JPH01302649A - 光学輻射源 - Google Patents
光学輻射源Info
- Publication number
- JPH01302649A JPH01302649A JP62256148A JP25614887A JPH01302649A JP H01302649 A JPH01302649 A JP H01302649A JP 62256148 A JP62256148 A JP 62256148A JP 25614887 A JP25614887 A JP 25614887A JP H01302649 A JPH01302649 A JP H01302649A
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- JP
- Japan
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- positive electrode
- hole
- cathode
- hollow anode
- hollow
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- Pending
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 13
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 12
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 241000218645 Cedrus Species 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000009291 secondary effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J61/00—Gas-discharge or vapour-discharge lamps
- H01J61/02—Details
- H01J61/04—Electrodes; Screens; Shields
- H01J61/06—Main electrodes
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Discharge Lamp (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は光学輻射源、詳しくは光学、分光学、オプト
エレクトロニクスの分野で利用される中空陽極型光学輻
射源に関する。
エレクトロニクスの分野で利用される中空陽極型光学輻
射源に関する。
(技術背景)
この発明によって解決される重要な技術的問題は陽極ま
たは陰極材料のスペクトル線が存在しないガス状要素の
原子および/またはイオンスペクトルを得ることである
。
たは陰極材料のスペクトル線が存在しないガス状要素の
原子および/またはイオンスペクトルを得ることである
。
従来、ガス分光を得るには中空状陰極放電とか、グロー
、アークおよびキャピラリー放電等に基づく光学輻射源
が用いられてきた。この種の光学輻射源の欠点は、中空
状陰極である場合スペクトル中に当該ガスの基本的なス
ペクトル線と重複する陰極材料のスペクトル線が現れる
、イオンスペクトル線の強度が弱い、高電力を消費する
、光学輻射源の寿命が短い等である。
、アークおよびキャピラリー放電等に基づく光学輻射源
が用いられてきた。この種の光学輻射源の欠点は、中空
状陰極である場合スペクトル中に当該ガスの基本的なス
ペクトル線と重複する陰極材料のスペクトル線が現れる
、イオンスペクトル線の強度が弱い、高電力を消費する
、光学輻射源の寿命が短い等である。
(発明の目的)
この発明は新しい形式の放電、即ち中空状陽極における
ガス放電を用いて作用ガスの原子および/またはイオン
スペクトルを得ることを目的とする。この放電はUVか
ら弓視光を経てICにいたる広範なスペクトル範囲にお
ける強力光学輻射源を代表するものである。
ガス放電を用いて作用ガスの原子および/またはイオン
スペクトルを得ることを目的とする。この放電はUVか
ら弓視光を経てICにいたる広範なスペクトル範囲にお
ける強力光学輻射源を代表するものである。
以丁にこの発明を実施例を示す添付図面とと6に説明ぼ
る。
る。
(実施例)
第m1図に示すようなダイオード(二極管)における中
空状陽極でガス放電が発生せしめられる。
空状陽極でガス放電が発生せしめられる。
このダイオードは、たとえばガラスGT内に配置された
中空状陽極HAおよび陰極Cから涯二成される。このガ
ラス管の寸法は改装なことではなく、該寸法は適用対象
ζ4丁窓上て定められる。この実施例においては、管の
長さIOam、内径4cmとされる。陽極および陰極の
電極を有4゛るガラス管は−・般に放電管といわれる。
中空状陽極HAおよび陰極Cから涯二成される。このガ
ラス管の寸法は改装なことではなく、該寸法は適用対象
ζ4丁窓上て定められる。この実施例においては、管の
長さIOam、内径4cmとされる。陽極および陰極の
電極を有4゛るガラス管は−・般に放電管といわれる。
」二足中空状陽極の1例として、中心部に穴を設けた、
たとえばアルミニコーム製円盤から形成され、該円盤の
陰極と対向する上面と絶縁され、紋穴の内面のみが4電
性とされる。原理的に、電極が内面のみを導電性とする
中空状陽極を形成1.さえずれば、円杉、矩形またはそ
の他の形状であ−、・でもよい。
たとえばアルミニコーム製円盤から形成され、該円盤の
陰極と対向する上面と絶縁され、紋穴の内面のみが4電
性とされる。原理的に、電極が内面のみを導電性とする
中空状陽極を形成1.さえずれば、円杉、矩形またはそ
の他の形状であ−、・でもよい。
」二足実施例において、円盤状陰極と対面する上面は第
1」図に破線で示すようにプラズマアークによって何首
されたセラミックの薄層を介1.て絶縁される。このよ
うにして当該陽極の穴の内面のみか導電性とされる。こ
の陽極における絶縁セラミック層を設けた穴部分を破線
円で囲んで第1−2図に示す。この中空状陽極における
磁界は電磁または永久磁石Mによって得られる。
1」図に破線で示すようにプラズマアークによって何首
されたセラミックの薄層を介1.て絶縁される。このよ
うにして当該陽極の穴の内面のみか導電性とされる。こ
の陽極における絶縁セラミック層を設けた穴部分を破線
円で囲んで第1−2図に示す。この中空状陽極における
磁界は電磁または永久磁石Mによって得られる。
上記ガラス管におけるもう一方の端部に配置されたアル
ミニューム円盤は陰極として機能する。
ミニューム円盤は陰極として機能する。
陰極は種々の形態、たとえば円板状、ロッド状、または
その他の形状のものを用いることができる。
その他の形状のものを用いることができる。
最も好ましくは、平板状とか陽極−陰極間距離に等しい
曲率半径を有する凹状陰極とする。本発明の陰極は種々
の半it、形状のものが用いられるが、第1実施例Iで
は陽極−陰極Ial距離より小さい直径の平板状または
凹状ド3極が用いられる。
曲率半径を有する凹状陰極とする。本発明の陰極は種々
の半it、形状のものが用いられるが、第1実施例Iで
は陽極−陰極Ial距離より小さい直径の平板状または
凹状ド3極が用いられる。
第2実施例口において、陰極は、第2図に示すように、
その曲率中心部に中空状陽極を配置した1ト球状とされ
る。中空状陽極およびその他の構成部分の符号は前記と
同一とされる。この実施例において、凹状陰極は中空状
陽極の穴に各エレクトロンを収束せしめてガスの励起お
よび電離効率を高める。
その曲率中心部に中空状陽極を配置した1ト球状とされ
る。中空状陽極およびその他の構成部分の符号は前記と
同一とされる。この実施例において、凹状陰極は中空状
陽極の穴に各エレクトロンを収束せしめてガスの励起お
よび電離効率を高める。
第3実施例■において、中空状陽極は、円形穴に代えて
矩形穴とすることができる。この場合、凹状陰極は第3
図(a)および(1))に示すように半円筒体とされる
。この実施例において中空状陽極は磁性または非磁性材
料から成る2つの部分)−IAIおよびl(Δ2から形
成される。磁界Bは第1例の第3図(a)に示すように
部分1−IAIおよびHA2間の穴においてのみ得られ
るようにrるか、第2例の第3図(b)に示すように磁
力線が当該中空状陽極の穴に垂直な成分をUするように
する。、きらには、中空状陽極部分!(Δ1おJ、びl
lA2に同一または異なる電圧を印加することができる
。その他の構成部分には前記2つの実施例におけるもの
と同一の符号がイ・」される。
矩形穴とすることができる。この場合、凹状陰極は第3
図(a)および(1))に示すように半円筒体とされる
。この実施例において中空状陽極は磁性または非磁性材
料から成る2つの部分)−IAIおよびl(Δ2から形
成される。磁界Bは第1例の第3図(a)に示すように
部分1−IAIおよびHA2間の穴においてのみ得られ
るようにrるか、第2例の第3図(b)に示すように磁
力線が当該中空状陽極の穴に垂直な成分をUするように
する。、きらには、中空状陽極部分!(Δ1おJ、びl
lA2に同一または異なる電圧を印加することができる
。その他の構成部分には前記2つの実施例におけるもの
と同一の符号がイ・」される。
上記放電管は高真空技術によって製造される。
この放電管にガスがスタチックまたはダイナミック真空
条件で所定圧力をもって封入される。−・般に、該圧力
は0.1= I mb(ミリバール)とされる。
条件で所定圧力をもって封入される。−・般に、該圧力
は0.1= I mb(ミリバール)とされる。
このようなダイオードにおいてガス放電が確立されると
、中空状陽極に高輝度プラズマが得られる。
、中空状陽極に高輝度プラズマが得られる。
これには、放電電流が約10mA、作用電圧がU=40
0〜500V、磁界が1’3 = 0−0.05’l’
(テスラ)とされる。
0〜500V、磁界が1’3 = 0−0.05’l’
(テスラ)とされる。
高輝度の中空陽極型光学(i+i財源とするには中空状
陽極の大面積を小さく Lかっ放電電流密度を高くする
。放電電流を変化させることにより、当該スペクトル成
分を大きく変化させることができる。
陽極の大面積を小さく Lかっ放電電流密度を高くする
。放電電流を変化させることにより、当該スペクトル成
分を大きく変化させることができる。
上記光学輻射源は電力消費qが低く、二次効果もなくて
長寿命なものである。
長寿命なものである。
本出願人は種々の中空陽極型光学輻射隙を製作して試験
を行ったと、ころ、−L述(また結果を得ることが出来
た。
を行ったと、ころ、−L述(また結果を得ることが出来
た。
第1−1図は本発明の第1実施例の概略横断面図、
第12図は上記第1実施例の中空状陽極の穴部分の拡大
断面図、 第2図は本発明の第2実施例の縦断面図、第3図(a)
および(b)は本発明の第3実施例の主要部の斜視図で
、それぞれ中空状陽極の穴部に印加する磁界の態様を示
す図である。 HA・・・中空状陽極、 HAI、HA2・・・中空状陽極部分 C・・・陰極、CC・・・凹状陰極、M・・・磁石。 特許出願人 インステイトウド・ザ・アトムスク・フィ
ジイク・つ・インステイトウ ラ・ザ・ヌウクレアーネ・ナウケ “ポリス・キデリック”〜ビンカ 代 理 人 弁理士 青 山 葆 ほかI名(Q) Fig、 3 (b)
断面図、 第2図は本発明の第2実施例の縦断面図、第3図(a)
および(b)は本発明の第3実施例の主要部の斜視図で
、それぞれ中空状陽極の穴部に印加する磁界の態様を示
す図である。 HA・・・中空状陽極、 HAI、HA2・・・中空状陽極部分 C・・・陰極、CC・・・凹状陰極、M・・・磁石。 特許出願人 インステイトウド・ザ・アトムスク・フィ
ジイク・つ・インステイトウ ラ・ザ・ヌウクレアーネ・ナウケ “ポリス・キデリック”〜ビンカ 代 理 人 弁理士 青 山 葆 ほかI名(Q) Fig、 3 (b)
Claims (4)
- (1)円形または矩形の穴を有しかつ該穴の内面のみを
導電性とした中空状陽極を形成し、該中空状陽極と陰極
間でガス放電を生起せしめることを特徴とする光学輻射
源。 - (2)陰極が凹状に形成され、該陰極の曲率中心部に穴
が位置するように中空状陽極を配置した特許請求の範囲
第1項記載の光学輻射源。 - (3)中空状陽極がそれぞれに同一または異なる電圧が
印加される導電性対向面を有する2つの矩形板状体から
形成され、陰極が半円筒形状を有する特許請求の範囲第
1項記載の光学輻射源。 - (4)磁石を設け、中空状陽極の穴部分に磁界を印加す
る特許請求の範囲第1項〜第3項のいずれかに記載の光
学輻射源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
YU1735/86 | 1986-10-09 | ||
YU173586A YU46727B (sh) | 1986-10-09 | 1986-10-09 | Izvor optičkog zračenja sa šupljom anodom |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01302649A true JPH01302649A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=25555387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62256148A Pending JPH01302649A (ja) | 1986-10-09 | 1987-10-08 | 光学輻射源 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4906890A (ja) |
EP (1) | EP0264054A3 (ja) |
JP (1) | JPH01302649A (ja) |
YU (1) | YU46727B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4881444B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プラズマ放射源、プラズマ放射源を形成する方法、基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影するための装置、およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4128336A (en) * | 1975-08-21 | 1978-12-05 | The South African Inventions Development Corporation | Spectroscopic apparatus and method |
JPS52129278A (en) * | 1976-03-09 | 1977-10-29 | Naoyuki Maeda | Method and apparatus for parallelly connecting plurality of transistors |
-
1986
- 1986-10-09 YU YU173586A patent/YU46727B/sh unknown
-
1987
- 1987-10-06 US US07/105,713 patent/US4906890A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-10-07 EP EP87114572A patent/EP0264054A3/en not_active Withdrawn
- 1987-10-08 JP JP62256148A patent/JPH01302649A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4881444B2 (ja) * | 2006-12-14 | 2012-02-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | プラズマ放射源、プラズマ放射源を形成する方法、基板上にパターニングデバイスからのパターンを投影するための装置、およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
YU46727B (sh) | 1994-04-05 |
EP0264054A2 (en) | 1988-04-20 |
YU173586A (en) | 1988-08-31 |
US4906890A (en) | 1990-03-06 |
EP0264054A3 (en) | 1990-01-10 |
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