電子は一定の発散角を有して加速され、
永久磁石8と整磁用ヨーク6とによつて構成され
た集束磁気回路による集束磁界領域内に入る。こ
こで、この集束磁界領域は、永久磁石8により発
生した磁束が電子ビーム通過孔7を設けた整磁用
ヨーク6によつて吸収され、一対の整磁用ヨーク
の間隙部で管軸と平行のほぼ均一な集束磁界分布
12となるため、この磁界分布12のもとでは複
数の各電子ビーム9,10,11は理想的な集束
作用を受け、特に管軸上にないサイドビーム9,
11に対して悪影響を与えることなく、この集束
磁界分布12によるレンズ作用によつて上述した
クロスオーバの像点が螢光面1a上に得られる。
また、無偏向時においても各電子ビーム9,1
0,11が螢光面1aの中心附近に到達する。
しかしながら、上記構成による電磁集束形陰極
線管において、無偏向時の各電子ビーム9,1
0,11は、螢光面1a上の一点には完全に集束
されない。これは、例えば、14インチ90度偏向の
カラーブラウン管の場合、各電子ビーム9,1
0,11はそれぞれ約25mmずれている。これは永
久磁石8により発生した磁界が全て一対の整磁用
ヨーク6の間隙部に存在するのではなく、整磁用
ヨーク6に漏洩磁界13が発生するとともに、こ
の漏洩磁界13が各電子ビーム9,10,11に
対して均一でなく、特にサイドビーム9,11に
対して管軸に垂直な動径方向成分が存在するため
である。また、この漏洩磁界13は、偏向系にも
悪影響を及ぼし、画像の色ずれ、色むらの発生原
因となつていた。
したがつて本発明の目的は、上記従来の欠点を
除去するためになされたものであり、永久磁石と
整磁用ヨークとからなる磁気回路からの漏洩磁界
を低減させ、各電子ビームに対する電磁集束作用
を同等とするとともに、偏向磁界系に与える悪影
響を除去した電磁集束形陰極線管を提供すること
にある。
このような目的を達成するために本発明による
電磁集束形陰極線管は、整磁用ヨークの各電子ビ
ーム通過孔縁部に各電子ビームの中心軸と軸が一
致する軟強磁性材の円筒部を設けたものである。
以下図面を用いて本発明による電磁集束形陰極線
管について詳細に説明する。
第5図、第6図、第7図は本発明による電磁集
束形陰極線管、特に電磁集束作用空間に配置する
集束磁気回路の一実施例を示したものであり、第
5図は要部横断面図、第6図はその縦断面図、第
7図はその側面図であり、第1図〜第4図と同記
号は同一要素となるのでその説明は省略する。こ
れらの図において、14は軟強磁性材により形成
された整磁用ヨークであり、この一対の整磁用ヨ
ーク14は、電子ビーム9,10,11の通過孔
7をインライン状に設けた円板状の整磁用ヨーク
本体14aがそれぞれその通過孔7を電子ビーム
9,10,11の進行方向軸に一致させるように
して永久磁石8の両磁極面に密着配置され、かつ
この整磁用ヨーク本体14aの各電子ビーム通過
孔7の縁部から管軸方向に平行でかつ互いに離間
する方向に延在する円筒部14bがそれぞれ独立
して一体的に設けられて構成されている。
このような構成によれば、永久磁石8からの磁
界の大部分は、一対の整磁用ヨーク14の間隙部
に集束磁界分布12として生じ、また漏洩磁界1
3は円筒部14b外面から外側に向うことにな
り、特にこの円筒部14bの内側での漏洩磁界1
3は大幅に少なくなる。
第8図は集束磁気回路の管軸方向の磁界分布を
示したものであり、点線で示した特性は従来の
磁界分布を示し、実線で示した特性は本発明の
磁界分布を示したものである。また領域Aは整磁
用ヨークの間隙部を示し、領域B、Cは漏洩磁界
発生領域を示し、特に領域Bは円筒部14bの内
部領域、領域Cは磁気回路外領域を示したもので
ある。同図から明らかなように、漏洩磁界発生領
域B、Cにおいて、実線で示した本発明による漏
洩磁界分布領域が点線で示した従来の漏洩磁界分
布領域に対して約1/3程度と小さくなるため、漏
洩磁界発生領域における漏洩磁界が大幅に低減さ
れていることが判る。また、本発明による整磁用
ヨーク14に漏洩磁界13は、各電子ビーム用の
整磁用円筒部14b外面から発生するものであ
り、各電子ビーム9,10,11の中心軸に対し
て軸対称に近い分布となつている。したがつて、
この漏洩磁界13によるレンズ作用は各電子ビー
ム9,10,11に独立に作用し、電子ビーム
9,10,11がレンズの周辺を通過することに
基ずくスタテイツクエンバーゼンスずれ、スポツ
ト径劣化等の悪影響はない。
以上説明したように本発明によれば、簡単な構
成で電子ビーム集束用磁気回路の漏洩磁界を低減
できるため、無偏向時においても各電子ビームを
螢光面の中心に集束させることができ、また偏向
系への影響も少なくなり、画面の色ずれ、色むら
の少ない電磁集束形陰極線管が得られる極めて優
れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電磁集束形陰極線管の一例を示
す要部横断面図、第2図、第3図、第4図は第1
図の集束磁気回路の要部横断面図、縦断面図、側
面図、第5図、第6図、第7図は本発明による電
磁集束形陰極線管に係わる集束磁気回路の一実施
例を示す要部横断面図、縦断面図、側面図、第8
図は集束磁気回路の管軸上位置に対する磁界分布
を示す特性図である。 1……バルブ、1a……螢光面、2……カソー
ド、3……第1グリツド、4……第2グリツド、
5……第3グリツド、6……整磁用ヨーク、7…
…電子ビーム通過孔、8……永久磁石、9,1
0,11……電子ビーム、12……集束磁界分
布、13……漏洩磁束、14……整磁用ヨーク、
14a……整磁用ヨーク本体、14b……円筒
部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 三電子ビーム通過孔を有する2枚の整磁用ヨ
    ークを電子ビームの進行方向に着磁した永久磁石
    の両磁極面に設けてなる電磁集束手段を陰極線管
    ネツク部内に設けたマルチビーム電磁集束形陰極
    線管において、前記三電子ビーム通過孔の縁部に
    各電子ビームと中心軸を一致させかつ互いに離間
    する方向に軟強磁性材からなる円筒部を設けたこ
    とを特徴とする電磁集束形陰極線管。
JP22479A 1979-01-08 1979-01-08 Electromagnetic focussing cathode ray tube Granted JPS5593641A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22479A JPS5593641A (en) 1979-01-08 1979-01-08 Electromagnetic focussing cathode ray tube

Applications Claiming Priority (1)

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JP22479A JPS5593641A (en) 1979-01-08 1979-01-08 Electromagnetic focussing cathode ray tube

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Publication Number Publication Date
JPS5593641A JPS5593641A (en) 1980-07-16
JPH0131257B2 true JPH0131257B2 (ja) 1989-06-23

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JP22479A Granted JPS5593641A (en) 1979-01-08 1979-01-08 Electromagnetic focussing cathode ray tube

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010262930A (ja) * 2002-06-26 2010-11-18 Semequip Inc 水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法

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