JPH01307085A - 磁気バブル記憶装置のセンスしきい値制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 広温度範囲においてバブルメモリの安定したセンス出力
マージンを得るための磁気バブル記憶装置のセンスしき
い値制御装置に関し、 動作させようとする温度でのバブルメモリのセンス信号
に最も適したしきい値電圧を作り出せる磁気バブル記憶
装置のしきい値電圧制御装置を提供することを目的とし
、 磁気バブルメモリ部と、磁気バブルメモリ部への情報の
書込みおよび読出しを制御する制御手段と、磁気バブル
メモリ部からのセンス出力をロジックレベルに変換する
センス信号変換手段と、制御手段からの制御信号により
センスしきい値電圧を発生しセンス信号変換手段に出力
するしきい値電圧発生手段とをそなえ、外部から該制御
手段に対して予め定められた特定の命令が与えられた場
合、該制御手段は磁気バブルメモリ部の特定の記憶領域
の情報を読出すとともに、該情報の読出しに同期して該
しきい値電圧発生手段で定められた範囲内でしきい値電
圧を順次変化させ、それに伴って読出された情報をもと
にして該制御手段は適正なしきい値電圧を算出し、該算
出されたしきい値電圧を該しきい値電圧発生手段に設定
するように構成される。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、広温度範囲においてバブルメモリの安定した
センス出力マージンを得るための磁気バブル記憶装置の
センスしきい値制御装置に関する。

磁気バブルメモリは悪環境で使用されることが多いが、
併せて広温度範囲での動作も要求される場合がほとんど
である。また、外来ノイズ等が大きい場合もある。

一方、バブルメモリのセンス出力は温度特性をもってい
るので、広温度範囲で動作をさせる場合には温度補正が
必要となる。さらに、外来ノイズ等が大きい時は、−段
と厳格な補正が要求される。

〔従来の技術〕

従来の磁気バブル記憶装置においては、サーミスタ又は
サーミスタと抵抗による合成抵抗を用いてセンス信号の
スライスレベルの基準電圧（しきい値電圧）に直接温度
補正をかけていた。

すなわち例えば第４図に示されるようにサーミスタ１７
と抵抗１８との接続点からとり出される温度補正後のし
きい値電圧７をセンス信号変換手段３に入力し、磁気バ
ブルメモリ部１から読出された微小センス信号出力６を
、該センス信号変換手段３において該しきい値電圧７に
応じて“ｏ″又は“１”のロジックレベルのセンス出力
信号８に変換して制御手段２に入力される。なお第４図
中、５は制御手段２から出力される駆動タイミング信号
、１０はホストコンピュータと該制御手段２とを接続す
るシステムバスである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら上記従来技術によると、温度補正特性はサ
ーミスタ自身の温度特性で決ってしまうが、この場合チ
ーミ不夕の温度特性は指数関数的であるので、直線的な
温度特性をもつセンス信号をうまく補正できないという
問題点があった。

本発明はかかる問題点を解決するためになされたもので
、動作させようとする温度に応じて、その温度でのバブ
ルメモリのセンス信号に最も適したしきい値電圧を作り
出せるようにした磁気バブル記憶装置のしきい値電圧制
御装置を提供するようにしたものである。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明装置の基本構成を示すもので、上記第４
図の従来例と共通する部分には共通の符号が付されてい
る。該第１図中、１は磁気バブルメモリ部であり情報が
記憶される部分、２は制御手段であり、該メモリ部１へ
の情報の書込み又は読出しの制御を行うもの、３はセン
ス信号変換手段であり、該メモリ部１よりの微小センス
信号出力をロジックレベルに変換する部分、４はしきい
値電圧発生手段であり、制御手段２からの制御により所
定の（上記動作温度に応じた）しきい値電圧を発生し、
該変換手段３に該所定のしきい値電圧を与えるもの、５
は制御手段２から出力される駆動タイミング信号、６は
該メモリ部１から読出される微小センス信号出力、７は
上記しきい値電圧、８は該微小センス信号出力６が該し
きい値電圧７に応じて該変換手段３を通して変換された
“０”又は１ｍのロジックレベルのセンス出力信号、９
は該制御手段２から該しきい値電圧発生手段４に与えら
れるしきい値電圧設定信号、１０はホストコンピュータ
と該制御手段２とを接続するシステムバス、１１はバブ
ルメモリ部１内の記憶領域であり、１１−１は通常の記
憶領域、１１−２はしきい値電圧を決定するための特定
のデータの記憶領域である。

〔作　用〕 第２図は第１図の装置の動作を説明するタイミング図で
あって、先ずタイミング１２でホストコンピュータより
バスｌＯを通して特定の命令が入力されると、制御手段
２は駆動タイミング信号５を出力してメモリ部１の駆動
（回転磁界によるバブルの転送）を開始する。次いでタ
イミング１３でレプリケータを駆動して上記記憶領域１
１−２より特定データを読出し微小センス信号出力６を
得る。

該微小センス信号出力６は制御タイミング信号に同期し
て該記憶領域１１−２から１ビツトずつ読出されるが、
第２図に示される例では前半の出力データ６−１は“１
”（すなわちバブルあり）、後半の出力データ６−２は
“０２（すなわちバブルなし）とされ、それぞれ例えば
マイナーループの数に相当するビット数（例えば２５６
ビツト）ずつ出力され、これらの出力データがサンプル
データとして使用される。一方、このセンス出力タイミ
ングと同期して、制御手段２はしきい値電圧発生手段４
に所定のしきい値電圧設定信号（ハイレベルからロウレ
ベルに至るすべての段階、すなわち上記の例では２５６
段階の設定信号）９を供給して該しきい値電圧７を順次
変化させる（すなわち例えば該“１”の出力データ６−
１が順次出力されるタイミングで咳しきい値電圧７をハ
イレベルからロウレベルまで１段階毎に低下させ、次い
で該“０”の出力データ６−２が順次出力されるタイミ
ングで該しきい値電圧７をロウレベルからハイレベルま
で１段階毎に上昇させる）。

この結果、該センス信号変換手段３からロジックセンス
出力８が得られるが、この場合該出力領域１５−１では
出力データ“１”を“０”と、また１５−３では出力デ
ータ“０”を“１”と誤って変換しており、一方該出力
領域１５−２および１５−４では正しく変換しているの
で、その変換結果にもとづいて該制御手段２において、
上記誤変換領域と正常変換領域との境界値１４−１およ
び１４−２が検出される。これにより該制御手段２にお
いてこれらの境界値１４−１および１４−２よりそのと
きの温度に応じた最適のしきい値電圧が算出され、タイ
ミング１６で、そのときの動作温度での最適のしきい値
電圧Ｖｔｈが設定される。

〔実施例〕

第３図は上記第１図の構成を具体化した１実施例を示す
もので、制御手段２はホストコンピュータとのインタフ
ェース回路、駆動タイミングを発生するタイミングジェ
ネレータ回路などからなる制御Ｂ回路２−１　と、この
制御回路をコントロールするＭ　Ｐ　Ｕ　２−２とから
なっている。しきい値電圧発生手段４はラッチ回路４−
１　、　Ｄ／Ａコンバータ４−２および分圧抵抗４−３
．４−４からなっている。センス信号変換手段３はセン
スアンプ３−１および実際のスライスレベル（しきい値
電圧）生成手段（例えば分圧回路）３−２からなってい
る。

ＭＰＵ２−２からのデータバスはラッチ回路４−１の入
力側に接続されおり、ＭＰＵからのライト信号により図
示の例では該ラッチ回路４−１に２６すなわち２５６段
階（すなわちＯＯ乃至ＦＦ）のうちの任意のデータが設
定可能とされている。該ラッチ回路４−１の出力はＤ／
Ａコンバータ４−２の入力に接続され、上述した設定値
にしたがって所定の電圧が出力され、抵抗４−３と４−
４とで分圧され、適当な電圧値とされ、更にセンス信号
変換手段３内のアナログスイッチ（例えば分圧回路）３
−２において実際のスライスレベル（すなわちしきい値
電圧）が生成される。このようにして生成されたしきい
値電圧が入力されるセンスアンプ３−１は、メモリ部１
　（この場合上記記憶領域１ｌ−２）から読出されるセ
ンス入力を該入力されるしきい値電圧に応じて“０“又
は“１”のロジックレベルに変換し、センスストローブ
タイミング信号５−１のタイミングに同期してロジック
センス出力信号８が該センスアンプ３−１から制御回路
２−１に対して出力される。

該制御回路２−１においては所定のタイミング毎に入力
されるロジックセンス出力信号８の値をもとにして上記
境界値１４−１および１４−２を検出し、これらの境界
値をもとにして該ＭＰＵ２−２においてそのときの動作
温度に応じた最適のしきい値電圧Ｖｔｈが算出され、該
算出されたしきい値電圧が上述のようにして該ラッチ回
路４−１にその都度設定される。

〔発明の効果〕

本発明によれば、センス信号変換回路のしきい値を、そ
れぞれの使用温度での最適値に設定することにより、広
温度範囲で十分なセンスマージンを確保することが可能
となり、かかる磁気バブル記憶装置の性能向上に大きく
寄与することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明装置の基本構成を示すブロック図、 第２図は、第１図装置の動作を示すタイミング図、 第３図は、第１図に示される装置を具体化した１実施例
を示す回路図、 第４図は、本発明と対比される従来技術を例示するブロ
ック図である。 （符号の説明） １：磁気バブルメモリ部、　　２：制御手段、３：セン
ス信号変換手段、 ４：しきい値電圧発生手段。 本発明装置の基本構成を示すブロック図第１図 １つ 第１図の装置の動作を示すタイミング図第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、磁気バブルメモリ部（１）と、磁気バブルメモリ部
   への情報の書込みおよび読出しを制御する制御手段（２
   ）と、磁気バブルメモリ部からのセンス出力をロジック
   レベルに変換するセンス信号変換手段（３）と、制御手
   段（２）からの制御信号によりセンスしきい値電圧を発
   生しセンス信号変換手段（３）に出力するしきい値電圧
   発生手段（４）とをそなえ、外部から該制御手段（２）
   に対して予め定められた特定の命令が与えられた場合、
   該制御手段（２）は磁気バブルメモリ部（１）の特定の
   記憶領域の情報を読出すとともに、該情報の読出しに同
   期して該しきい値電圧発生手段（４）で定められた範囲
   内でしきい値電圧を順次変化させ、それに伴って読出さ
   れた情報をもとにして該制御手段（２）は適正なしきい
   値電圧を算出し、該算出されたしきい値電圧を該しきい
   値電圧発生手段（４）に設定することを特徴とする磁気
   バブル記憶装置のセンスしきい値制御装置。