JPH01304431A - 表示媒体およびその表示方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、フロッピーディスクや光ディスク。

光磁気メモリー媒体、コンピューター等から出力される
画像信号、あるいはファクシミリ信号その他の画像信号
を受けて画像を出力表示する表示媒体に関し、特に多様
化するカラー画像を出力するための表示媒体に関するも
のである。

［従来の技術］ 従来より、テレビやＶＴＲによる動画出力やコンピュー
ターとの対話作業における出力はＣＲＴ　　（ブラウン
管）やＴＮ（ツィステッド・ネマティック）液晶のデイ
スプレィモニターに出力表示され、またＷＰ（ワードプ
ロセッサー）やファクシミリ等による文書９図形等の高
精細画像はプリントアウトされたハードコピーとしてベ
ーパーに出力表示されてきた。

しかしなから、＋ＩＴは上記動画出力に対しては美しい
画像を出力するが、長時間静止した画像に対してはフリ
ッカや解像度不足による走査績等が視認性を低下させる
欠点かある。

また、上記のＴＮ液晶等の従来の液晶デイスプレィにお
いては、装置の薄型化を実現してはいるか、一対のガラ
ス基板間に液晶をサンドイッチする等の作製上の手間や
、また画面が暗い等の問題点があった。

さらに、ＣＲＴやＴＮ液晶では、上記した静止画像の出
力中においても、安定した画像メモリーがないために、
常にビームや画素電圧をアクセスしていなければならな
い等の欠点がある。

これに対して、ペーパーに出力された画像は高精細に、
また安定したメモリー画像として得られるが、これを多
く使用すると整理にスペースを要し、また大量に廃棄す
ることになると資源を浪費する欠点がある。

一方、カラー画像を出力表示する表示媒体に高分子液晶
を用いることか試みられている。例えば、表示媒体とし
て、特開昭６２−１４＋１４号公報、特開昭５２−２７
８５：１０号公報、特開昭６２−２７８５２９号公報等
に報告されている表示媒体か知られているが、それ等は
カラー画像を表示する目的には十分てない。

また、特開昭６２−１５４：１４０号公報、特開昭６２
−６６９９０号公報等のようにコレステリック高分子液
晶のラセン構造による選択散乱を情報記録媒体に用いる
ことか提案されている。しかしながら１、前記提案の選
択散乱現象を表示媒体にそのまま用いたのては、コント
ラスト、カラー化９階調性において十分なものは得られ
ない。

一方、高分子液晶自身をカラー化する目的て二色性色素
を添加することや、特開昭５８−１７６２０５号公報に
示されるように色素残基を共重合した高分子液晶が提案
されているが、コントラストの十分な、色純度の良いも
のは得られていない。

他方、高分子液晶てはないが、低分子のコレステリック
液晶をプレーナ配列して電界により色相変化させること
も提案されている。［ウチダ、シシ１−、ワダ著「モレ
キュラ　クリスタル　リクイラド　クリスタルＪ　（Ｔ
、Ｕｃｈｉｄａ、　Ｃ，５ｈｉｓｈ’＋ｄｏ　ａｎｄＭ
、Ｗａｄａ　　ｒ　Ｍｏｉ、　Ｃｙｓｔ、　　Ｌｉｑ、
　Ｃｙｓｌ　　Ｊ　：１９，１２７頁（１９７７年）］ しかしながら、この方式ては、電場印加によってのみ色
相変化を行うことか可能で保持機部かなく、駆動できる
電極によって精細さか決まることから、高精細カラー画
像を表示することは出来ない。

［発明か解決しようとする課８］ 本発明は、この様な現況に鑑みてなされたちのてあり、
従来、ハードコピーとしてのみ得られていた高鳥１細カ
ラー画像をハードコピーと同等の鮮明さて表現し、また
カラー画像を繰り返し表示および消去できる表示媒体お
よびその表示方法を提供することを目的とするものであ
る。

［課題を解決するための手段］および［作用］即ち、本
発明の第一の発明は、ラセン構造を有する高分子液晶性
化合物からなる表示層を有し、該ラセン構造の主軸か表
示層に対してほば垂直てあり、かつ該ラセン構造かガラ
ス転移点以下て構造固定されていることを特徴とする表
示媒体である。

また、第二の発明は、ラセン構造を有する高分子液晶性
化合物からなる表示層を有し、該ラセン構造の主軸か表
示層に対してほば垂直である表示媒体に対し、前記表示
層を高分子液晶性化合物のガラス転移点以上の所定の温
度に選択して加熱し前記ラセン構造の周期を選択せしめ
た後、ほぼガラス転移点以下に降温せしめるこにより高
分子液晶性化合物の選択散乱波長を決定せしめることを
特徴とする表示方法である。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の表示媒体およびその表示方法の−・例
を示す説明図である。同図において、本発明の表示媒体
は、基板ｌの上に光吸収層２．配向制御１１２３を順次
設け、該配向制御膜３の上にラセン構造を有する高分子
液晶性化合物５からなる表示層４を有し、該ラセン構造
の主軸が表示層４に対してほば垂直であり、かつ該ラセ
ン構造かガラス転移点以下゛Ｃ構造固定され、さらに表
示層４を保護層６て被覆して保護してなるものである。

前記表示媒体の表示方法は、ラセン構造を有する高分子
液晶性化合ＩＪ！５からなる表示層４を有し、該ラセン
構造の主軸か表示層４に対してほば垂直である表示媒体
に対し、駆動パルス変２ｇＩ器９から発熱体ヘッド８を
通して前記表示層４を高分子液晶性化合物５のガラス転
移点以上の所定の温度に選択して加熱し、前記ラセン構
造の周期を選択せしめた後、ほぼガラス転移点以下に降
温せしめるこにより高分子液晶性化合物の選択散乱波長
を、例えば表示層４ａ　（６５０ｎｍ　）　、　４ｂ　
（５５０ｎｍ　）４ｃ　（４５０ｎｍ　）に決定せしめ
、ラセン構造の周期を変化させ、高精細カラー画像を繰
り返し表示及び消去することを可能にするものである。

第２図は本発明の表示媒体およびその表示方法の他の例
を示す説明図である。同図においては、表示媒体は、基
板１の上に配向制御膜兼光吸収層７を設け、その上にラ
セン構造を有する高分子液晶性化合物５からなる表示層
４を設けてなるものである。

前記表示媒体への表示方法は、前記表示媒体に対し、レ
ーザー変調器１３て変調されたレーザー光源１４から出
力されたレーザー光をポリゴンスキャナーＩ２およびｆ
−０レンズ１１を通して照射し、表示層４を高分子液晶
性化合物５のガラス転移点以上の所定の温度に選択して
加熱し、前記ラセン構造の周期を選択せしめた後、ほぼ
ガラス転移点景ドに降温せしめることにより高分子液晶
性化合物の選択散乱波長を決定せしめ、ラセン構造の周
期を変化させ、高精細カラー画像を繰り返し表示及び消
去することを可能にするものである。

本発明において用いられるラセン構造を有する高分子液
晶性化合物は、カイラルネマチック相もしくはカイラル
スメクチック相を有しているものか好ましい。

また、本発明において用いることの出来る高分子液晶性
化合物としては、サーモトロピック主鎖型・側鎖型高分
子液晶性化合物かあり、カイラル中心を含有しているも
のか好ましい。これらは、単独でも、２種以上を組み合
わせてブレンドしても、２種以上を共重合しても、低分
子液晶性化合物とブレンドすることによっても使用でき
る。なお、低分子液晶性化合物かカイラル中心を含有し
ていることはさらに好ましい。

具体的なサーモトロピック主鎖型・側鎖型高分子液晶性
化合物としては次のようなものか挙げられる。

末完１１において用いられる不斉炭素を有する側鎖型高
分子液晶性化合物としては、下記の式（１）〜（１２）
に示すようなものが挙げられる。（但し、式中　賓は不
斉炭シ萄中心を示し、ｎ＝５〜１０００である　　　） （ｍ＋＝２〜１０） （ｍ、＝２〜１０） ｅｌ＋。

（［１１２＝２〜＋５） （７）Ｈ −＋　（：Ｈ２−Ｃ→− ｎ （１６２＝２″＋−ｌコノ （８）Ｃ１１゜ ＋０１１□−Ｃ→− ＣＩ！ −＋　ＣＩ＋２−Ｃ→− （ｍ２＝２〜１５） （１１２＝２〜！５） また、不斉炭素を有する高分子液晶性化合物として、下
記の式（１３）〜（２５）に示される主鎖型高分子液晶
性化合物か挙げられる。

（ｍ、＝　２〜１５．ｘ＋ｙ＝１） （ｘ＋ｙ＝　ｌ　、　ｍ２＝２〜１５）（ｘ　＋　ｙ　
＝　１　、１２＝　２〜１５）（ｘ＋ｙ＝１．　ｍｚ＝
２〜＋５） （勧＝１〜５） （ｘ＋ｙ＝ｌ） （＋ａ、＝Ｌ〜３．　　ｆ！＝１〜２０）（ＩＩ＋５−
０〜５） （Ｉｌｌ、−〇〜５） （ｍ、＝ｏ〜５） （ｎ＋５＝０〜５） 本発明で用いられる主鎖型高分子液晶性化合物としては
、メソーゲン基とフレキシブル鎖および光学活性基から
なり、エステル結合により高分子化されたものが好まし
い。

メソーゲン基として用いることの出来る具体的な化合物
には、ターフェニルジカルボン酸、Ｐ−テレフタル酸、
ナフタレンジカルボン耐、ビフェニルジカルボン酸、ス
チルベンジカルボン酸、アゾベンゼンジカルボン酸、ア
ゾキシベンゼンジカルボン酸、シクロヘキサンジカルボ
ン酸、ビフェニルエーテルジカルボン酸、ビフェノキシ
エタンジカルボン酸、ビフェニルエタンジカルボン酸。

カルボキシケイ皮酸等のジカルボン酸や、ハイドロキノ
ン、ジハイト口キシビフェニル、ジハイド口キシターフ
ェニル、シハイドロキシアゾベンゼン、シハイトロキシ
アゾキシベンゼン、ジハイトロキシシメチルアゾベンゼ
ン、ジハイドロキシジメチルアゾキシベンゼン、ジム１
１〜口キシビリダシン、シハイド口キシナフタレン、ジ
ヒドロキシフェニルエーテル、ビス（ヒトロキシフエノ
キシ）エタン等のジオールや、ハイドロキシ安息香酸、
ハイドロキシビフェニルカルボン酸、ハイドロキシター
フェニルカルボン酸、ハイドロキシケイ皮酸、ハイドロ
キシアゾベンゼンカルボン酸。

ハイドロキシアゾキシベンゼンカルボン酸、ハイドロキ
シスチルベンカルボン酸等のハイドロキシカルボン酸を
用いることが出来る。

フレキシブル鎖の原料としては、メチレングリコール、
エチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオー
ル、ベンタンジオール、ヘキサンジオール、へブタンジ
オール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジ
オール、ウンデカンジオール、ドデカンジオール、トリ
デカンジオール、テトラデカンジオール、ペンタデカン
ジオール、ジエチレングリコール、トリエヂレングリコ
ール、テトラエチレングリコール、ノナエチレングリコ
ール、トリデカエチレンクリコール等のジオールや、マ
ロン酸、こはく酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン
酸、スペリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等のジカル
ボン酸を用いることか出来る。

光学活性基としては、２官能性のものが望ましい。具体
的には、 （＋）−３−メチル−１，６−ヘキサンジオール（−）
−３−メチル−１，６−ヘキサンジオール（＋）−３−
メチルアジピックアシッド（−）−３−メチルアジビッ
クアシッド（Ｄ）−マニトール（Ｄ−ｍａｎｎｉ　ｔｏ
ｌ）（Ｌ）−ｖニトール（Ｌ−ｍａｎｎｉＬｏｌ）（＋
）−パントテン酸 （＋）　−１，２，−４−トリハイドロキシ−３，３−
ジメチルソタン （−）−１，２−プロパンジオール （＋）−１，２−プロパンジオール （＋）−乳酸 （−）−乳酸 （２Ｓ、　５Ｓ）　−２−メチル−３−オキサヘキサン
−１，５−ジオール （２Ｓ、　５３．８Ｓ）−２，５−ジメチル−３，６−
シオキサノナンー１．８−ジオール 以」二のようなメソーゲン基、フレキシフル鎖。

光学活性基を重縮合することにより、本発明の不斉炭素
を有する高分子液晶性化合物を得ることがてきる。この
とき触媒を用いることて重合度を向」ニし、副反応等に
よる不純物を低減することが可能であるか、重縮合緯了
後は再沈法等によって除去することか望ましい。

前記不斉炭素を有する高分子液晶性化合物と低分子液晶
性化合物より高分子液晶組成物を得るためには、該高分
子液晶性化合物と低分子液晶性化合物を所定の割合に混
合し、加熱溶解もしくは共通溶媒に溶解することにより
得ることかてきる。

次に、低分子液晶性化合物としては、高分子液晶性化合
物と相溶するものであればよいか、より好ましくは不斉
炭素中心を有するものか望ましい。具体的には、下記の
式（２６）〜（４０）に示されるようなカイラル低分子
液晶性化合物か挙げられるか、これ等に限定されるもの
ではない。

Ｐ−デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチ
ルブチルシンナメー）−（ＤＯＢＡＭＢＧ）Ｐ−へキシ
ロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−クロルプロピ
ルシンナメート　（ＩＩＯＢＡＣＰＣ）Ｐ−デシロキシ
ベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メチルブチル−α−
シアノシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ：Ｃ）メチルブチ
ル−α−シアノシンナメート（ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ）Ｐ
−オクチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ−２−メ
チルブチル−α−クロロシンナメート　（ＯＯＢＡＭＢ
ＣＣ）Ｐ−才クチルオキシベンジリデン−Ｐ′−アミノ
−２−メチルブチル−α−メチルシンナメート（２−メ
チルブチル）エステル ＝４′−オクチルアニリン　（ＭＢＲＡ８）オキシビフ
ェニル−４−カルボキシレート４−へキシルオキシフェ
ニル−４−（２″−メチルブチル）ビフェニル−４′−
カルボキシレート４−オクチルオキシフェニル−４−（
２″−メチルブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレ
ート４−へキシルオキシフェニル−４−（２“−メチル
ブチル）ビフェニル−４′−カルボキシレート４−（２
″−メチルブチル）フェニル−４−（４″−メチルヘキ
シル）ビフェニル−４′−カルボキシレート以上に示す
様な不斉炭素を有するところの高分子液晶性化合物と低
分子液晶性化合物を配合してなる液晶組Ｌｉｔ物おいて
、該高分子液晶性化合物の含有量は３０重量％以−１二
、好ましくは５０重ｊ号％以−１−であることか望まし
い。１ｌｌＯ改量％未満てはラセン構造の固定が十分に
行えない。

次に、上記の高分子液晶性化合物および高分子液晶性化
合物から得られる高分子液晶組成物は、単独てフィルム
状として用いても、或いは基板に積層してもよい。

本発明において、使用てきる基板としては、ガラス、プ
ラスチック又は金属等の任１代の材料を用いることか可
能てあり、必要に応して、これら基板上に　ＩＴＯ膜な
どの透明電極やパターン化された電極を形成して用いる
場合もある。

また、前記基板上へ塗布もしくは薄膜を形成する方法と
しては、加熱溶融した状態、もしくは溶媒に溶解させる
ことにより液状とし、スピンコード法、キャスト法、デ
イッピンク法、バーコード法、ロールコート法、グラビ
アコート法、ドクターフレート法などにより行うことか
出来る。

ラセン構造の周期の違う高分子液晶性化合物をモザイク
状もしくはストライプ状に塗布して用いるためには、ス
クリーン印刷法等の利用や、フオｌ〜レジストを用いた
バターニング等も適している。

特に、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色に対応した
選択散乱波長を有する高分子液晶性化合物をストライプ
状もしくはモザイク状に塗布することにより、フルカラ
ー表示に適した表示媒体か得られる。

本発明の表示媒体において、表示層における高分子液晶
性化合物のラセン構造の主軸を表示層に対してほば屯直
に形成するには、高分子液晶性化合物に配向処理を施す
のか好ましい。

具体的には、本発明の表示媒体において、高分子液晶性
化合物かカイラルネマチック相を有する場合には水平配
向処理を行なうことか必要である。

水平配向処理としては、機械的な力による延伸、ロール
延伸、シェアリングや電場・磁場によるもの、界面制御
によるもの等かある。基板を用いる場合には、界面制御
による水モ配向処理か特に好ましい。

より具体的な界面制御による水モ配向処理としては次の
ようなものかある。

■ラビング法 基板上に溶液塗工法又は蒸着あるいはスパッタリング等
により、例えば、−酸化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化ア
ルミニウム、ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セ
リウム、フッ化セリウム、シリコン窒化物、シリコン炭
化物、ホウ素窒化物などの無機絶縁物質やポリビニルア
ルコール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステ
ルイミド、ポリバラキシレリン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、
ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミン
樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機絶縁物質を
用いて被■９形成した配向制御膜を設けることかてきる
。

この配向制御膜は、前述の如き情機絶縁物質又は有機絶
縁物質な被膜形成した後に、その表面をビロード、布や
紙て一方向に摺擦（ラビング）する。

■斜方ノに竹状 ＳｉＯ”’９の酸化物あるいはフッ化物又はＡｕ、Ａｆ
などの金属およびその酸化物を基板の斜めの角度から蒸
着する。

■斜方エツチング法 ■て示した有機あるいは無機絶縁膜を斜方からイオンビ
ームや醜素プラズマを照射することによりエツチングす
る。

■延伸高分子膜の使用 ポリエステルあるいはポリビニルアルコール等の高分子
膜を延伸してｆ’Ｊられる膜も良好な配向性を示す。

■グレーテインク法 フォトリンクラフイーやスタンバ−やインジェクション
を使用して基板表面」二に溝を形成することによっても
ＮＭ品はその溝方向に配向する。

また、本発明の表示媒体において、高分子液晶性化合物
かカイラルスメクチック相を有する場合には爪面配向処
理を行なうことか必要である。

垂直配向処理としては、機械的な力によるところの延伸
、ロール延伸、シェアリングや電場・磁場によるもの、
界面制御によるもの等かある。基板を用いる場合には、
界面制御による垂直配向処理は特に好ましい。

より具体的な界面制御による垂直配向処理としては次の
ようなものかある。

■垂直配向膜を形成する。

基板表面上に有機シランやレシチンやＰＴＦＥ等の垂直
配向性の層を形成する。

■斜方蒸着 斜方薄着法で基板を回転させながら蒸着角度を適当に選
択することにより垂直配向性を４えることかてきる。ま
た、斜方蒸着後、■で示した垂直配向剤を塗布してもよ
い。

前記、配向処理において種々の配向手段は単独ても又、
２以玉の手段を組み合わせて用いてもよい。

１−記の様に配向処理された本発明の表示媒体において
は、その表示層を形成する高分子液晶性化合物のラセン
構造の主軸か表示層に対して垂直であることから、非常
に効率よく選択散乱を行うことか可能となり、従来、ガ
ラス状態てラセン構造の周期か固定されるときに、その
選択散乱の半値巾か拡大することて色純度か不良となる
欠点も緩和された。また、視野角による色の変化も同時
に緩和された。

選択散乱を生じる波長は、ラセン構造の周期に依存して
おり、入＝ｎｐて表わされる。ここてｎは屈折率、ｐは
ラセン構造の周期、入は選択散乱の波長を示す。このラ
セン構造の周期を変化させることによりカラー表示を行
なうことかてきる。

ラセン構造の周期は通常２５０〜８００ｎｍ　、好まし
くは４００〜７００ｎｌｌが望ましく、２５０　ｎ＋ｉ
未満ては十分な選択散乱効率が得られず、８００ｎｍを
こえると書き込みレーザー光も同時に散乱してしまうた
めに好ましくない。

また、ラセン構造の周期を前記範囲に変化させる方法と
しては、具体的にはラセン構造の周期の温度変化を用い
てカラー表示を行う方式、共重合等によりラセン構造の
周期を変化させてカラー表示を行う方式、Ｔｉ、界応答
を用いてラセン構造の周期を変化させてカラー表示を行
う方式等かあり、以」―のどのような方式においてもそ
のラセン構造か表示層に対して垂直であることによって
前記の効果か得られる。

このような方式によってラセン構造の周期を制御するこ
とによって得られた選択散乱は、高分子液晶性化合物か
らなる表示層をガラス転移点以下とすることにより、安
定に固定化される。これは、ラセン構造の周期構造かガ
ラス転移点以下で固定されることに基づいており、画像
として良好な状態なまま保持されるために、くり返し書
き込みを行なう必要はなく、書き込みエネルギーを削減
することか可能となる。

本発明の表示媒体は、表面に保護層を設けることも回走
てあり、発熱体ヘット等で書き込み消去を行う場合には
、熱劣化や熱変形しないものか好ましい。

また、光吸収層を設けることによって選択散乱以外の光
を吸収し、コントラストを向上することが出来る。

本発明の表示媒体において、高分子液晶性化合物からな
る表示層の温度をガラス転移点以上に制御し、書き込み
消去を行う手段としては、レーザー光を用いるものや発
熱体ヘッドを用いるものかある。書き込みにおいては、
レーザー光照射もしくは発熱体ヘットによる熱パルス印
加により高分子液晶性化合物のラセン構造を変化させる
温度まで昇温したのち急冷することにより、古き込み前
との光学濃度を変化させる。

上記の表示層の温度をガラス転移点以上に制御するには
、ラセン構造を有する高分子液晶性化合物は、カイラル
ネマチック相もしくはカイラルスメクチック相を有しい
るために、その温度範囲として０℃〜３００°Ｃが望ま
しい。０°Ｃ以下では温度制御か困難であ′す、３００
°Ｃ以上ては表示エネルギー消費か大となり好ましくな
い。さらに好ましくは、２０°Ｃ〜２５０°Ｃの範囲で
ある。

消去においては、ガラス転移点以上の特定温度に保持す
ることによって行なわれる。

次に、書込み・消去の具体的な方式としては次のような
ものがある。

■高分子液晶性化合物からなる表示層へ熱印加し、温度
制御によりラセン構造の周期を変化させ、表示色を選択
する。その後、冷却することにより、表示色および濃度
を保持する。液晶化度を制御することにより階調表現を
行う。

■ラセン構造の周期の違う高分子液晶性化合物をそれぞ
れストライプ状、モザイク状に塗布した表示層を形成し
、熱印加手段をそれぞれの高分子液晶性化合物にアドレ
スし、一定温度まて加熱することにより表示色および濃
度を制御する。

■電極間に高分子液晶性化合物からなる表示層をを挟持
し、電界印加状態でガラス転移点以上に加熱することに
より、ラセン構造の周期を変化させる。

このような表示方法において、加熱処理時間、温度を制
御することにより、選択散乱の波長を制御することはも
ちろん、所定の選択散乱波長での散乱の量を制御するこ
とか可能であり、これによって階調表示やフルカラー表
示が可能となる。

［実施例］ 以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。

実施例１ 厚さ０．８　ｍｍのガラス基板に、厚さ５００人のポリ
イミド膜を塗布焼成して形成した後、−軸配向処理を施
し、その上に下記の構造式（Ｉ）て示される高分子液晶
性化合物をジクロロエタンに溶解した溶液をディッピン
グ法により塗布し表示層を形成した。

乾燥後、その−ヒに一軸うピング処理したポリイミドフ
ィルムをラミネートして等吉相まてｙ１温後、徐冷して
約１３０°Ｃに９０分間保ち、水平配向処理をした。表
示層の膜厚は約１０ＬＬＩＩてあった。

この様にして得られた表示媒体は、　５００ｎ＋ｓ付近
に選択散乱を有ｌノ、赤色に見えた。

次に、発熱体ヘットを接触させ、熱パルスを印加し、２
００°Ｃ以」二に加熱したところ、印加部分は透明とな
り、良好なコンｌ−ラストか得られ、室温て１週間以」
二保持出来た。

消去は約１コ０°Ｃに９０分間保持することにより行な
うことかてきた。

実施例２ ポリアミック酸溶液（日立化成工業■製、ＰＩＱ：不揮
発分濃度５ｗＬ％）１０重量部にカーボンブラック０．
１重量部を加えホモミキサーにて分散した。これを厚さ
０．８　ｍｍのガラス基板にスピンコード法により塗布
した後、１２０°Ｃで３０分間、　２００℃で６０分間
、３５０°Ｃて３０分間加熱処理を行って、厚さ５００
０人のポリイミド配向膜兼光吸収層を得た。

これにラビング処理を行って一軸配向性を与えた後、そ
のＬに実施例１と同様の構造式（Ｉ）で示される高分子
液晶性化合物をジクロロエタンへ溶解したものをスクリ
ーン印刷法により、ストライブ状に塗布した。

次に、下記の構造式（ＩＩ）て示される高分子液晶性化
合物のジクロロエタン溶液をスクリーン印刷法により、
前記ストライブと重ならないようにストライブ状に塗布
した。乾燥後、　２００℃まて昇温した後、徐冷して水
平配向処理した。表示層の膜厚は約５０涛■てあった。

この様にして得られた表示媒体にＳＯｍＷの半導体レー
ザー（波長８３０ｎ＋＊　）を照射したところ、照射部
が無色となり書き込みか行なわれた。

Ｔｇ＝６５°Ｃ 消去は消去部分をレーザー光をｌ０ｎＷて１秒間照射す
ることにより行なうことがてきた。

実施例３ 厚さ０．８１１１１のガラス基板にシランカップリング
剤（トーレシリコン　シランカップリング剤　５Ｈ６ｆ
１４０）のメタノール溶液をスピンコードし、１２０°
Ｃて焼成し、垂直配向処理を施した配向膜を形成した。

この基板上に下記の構造式（ＩＩＩ）で示される高分子
液晶性化合物のジクロロエタン溶液をスピンコード法に
より塗布した。

（ＩＩＩ） Ｔ　ｇ　＝８Ｓ　°Ｃ 乾燥後、２５０°Ｃまて昇温した後、徐冷して垂直配向
処理した。表示層の膜厚は約２０ＩＬｍであった。

この様にして得られた表示媒体に発熱体ヘッドで熱印加
したところ良好なコントラストが得られた。

消去は同様に発熱体ヘッドにより表示層を約１８０℃に
２秒間保持することにより行なうことかてきた。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の表示媒体によれば、表示
保持動作を行なう必要がなく、高精細カラー画像を得る
ことか可ス七となった。しかも、高分子液晶性化合物の
ラセン構造の選択散乱を利用していることからコントラ
ストが良好で、色純度かよい表示か可能である。

また、本発明の表示方法によれば、カラー画像を作り返
し表示および消去が可能てあり、書き込み、消去手段と
して発熱体ヘッドや半導体レーザーを用いることかでき
るのて、簡便な装置構成で優れた表示を行うことが出来
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の表示媒体およびその表示方法の一例を
示す説明図および第２図は本発明の表示媒体およびその
表示方法の他の例を示す説明図である。 ｌ・・・基板　　　　　　　２・・・光吸収層３・・・
配向制御膜 ４　、４ａ、　４ｂ、　４ｃｍ表示層 ５・・・高分子液晶性化合物 ６・・・保護層 ７・・・配向制御膜兼光吸収層 ８・・・発熱体ヘッド　　　９・・・駆動パルス変調器
１１・・・ｆ−０レンズ １２・・・ポリゴンスキャナー

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）ラセン構造を有する高分子液晶性化合物からなる
   表示層を有し、該ラセン構造の主軸が表示層に対してほ
   ば垂直であり、かつ該ラセン構造がガラス転移点以下で
   構造固定されていることを特徴とする表示媒体。
2. （２）前記ラセン構造を有する高分子液晶性化合物がカ
   イラルネマチック相を有する請求項１記載の表示媒体。
3. （３）前記ラセン構造を有する高分子液晶性化合物がカ
   イラルスメクチック相を有する請求項１記載の表示媒体
   。
4. （４）前記ラセン構造の周期が２５０〜８００ｎｍであ
   る請求項１記載の表示媒体。
5. （５）ラセン構造を有する高分子液晶性化合物からなる
   表示層を有し、該ラセン構造の主軸が表示層に対してほ
   ば垂直である表示媒体に対し、前記表示層を高分子液晶
   性化合物のガラス転移点以上の所定の温度に選択して加
   熱し前記ラセン構造の周期を選択せしめた後、ほぼガラ
   ス転移点以下に降温せしめるこにより高分子液晶性化合
   物の選択散乱波長を決定せしめることを特徴とする表示
   方法。
6. （６）前記表示層を高分子液晶性化合物のガラス転移点
   以上の所定の温度に加熱する際に、表示層に電界を同時
   に印加せしめる請求項５記載の表示方法。