JPH01300519A - Heating method - Google Patents
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 36
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 35
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 24
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、加熱方法に関する。[Detailed description of the invention] [Purpose of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to a heating method.
（従来の技術）
半導体製造工程、例えばフォトリソグラフィー工程にお
いて、被処理体例えば半導体ウェノ芭のレジスト塗布後
あるいはレジスト現像処理の前後において、上記レジス
トの安定化等の目的で上記半導体ウェハを加熱すること
が一般に行われている。(Prior Art) In a semiconductor manufacturing process, such as a photolithography process, the semiconductor wafer is heated for the purpose of stabilizing the resist, etc., after applying a resist to an object to be processed, such as a semiconductor wafer, or before and after a resist development process. is commonly practiced.
この加熱を行う装置例として、第３図に示すような装置
がある。An example of a device that performs this heating is the device shown in FIG.
基台■上に、半導体ウェハ■を載置して加熱するための
熱板例えば２個の熱板■（イ）を並置し、この熱板■に
）の両端側には半導体ウェハ■を載置して搬送するベル
ト０を備えた搬送機構へ〇Ｂ■が配置されている。また
、上記搬送機構Ａ０→熱板■（イ）→搬送機構Ｂ（７１
に順次半導体ウェハ■を移送するための一般にウオーキ
ングビーム方式と呼称される搬送機構Ｃ（ハ）が基台（
υ上に設けられている。For example, two hot plates (A) for placing and heating the semiconductor wafer ■ are placed side by side on the base ■, and the semiconductor wafer ■ is placed on both ends of the hot plate ■. 〇B■ is placed in a conveyance mechanism equipped with a belt 0 for placing and conveying. In addition, the above conveyance mechanism A0 → hot plate ■ (A) → conveyance mechanism B (71
A transfer mechanism C (c), which is generally called a walking beam system, is used to sequentially transfer semiconductor wafers ■ to a base (
It is set on υ.
そして、エアシリンダ（図示せず）等により昇降前進後
退可能に構成され、搬送ビーム０）により半導体ウェハ
■を載置して移送可能な如く設けられている。It is configured to be movable up and down, forward and backward by an air cylinder (not shown), etc., and is provided so that a semiconductor wafer (2) can be placed thereon and transferred by a conveyance beam (0).
また、熱板（３）（イ）の上方には、温度の変化を防止
するためにこの熱板■に）を覆い囲むカバー（１０）が
配置されており、上面内側に断熱材（１１）を備え。In addition, a cover (10) is placed above the hot plate (3) (a) to cover and surround the hot plate (2) to prevent temperature changes, and a heat insulating material (11) is placed on the inside of the top surface. Equipped with.
両端部に半導体ウェハ■を通過させるための開口部（１
２）（１３）が設けられている。There are openings (1
2) (13) is provided.
そして、搬送アーム（図示せず）等により半導体ウェハ
■を搬送機構Ａ０に載置した後必要に応じて駆動して上
記半導体ウェハ■を位置決めし、搬送機ａＣ（へ）を上
昇させて上記半導体ウェハ■を、 搬送ビーム■で持ち
上げる。次に搬送機＠Ｃ（ハ）を図の右方向に所定の距
離だけ前進させた後下降させて上記半導体ウェハ■を熱
板■に載置し、搬送機構Ｃ（へ）は左方向に所定の距離
だけ後退して最初の位置状態に戻り待機する。After placing the semiconductor wafer (2) on the transport mechanism A0 using a transport arm (not shown) or the like, drive the semiconductor wafer (2) as necessary to position the semiconductor wafer (2), and raise the transport machine aC (to) to Lift the wafer ■ with the transport beam ■. Next, the carrier @C (c) is moved forward a predetermined distance to the right in the figure and then lowered to place the semiconductor wafer (■) on the hot plate (■), and the transport mechanism C (c) is moved to the left by a predetermined distance. It retreats by a distance of , returns to its initial position, and waits.
一方、熱板■に）は加熱制御機構（図示せず）により、
予め所定の温度例えば８０〜２００±０．５℃程度の範
囲内の所定の温度に設定しておき、上記半導体ウェハ■
を加熱する。この加熱が終了すると、再び搬送機構Ｃ（
ハ）を動作させて１次に処理すべき半導体ウェハ■を熱
板■に搬送すると同時に、熱板■で加熱を終了した半導
体ウェハ■を熱板（イ）に搬送する。上記動作を繰り返
すことにより、処理前の半導体ウェハ■を搬送機構Ａ（
Ｑで熱板■に搬入し、熱処理を終了した半導体ウェハ■
を熱板（イ）から搬出し、搬送機構Ｂ■に移す。On the other hand, the heating plate (■) is heated by a heating control mechanism (not shown).
The above semiconductor wafer
heat up. When this heating is finished, the transport mechanism C (
(c) is operated to transport the semiconductor wafer (2) to be processed in the first stage to the hot plate (2), and at the same time, the semiconductor wafer (2) which has been heated on the hot plate (2) is transported to the hot plate (a). By repeating the above operations, the unprocessed semiconductor wafer ■ is transferred to transport mechanism A (
Semiconductor wafers transported to the hot plate■ at Q and finished with heat treatment■
is carried out from the hot plate (A) and transferred to the transport mechanism B■.
（発明が解決しようとする［ｇ）
しかしながら、上記従来の装置には次のような問題があ
る。(Object to be Solved by the Invention [g]) However, the above conventional device has the following problems.
通常、半導体製造はクリーンルーム内で行われ、クリー
ンエアが上方から下方に向ってダウンフローされている
。Normally, semiconductor manufacturing is performed in a clean room, and clean air is downflowed from above to below.
したがって、装置近傍を通るクリーンエア（１４）がカ
バー（１０）の両端の開口部（１２）（１３）を通って
カバー（１０）内に流入して熱板■に）の開口部（１２
） （１３）に近い側を部分的に冷却し、上記熱板■（
イ）上の温度分布を乱す可能性がある。Therefore, clean air (14) passing near the device flows into the cover (10) through the openings (12) and (13) at both ends of the cover (10), and flows into the opening (12) of the hot plate (1).
) (13) Partially cool the side close to the above hot plate ■(
b) It may disturb the temperature distribution above.
また、熱板■（イ）で発生した熱は対流によりカバー（
１０）の両端の開口部（１２） （１３）を通って外部
に向って上昇する上昇気流（１５）となり、カバー（１
０）の側面部（１６）の温度を上昇させ高湿となり、火
傷するなど人体に対しても安全性が低い。In addition, the heat generated on the hot plate ■(A) is covered by convection (
The rising airflow (15) passes through the openings (12) and (13) at both ends of the cover (10) and rises outward.
0) increases the temperature of the side part (16), resulting in high humidity, which is low in safety for the human body as it may cause burns.
本発明は、上述の従来事情に対処してなされたもので、
加熱温度分布が均一で、安全な加熱方法を提供しようと
するものである。The present invention has been made in response to the above-mentioned conventional circumstances, and
The aim is to provide a safe heating method with uniform heating temperature distribution.
（課題が解決するための手段）
すなわち本発明は、カバーで包囲された発熱板上に被処
理体を設け加熱するに際し、上記被処理体の出入り口を
閉状態にするとともに上記カバー内を熱排気状態で加熱
することを特徴とする。(Means for Solving the Problems) That is, in the present invention, when an object to be processed is placed on a heating plate surrounded by a cover and heated, the entrance and exit of the object to be processed is closed, and the inside of the cover is thermally exhausted. It is characterized by being heated in a hot state.
（作 用）
本発明加熱方法では、カバーで包囲された発熱板上に被
処理体を設け加熱するに際し、上記被処理体の出入り口
を閉状態にするとともに上記カバー内を熱排気状態で加
熱するので、外気が上記出入り口を通って上記カバー内
に流れ込むのを防止できる。また、上記カバー内の熱気
は、熱排気を積極的に設けたので、上記出入り口を通っ
て外部に流れ出すことはない。(Function) In the heating method of the present invention, when an object to be processed is placed on a heating plate surrounded by a cover and heated, the entrance and exit of the object to be processed is closed, and the inside of the cover is heated in a heat exhaust state. Therefore, it is possible to prevent outside air from flowing into the cover through the inlet/outlet. Further, since the hot air inside the cover is actively vented, the hot air inside the cover does not flow out through the opening.
（実施例）
以下１本発明方法を半導体製造のレジスト塗布後の加熱
工程に適用した一実施例を図面を参照して説明する。(Example) An example in which the method of the present invention is applied to a heating step after resist coating in semiconductor manufacturing will be described below with reference to the drawings.
第１図第２図に示すように、基台（１７）には、被処理
体例えばレジスト塗布基板の半導体ウェハ（１８）を載
置して吸着保持し加熱するための発熱体、例えばヒータ
ー（図示せず）を内蔵し温度制御器（図示せず）によっ
て温度制御される２個の発熱板Ａ （１９） Ｂ （２
０）が、断熱性を有する支持材（図示せず）により支持
並置されている。As shown in FIG. 1 and FIG. 2, a heating element, such as a heater ( (not shown) and whose temperature is controlled by a temperature controller (not shown).
0) are supported and juxtaposed by a support material (not shown) having heat insulating properties.
この発熱板Ａ （１９） Ｂ （２０）の両端側、例え
ば左側には半導体ウェハ（１８）を載置して搬送するベ
ルト（２１）を備えた搬送機構Ａ （２２）が、右側に
は同様の搬送機構Ｂ （２３）が配置されている。On both ends of the heating plates A (19) and B (20), for example on the left side, there is a conveyance mechanism A (22) equipped with a belt (21) for placing and conveying a semiconductor wafer (18), and on the right side there is A transport mechanism B (23) is arranged.
また、基台（１７）上には、一般にウオーキングビーム
方式と呼称されている搬送機構Ｃ（２４）が設けられて
いる。この搬送機構Ｃ（２４）は、搬送機構Ａ（２２）
Ｂ （２３）の近傍を通過可能で且つ常時は発熱板Ａ
（１９） Ｂ （２０）に設けられた溝部（図示せず
）に納まる如く形成された２本の搬送部材の搬送ビーム
（２５）を上部に備えている。さらに、上記搬送機構Ｃ
（２４）は、上記搬送ビーム（２５）を昇降するための
、切換弁（２６）によって動作制御されるエアシリンダ
ー Ａ （２７）と、上記搬送ビーム（２５）を左右に
移動するためのエアシリンダーＢ（図示せず）とを備え
ている。そして、上記エアシリンダーＡ（２７）を動作
させることにより、搬送機構Ａ （２２）発熱板Ａ（１
９） Ｂ （２０）に載置されている半導体ウェハ（１
８）を搬送ビーム（２５）で持ち上げ、エアシリンダー
Ｂ（図示せず）を動作させることにより上記半導体ウェ
ハ（１８）を右方向に所定の距離だけ搬送する如く構成
されている。Further, on the base (17), a transport mechanism C (24) which is generally referred to as a walking beam system is provided. This transport mechanism C (24) is similar to transport mechanism A (22).
Can pass near B (23) and is always connected to heat generating plate A
(19) B A conveyor beam (25) of two conveyor members formed to fit into a groove (not shown) provided in (20) is provided on the upper part. Furthermore, the above-mentioned transport mechanism C
(24) is an air cylinder A (27) whose operation is controlled by a switching valve (26) for raising and lowering the transport beam (25), and an air cylinder A (27) for moving the transport beam (25) from side to side. B (not shown). Then, by operating the air cylinder A (27), the transport mechanism A (22) and the heating plate A (1
9) Semiconductor wafer (1) placed on B (20)
The semiconductor wafer (18) is lifted by a transport beam (25) and an air cylinder B (not shown) is operated to transport the semiconductor wafer (18) a predetermined distance to the right.
一方、発熱板Ａ （１９） Ｂ （２０）の上方には、
この発熱板Ａ （１９） Ｂ （２０）の上面近傍を包
囲するカバー（２８）が配置されている。そして、この
カバー（２８）の左右すなわち搬送機構Ａ （２２）と
Ｂ （２３）側には、搬送機構Ｃ（２４）の搬送ビーム
（２５）によって半導体ウェハ（１８）が通過可能に形
成された出入り口Ａ（２９） Ｂ （３０）が設けられ
ている。この出入り口Ａ（２９） Ｂ （３０）のカバ
ー（２８）内側には、切換弁（２６）にエアシリンダー
（２７）と並列に配管接続されたエアシリンダーＣ（図
示せず）Ｄ（図示せず）によって昇降され上記出入り口
Ａ （２９） Ｂ （３０）を開閉する開閉手段例えば
遮蔽板Ａ （３１） Ｂ （３２）が設けられている。On the other hand, above the heating plate A (19) B (20),
A cover (28) is arranged to surround the vicinity of the upper surface of the heating plate A (19) B (20). A semiconductor wafer (18) is formed on the left and right sides of this cover (28), that is, on the transport mechanism A (22) and B (23) sides, so that the semiconductor wafer (18) can pass therethrough by the transport beam (25) of the transport mechanism C (24). Doorways A (29) and B (30) are provided. Inside the cover (28) of this entrance/exit A (29) B (30), air cylinders C (not shown) and D (not shown) are connected to the switching valve (26) in parallel with the air cylinder (27). ) for opening and closing the doorways A (29) B (30), such as shielding plates A (31) B (32).
次に、カバー（２８）内の発熱板Ａ （１，９） Ｂ
（２０） Ｊ二面近傍には、耐熱ガラス等により平板状
に形成された断熱材（３３）が、カバー（２８）内−に
壁と離間してカバー（２８）に取着されている。Next, heat generating plate A (1,9) B inside the cover (28)
(20) Near the second surface of J, a heat insulating material (33) formed into a flat plate of heat-resistant glass or the like is attached to the cover (28) within the cover (28) and spaced apart from the wall.
なお、」１記断熱材（３３）の左右端と遮蔽板Ａ （３
１）およびＢ （３２）との中間には、一端をカバー（
２８）向上壁に取着された仕切板Ａ （３４） Ｂ （
３５）が配置されており、それぞれ空気の流通可能な如
く隙間（３６）を設けて構成されている。In addition, the left and right ends of the insulation material (33) and the shielding plate A (3
1) and B (32), one end is covered (
28) Partition plate A (34) B (
35) are arranged, each with a gap (36) to allow air to circulate.
一方、カバー（２８）上壁には、カバー（２８）内を熱
排気するための少くとも１個の排気管（：３７）が取着
されている。そして上記仕切板Ａ （３４） Ｂ （３
５）と排気管（３７）とから構成されたカバー（２８）
内の排気手段を、排気装置（図示せず）に配管接続し、
カバー （２８）内の空気を所定の流量にて排気する如
く構成されている。On the other hand, at least one exhaust pipe (37) for exhausting heat from the inside of the cover (28) is attached to the upper wall of the cover (28). And the partition plate A (34) B (3
5) and a cover (28) consisting of an exhaust pipe (37)
Connect the exhaust means inside to an exhaust device (not shown) by piping,
It is configured to exhaust air within the cover (28) at a predetermined flow rate.
次に、動作作用について説明する。Next, the operation effect will be explained.
先ず、搬送アーム等の搬送Ｊａ構（図示せず）により、
処理前の半導体ウェハ（１８）を搬送機構Ａ（２２）の
ベルト（２１）上に載置した後、必要に応じて上記搬送
機構Ａ （２２）を動作させて上記半導体ウェハ（１８
）を搬送して所定の位置となるように位置決めする。First, using a transport mechanism (not shown) such as a transport arm,
After placing the unprocessed semiconductor wafer (18) on the belt (21) of the transport mechanism A (22), the transport mechanism A (22) is operated as necessary to transfer the semiconductor wafer (18) to the belt (21) of the transport mechanism A (22).
) is transported and positioned to a predetermined position.
次に、切換弁（２６）を切換えて圧縮空気供給源からの
圧縮空気をエアシリンダー（２７）に供給して搬送機構
Ｃ（２４）を上昇させ、搬送ビーム（２５）に半４体ウ
ェハ（１８）を載置して搬送機構Ａ （２２）から持ち
上げる。同時に、エアシリンダーＣ（図示せず）Ｄ（図
示せず）も動作して、遮蔽板Ａ （３１） Ｂ （３２
）は上昇して出入り口Ａ （２９） Ｂ （３０）は開
状態になる。Next, the switching valve (26) is switched to supply compressed air from the compressed air supply source to the air cylinder (27) to raise the transport mechanism C (24), and the half-quad wafer ( 18) and lift it from the transport mechanism A (22). At the same time, air cylinders C (not shown) and D (not shown) also operate, shielding plates A (31) B (32
) rises and entrances A (29) and B (30) become open.
このように、同時動作させることにより、搬送ビーム（
２５）に載ばされて搬送される半導体ウェハ（１８）と
遮蔽板Ａ （３１） Ｂ （３２）が接触干渉する等の
トラブルを防止することができる。In this way, by operating simultaneously, the transport beam (
It is possible to prevent troubles such as contact interference between the semiconductor wafer (18) carried on the board 25) and the shielding plates A (31) B (32).
そして、エアシリンダーＢ（図示せず）を動作させて搬
送ビーム（２５）を右方向つまり発熱板Ａ（１９）方向
に所定の距離例えば発熱板Ａ （１９） Ｂ （２０）
の配置間隔に相等する距離だけ移動させる。この時、半
導体ウェハ（１８）はカバー（２８）の出入り口Ａ（２
９）を通過して発熱板Ａ（１９）の所定の載置位置に搬
送される。Then, the air cylinder B (not shown) is operated to move the conveyance beam (25) to the right, that is, in the direction of the heat generating plate A (19) by a predetermined distance, for example, the heat generating plate A (19) B (20).
Move by a distance equal to the placement interval of . At this time, the semiconductor wafer (18) is inserted into the opening A (2) of the cover (28).
9) and is transported to a predetermined mounting position of the heat generating plate A (19).
次に、切換弁（２６）を元の状態に切換えてエアシリン
ダーＡ （２７） 、エアシリンダーＣ（図示せず）Ｄ
（図示せず）の動作を復帰させ、搬送ビーム（２５）上
の半導体ウェハ（１８）を発熱板Ａ （１９）上に載置
して設け吸着保持すると共に、遮蔽板Ａ （３１） Ｂ
（３２）を下降して出入り口Ａ （２９） Ｂ （３０
）を閉状態にする。そして、エアシリンダーＢ（図示せ
ず）を復帰させて搬送機構Ｃ（２４）を左方向に移動し
て元の位置に戻し待機させる。Next, switch the switching valve (26) back to its original state to open the air cylinder A (27) and air cylinder C (not shown) D.
(not shown), the semiconductor wafer (18) on the transport beam (25) is placed on the heating plate A (19) and held by suction, and the shielding plates A (31) B
(32) and go down entrance A (29) B (30
) to the closed state. Then, the air cylinder B (not shown) is returned to its original position, and the transport mechanism C (24) is moved to the left and returned to its original position to stand by.
一方、熱板Ａ （１９） Ｂ （２０）は、ヒーター（
図示せず）を温度制御器（図示せず）によって制御し、
予め所定の温度例えば８０〜２００ ”Ｃ程度の範囲内
の所定の温度に設定しておき、半導体ウェハ（１８）の
表面に塗布されたレジストを予め定められた期間加熱す
る。On the other hand, the hot plates A (19) and B (20) are heaters (
(not shown) is controlled by a temperature controller (not shown);
The resist applied to the surface of the semiconductor wafer (18) is heated for a predetermined period of time by setting a predetermined temperature in advance, for example, within a range of about 80 to 200''C.
この時、第２図に示すように、カバー（２８）の出入り
口Ａ （２９）は遮蔽板Ａ （３１）によって閉じられ
ているので、外部からクリーンエアー等の冷えた空気が
カバー（２８）内に流入することによる発熱板Ａ（１９
）上の温度分布の乱れを防止できるので、発熱板Ａ （
１９）の良好な温度均一性を得ることができる。At this time, as shown in Fig. 2, since the entrance A (29) of the cover (28) is closed by the shielding plate A (31), cold air such as clean air from the outside enters the cover (28). Heat generating plate A (19
) can prevent disturbances in the temperature distribution on the heating plate A ( ).
19) Good temperature uniformity can be obtained.
また、カバー（２８）自発熱板Ａ （１９）上の対流熱
は。In addition, the convection heat on the cover (28) and the self-heating plate A (19) is as follows.
出入り口Ａ （２９）を閉じている遮蔽板Ａ （３１）
により上記出入り口Ａ（２９）から外部に流出すること
はなく、隙間（３６）および断熱材（３３）上方を通り
排気管（３７）から熱排気されるので、カバー（２８）
の側面部出入り口Ａ （２９）上方部分の温度が上がる
ことはないので、安全性も高くなる。なお、上記排気管
（３７）からの排気量は１発熱板Ａ（１９）の温度分布
に影響を及ぼさない程度に設定するのは言うまでもない
。Shielding plate A (31) closing doorway A (29)
Because of this, the heat does not flow out from the entrance A (29) to the outside, but the heat is exhausted from the exhaust pipe (37) through the gap (36) and above the heat insulating material (33), so the cover (28)
Side entrance/exit A (29) Since the temperature of the upper part does not rise, safety is also increased. It goes without saying that the amount of exhaust from the exhaust pipe (37) is set to such an extent that it does not affect the temperature distribution of the first heat generating plate A (19).
なお、カバー（２８）の右側の発熱板Ｂ （２０）出入
り口Ｂ （３０）遮蔽板Ｂ （３２）についても上記同
様のことが言えるので説明は省略する。発熱板Ａ（１９
）による半導体ウェハ（１８）の加熱が終了すると、上
記説明した動作により１発熱板Ａ （１９）上の半導体
ウェハ（１８）を発熱板Ｂ （２０）に移すと共に、次
に処理すべき半導体ウェハ（１８）を発熱板Ａ（１９）
に載置する。Note that the same can be said of the heat generating plate B (20) entrance/exit B (30) shielding plate B (32) on the right side of the cover (28), so a description thereof will be omitted. Heat generating plate A (19
), the semiconductor wafer (18) on heating plate A (19) is transferred to heating plate B (20) by the operation described above, and the semiconductor wafer to be processed next is transferred. (18) to heating plate A (19)
Place it on.
以後、上記動作を繰り返し順次、搬送機構Ａ（２２）上
の半導体ウェハ（１８）を搬送して発熱板Ａ（１９）
Ｂ （２Ｑ）にて加熱し、加熱が終了した半導体ウェハ
（１８）を搬送機構Ｂ （２３）で搬出し、次の工程に
送り出す。Thereafter, the above operation is repeated and the semiconductor wafers (18) on the transport mechanism A (22) are transported one after another to the heating plate A (19).
The semiconductor wafer (18) is heated in B (2Q), and the heated semiconductor wafer (18) is carried out by the transport mechanism B (23) and sent to the next process.
なお、上記実施例では、搬送機４１ Ａ （２２） Ｂ
（２３）としてベルト搬送方式のものを使用したもの
について説明したが、上記搬送機構は例えば吸着アーム
を使用したものを使用してもよい。In addition, in the above embodiment, the conveyor 41 A (22) B
(23) has been described using a belt conveyance system; however, the conveyance mechanism may use, for example, a suction arm.
また、搬送機構Ｃ（２４）や遮蔽板Ａ （３１） Ｂ
（３２）を昇降する機構も、上記説明のエアシリンダを
使用したものに限定されるものではなく１例えばボール
スクリューを使用したもの、モータを使用したもので構
成してもよい。さらに１例えば昇降用にエアシリンダ（
２７）を１個だけ使用し機械的に搬送機構Ｃ（２４）
、遮蔽板Ａ （３１） Ｂ （３２）を同時に昇降する
如く構成してもよい。In addition, the transport mechanism C (24) and the shielding plate A (31) B
The mechanism for raising and lowering (32) is not limited to the one using the air cylinder described above, but may also be constructed using, for example, a ball screw or a motor. In addition, for example, an air cylinder (
Mechanically conveying mechanism C (24) using only one 27)
, shielding plates A (31) and B (32) may be configured to move up and down at the same time.
また、仕切板Ａ （３４） Ｂ （３５）は、第２図に
示すようにカバー（２８）内側上壁部付近に、上記仕切
板Ａ（３４） Ｂ （３５）を貫通する連通口（３８）
を設け、遮蔽板Ａ （３１） Ｂ （３２）上方の熱気
を、この連通口（３８）を通して排気するように構成し
てもよい。Furthermore, as shown in FIG. 2, the partition plates A (34) B (35) have communication ports (38 )
may be provided, and the hot air above the shielding plates A (31) B (32) may be exhausted through this communication port (38).
なお、遮蔽板Ａ （３１） Ｂ （３２）は、出入り口
Ａ （２９）Ｂ （３０）部分と非接触に配置した方が
ゴミの発生がなく、且つ形状は出入り口Ａ （２９）
Ｂ （３０）近傍の状態に即して形成することは言うま
でもない。It should be noted that it is better to arrange the shielding plates A (31) B (32) so that they do not come in contact with the entrance/exit A (29) and B (30) portions to avoid dust generation, and the shape is similar to that of the entrance/exit A (29).
It goes without saying that it is formed in accordance with the state in the vicinity of B (30).
上述したように本発明加熱方法によれば、人体に安全且
つ均一な加熱を行うことが可能となる。As described above, according to the heating method of the present invention, it is possible to safely and uniformly heat the human body.
第１図は本発明方法をレジスト塗布後の加熱工程に適用
した一実施例を示す構成図、第２図は第１図の主要部の
説明図、第３図は従来例の図である。
１８・・・半導体ウェハ、 １９・・・発熱板Ａ、２
０・・・発熱板Ｂ、 ２２・・・搬送機構Ａ、２
３・・・搬送機構Ｂ、 ２４・・・搬送機構Ｃ１２
５・・・搬送ビーム、 ２７・・・エアシリンダー
、２８・・・カバー、 ２９・・・出入り口
Ａ、３０・・・出入り口Ｂ１３１・・・遮蔽板Ａ、３２
・・・遮蔽板Ｂ、３３・・・断熱材、３４・・・仕切板
Ａ、３５・・・仕切板Ｂ、３７・・・排気管、
３８・・・連通口。
特許出願人 東京エレクトロン株式会社チル九州株式会
社
第１図
第２図FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment in which the method of the present invention is applied to a heating step after resist coating, FIG. 2 is an explanatory diagram of the main part of FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram of a conventional example. 18... Semiconductor wafer, 19... Heat generating plate A, 2
0... Heat generating plate B, 22... Transport mechanism A, 2
3...Transportation mechanism B, 24...Transportation mechanism C12
5... Conveyance beam, 27... Air cylinder, 28... Cover, 29... Doorway A, 30... Doorway B131... Shielding plate A, 32
... Shielding plate B, 33... Heat insulating material, 34... Partition plate A, 35... Partition plate B, 37... Exhaust pipe,
38...Communication port. Patent applicant Tokyo Electron Co., Ltd. Chill Kyushu Co., Ltd. Figure 1 Figure 2
Claims (1)
るに際し、 上記被処理体の出入り口を閉状態にするとともに上記カ
バー内を熱排気状態で加熱することを特徴とする加熱方
法。[Scope of Claims] When the object to be processed is placed on a heat generating plate surrounded by a cover and heated, an entrance and exit of the object to be processed is closed and the inside of the cover is heated while being heated. heating method.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP63130722A JP2691907B2 (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Heating method, processing apparatus and processing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01300519A true JPH01300519A (en) | 1989-12-05 |
| JP2691907B2 JP2691907B2 (en) | 1997-12-17 |
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ID=15041065
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63130722A Expired - Lifetime JP2691907B2 (en) | 1988-05-27 | 1988-05-27 | Heating method, processing apparatus and processing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2691907B2 (en) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2691907B2 (en) | 1997-12-17 |
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