JPH01299448A - 核磁気共鳴装置用温度制御装置 - Google Patents

核磁気共鳴装置用温度制御装置

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JPH01299448A
JPH01299448A JP63129678A JP12967888A JPH01299448A JP H01299448 A JPH01299448 A JP H01299448A JP 63129678 A JP63129678 A JP 63129678A JP 12967888 A JP12967888 A JP 12967888A JP H01299448 A JPH01299448 A JP H01299448A
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JP
Japan
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temperature
probe
valve
gas
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP63129678A
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English (en)
Inventor
Keiichiro Higuchi
樋口 啓一郎
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Jeol Ltd
Original Assignee
Jeol Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、核磁気共鳴装置に用いられる試料の温度制御
装置に関する。
[従来の技術] 従来、核磁気共鳴装置では核磁気共鳴プローブ内の試料
の温度を例えば−150℃から+200℃までの広い範
囲内の任意の値に設定することが要求されており、試料
の温度制御装置として、第3図に示すような構成の装置
が知られている。第3図において、1は核磁気共鳴プロ
ーブ、2は試料管、3はガス源、4はガス移送管、5は
加熱器、6はヒーター、7は温度検出素子、8は温度検
出回路、9は差動増幅器、10は温度設定回路、11は
電源である。
このような試料の温度制御装置では、プローブ1内には
ガス源3から送出された空気または低温ガスが加熱器5
によって適宜な温度を与えられて移送管4を介して供給
され、プローブ内部の温度が可変される。そして、プロ
ーブ1内に挿入された試料管2の近傍に配置された熱電
対等の温度検出素子7によってプローブ内の温度が測定
され、得られた信号はりニアライザなどによって構成さ
れる温度検出回路8に供給され温度とリニアな関係を有
する温度検出信号に変換された後、差動増幅器9へ送ら
れる。該差動増幅器9のリファレンス入力端子には温度
設定回路10からの温度設定信号が供給されて、おり、
該差動増幅器9は上記温度検出信号と温度設定信号の差
信号を求め、前記加熱器5のヒーター6の加熱電力を制
御するための電源11へ送り、ヒーター温度を制御して
任意の温度ガスを作り、このガスをプローブに送って試
料温度を可変するようにしている。
[発明が解決しようとする課題] このような構成の装置において、温度設定回路10の温
度設定信号を変化させて加熱器5のヒーター加熱電力を
上げて、一定温度に制御されてプローブ1内に供給され
ているガス、例えば空気の温度ToをT2まで上昇させ
た場合、プローブ内温度の時間に対する変化は第4図(
a)のような温度変化を示す。また、ある一定温度に制
御されたプローブ内温度Toを加熱器5のヒーター加熱
電力を下げてT3まで低下させた場合、プローブ内温度
の時間に対する変化は第4図(b)のような変化を示す
。ここで、第4図(a)及び(b)のグラフを比較する
と、プローブ内の温度が設定された温度に到達して安定
するまでにかかる時間は昇温時と降温時で大きく異なる
ことが分かる。
この原因について考察したところ、昇温時のヒーターの
電熱変換にかかる時定数及びガス源から送出された空気
とヒーターとの熱交換による時定数は2秒程度と比較的
短いが、降温時には加熱器5のヒーター加熱電力を下げ
た後、ヒーターがガス源から送出された空気によって熱
交換されて放熱するまでに10秒以上の時間を要してい
ることが明らかになった。
また、第4図(a)のグラフ中の丸印で囲んだ部分の温
度制御の様子を拡大すると、第4図(c)に示すように
設定温度T2を境に不安定な温度制御が行われている。
第4図(C)に示すような場合、上昇してきた温度が設
定温度T2を越えた時点でヒーター加熱電力が断たれる
が、該加熱電力が断たれた後も該ヒーターが放熱する過
程(ガス源から送出された空気がヒーターの熱を奪うま
で)でガス源から送出された空気が若干の温度上昇を続
ける。そして、設定温度以上に上昇した温度が再び設定
温度まで低下するまでには、先に述べたように昇温時よ
りも長い時間がかかる。また、プローブ内の温度が低下
して、該設定温度を高温側から低温側へ越えた時点で再
びヒー多−が加熱されるが、ガス源から送出された空気
は該ヒーターの加熱後直ぐに急激に温度上昇して設定温
度を越えるため、再びヒーター加熱電力は断たれる。こ
のように、昇温速度に対して降温速度が遅い場合には安
定した温度を得るまで、上述したような制御を繰り返し
て行なうため、目的の温度に収束するまでに長い時間を
要し、結果として核磁気共鳴測定を長引かせることが問
題となっている。
また、ガス源3から送出された液体窒素など冷却ガスを
加熱器らによって加熱して得た適宜な温度のガスがプロ
ーブ1内に供給される場合には、降温速度に対して昇温
速度が遅くなるが、このような場合も安定した温度を得
るまでに長い時間を要するため、同様の問題が発生して
いる。
本発明は、上記問題点を考慮し、温度の異なる2種類の
ガスを混合してプローブ内へ供給するためのバルブを設
けることにより、温度制御の安定性と制御精度の高い温
度制御装置を提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段] 本発明は、核磁気共鳴プローブと、該プローブ内に挿入
される試料管と、温度の異なる2種類のガスを発生する
手段と、該2種類のガスを混合して前記プローブ内へ供
給するためのバルブと、前記プローブ内へ供給されたガ
スの温度を検出する温度検出手段と、該温度検出手段か
ら得られた温度検出信号と予め設定された設定温度信号
との差信号を求める差信号検出手段とを備え、該差信号
に基づいて前記バルブの混合比を制御するようにしたこ
とを特徴とする。
[作用コ 本発明は、温度の異なる2種類のガスを混合してプロー
ブ内へ供給するためのバルブを設け、該バルブの混合比
を制御することにより、試料の温度制御を行なうように
している。
[実施例] 以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図、第
2図は動作を説明するための図である。第1図において
第3図と同一の構成要素には同一番号が付しである。
第1図に示す実施例が従来例と異なる点は、移送管4中
に加熱及び冷却を行なうための二つの熱交換器12a、
12bを設けると共に、該熱交換器の熱源及び冷却源と
して熱授受能力の等しいベルチェ素子13と該素子を制
御するための制御回路14を設けた点と、該熱交換器1
2a、12bにおいてガス源3から送出されたガスを同
時に加熱及び冷却し、得られた温度差のある2種のガス
を混合してプローブ1内へ供給するバルブ15及び該バ
ルブを制御するバルブ制御回路17を設けた点である。
第1図において、先ず、温度設定回路10の温度設定信
号に基づいて予熱ヒーター制御回路16が予熱ヒーター
Hを制御し、ガス源3から送出された空気または低温ガ
スを設定温度Toまで加熱する。そして、該ガスはベル
チェ素子]3を介して設けられた加熱用熱交換器12a
及び冷却用熱交換器12bl:i給され、必要な温度可
変範囲T2+ΔT及びT2−ΔTまで加熱または冷却さ
れる。
ところで、該ベルチェ素子13は該素子を形成する2種
の金属または半導体の接続点に電流を流すと、この接続
点で発熱と吸熱を発生するという特性(ペルチェ効果)
を持っている。また、発生する熱量は素子に流す電流に
比例し、その発熱量と吸熱量は同量となる。
前記熱交換器1.2a、12bによって設定された温度
差のある二つのガスはバルブ制御回路17によって制御
されるバルブ15によって混合されて任意の温度のガス
としてプローブ内に供給される。
一方、プローブ1内の試料管2の近傍に配置された熱電
対等の温度検出素子7によってプローブ内の温度が測定
される。そして、得られた信号はリニアライザなどによ
って構成される温度検出回路8に供給され、温度とリニ
アな関係を有する温度検出信号に変換された後、差動増
幅器9へ送られる。該差動増幅器9のリファレンス入力
端子には温度設定回路10からの温度設定信号が供給さ
れており、該差動増幅器9は上記温度検出信号と温度設
定信号の差信号を求め、該信号を前記バルブ制御回路1
7に供給してバルブ15を制御し、前記温度差のある二
つのガスをバルブ15を介して混合して任意の温度ガス
を作り、このガスをプローブ内に送って試料温度を可変
及び安定化するようにしている。
ここで、本実施例の装置において温度設定信号を変化さ
せて、ある一定温度に制御されたプローブ内の試料温度
を上昇及び下降させた。先ず、ある一定温度に制御され
たプローブ内の試料温度T1をT2まで上昇させた場合
、プローブ内温度の時間に対する変化は第2図(a)の
ような変化となった。また、ある一定温度T1に制御さ
れたプローブ内の試料温度T1をT3まで低下させた場
合に、プローブ内の温度の時間に対する変化は第2図(
b)のような変化となった。ここで、第2図(a)及び
(b)のグラフを比較すると、昇温時と降温時で、設定
された温度に到達して安定するまでの時間が略等しくな
っていることが分がる。
また、第2図(a)のグラフ中の丸印で囲んだ部分の温
度制御の様子を拡大すると、第2図(c)のようになっ
ている。第2図(C)に示すように、上昇してきた温度
が設定温度を越えた時点でバルブの混合比が切り換えら
れ、冷却用熱交換器12bからの高温のガスがより多く
プローブ1内に供給される。また、該ガスによってプロ
ーブ内の温度が低下して、前記設定温度を高温側から低
温側へ越えた時、該時点で再びバルブの混合比が切り換
えられ、加熱用交換器12aからの低温のガスがより多
くプローブ内に供給される。このように、昇温時と降温
変時の温度変化の速度が等しい場合には短時間で目標の
温度に安定させることができる。
[発明の効果コ 以上の説明から明らかなように、本発明にょれば、温度
の異なる2種類のガスを得ると共に、該ガスを混合して
プローブ内へ供給するバルブを設け、該バルブの混合比
を制御することにより試料の温度制御をするようにした
ことにより、試料加熱時の昇温速度と試料冷却時の降温
速度を等しくすることが可能となった。そのため、制御
温度を変更する場合に短時間で安定した温度を得ること
ができると共に、制御精度の高い温度制御装置を実現す
ることができ、核磁気共鳴測定をスムーズに行なうこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図
、第2図は動作を説明するための図、第3図及び第4図
は従来例を説明するための図である。 1:核磁気共鳴ブa−ブ 2:試料管 3:ガス源       4:ガス移送管5:加熱器 
      6:ヒーター7:温度検出素子    8
:2a度検出回路9:差動増幅器    10:温度設
定回路11:電源 12a:加熱用熱交換器 12b=冷却用熱交換器 13:ペルチェ素子 14:ペルチェ素子制御回路 15:バルブ 16:予熱ヒーター制御回路 17:バルブ制御回路 出願人      日本電子株式会社 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 核磁気共鳴プローブと、該プローブ内に挿入される試料
    管と、温度の異なる2種類のガスを発生する手段と、該
    2種類のガスを混合して前記プローブ内へ供給するため
    のバルブと、前記プローブ内へ供給されたガスの温度を
    検出する温度検出手段と、該温度検出手段から得られた
    温度検出信号と予め設定された設定温度信号との差信号
    を求める差信号検出手段とを備え、該差信号に基づいて
    前記バルブの混合比を制御するようにしたことを特徴と
    する核磁気共鳴装置用温度制御装置。
JP63129678A 1988-05-27 1988-05-27 核磁気共鳴装置用温度制御装置 Pending JPH01299448A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0461493A2 (de) * 1990-06-12 1991-12-18 Spectrospin Ag Probentemperiervorrichtung
JP2007212381A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Jeol Ltd 温度調節装置
US11061088B2 (en) * 2018-08-31 2021-07-13 Osaka University NMR probe system and method of using NMR probe system

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