JPH01298155A - Magneto-optical recording medium, sputtering target, and manufacture of sputtering target - Google Patents

Magneto-optical recording medium, sputtering target, and manufacture of sputtering target

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JPH01298155A
JPH01298155A JP13053988A JP13053988A JPH01298155A JP H01298155 A JPH01298155 A JP H01298155A JP 13053988 A JP13053988 A JP 13053988A JP 13053988 A JP13053988 A JP 13053988A JP H01298155 A JPH01298155 A JP H01298155A
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Abstract

PURPOSE:To obtain a target for manufacturing a magneto-optical recording medium causing no component distribution within a film-forming plane by placing a powder of transition metal and an ingot of rare earth-transition metal alloy into a mold, heating the inside of the mold at a temp. between respective melting points of both, cooling the above, and then working the resulting formed body. CONSTITUTION:A powder of transition metal, such as Fe and Co, and an ingot of an alloy of rare earth element, such as Nd and Dy, and the transition metal are placed into a mold. The inside of the mold is heated at a temp. between the melting points of both and then cooled. The resulting formed body is worked into a sputtering target. By using this target, a magneto-optical recording medium in which a magneto-optical recording film exists on a transparent substrate is manufactured. This target has a structure consisting of three phases of a simple-substance phase of rare earth metal, a simple-substance phase of transition metal, and a rare earth-transition metal alloy phase. When this target is used, oxygen content is reduced and filling density is increased, and sputtering can be stabilized from the initial stage.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野] 本発明は希土類遷移金属合金スパッタリング用ターゲッ
トの組織及び組成及び製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to the structure and composition of a sputtering target for rare earth transition metal alloys, and to a manufacturing method.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

希土類遷移金属系光磁気記録膜を作成するスパッタリン
グ用ターゲットは従来より鋳造法、焼結法、半溶融法な
どがある。ここでいう鋳造法とは鋳込んだ鋳塊をそのま
ま外径加工にてターゲットにするものであり、焼結法と
は一度鋳込んだ鋳塊を粉砕し、焼結にてターゲット形状
とするものである。又、半溶融法とは特開昭61−95
788号、特開昭61−99640号に示すものである
Conventional sputtering targets for producing rare earth transition metal-based magneto-optical recording films include casting methods, sintering methods, and semi-melting methods. The casting method referred to here is a method in which the cast ingot is used as a target by external diameter processing, and the sintering method is a method in which the cast ingot is crushed and sintered to form a target shape. It is. Also, the semi-melting method is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1986-1995.
No. 788 and JP-A-61-99640.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

しかしながら前述の焼結法は、本質的に酸素量を多く含
み(2000ppmが限界)、酸化され易い希土類遷移
金属系には適していない。一方、鋳造法は酸素量も少な
く (500ppm程度)好ましいが、成膜面内で組成
分布が生じるという問題点を有する。
However, the above-mentioned sintering method is not suitable for rare earth transition metal systems which inherently contain a large amount of oxygen (2000 ppm is the limit) and are easily oxidized. On the other hand, the casting method is preferable because it has a small amount of oxygen (approximately 500 ppm), but it has the problem that compositional distribution occurs within the film-forming surface.

又、半熔融法で作成したターゲットは基板面内で組成分
布が生じにくいという特長があるが、半溶融法も基本的
には焼結による製造であるため、ターゲットは完全な密
状態となっておらず、空隙がターゲット内部まで連続し
てつながっており、大気中に放置された場合はターゲッ
トの表面から内部に向かって酸化が進行し、予備スパッ
タリングでは酸化層をクリーニングできないほどの酸化
層となってしまう。
In addition, targets made by the semi-melting method have the advantage that compositional distribution is less likely to occur within the substrate surface, but since the semi-melting method is also basically manufactured by sintering, the target is completely dense. The voids are continuous to the inside of the target, and if the target is left in the atmosphere, oxidation will progress from the surface to the inside of the target, resulting in an oxide layer that cannot be cleaned by preliminary sputtering. It ends up.

そこで本発明は、このような課題を解決するもので、そ
の目的とするところは従来の鋳造合金ターゲットがもつ
成膜面内で組成分布が生じるという欠点を克服し、さら
に半溶融法、焼結法ターゲットのもつ酸化されやすいと
いう欠点を克服する希土類遷移金属ターゲット及びその
製造方法を種々提供することろにある。
The present invention is intended to solve these problems, and its purpose is to overcome the drawback of conventional cast alloy targets that compositional distribution occurs within the film formation surface, and also to It is an object of the present invention to provide rare earth transition metal targets and various methods for producing the same, which overcome the disadvantage of oxidation susceptibility of process targets.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

(1)希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造するための鋳造合金ターゲットにお
いて、鋳造合金ターゲット中の金属組織が希土類全屈単
体相と遷移金属単体相と希土類遷移金属合金相からなる
ことを特徴とする。
(1) In a cast alloy target for producing a magneto-optical recording layer made of a rare earth-transition metal alloy by sputtering, the metal structure in the cast alloy target is a rare-earth total bending phase, a transition metal simple phase, and a rare-earth-transition metal alloy phase. It is characterized by consisting of.

(2)  スパッタリング用クーゲットの主たる組成が
、Sm、Nd、Pr、Ceのうち少なくとも1種以上の
軽希土類金属(L R)と、Gd、Tb、Dyのうちの
少なくとも1種類以上の重希土類金属(HR)とを含み
、さらにFe、Coのうち少なくとも1種以上の遷移金
属(TM)を含むことを特徴とする。
(2) The main composition of the Couget for sputtering is at least one light rare earth metal (LR) among Sm, Nd, Pr, and Ce, and at least one heavy rare earth metal among Gd, Tb, and Dy. (HR), and further contains at least one transition metal (TM) among Fe and Co.

(3)前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Gd、Tb、  Dyのうちの少なくとも1種以上の
重希土類金属(HR)と、Fe、Coのうち少なくとも
1種以上の遷移金属(TM)を含むことを特徴とする。
(3) The main composition of the sputtering target includes at least one heavy rare earth metal (HR) among Gd, Tb, and Dy, and at least one transition metal (TM) among Fe and Co. It is characterized by

(4)  スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移
金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ、遷移金
属の融点と鋳塊の融点との間の温度で型内を加熱し、そ
の後冷却してできた成形体を加工し作製されることを特
徴とする。
(4) The sputtering target is made by placing a transition metal powder and a rare earth transition metal alloy ingot into a mold, heating the inside of the mold to a temperature between the melting point of the transition metal and the melting point of the ingot, and then cooling it. It is characterized in that it is produced by processing a molded body made of

(5)スパッタリング用ターゲットが、型内に発泡状遷
移金属のシートと希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ、遷
移金属シートの融点と鋳塊の融点との間の温度で前記型
内を加熱し、その後冷却してできた成形体を加工し作製
されることを特徴とする。
(5) For the sputtering target, a foamed transition metal sheet and a rare earth transition metal alloy ingot are placed in a mold, and the inside of the mold is heated at a temperature between the melting point of the transition metal sheet and the melting point of the ingot. , and is characterized in that it is produced by processing a molded body that is then cooled.

(6)スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移金属
粉末と希土類遷移金属合金粉末とが混合された混合粉と
して入れられ、遷移金属と希土類遷移金属合金との間の
融点で型内を加熱し、その後冷却してできた成形体を加
工し作製されることを特徴とする。
(6) A sputtering target is placed in a mold as a mixed powder of a transition metal powder and a rare earth transition metal alloy powder, and the inside of the mold is heated to a melting point between the transition metal and the rare earth transition metal alloy. It is characterized in that it is produced by processing a molded body that is then cooled.

(7)  スパッタリング用ターゲットが、空孔率30
%以上80%以下の遷移金属粉末を用いて作製されるこ
とを特徴とする。
(7) The sputtering target has a porosity of 30
% or more and 80% or less of transition metal powder.

(8)  スパッタリング用ターゲットが、空孔率30
%以上80%以下の発泡状遷移金属のシートを用いて作
製されることを特徴とする。
(8) The sputtering target has a porosity of 30
% or more and 80% or less of a foamed transition metal sheet.

(9)スパッタリング用ターゲットの製造方法において
、遷移金属の粉末の平均粒径が10μm以上3.0胴以
下であることを特徴とする。
(9) A method for producing a sputtering target, characterized in that the transition metal powder has an average particle size of 10 μm or more and 3.0 μm or less.

QO)  スパッタリング用ターゲットの製造方法にお
いて、発泡状遷移金属のシートの平均空孔径が、10μ
m以上3.0mm以下であることを特徴とする。
QO) In the method for manufacturing a sputtering target, the average pore diameter of the foamed transition metal sheet is 10μ.
It is characterized by having a length of not less than m and not more than 3.0 mm.

(11)スパッタリング用ターゲットの製造方法におい
て、希土類遷移金属の鋳塊の組成が、融点が1200℃
以下の組成からなる前記鋳塊を用いることを特徴とする
(11) In the method for manufacturing a sputtering target, the composition of the ingot of rare earth transition metal is such that the melting point is 1200°C.
It is characterized by using the ingot having the following composition.

(+23  スパッタリング用ターゲットの製造方法に
おいて、成形体を熱処理することを特徴とする。
(+23) A method for producing a sputtering target is characterized in that the molded body is heat treated.

(13)透明基板上に、少なくとも1層の誘電体膜と少
なくとも1層の光磁気記録膜が存在する光磁気記録媒体
において、第1項、第2項又は第3項記載のスパッタリ
ング用ターゲットを用いて製造したことを特徴とする。
(13) In a magneto-optical recording medium in which at least one dielectric film and at least one magneto-optical recording film are present on a transparent substrate, the sputtering target according to item 1, 2 or 3 is used. It is characterized by being manufactured using

〔作用〕[Effect]

従来より実験室で用いられている遷移金属(TM)ター
ゲット上に希土類金属(RE)チップを配して成膜する
複合ターゲット方式の場合、基板面内に組成分布は鋳造
合金ターゲットのそれとは逆の傾向を示す。
In the case of the composite target method conventionally used in laboratories, in which rare earth metal (RE) chips are arranged on a transition metal (TM) target to form a film, the composition distribution within the substrate plane is opposite to that of a cast alloy target. It shows the tendency of

つまり複合ターゲットの場合はターゲットの直上になる
ほどREが多く、側面はどTMが多い。
In other words, in the case of a composite target, the more directly above the target there are, the more RE there are, and the sides have more TM.

一方、鋳造合金ターゲットのそれは、ターゲットの直上
になるほどTMが多く、側面はどREが多い。丁度、鋳
造合金ターゲットと複合ターゲットではREとTMのス
パッタ粒子の飛び方に、相補関係があることがわかる。
On the other hand, in the case of a cast alloy target, there are more TMs directly above the target, and there are more REs on the sides. It can be seen that there is a complementary relationship between the flight of RE and TM sputter particles in the cast alloy target and the composite target.

つまりRE単体相と、TM単体相とRE−7M合金相を
適当に混存させたターゲットができれば、基板面内で組
成分布のない均一な成膜が可能となる。
In other words, if a target containing an appropriate mixture of RE single phase, TM single phase, and RE-7M alloy phase is created, it becomes possible to form a uniform film without compositional distribution within the substrate surface.

そして、酸化し難い充填密度が100%のターゲットを
作成するための製造方法として、主として以下の2通り
の方法が考えられる。
The following two methods are mainly considered as manufacturing methods for creating a target with a packing density of 100% that is difficult to oxidize.

1つは、RE粒と7M粒を融点の低いRE−TM合金浴
中に投入し混合し作成する方法。他の1つは、凝固する
際にRE単体相が出現するRE−TM合金浴中にTM粉
(シート)を分散させる方法である。両者に共通してい
えることは、粉体あるいはシートの周囲をRE−TM合
金浴湯が完全に取り囲み、出来た成形体に焼結晶にみら
れる微細空孔が存在しないということである。本発明品
の空孔は、存在したとしても鋳造品にみられる巣の様な
ものであり、空孔自身は連結しておらず、表面酸化が内
部にまで進行することはない。
One method is to mix RE grains and 7M grains by placing them in a RE-TM alloy bath with a low melting point. Another method is to disperse TM powder (sheet) in an RE-TM alloy bath in which an RE single phase appears during solidification. What is common to both is that the RE-TM alloy bath completely surrounds the powder or sheet, and the resulting compact does not have the microscopic pores found in fired crystals. Even if the pores of the product of the present invention exist, they are like cavities found in cast products, and the pores themselves are not connected, so that surface oxidation does not progress to the inside.

〔実施例1−1〕 まず原料としてN d Z:lD y t7a t%と
なるNdDy鋳塊を作り、平均粒径が500μm程度と
なる様に鋳塊を粉砕しNdDy粉末を作る。そして、F
 eso、sCO+q、sa t%となるFeCo鋳塊
を作り、平均粒径が200μmとなる様に鋳塊を粉砕し
FeCo粉末を作る。
[Example 1-1] First, an NdDy ingot with N d Z:lD y t7at% is prepared as a raw material, and the ingot is crushed to have an average particle size of about 500 μm to produce NdDy powder. And F
A FeCo ingot with eso, sCO+q, sat% is made, and the ingot is crushed to have an average particle size of 200 μm to make FeCo powder.

次にN d +o、oD )’ ss、oF e aa
、oCO++、ba t%となる様にルホヅ中にNd、
Dy、Fe、Coを投入し、1550″Cまで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後1200℃まで下げる。
Then N d +o, oD )' ss, oF e aa
, oCO++, bat%, Nd,
Dy, Fe, and Co are introduced, the temperature is raised once to 1550″C to completely dissolve, and then the temperature is lowered to 1200°C.

そして、このNdDyFeCo溶湯合金中に、上記のN
dDy粉末としFeCo粉末をルツボ中に投入した。
Then, in this NdDyFeCo molten alloy, the above N
dDy powder and FeCo powder were put into a crucible.

このNdDyは融点が1400 ’Cであり、FeC0
は1530℃であるため1200℃の湯中では溶解しな
いので、NdDy、FeCoは粉末のままで存在するこ
とになる。そしてこれらNdDyFeCo、NdDy、
FeCo1は次のような割合になっている。
This NdDy has a melting point of 1400'C, and FeC0
Since the temperature is 1530°C, they will not dissolve in hot water at 1200°C, so NdDy and FeCo will exist as powders. And these NdDyFeCo, NdDy,
FeCo1 has the following proportions.

(NdDyFeCo)A ((NdDy)c  (Fe
Co)D)B A:B=25 : 75wt% C:D=28 : 72at% この様にしてできた(NdDyFeCo)−(NdDy
)−(FeCo)?−117?aを、鋳型に鋳込み、そ
の後出来上がった鋳造合金を加工し、4“φ×6ものス
パッタリングターゲットの表面m織の模式図を第1図に
示す。1の相は(NdD)’)ff3(FeCo)6.
at%組成相であり、この相はFeCo組成相で、3は
NdDy組成相である。つまりNdDyのRE単体相と
、FeCoのTM単体相と、NdDyFeCoのRE−
TM合金相の3相からなっていることがわかる。
(NdDyFeCo)A ((NdDy)c (Fe
Co)D)B A:B=25: 75wt% C:D=28: 72at% (NdDyFeCo)-(NdDy
)-(FeCo)? -117? Figure 1 shows a schematic diagram of the surface texture of a 4"φ x 6 sputtering target. Phase 1 is (NdD)')ff3(FeCo). )6.
3 is an at% composition phase, this phase is a FeCo composition phase, and 3 is an NdDy composition phase. In other words, the RE single phase of NdDy, the TM single phase of FeCo, and the RE-
It can be seen that it consists of three phases: TM alloy phase.

このNdDyFeCoターゲットを第2図に示す様なス
パッタリング装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組
成分布を調べてみた。第2図の21がスパッタリングタ
ーゲットであり、22が基板ホルダー(300φ)であ
る。成膜条件はAr圧2.5mTorr、初期真空度3
X10−’T。
This NdDyFeCo target was installed in a sputtering apparatus as shown in FIG. 2, and a film was formed to examine its magnetic properties and composition distribution. 21 in FIG. 2 is a sputtering target, and 22 is a substrate holder (300φ). Film forming conditions are Ar pressure 2.5 mTorr, initial vacuum degree 3.
X10-'T.

rr、投入電力はDC電源を用い1゜0A340■でお
こなった。第3図は本発明ターゲットを用いた基板ホル
ダー内組成分布及び磁気特性分布図である。この図に示
す様に組成はREが28.0〜28.5at%で均一で
あり、磁気特性もHcが9.7〜10.5KOeで均一
である。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均
一な膜が成膜できている。当然このターゲットは鋳造合
金であるので酸素量は少なく350ppmであった。
rr, power was supplied at 1°0A340■ using a DC power supply. FIG. 3 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the target of the present invention. As shown in this figure, the composition is uniform with an RE of 28.0 to 28.5 at%, and the magnetic properties are also uniform with an Hc of 9.7 to 10.5 KOe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder. Naturally, since this target was a cast alloy, the amount of oxygen was small, 350 ppm.

本発明ターゲットを用いて、スパッタリングにて光磁気
記録媒体を作成した。媒体の構造図を第35図に示す。
A magneto-optical recording medium was produced by sputtering using the target of the present invention. A structural diagram of the medium is shown in FIG.

351はポリカーボネート基板であり、352はAfS
iN誘電体膜、353は本発明ターゲットで作成したN
dDyFeCo膜、354はAf!SiN誘電体膜であ
る。この媒体は、線速5,7m/sec、Doma i
n長1.4μmでC/N59dBと非常に高い値が得ら
れ、又、信顛性試験においても90 ”C90%RHの
恒温恒湿下で、3000時間もの長時間で孔食の発生が
なかった。
351 is a polycarbonate board, 352 is AfS
The iN dielectric film 353 is an N dielectric film prepared using the target of the present invention.
dDyFeCo film, 354 is Af! It is a SiN dielectric film. This medium has a linear velocity of 5.7 m/sec, Doma i
A very high C/N value of 59 dB was obtained with an n length of 1.4 μm, and in a reliability test, no pitting corrosion occurred for as long as 3,000 hours under constant temperature and humidity at 90"C and 90% RH. Ta.

一方、比較のために従来の製造方法でNdDyFeCo
ターゲットを作成した。すなわちNdDyFeCo全組
成を1500℃でルホヅ中にて溶解し、そして鋳型に注
湯し鋳塊を作った。その後鋳塊を切断、研磨し4″φX
6tのNdDyFeCoターゲットを作成した。このタ
ーゲットの表面組織の模式図が第4図である。
On the other hand, for comparison, NdDyFeCo was manufactured using the conventional manufacturing method.
Created a target. That is, the entire composition of NdDyFeCo was melted in a Ruhozu at 1500°C, and poured into a mold to form an ingot. After that, the ingot was cut and polished to 4″φ
A 6t NdDyFeCo target was created. FIG. 4 is a schematic diagram of the surface structure of this target.

41は(Ndo、+zD)’o、gs)zs (F e
o、e C。
41 is (Ndo, +zD)'o, gs)zs (F e
o,eC.

o、z)vsa t%組成相で、42は(N do、J
 )’0.7)ss、3(F eo、s COo、z)
hb、ta t%組成相である。
o, z) vsa t% composition phase, 42 is (N do, J
)'0.7) ss, 3(F eo, s COo, z)
hb, tat% composition phase.

つまり、両相ともNdD)’FeCo合金相である。That is, both phases are NdD'FeCo alloy phases.

全体ではNdb、s D>’21.5F esscO1
4at%の組成であった。このターゲットを第2図で示
すスパンク装置で成膜をおこなった。第5図にこの従来
の製造方法による鋳造台金NdDyFeCoターゲット
を用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図を
示す。この図に示す様に組成はREが29.8〜26.
8at%で、基板ホルダー中心へいくほどREが多く、
逆にホルダー外周へいくほどREが少なくなっている。
Overall Ndb, s D>'21.5F esscO1
The composition was 4 at%. A film was formed using this target using a spanking device shown in FIG. FIG. 5 shows a diagram of the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a casting base NdDyFeCo target produced by this conventional manufacturing method. As shown in this figure, the composition has an RE of 29.8 to 26.
At 8at%, the closer you go to the center of the substrate holder, the more RE there is.
Conversely, RE decreases toward the outer periphery of the holder.

又、磁気特性もHcが12〜6KOeとホルダー中心へ
いくほどHcが大きくなっている。これは組成分布とも
一致する。
In addition, the magnetic properties are such that Hc is 12 to 6 KOe, and Hc increases toward the center of the holder. This also agrees with the composition distribution.

この従来のターゲットを用いてスパッタリングにて光磁
気記録媒体を作成した。媒体の構造は第35図と同様で
あり、光磁気記録層をA、 f2 S i N誘電体膜
でサンドイッチしている。この媒体は、線速5.7m/
sec  Domain長1.4μmT:c/N55d
Bと少し低い値であった。これは媒体内での組成分布の
影響である。信頼性試験においては、90℃90%RH
の恒温恒湿下で3000時間後も孔食の発生はなかった
A magneto-optical recording medium was created by sputtering using this conventional target. The structure of the medium is the same as that shown in FIG. 35, in which the magneto-optical recording layer is sandwiched between A, f2 SiN dielectric films. This medium has a linear velocity of 5.7 m/
sec Domain length 1.4μmT:c/N55d
It was a slightly low value of B. This is an effect of the composition distribution within the medium. In the reliability test, 90℃90%RH
No pitting corrosion occurred even after 3000 hours at constant temperature and humidity.

さらに、比較のために特開昭61−95788号、特開
昭61−99640号に示す半溶融法によるNdDyF
eCoターゲットを作製し成膜評価した。ターゲット組
成は、Ndb、s D3’!+、5FesscO+4a
t%であり、NdDy、NdDyFeCo、FeCo1
は前述と同様である。このターゲットの酸素量は150
0ppmであった。このターゲットを第2図に示すスパ
ッタ装置に装着し、予備スパッタリングを十分におこな
い、ターゲット表面が十分にクリーンな状態になってか
ら成膜を行った。成膜条件は前述と同じである。第6図
に半溶融NdDyFeCoターゲットを用いた基板ホル
ダー内組成分布及び磁気特性分布図を示す。組成分布は
第3図に示す本発明ターゲットと同程であるが、磁気特
性分布は全体に保持力(Hc)が小さい方向にずれてい
ることがわかる。
Furthermore, for comparison, NdDyF by the semi-melting method shown in JP-A-61-95788 and JP-A-61-99640
An eCo target was prepared and film formation was evaluated. The target composition is Ndb,s D3'! +, 5FesscO+4a
t%, NdDy, NdDyFeCo, FeCo1
is the same as above. The amount of oxygen in this target is 150
It was 0 ppm. This target was installed in the sputtering apparatus shown in FIG. 2, and preliminary sputtering was sufficiently performed to form a film after the target surface was in a sufficiently clean state. The film forming conditions are the same as described above. FIG. 6 shows the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a semi-molten NdDyFeCo target. Although the composition distribution is comparable to that of the target of the present invention shown in FIG. 3, it can be seen that the magnetic property distribution is generally shifted in the direction of smaller coercive force (Hc).

これは本発明ターゲットより、半溶融ターゲットの方が
焼結であるため酸素量が多く、希土類金属が酸素によっ
て一部酸化されたために生じた現象である。
This is a phenomenon that occurs because the semi-molten target has a higher amount of oxygen than the target of the present invention because it is sintered, and the rare earth metal is partially oxidized by oxygen.

この半溶融法ターゲットを用いて、スパッタリングにて
光磁気記録媒体を作成した。媒体の構造は第35図と同
様であり、光磁気記録層をAI!、SiN融電融成体膜
ンドインチしている。この媒体は、線速5,7m/se
c、Domain長1゜4μmでC/N57dBと少し
低い値であった。
Using this semi-molten target, a magneto-optical recording medium was created by sputtering. The structure of the medium is the same as that shown in FIG. 35, and the magneto-optical recording layer is made of AI! , a SiN fused composite film is used. This medium has a linear velocity of 5.7 m/sec
c, Domain length was 1°4 μm, and the C/N was 57 dB, which was a slightly low value.

これはクーゲット中の酸素が膜中にも取り込まれたため
である。また、信頼性試験において、90℃90%RH
の恒温恒湿下で200時間目から孔食が発生し、Err
or  Rateが悪化しはじめた。これもターゲット
中の酸素が膜中に取り込まれたためである。
This is because oxygen in the Couget was also taken into the film. In addition, in the reliability test, 90℃90%RH
Pitting corrosion occurred from the 200th hour under constant temperature and humidity, and Err.
or Rate started to deteriorate. This is also because oxygen in the target was taken into the film.

前述の本発明NdDyFeCoターゲットと、半?容吊
虫NdDyFeCoターゲントをスパッタリング終了後
取りはずし、両ターゲットを大気中に24時間放置した
。その後側ターゲットを再度第2図に示すスパッタ装置
に装着し成膜を試みた。
The above-mentioned NdDyFeCo target of the present invention and semi-? The NdDyFeCo target was removed after sputtering, and both targets were left in the atmosphere for 24 hours. The rear target was again attached to the sputtering apparatus shown in FIG. 2, and film formation was attempted.

表1にスパッタリング時の放電状態を記す。Table 1 shows the discharge state during sputtering.

表1 上表に示すごとく、本発明ターゲットは初期からDCス
パッタAr圧2.5mTorrのままで、放電は非常に
安定しているが、半溶融ターゲットは、初期はDCスパ
ッタできなかった。これは大気中に長時間放置されたた
めに、半溶融ターゲットの表面が完全に絶縁体となって
しまったためである。そして1時間後は、DCスパッタ
が可能となるが、Ar圧はlQmTorrとしなければ
ならず、7時間後にやっと2.5mTorrでDCスパ
ッタが可能となった。
Table 1 As shown in the above table, the target of the present invention maintained the DC sputtering Ar pressure of 2.5 mTorr from the initial stage, and the discharge was very stable, but the semi-molten target could not be DC sputtered at the initial stage. This is because the surface of the semi-molten target completely became an insulator because it was left in the atmosphere for a long time. After 1 hour, DC sputtering became possible, but the Ar pressure had to be set to 1Q mTorr, and DC sputtering became possible at 2.5 mTorr only after 7 hours.

これら大気放置後の両ターゲットの、スパッタリング時
間と膜の磁気特性の関係を示したものが第7図である。
FIG. 7 shows the relationship between the sputtering time and the magnetic properties of the films for both targets after being left in the atmosphere.

71が本発明によるターゲットであり、72が半熔融法
によるターゲットのものである。この図から明らかな様
に、本発明によるターゲットは大気中に長時間晒されて
いても、スパッタリング後すぐに安定な膜特性を示すこ
とがわかる。一方、半溶融法によるターゲットは大気中
に長時間晒されていると、初期はスパッタリング自身が
非常に困難となり、長時間の予備スパッタリングをおこ
なった後でも、膜特性は全熱安定せず、膜特性が安定す
るころにはターゲットが減り無くなるころになってしま
う。これらに示す膜の磁気特性は補償組成を境にして、
TMrich側の組成(特性)であるため、保磁力(H
c)が大きいほど良い膜特性ということになる。
71 is a target according to the present invention, and 72 is a target made by a semi-melting method. As is clear from this figure, the target according to the present invention exhibits stable film characteristics immediately after sputtering even if it is exposed to the atmosphere for a long time. On the other hand, if a semi-molten target is exposed to the atmosphere for a long time, sputtering itself will be very difficult at the initial stage, and even after a long preliminary sputtering, the film properties will not be stable at all temperatures, and the film will By the time the characteristics stabilize, the number of targets will decrease and disappear. The magnetic properties of the films shown above are based on the compensation composition,
Since the composition (characteristics) is on the TMrich side, the coercive force (H
The larger c) means better film properties.

次に半溶融法によるターゲットは、大気中にどの程度晒
すと膜特性に影響が生じてくるかを調べた。ターゲット
は予備スパッタリングで十分クリーニングし、Hり特性
も安定した所で、ターゲットを取り外し、大気中に10
分、30分、1時間。
Next, we investigated how much exposure of the semi-molten target to the atmosphere would affect the film properties. After the target has been sufficiently cleaned by preliminary sputtering and the H characteristics have stabilized, the target is removed and placed in the atmosphere for 10 minutes.
Minutes, 30 minutes, 1 hour.

5時間、10時間と放置した。その後第7図と同様の実
験をおこない、膜磁気特性のスバンタ時間依存性をみた
。第8図がそれである。81が大気放置10分のもの、
82が大気放置30分のもの、83が大気放置1時間の
もの、84が大気放置5時間のもの、85が大気放置1
0時間のものである。図より明らかな様に、半溶融法に
よるターゲットは、大気中に10分間でも放置されると
、ターゲットの表面酸化が生じ、膜磁気特性に影響を及
ぼす。そして、大気中放置時間が長ければ長いほど、タ
ーゲット表面からの酸化が進行し、膜Tn磁気特性及ぼ
す影響度合が激しくなることがわかる。
It was left for 5 and 10 hours. Thereafter, an experiment similar to that shown in FIG. 7 was conducted to examine the dependence of the film magnetic properties on Svantha time. Figure 8 shows this. 81 was left in the atmosphere for 10 minutes,
82 was left in the atmosphere for 30 minutes, 83 was left in the atmosphere for 1 hour, 84 was left in the atmosphere for 5 hours, 85 was left in the atmosphere 1
It is from 0 hours. As is clear from the figure, if the target produced by the semi-molten method is left in the atmosphere for even 10 minutes, surface oxidation of the target occurs, which affects the film magnetic properties. It can be seen that the longer the exposure time in the atmosphere, the more oxidation from the target surface progresses, and the more severe the effect on the magnetic properties of the Tn film becomes.

これら大気中放置が悪影響を及ぼすということは、光磁
気記録媒体を量産化するに当り、歩留りコストの点で大
きな問題となる。本発明によるターゲットは、この点で
も大きな効果がある。
These adverse effects of leaving the media in the atmosphere pose a major problem in terms of yield costs when mass producing magneto-optical recording media. The target according to the present invention is also highly effective in this respect.

作成した媒体は、基板がP Cr 誘電体膜にA/2S
jNを用いたが、PC基板以外にPMMA、APO,ガ
ラス等何でも良(,2AfSiN以外にSiN、Siz
 Na 、SiC,AffSiNO,ZnS等どの様な
誘電体膜でも本発明効果は存在した。
The created medium has a substrate of A/2S on a PCr dielectric film.
jN was used, but in addition to the PC board, any material such as PMMA, APO, glass, etc. may be used.
The effect of the present invention was found with any dielectric film such as Na, SiC, AffSiNO, ZnS, etc.

〔実施例 1−2〕 次に原料としてP r zzT b 7q a t%と
なるPrTb鋳塊を作り、実施例1−1と同様にPrT
b粉末を作る。そして同様にF eso、sCOIq、
5a t%粉末を作る。
[Example 1-2] Next, a PrTb ingot with a concentration of P rzzT b 7q a t% was prepared as a raw material, and PrT was ingot as in Example 1-1.
b Make powder. Similarly, F eso, sCOIq,
Make 5a t% powder.

さらにP r+oTbssF e44cO11a t%
となる様にルツボ中に各元素を投入し、1550℃まで
一度温度を上げ完全に熔解させ、その後1200℃まで
下げる。そしてこのPrTbFeCo溶湯合金に、上記
のP rTb粉末とFeCo粉末をルツボ中に投入した
。このPrTbは融点が1370℃であり、FeCoは
1530℃であるため1200℃の湯中では溶解しない
ので、PrTb粉末、FeCo粉末のままで存在するこ
とになる。
Furthermore, P r+oTbssF e44cO11a t%
Each element is placed in a crucible so that the temperature is raised once to 1550°C to completely melt it, and then lowered to 1200°C. Then, the above PrTb powder and FeCo powder were added to this PrTbFeCo molten alloy into a crucible. This PrTb has a melting point of 1370°C and FeCo has a melting point of 1530°C, so it will not dissolve in hot water at 1200°C, so the PrTb powder and FeCo powder will exist as they are.

そして、これらPrTbFeCo、PrTb、FeCo
量は次の様な割合になっている。
And these PrTbFeCo, PrTb, FeCo
The amounts are in the following proportions:

(PrTbFeCo)t  ((PrTb)c  (F
eCo)H)F E: F=25 : 75wt% G:H−28ニア2at% この様にしてできた(PrTbFeCo)−(PrTb
)−(FeCo)鋳造合金ターゲットを用い実施例1−
1と同様の成膜装置及び成膜方法で、基板ホルダー内の
組成分布と磁気特性分布を評価した結果、REが28.
0〜28.5at%でHcが18.0〜19.0KOe
で均一であった。又酸素量も380PPMと少なく、大
気中放置24時間後も、スパッタリング放電は初期から
安定しており、膜磁気特性も同様に初期から安定してい
た。
(PrTbFeCo)t ((PrTb)c (F
eCo)H)F E: F=25: 75wt% G:H-28 near 2at% (PrTbFeCo)-(PrTb
)-Example 1 using (FeCo) cast alloy target
As a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in 1, the RE was 28.
Hc is 18.0 to 19.0 KOe at 0 to 28.5 at%
It was uniform. In addition, the amount of oxygen was as low as 380 PPM, and the sputtering discharge was stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

P r T b F e Co Ml成でも本発明効果
が確認できた。
The effect of the present invention was also confirmed in the P r T b Fe Co Ml composition.

〔実施例1−3〕 次にSmz:+Gd77a t%となるSmGd鋳塊を
作り、SmGd粉末を作る。そして同様にFe、。
[Example 1-3] Next, a SmGd ingot with Smz: +Gd77at% is produced, and SmGd powder is produced. And similarly Fe.

Co、、at%粉末を作る。さらにSm+aGdasF
eaq、sc Os、s a t%となる様にルツボ中
に各元素を投入し、1550℃まで一度温度を上げ完全
に熔解させ、その後1200℃まで下げる。そしてこの
SmCydFeCo溶湯合金に、上記のSmGd粉末と
とFeCo粉末をルツボ中に投入した。
Make Co, at% powder. Furthermore, Sm+aGdasF
Each element is placed in a crucible in such a manner that the amounts are eaq, sc Os, and sat%, the temperature is raised once to 1550°C to melt it completely, and then the temperature is lowered to 1200°C. Then, the above-mentioned SmGd powder and FeCo powder were added to this SmCydFeCo molten alloy into a crucible.

このSmGdは融点が1270℃であり、FeC0は1
530″Cであるため1200℃の湯中では溶解しない
のでSmGd粉末、FeCo粉末のままで存在すること
になる。そしてこれらSmGdFeCo、SmGd、F
eCo量は次のような割合になっている。
This SmGd has a melting point of 1270°C, and FeC0 has a melting point of 1270°C.
Since it is 530"C, it will not dissolve in hot water at 1200°C, so it will exist as SmGd powder and FeCo powder.And these SmGdFeCo, SmGd, F
The eCo amount has the following proportions.

(SmG d F e Co)+((SmG d)x(
F e C0)L)JI : J=25 : 75wt
% に:L=28ニア2at% この様にしてできた(Srr+C;dFeCo)−(S
mGd)   (FeCo)鋳造合金ターゲットは、実
施例1−1.1−2と同様に、やはり基板ホルダー内で
組成分布、磁気特性分布のない成膜ができるターゲット
であった。Hcは5〜5.5KOe、REは28〜28
.5at%で均一であった。
(SmG d Fe Co) + ((SmG d) x (
F e C0) L) JI: J=25: 75wt
%: L = 28 near 2at% (Srr + C; dFeCo) - (S
mGd) (FeCo) cast alloy target, as in Example 1-1.1-2, was a target that allowed film formation without compositional distribution or magnetic property distribution within the substrate holder. Hc is 5-5.5KOe, RE is 28-28
.. It was uniform at 5 at%.

酸素量は300ppmで、大気中放置24時間後も、ス
パッタリング放電は初期から安定しており、膜磁気特性
も同様に初期から安定していた。
The amount of oxygen was 300 ppm, and the sputtering discharge was stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours, and the film magnetic properties were also stable from the beginning.

SmGdFeCo組成でも本発明効果が確認できた。The effect of the present invention was also confirmed with the SmGdFeCo composition.

〔実施例1−4〕 次にCe ++、sP r ++、sD Y7フa t
%となるCePrDy鋳塊をつくりCePrDy粉末を
作る。
[Example 1-4] Next, Ce ++, sP r ++, sD Y7 a t
% CePrDy ingot is made and CePrDy powder is made.

そしてF eso、sCO+q、sa t%粉末を同様
に用意し、さらにCes、o P rs、o D)’x
s、oF ea4.ocOz、oat%となる様にルツ
ボ中に各元素を投入し、1550℃まで−℃温度を上げ
完全に溶解させ、その後1200℃まで下げる。そして
このCePrDyCo溶湯合金に、上記のCePrDy
粉末とFeCo粉末をルツボ中に投入した。このCeP
rDyは融点が1350°cであり、FeC0は153
0℃であるため1200℃の湯中では溶解しないのでC
ePrDy、FeCo粉末のままで存在することになる
。そして、これらCePrDyFeCo、CePrDy
、FeCo量は次の割合になっている。
Then, F eso, sCO + q, sat t% powders were prepared in the same way, and Ces, o P rs, o D)'x
s, oF ea4. Each element is put into a crucible so as to be ocOz, oat%, the temperature is raised to 1550°C to completely dissolve, and then lowered to 1200°C. Then, the above CePrDy
The powder and FeCo powder were put into a crucible. This CeP
rDy has a melting point of 1350°c, and FeC0 has a melting point of 153
Since the temperature is 0℃, it will not dissolve in hot water at 1200℃, so C
ePrDy will exist as FeCo powder. And these CePrDyFeCo, CePrDy
, the amount of FeCo is in the following proportions.

((CePrDyFeCo)H((CePrDy)r(
FeCo)。)H M : N = 25 : 75 w t%P :Q=
28 : 72a t% この様にしてできた(CePrDyFeCo)−(Ce
PrDy)   (FeCo)鋳造合金ターゲットは、
実施例1−1.1−2.1−3と同様に基板ホルダー内
で組成分布が生じない成膜ができるターゲットであった
。又、酸素量も420ppmであり、大気中放置24時
間後も、スパッタリング放電は初期から安定しており、
膜磁気特性も同様に初期から安定していた。
((CePrDyFeCo)H((CePrDy)r(
FeCo). ) HM: N = 25: 75 wt%P: Q=
28: 72a t% (CePrDyFeCo)-(Ce
PrDy) (FeCo) casting alloy target is
As in Example 1-1.1-2.1-3, this target was able to form a film without causing compositional distribution within the substrate holder. In addition, the oxygen content was 420 ppm, and the sputtering discharge was stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours.
The film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

CePrDyFeCo組成についても本発明効果が確認
できた。
The effect of the present invention was also confirmed for the CePrDyFeCo composition.

これら実施例1−1.1−2.1−3.1−4に示す組
成系以外に、NdTbFeCo、NdGdFeCo、 
 NdDyFeCo、  NdTbGdFe、NdTb
GdFeCo、  NdDyGdFeCo、  NdD
yGdTbFeCo、  PrDyFeCo、  Pr
GdFeCo、  NdPrDyFeCo。
In addition to the composition systems shown in Example 1-1.1-2.1-3.1-4, NdTbFeCo, NdGdFeCo,
NdDyFeCo, NdTbGdFe, NdTb
GdFeCo, NdDyGdFeCo, NdD
yGdTbFeCo, PrDyFeCo, Pr
GdFeCo, NdPrDyFeCo.

NdCeDyFeCo、  NdTbCo、  NdP
rCeDyFeCo、  NdSmDyFeCo、  
CeSmPrD)’FeCo、  CePrNdDyT
bFeCo、CeNdPrDyGdFeCo、等のSm
、Nd、Pr、Ceのうちの少なくとも1種以上の軽希
土とGd、Tb、Dyのうちの少なくとも1種以上の重
希土と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移
金属とを含む全ての組成系について本発明効果が存在す
ることを確認した。
NdCeDyFeCo, NdTbCo, NdP
rCeDyFeCo, NdSmDyFeCo,
CeSmPrD)'FeCo, CePrNdDyT
bFeCo, CeNdPrDyGdFeCo, etc.
, at least one kind of light rare earth among Nd, Pr, and Ce, at least one kind of heavy rare earth among Gd, Tb, and Dy, and at least one kind of transition metal among Fe and Co. It was confirmed that the effects of the present invention existed for all composition systems including.

次にターゲット組成が軽希土類金属を含まない場合、す
なわち重希土類金属(HR)と遷移金属(TM)とを含
む場合の実施例を述べる。
Next, an example will be described in which the target composition does not contain a light rare earth metal, that is, it contains a heavy rare earth metal (HR) and a transition metal (TM).

〔実施例2−1〕 まず原料として、平均粒径が300μm程度のTb粉末
を作り、F eqzc O? a t%となるFeCo
鋳塊を平均粒径が150μm程度になる様に粉砕し、F
eCo粉末を作る。
[Example 2-1] First, Tb powder with an average particle size of about 300 μm was prepared as a raw material, and F eqzc O? a t% of FeCo
The ingot is crushed to an average particle size of about 150μm, and F
Make eCo powder.

次にT b4sF es+c Os a t%となる様
に真空中でルツボ中に投入し、l650℃まで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後1200℃まで下げる。
Next, it is placed in a crucible in a vacuum so that Tb4sF es+cOs a t% is obtained, the temperature is raised once to 1650°C to completely melt, and then the temperature is lowered to 1200°C.

そしてこのTbFeCo溶湯合金に、上記のTb粉末と
FeCo粉末をルツボ中に投入した。
Then, the above-mentioned Tb powder and FeCo powder were added to this TbFeCo molten alloy into a crucible.

Tbは融点が1450℃であり、FeCoは1530℃
であるため1200℃の湯中では溶解しないので、Tb
、FeCo粉末のままで存在することになる。そしてこ
れらT b F e Co 、  T b、  Fec
oiは次の様な割合になっている。
Tb has a melting point of 1450°C, and FeCo has a melting point of 1530°C.
Therefore, Tb does not dissolve in hot water at 1200°C.
, it will exist as FeCo powder. And these T b Fe Co , T b, Fec
oi has the following proportions.

(T b F e Co)A(T bc(F e Co
)o)aA:B=25 : 75wt% C:D=22ニア8at% この様にしてできた(TbFeCo)−Tb−(FeC
o)溶湯を鋳型に鋳込み、その後出来上がった鋳造合金
を加工し、4“φX6tのスバ・ンタリングターゲット
を作成した。こうして、できあがったターゲットの表面
組織は第1図の場合と同様であり、TbFeCoのRE
−7M合金相とTbのRE単体相とFeCoのTM単体
相の3相となっていた。
(T b F e Co) A(T bc(F e Co
) o) aA:B=25: 75wt% C:D=22 near 8at% (TbFeCo)-Tb-(FeC
o) The molten metal was poured into a mold, and the resulting cast alloy was then processed to create a 4" φ x 6t subinterning target. The surface structure of the target thus created was the same as that shown in Fig. 1, and the TbFeCo RE of
There were three phases: -7M alloy phase, RE single phase of Tb, and TM single phase of FeCo.

この本発明によるTbFeCoターゲットを第2図にと
同じスパッタリング装置に装着成膜し、その磁気特性及
び組成分布を調べてみた。成膜条件は、Ar圧2.5m
Torr、初期真空度3×10−’Torr、投入電力
はDC電源を用い1゜OA、340■でおこなった。第
9図に本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分
布及び磁気特性分布図である。この図に示す様に、組成
はREが、22.0〜22.5at%で均一であり、磁
気特性も、Hcが14.7〜15.5KOeで均一であ
る。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一な
膜が成膜できている。当然のこのターゲットは鋳造合金
であるので酸素は少なく350ppmであった。
This TbFeCo target according to the present invention was mounted on the same sputtering apparatus as shown in FIG. 2 to form a film, and its magnetic properties and composition distribution were investigated. Film forming conditions are Ar pressure 2.5m
Torr, the initial vacuum level was 3 x 10-' Torr, and the input power was 1° OA and 340 cm using a DC power supply. FIG. 9 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the target of the present invention. As shown in this figure, the composition is uniform with RE ranging from 22.0 to 22.5 at%, and the magnetic properties are also uniform with Hc ranging from 14.7 to 15.5 KOe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder. Naturally, since this target was a cast alloy, the oxygen content was low, at 350 ppm.

本発明ターゲットを用いて作成した光磁気記録媒体は、
線速5.7m/sec、Doma in長1.4μmで
C/N 60 d Bと非常に高い値が得られた。又、
信頼性試験においても90℃90%RF(の恒温恒温下
で3000時間後も孔食の発生はみられず、Error
  rateの増加もなかった。
The magneto-optical recording medium produced using the target of the present invention is
A very high value of C/N 60 dB was obtained at a linear velocity of 5.7 m/sec and a Domain length of 1.4 μm. or,
In reliability tests, no pitting corrosion was observed even after 3000 hours at a constant temperature of 90°C and 90% RF.
There was also no increase in rate.

一方、比較のために従来の製造方法でTbFeC0ター
ゲットを作成した。すなわちTbFeC0全組成をT 
bzzF e7sc Os a t%となるようにルツ
ボ中で1650 ’Cで?容解し、そして鋳型に注湯し
鋳塊を作った。そして、この鋳塊を切断、研磨し4“φ
X6tのTbFeCoのターゲットを作成した。第10
図にこの従来の製造方法による鋳造合金TbFeCoタ
ーゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性
分布図を示す。
On the other hand, for comparison, a TbFeC0 target was produced using a conventional manufacturing method. That is, the total composition of TbFeC0 is T
bzzF e7sc Os a t% in a crucible at 1650'C? The mixture was melted and poured into a mold to form an ingot. Then, this ingot was cut and polished to 4"φ
A TbFeCo target of X6t was created. 10th
The figure shows the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a cast alloy TbFeCo target produced by this conventional manufacturing method.

この図に示す様に組成はREが22.8〜19゜8at
%で、基板ホルダー中心へいくほどREが多く、逆にホ
ルダー外周へいくほどREが少なくなっている。また、
磁気特性もHcが17〜11KOeとホルダー中心へい
くほどHCが大きくなっている。これは組成分布とも一
敗する。つまり従来の製造方法による鋳造合金TbFe
Coターゲットはターゲットの上方向はどTM(遷移金
属)がとびやすく、横方向はどREがさびやすい特性を
示し、基板ホルダー内で組成分布を生じさせてしまう。
As shown in this figure, the composition has an RE of 22.8 to 19°8at.
%, the closer you go to the center of the substrate holder, the more RE there is, and conversely, the more you go to the outer periphery of the holder, the less RE there is. Also,
As for the magnetic properties, Hc is 17 to 11 KOe, and HC increases as you move toward the center of the holder. This also goes against the composition distribution. In other words, cast alloy TbFe by conventional manufacturing method
A Co target exhibits characteristics in which the TM (transition metal) in the upper direction of the target tends to fly off, and the RE in the lateral direction tends to rust, resulting in a compositional distribution within the substrate holder.

このターゲットを用いて作成した光磁気記録媒体は、線
速5.7m/sec、Doma in長1、 4 μm
T:C/N 57 d Bと少し低い値であった。
The magneto-optical recording medium created using this target has a linear velocity of 5.7 m/sec and a Doma in length of 1.4 μm.
T:C/N was a slightly low value of 57 dB.

これは、媒体内での組成分布の影響である。信頼性試験
においては、90℃90%RHの恒温恒湿下で3000
時間後も孔食の発生はなかった。
This is an effect of the composition distribution within the medium. In the reliability test, 3000
No pitting corrosion occurred even after hours.

さらに、比較のために特開昭61−95788号、特開
昭61−99640号に示す半溶融法によるTbFeC
oターゲットを作製し成膜評価した。ターゲット組成は
、T bzzF e73c os a t%であり、T
b、TbFeCo、FeCoの量は、前述と同様である
。このターゲットの酸素量は1300ppmであった。
Furthermore, for comparison, TbFeC by the semi-melting method shown in JP-A-61-95788 and JP-A-61-99640
o Target was prepared and film formation was evaluated. The target composition is T bzzF e73c os a t%;
The amounts of b, TbFeCo, and FeCo are the same as described above. The oxygen content of this target was 1300 ppm.

このターゲットも第2図に示すスパッタリング装置に装
着し、予備スパッタリングを十分におこない、ターゲッ
ト表面が十分にクリーンな状態になってから成膜を行っ
た。
This target was also installed in the sputtering apparatus shown in FIG. 2, and preliminary sputtering was sufficiently performed to form a film after the target surface was in a sufficiently clean state.

成膜条件は前述と同じである。第11図に半溶融法Tb
FeCoターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及
び磁気特性分布図を示す。組成分布は第9回に示す本発
明ターゲットと同程度であるが、磁気特性分布は全体に
保磁力(Hc)が小さい方向にずれていることがわかる
。これは本発明ターゲットより、半溶融法ターゲットの
方が焼結であるため酸素量が多く、希土類金属が酸素に
よって、一部酸化されたために生じた現象である。
The film forming conditions are the same as described above. Figure 11 shows the semi-melting method Tb.
The composition distribution and magnetic property distribution diagram in the substrate holder using a FeCo target are shown. Although the composition distribution is comparable to that of the target of the present invention shown in Part 9, it can be seen that the magnetic property distribution is generally shifted in the direction of smaller coercive force (Hc). This is a phenomenon that occurs because the semi-molten target has a larger amount of oxygen than the target of the present invention because it is sintered, and the rare earth metal is partially oxidized by oxygen.

このターゲットを用いて作成した光磁気記認媒体は、線
速5.7m/s e c、Doma i n長1.4μ
mでC/N 58 d Bと少し低い値であった。
The magneto-optical recording medium created using this target has a linear velocity of 5.7 m/sec and a doma in length of 1.4 μm.
m, the C/N was 58 dB, which was a slightly low value.

これは、ターゲット中の酸素が膜中にも取り込まれたた
めである。また、信頼性試験において90℃90%RH
の恒温恒湿下で200時間目から孔食の発生し、Ero
or  Rateが悪化しはじめた。これもターゲット
中の酸素が膜中に取り込まれたためである。
This is because oxygen in the target was also incorporated into the film. In addition, in reliability tests, 90℃90%RH
Pitting corrosion occurs from the 200th hour under constant temperature and humidity, and Ero
or Rate started to deteriorate. This is also because oxygen in the target was taken into the film.

又、前述の本発明TbFeCoターゲットと、半溶融法
TbFeCoターゲットをスパッタリング終了後取りは
ずし、両ターゲットを大気中に24時間放置した。その
後側ターゲットを再度第2図に示すスパッタリング装置
に装着し成膜を試みた。表2にスパッタリング時の放電
状態を記す。
Further, the above-described TbFeCo target of the present invention and the semi-molten TbFeCo target were removed after sputtering, and both targets were left in the atmosphere for 24 hours. The rear target was again attached to the sputtering apparatus shown in FIG. 2, and film formation was attempted. Table 2 shows the discharge state during sputtering.

表2 上表に示すごとく、本発明ターゲットは初期からDCス
パッタAr圧2.5mTorrのままで放電は非常に安
定しているが、半溶融ターゲットは、初期はDCスパッ
タできなかった。これは大気中に長時間放置されたため
に、半溶融TbFeC0ターゲットの表面が完全に絶縁
体となってしまったためである。そして1時間後は、D
Cスパッタが可能となるが、Ar圧は8mTorrとし
なければならず、5時間後にやっと2.5mT。
Table 2 As shown in the above table, the target of the present invention has a DC sputtering Ar pressure of 2.5 mTorr and the discharge is very stable from the initial stage, but the semi-molten target cannot be DC sputtered at the initial stage. This is because the surface of the semi-molten TbFeC0 target completely became an insulator because it was left in the atmosphere for a long time. And after an hour, D
C sputtering becomes possible, but the Ar pressure must be 8 mTorr, and it is only 2.5 mT after 5 hours.

rrでDCスパッタが可能となった。DC sputtering became possible with rr.

これら大気放置後の両ターゲットの、スパッタリング時
間と膜の磁気特性の関係を示したものが第12図である
。121が本発明によるターゲットであり、122が半
溶融法によるターゲットのものである。この図から明ら
かな様に、本発明によるターゲットは大気中に長時間晒
されていても、スパッタリング後すぐに安定な膜特性を
示すことがわかる。一方、半溶融法によるターゲットは
大気中に長時間晒されていると、初期はスパッタリング
自身が非常に困難となり、長時間の予備スパッタリング
をおこなった後でも膜特性は全熱安定せず、膜特性が安
定するころにはターゲットが減り無くなるころになって
しまう。これらに示す膜の磁気特性は補償組成を境にし
て、TMrich側の組成(特性)であるため、保磁力
(Hc)が大きいほど膜特性ということになる。
FIG. 12 shows the relationship between the sputtering time and the magnetic properties of the films for both targets after being left in the atmosphere. 121 is a target according to the present invention, and 122 is a target made by a semi-melting method. As is clear from this figure, the target according to the present invention exhibits stable film characteristics immediately after sputtering even if it is exposed to the atmosphere for a long time. On the other hand, if a target made by a semi-molten method is exposed to the atmosphere for a long time, sputtering itself will be very difficult in the initial stage, and even after a long preliminary sputtering, the film properties will not be stable at all temperatures, and the film properties By the time it stabilizes, the number of targets will decrease and disappear. Since the magnetic properties of the film shown in these are compositions (characteristics) on the TMrich side with the compensation composition as a boundary, the larger the coercive force (Hc), the better the film properties.

次に半溶融法ターゲットは、大気中にどの程度放置され
ると膜特性に影響が生じてくるかを調べた。ターゲット
は予備スパッタリングで十分クリーニングし、膜特性も
安定した所で、ターゲットを取り外し、大気中に10分
、30分、1時間。
Next, we investigated how long the semi-molten target should be left in the atmosphere to affect its film properties. After the target was sufficiently cleaned by preliminary sputtering and the film properties were stable, the target was removed and exposed to the atmosphere for 10 minutes, 30 minutes, and 1 hour.

3時間と放置した。その後第12図と同様の実験をおこ
ない、膜磁気特性のスパッタ時間依存性をみた。第13
図がそれであり、131が大気放置10分のもの、13
2が大気放置30分のもの、133が大気放置1時間の
もの、134が大気放置3時間のものである。図より明
らかな様に、半溶融法によるターゲットは、大気中に1
0分間でも放置されると、ターゲットの表面酸化が生じ
、膜磁気特性に影響を及ぼす。そして、大気中放置時間
が長ければ長いほど、ターゲット表面からの酸化が進行
し、膜磁気特性に影響を及ぼす影V度合が激しくなるこ
とがわかる。
I left it for 3 hours. Thereafter, an experiment similar to that shown in FIG. 12 was conducted to examine the sputtering time dependence of the film magnetic properties. 13th
The figure shows that, 131 is the one left in the atmosphere for 10 minutes, 13
2 is the one left in the atmosphere for 30 minutes, 133 is the one left in the atmosphere for 1 hour, and 134 is the one left in the atmosphere for 3 hours. As is clear from the figure, the target produced by the semi-molten method is
If left for even 0 minutes, surface oxidation of the target will occur, affecting the magnetic properties of the film. It can be seen that the longer the exposure time in the atmosphere, the more oxidation progresses from the target surface, and the more severe the degree of shadow V that affects the magnetic properties of the film becomes.

軽希土類金属を含まないTbFeCoでも本発明効果が
確認できた。
The effect of the present invention was confirmed even with TbFeCo that does not contain light rare earth metals.

〔実施例2−2〕 次に原料として、平均粒径が300μm程度のDy粉末
を作り、Fe、、Co、at%となるFeCo鋳塊を平
均粒径が150μm程度になる様に粉砕し、FeCo粉
末を作る。
[Example 2-2] Next, Dy powder with an average particle size of about 300 μm was prepared as a raw material, and a FeCo ingot containing Fe, Co, at% was crushed so that the average particle size was about 150 μm. Make FeCo powder.

次にD )’4sF es+COs a t%となる様
に真空中でルツボ中に投入し、1650℃まで一度温度
を上げ完全に溶解させ、その後1200℃まで下げる。
Next, D) The mixture is placed in a crucible under vacuum so that the concentration becomes 4sF es + COs a t%, the temperature is raised once to 1650°C to completely melt, and then the temperature is lowered to 1200°C.

そしてこのD y F e Co 溶湯合金に、上記の
Dy粉末とFeCo粉末をルツボ中に投入した。
Then, the above-mentioned Dy powder and FeCo powder were added to this D y Fe Co molten alloy into a crucible.

Dyは融点が1450℃であり、FeCoは1530℃
であるため1200 ’Cの渦中では溶解しないので、
Dy、FeCo粉末は粉末のままで存在することになる
。そしてこれらDyFeCo、DyFeCo量は次の様
な割合になっている。
Dy has a melting point of 1450°C, and FeCo has a melting point of 1530°C.
Therefore, it will not dissolve in a vortex at 1200'C, so
The Dy and FeCo powders will remain as powders. The proportions of these DyFeCo and DyFeCo amounts are as follows.

(D y F e Co)t(D ya(F e CO
)+4)FD:F=25ニア5wt% G:H=22ニア8at% この様にしてできた(DyFeCo)−Dy−(FeC
o)溶湯を、鋳型に鋳込みその後出来上がった鋳造合金
を加工し、4″φX6tのスパッタリングターゲットを
用い実施例2−1と同じ成膜装置及び成膜方法で、基板
ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果、
REが22゜0〜22.5at%で均一であり、磁気特
性もHCが12.0〜13,0KOeで均一であった。
(D y F e Co)t(D ya(F e CO
) + 4) FD: F = 25 nia 5 wt% G: H = 22 nia 8 at% (DyFeCo) -Dy- (FeC
o) The molten metal was poured into a mold, and the resulting cast alloy was processed, and the composition distribution and magnetic properties in the substrate holder were measured using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 2-1 using a 4"φ x 6t sputtering target. As a result of evaluating the distribution,
The RE was uniform at 22.0 to 22.5 at%, and the magnetic properties were uniform at HC of 12.0 to 13.0 KOe.

酸素量も350ppmと少なかった。又、大気中放置2
4時間後も、スパッタリング放電は初期から安定してお
り、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。
The amount of oxygen was also as low as 350 ppm. Also, leave it in the atmosphere 2
Even after 4 hours, the sputtering discharge remained stable from the beginning, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

DyFeCo組成についても本発明効果が確認できた。The effect of the present invention was also confirmed for the DyFeCo composition.

〔実施例2−3〕 次に原料として、T bsoG dsoa t%となる
GdTb鋳塊を作り、GdTb粉末を作る。そして同様
にF eqyc O? a t%粉末を作る。さらにG
dzz、sT bzz、sF es+COa a t%
となる様にルツボ中に各元素を投入し、1650℃まで
一度温度を上げ完全に溶解させ、その後1200℃まで
下げる。そしてこのG d T b F e Co 溶
湯合金に、上記のGdTb粉末とFeCo粉末をルツボ
中に投入した。このC,dTb粉末は融点が1400℃
であり、FeCoは1530℃であるため1200℃の
湯中では熔解しないので、C,dTb、FeCo粉末は
粉末のままで存在することになる。そして、これらGd
TbFeCo、GdTb、FeCo11は次の様な割合
になっている。
[Example 2-3] Next, as a raw material, a GdTb ingot having T bsoG dsoat% is made, and GdTb powder is made. And likewise F eqyc O? Make a t% powder. Further G
dzz, sT bzz, sF es+COa a t%
Each element is placed in a crucible so that the temperature is raised once to 1650°C to completely dissolve, and then lowered to 1200°C. Then, the above-mentioned GdTb powder and FeCo powder were added to this G d T b Fe Co molten alloy in a crucible. This C, dTb powder has a melting point of 1400℃
Since the temperature of FeCo is 1530°C, it will not melt in hot water at 1200°C, so the C, dTb, and FeCo powders will exist as powders. And these Gd
TbFeCo, GdTb, and FeCo11 have the following proportions.

(GdTbFeCo)+((GdTb)K(FeCo)
t)Jl : J=25 : 75wt% に:L=22ニア8at% この様にしてできた(GdTbFeCo)−(GdTb
)−(FeCo)鋳造合金ターゲットは、実施例2−1
.2−2と同様に1.やはり基板ホルダー内で組成分布
、磁気特性分布のない成膜ができるターゲットであった
。Hcは11〜13KOe、REは22〜22.53t
%で均一であった。
(GdTbFeCo)+((GdTb)K(FeCo)
t) Jl: J=25: 75wt%: L=22 near 8at% (GdTbFeCo)-(GdTb
)-(FeCo) casting alloy target is Example 2-1
.. 1.Similar to 2-2. After all, it was a target that could be used to form a film without compositional distribution or magnetic property distribution within the substrate holder. Hc is 11-13KOe, RE is 22-22.53t
% was uniform.

酸素量はsooppmであった。The amount of oxygen was sooppm.

又、大気中放置24時間後も、スパッタリング放電は初
期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期から安定
していた。
Further, even after 24 hours of being left in the atmosphere, the sputtering discharge remained stable from the beginning, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

GdTbFeCoについても本発明効果が確認できた。The effect of the present invention was also confirmed for GdTbFeCo.

これら実施例2−1. 2−2. 2−3に示した組成
系以外に、TbDyFeCo、DyGdFeCo、Gd
FeCo、GdTbFe、TbDyFe、TbCo、D
yGdCo、等のGd、Tb。
These Example 2-1. 2-2. In addition to the composition system shown in 2-3, TbDyFeCo, DyGdFeCo, Gd
FeCo, GdTbFe, TbDyFe, TbCo, D
Gd, Tb such as yGdCo, etc.

Dyのうちの少なくとも1種以上の重希土類金属と、F
e、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含
む全ての組成系について本発明効果が存在することをW
i認した。
at least one heavy rare earth metal of Dy;
It is confirmed that the effect of the present invention exists for all composition systems containing at least one transition metal of e, Co.
I approved.

次に他の実施例として、本発明ターゲットの別の製造方
法を示す。この製造方法は、含浸法あるいは溶浸法と呼
ばれるものである。この製造方法の概略を説明する。
Next, as another example, another method for manufacturing the target of the present invention will be described. This manufacturing method is called an impregnation method or an infiltration method. An outline of this manufacturing method will be explained.

型内にTM粉末を敷き、その上にRE−TM合金鋳塊(
母合金と呼ぶ)を置く。この母合金組成は、状態図にお
いて希土類金属側共晶組成近傍で、融点も1200℃以
下の低融点合金である。この粉末と母合金を加熱し、母
合金を溶解させ、粉末の空孔中に溶解した母合金を浸み
込ませることにより作製する。溶解した母合金が凝固す
るときには、REとRE、TM、の相に分離するため、
必然的に出来上がったターゲットの金属組織はTM相、
RE合金相RE−TM合金相の3相になるのである。
Spread TM powder in the mold and place the RE-TM alloy ingot (
(called the mother alloy). This mother alloy composition is near the eutectic composition on the rare earth metal side in the phase diagram, and is a low melting point alloy with a melting point of 1200° C. or less. This powder and master alloy are heated to melt the master alloy, and the melted master alloy is made to infiltrate into the pores of the powder. When the molten master alloy solidifies, it separates into RE, RE, and TM phases.
The metal structure of the target that is inevitably created is a TM phase,
There are three phases: RE alloy phase and RE-TM alloy phase.

〔実施例3−1〕 まず原料として(N do、z D )’0.11 )
 7□、2(Feo、e C00,2) z’+、ea
 t%の鋳塊を作る(以下この鋳塊をR+R,Tz母合
金と呼ぶ)。この母合金の融点は830℃程度と低く、
形状は4″φX2tである。そして次にFee。CO□
。at%の200粒径の粉末を用意した。この粉末の融
点は1500℃程度と高く、又この粉末の空孔率は62
.4%である。
[Example 3-1] First, as a raw material (Ndo,zD)'0.11)
7□, 2 (Feo, e C00, 2) z'+, ea
A t% ingot is made (hereinafter this ingot is referred to as R+R, Tz master alloy). The melting point of this master alloy is as low as 830°C.
The shape is 4″φX2t.And then Fee.CO□
. A powder having a particle size of 200 at% was prepared. The melting point of this powder is as high as approximately 1500°C, and the porosity of this powder is 62
.. It is 4%.

この粉末を4#φ内径のルツボ中に入れ、その上にR+
 R+ T を母合金を入れる。この状態を示した模式
図が第14図である。141がルツボ、142が高周波
誘導加熱コイル、143がR+R+T2母合金、144
がFe、oco、、a t%粉末である。この状態から
真空に引き、その後1050℃まで温度を上げる(無加
圧状態のまま加熱)。
Place this powder in a crucible with an inner diameter of 4#φ, and place R+
Add mother alloy to R+T. FIG. 14 is a schematic diagram showing this state. 141 is a crucible, 142 is a high frequency induction heating coil, 143 is an R+R+T2 master alloy, 144
is Fe, oco, at% powder. This state is evacuated, and then the temperature is raised to 1050° C. (heated in a non-pressurized state).

このときR+R+Tz母合金は溶解されており、Fe−
Co粉末は溶解しないまま粉末の状態で存在している。
At this time, the R+R+Tz master alloy is melted and Fe-
Co powder exists in a powder state without being dissolved.

つまりR+ R+ T を鋳塊が溶解した溶湯はFe−
Co粉末の空孔中に浸み込み空孔を埋めることになる。
In other words, the molten metal in which the ingot melts R+ R+ T is Fe-
It penetrates into the pores of the Co powder and fills the pores.

その後冷却し、ルツボ中の成形体を取り出し外周加工、
研磨し4″φX3tのスパッタリング用ターゲットを作
成した。このターゲット組成はNds、sD)’zz、
。Nd5a、。C0Ia、sat%となっている。この
ターゲットの表面組織の模式図を第15図に示す。15
1の相はFe−Co粒子、152の相はNd−Dyの希
土類単独相、153は(NdDy)+ (NdCo)z
の希土類遷移金属合金相である。つまり希土類単独相と
希土類遷移金属相と遷移金属単独相の3相になっている
のである。
After that, it is cooled, the molded body in the crucible is taken out, the outer periphery is processed,
A sputtering target of 4″φ×3t was prepared by polishing.The target composition was Nds, sD)’zz,
. Nd5a,. C0Ia, sat%. A schematic diagram of the surface structure of this target is shown in FIG. 15
Phase 1 is Fe-Co particles, phase 152 is a rare earth single phase of Nd-Dy, and phase 153 is (NdDy) + (NdCo)z
is a rare earth transition metal alloy phase. In other words, there are three phases: a rare earth single phase, a rare earth transition metal phase, and a transition metal single phase.

このNdDyFeCoターゲットを第2図と同様のスパ
ッタリング装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組成
分布を調べてみた。成膜条件はAr圧’1.5mTor
r、初期真空度3X10−’Torr、投入電力はDC
電源を用い1.0A340■でおこなった。第16図に
本発明ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び
磁気特性分布図である。この図に示す様に組成はREが
28゜0〜28.5at%で均一であり、磁気特性もH
Cが9.7〜10.5KOeで均一で、膜組成と合致し
た磁気特性を示している。基板ホルダー内にほとんどい
って良いほど均一な膜が成膜されている。当然このター
ゲットは焼結法でな(、母合金は粉末でなくバルクであ
り完全溶融による溶浸ターゲットであるため酸素量も少
なく350ppmである。又、前述の型へ流し込む方法
でないため、巣の発生も極めて少なく、充填密度も99
゜5%と非常に高いものができた。
This NdDyFeCo target was installed in a sputtering apparatus similar to that shown in FIG. 2, and a film was formed to examine its magnetic properties and composition distribution. Film forming conditions were Ar pressure of 1.5mTor.
r, initial vacuum level 3X10-'Torr, input power is DC
The power supply was 1.0A340. FIG. 16 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the target of the present invention. As shown in this figure, the composition is uniform with an RE of 28°0 to 28.5 at%, and the magnetic properties are H
C is uniform at 9.7 to 10.5 KOe, and exhibits magnetic properties consistent with the film composition. A nearly uniform film is deposited inside the substrate holder. Naturally, this target is made using the sintering method (the master alloy is not a powder but a bulk, and since it is an infiltration target that is completely melted, the oxygen content is low at 350 ppm.Also, since it is not poured into a mold as described above, there are no cavities. The occurrence is extremely low, and the packing density is 99.
A very high value of 5% was obtained.

本ターゲットも、スパッタリング初期より放電は非常に
安定しでおり、Ar圧も2.5m”、orrでDCスパ
ッタリングが可能である。そして、大気中に24時間放
置した後もスパッタリング後すぐに安定な膜特性を示す
With this target, the discharge is very stable from the beginning of sputtering, and DC sputtering is possible at an Ar pressure of 2.5 m'' orr.Even after being left in the atmosphere for 24 hours, it remains stable immediately after sputtering. Indicates membrane properties.

〔実施例3−2〕 次にPrTbArFeCoについて本発明法による効果
を確認した。製造方法は実施例3−1と同じであり、ま
ず母合金として(P r o、 zT、b o、 s)
go (F eo、a COo、z)zoa t%の鋳
塊を作る。この母合金の融点は810 ’C程度であり
、形状も4″φX2,5tのバルクである。そして次に
Fes。
[Example 3-2] Next, the effect of the method of the present invention on PrTbArFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as in Example 3-1, and first, as a mother alloy (P r o, zT, bo, s)
go (F eo, a COo, z) zoa t% ingot is made. The melting point of this master alloy is about 810'C, and the bulk shape is 4"φX2,5t. Next, Fes.

Cozoat%の200μm粒径の粉末を用意し、この
粉末を4#φ内径のアルミナでできた型に敷く。そして
その上に母合金を置き(無加圧)、真空下で1050 
’Cの雰囲気炉中加熱した。母合金が溶解した後冷却し
、型中に出来上がった成形体を取り出し外周加工し、研
磨し4“φX3tのスパッタリング用ターゲットを作成
した。やはりターゲット組成はRE、RE−TM、TM
の3相とlよっており、全体の組成はPrs、5Tbz
□、。Fe511、oc Oz、5a t%であった。
Cozoat% powder with a particle size of 200 μm is prepared, and this powder is placed in a mold made of alumina with an inner diameter of 4#φ. Then, place the master alloy on top of it (no pressure) and apply 1050
The mixture was heated in an atmosphere furnace at . After the master alloy was melted, it was cooled, the molded body was taken out from the mold, the outer periphery was processed, and the sputtering targets of 4"φX3t were created.The target compositions were RE, RE-TM, and TM.
The overall composition is Prs, 5Tbz
□,. Fe511, oc Oz, 5at%.

そして実施例3−1と同様の成膜装置及び成膜方法で基
板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果
、REが28.0〜28.5at%でHcが18.0〜
19.0KOeで均一であった。又、酸素量も380p
pmと少なく、大気中放置24時間後も、スパッタリン
グは初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期か
ら安定していた。
Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 3-1, the RE was 28.0 to 28.5 at% and the Hc was 18.0 to 28.5 at%.
It was uniform at 19.0 KOe. Also, the amount of oxygen is 380p
pm, and sputtering was stable from the beginning even after being left in the air for 24 hours, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

PrTbFeCo組成についても本発明製造方法が可能
であり、同様の効果も確認できた。
The production method of the present invention is also applicable to the PrTbFeCo composition, and similar effects were confirmed.

〔実施例3−3〕 次にSmGdFeCoについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例3−1.3−2と同じであり
、まず母合金として(S mo、 z G(!、o、*
)+z、z (F eo、e COo、z)zt、sa
 L%の鋳塊を作る。この母合金の融点は808℃程度
である。
[Example 3-3] Next, the effect of the method of the present invention on SmGdFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as Example 3-1.3-2, and first, as a mother alloy (S mo, z G(!, o, *
) + z, z (F eo, e COo, z) zt, sa
Make L% ingot. The melting point of this master alloy is about 808°C.

そして次にFew。CO□。at%の200μm粒径の
粉末を用意し、この粉末を4#φ内径のムライトででき
た型に敷く。そしてその上に母合金を置き(無加圧)、
真空下で1040℃に雰囲気加熱した。母合金が溶解し
た後、冷却し型中に出来上がった成形体を取り出し外周
加工し、研磨し4#φX3tのスパッタリング用ターゲ
ットを作成した。やはりターゲット組成はRE、RE−
TM。
And then Few. CO□. At% powder with a particle size of 200 μm is prepared, and this powder is placed in a mold made of mullite with an inner diameter of 4 #φ. Then place the master alloy on top of it (no pressure applied),
The atmosphere was heated to 1040°C under vacuum. After the master alloy was melted, the molded body was cooled, taken out from the mold, processed on its outer periphery, and polished to create a sputtering target of 4#φX3t. As expected, the target composition is RE, RE-
TM.

TMの3相となっており、全体の組成はSms、5Gd
zz、oFese、ocO+4.sa t%であった。
It has three phases of TM, and the overall composition is Sms and 5Gd.
zz, oFese, ocO+4. It was sat%.

そして実施例3−1.3−2と同様の成膜装置及び成膜
方法で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価
した結果、REが28. 0〜28. 5at%でHc
が5〜5.5KOeで均一であった。
Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 3-1.3-2, the RE was 28. 0-28. Hc at 5at%
was uniform at 5 to 5.5 KOe.

又、酸素量も390ppmと少な(、大気中放置24時
間後もスパッタリングは初期から安定しており、膜磁気
特性も同様に初期から安定していた。
In addition, the amount of oxygen was as low as 390 ppm (sputtering was stable from the beginning even after 24 hours of being left in the atmosphere, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

SmGdFeCo組成についても本発明製造方法が可能
であり、同様の効果も確認できた。
The manufacturing method of the present invention is also applicable to the SmGdFeCo composition, and similar effects were confirmed.

〔実施例3−4〕 次にNdSmDyTbFeCoについて本発明法による
効果を確認した。製造方法は実施例3−1.3−2.3
−3と同じであり、まず母合金としてCNdo、+  
Smo、+  D yO,4T bo、4) 72.2
(F eo、e COo、z)zt、Ila L%の鋳
塊を作る。この鋳塊の融点は830 ’C程度であり、
形状も4“φX2.5tのバルクである。”そして次に
Fes。
[Example 3-4] Next, the effect of the method of the present invention on NdSmDyTbFeCo was confirmed. The manufacturing method is Example 3-1.3-2.3
-3, first, CNdo as the mother alloy, +
Smo, +D yO, 4T bo, 4) 72.2
(F eo, e COo, z) zt, Ila Make an ingot of L%. The melting point of this ingot is about 830'C,
The shape is also a bulk of 4"φ x 2.5t."And next is Fes.

Co2.at%の200μm粒径の粉末を用意し、この
粉末を4″φ内径のイソライトでできた型に敷く。そし
てその上に母合金を置き(無加圧)、真空下で1(13
0℃に雰囲気加熱した。母合金が溶解した後冷却し型中
に出来上がった成形体を取り出し外周加工、研磨し4“
φX3tのスパッタリング用ターゲットを作成した。や
はり前述の実施例と同じく、ターゲット組成はRE、R
E−TM、TMの3相となっており、全体の組成はNd
z、tssmz、tsD)’ 目、oTbz、oF  
esa、ocO+4.sat%であった。そして実施例
3−1.3−2゜3−3と同様の成膜装置及び成膜方法
で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した
結果、REが28.0〜28.5at%と均一であり、
Hcも17〜17. 5 KOeで均一であった。又、
酸素量も375ppmと少なく、大気中放置24時間後
もスパッタリングは初期から安定していた。
Co2. At% powder with a particle size of 200 μm is prepared, and this powder is placed in a mold made of isolite with an inner diameter of 4″φ.Then, a master alloy is placed on top of it (no pressure applied), and 1 (13
The atmosphere was heated to 0°C. After the mother alloy is melted, it is cooled and the formed body is taken out from the mold and the outer periphery is processed and polished.
A sputtering target of φX3t was prepared. Again, as in the previous example, the target compositions are RE, R.
It has three phases: E-TM and TM, and the overall composition is Nd.
z, tssmz, tsD)' eyes, oTbz, oF
esa,ocO+4. It was sat%. Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 3-1.3-2゜3-3, the RE was 28.0 to 28.5 at%. is uniform,
Hc is also 17-17. It was uniform at 5 KOe. or,
The amount of oxygen was as low as 375 ppm, and sputtering was stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours.

NdSmDyTbFeCo組成についても本発明製造方
法が可能であり、同様の効果も確認できた。
The manufacturing method of the present invention is also applicable to the NdSmDyTbFeCo composition, and similar effects were confirmed.

これら実施例3−1. 3−2. 3−3. 3−4に
示す組成系以外にNdGdNdCo、NdTbFeCo
、NdPrDyNdCo、NdPrDyTbNdCo、
PrDyFeCo、NdSmGdFeCo、CeNdD
yFeCo、CeNdPrDyFeCo、等のSm、N
d、Pr、Ceのうちの少なくとも1種以上の軽希土類
金属と、Cd。
These Example 3-1. 3-2. 3-3. In addition to the composition system shown in 3-4, NdGdNdCo, NdTbFeCo
, NdPrDyNdCo, NdPrDyTbNdCo,
PrDyFeCo, NdSmGdFeCo, CeNdD
Sm, N of yFeCo, CeNdPrDyFeCo, etc.
at least one light rare earth metal selected from Cd, Pr, and Ce; and Cd.

Tb、 Dyのうちの少なくとも1種以上の重希土類金
属と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金
属とを含む全ての組成系について本発明製造方法が可能
であり、又同様の効果も存在することが確認された。
The manufacturing method of the present invention is possible for all composition systems containing at least one heavy rare earth metal among Tb and Dy and at least one transition metal among Fe and Co, and similar effects can be achieved. It was also confirmed that there were.

そして、遷移金属粉をFe粉にし、母合金の方でCe量
を調整することによりターゲットのCO組成を所望にす
る方法も可能であることが確認された。
It was also confirmed that it is possible to obtain a desired CO composition in the target by using Fe powder as the transition metal powder and adjusting the amount of Ce in the master alloy.

次にターゲット組成が軽希土類金属を含まない場合、す
なわち重希土類金属と遷移金属とを含む場合の実施例を
述べる。
Next, an example will be described in which the target composition does not contain a light rare earth metal, that is, it contains a heavy rare earth metal and a transition metal.

〔実施例3−5〕 まず原料としてTt)+z (F eo、q Coo、
+)2eaL%の鋳塊を作る(以下この鋳塊をR+ R
+ T を母合金と呼ぶ)。この母合金の融点は847
℃程度と低く、形状は4#φX2.5tである。そして
次にF eqoCOloa L%の200 am粒径の
粉末を用意し。この融点は1500℃程度と高く、又こ
の粉末の空孔率は43.3母合金である。
[Example 3-5] First, as raw materials Tt) + z (F eo, q Coo,
+) Make an ingot of 2eaL% (Hereinafter, this ingot will be referred to as R+ R
+ T is called the master alloy). The melting point of this master alloy is 847
The temperature is as low as about ℃, and the shape is 4#φX2.5t. Next, a powder of FeqoCOloa L% with a particle size of 200 am was prepared. This powder has a high melting point of about 1500° C., and the porosity of this powder is 43.3, which is the mother alloy.

この粉末を4“φ内径のアルミナでできた型に敷き、そ
の上に母合金を置き(無加圧)、Ar圧ガス雰囲気加熱
した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出来上がった
成形体を取り出し外周加工、研磨し4″φx3tのスパ
ッタリング用ターゲットを作成した。やはりターゲット
組成はRE、RE−TM、TMの3相となっており、全
体の組成はT bzzF eto、zC07,11a 
t%となっている。
This powder was placed in a mold made of alumina with an inner diameter of 4", a master alloy was placed on top of it (no pressure applied), and heated in an Ar pressure gas atmosphere. After the master alloy was melted, it was cooled and formed in the mold. The molded body was taken out, and its outer periphery was processed and polished to create a sputtering target of 4″φ x 3t. As expected, the target composition has three phases: RE, RE-TM, and TM, and the overall composition is T bzzF eto, zC07, 11a.
t%.

そして実施例3−1.3−2等と同様の成膜装置及び成
膜方法で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評
価した結果、REが22.0〜22゜5at%で均一で
あり、磁気特性もHeが14゜7〜15.5KOeで均
一であった。基)反ホルダー内にほとんどいって良いほ
ど均一な膜が成膜できている。又、酸素量も350 p
 pmと少なく、大気中放置24時間後もスパッタリン
グは初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期か
ら安定していた。
Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 3-1.3-2, it was found that the RE was uniform at 22.0 to 22°5 at%. The magnetic properties were uniform with He ranging from 14°7 to 15.5 KOe. Base) An almost uniform film was formed inside the anti-holder. Also, the amount of oxygen is 350 p
pm, and sputtering was stable from the beginning even after 24 hours of being left in the air, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

〔実施例3−6〕 次にDyFeCoについて本発明法による効果を確認し
た。製造方法は実施例3−1.3−2等と同じであり、
まず原料としてD >’?+、s(F e o、qCo
 o、 +)ze、 s a t%の鋳塊を作る。この
鋳塊融点は890℃程度である。そして次にFeq。C
o、。
[Example 3-6] Next, the effect of the method of the present invention on DyFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as Example 3-1.3-2, etc.
First, as a raw material, D>'? +, s(F e o, qCo
o, +)ze, s a t% ingot is made. The melting point of this ingot is about 890°C. And then Feq. C
o.

at%の200μm粒径の粉末を用意した。この融点は
1500℃程度と高く、又この粉末の空孔率は43.2
%である。
A powder having a particle size of 200 μm at % was prepared. The melting point of this powder is as high as 1500°C, and the porosity of this powder is 43.2.
%.

この粉末をを4″φ内径のムライトでできた型に敷き、
その上に鋳塊を置き(無加圧)、真空中で1050℃ま
で温度を上げ鋳塊が溶解した後冷却し、型中に出来上が
った成形体を取り出し外周加工し、研磨し4“φX3t
のスパッタリング用ターゲットを作成した。やはりター
ゲットm成はRE、RE−TM、TMの3相となってお
り、全体の組成はD 3’zzF eto、zc Oq
、* a t%であった。そして実施例3−1.3−2
等と同様の成膜装置及び成膜方法で基板ホルダー内の組
成分布と磁気特性分布を評価した結果、REが21.5
〜22.0at%で均一であり、f〃磁気特性Hcが1
3.5〜13.0KOeで均一である。基板ホルダー内
にほとんどといって良いほど均一な膜が成膜できている
。又このターゲットの酸素量も350ppmと少なく、
大気中放置24時間後もスパッタリングは初期から安定
しており、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。
Spread this powder in a mold made of mullite with an inner diameter of 4″φ,
An ingot was placed on top of it (no pressure applied), the temperature was raised to 1050℃ in a vacuum, the ingot was melted, and then cooled.The formed body was taken out of the mold and the outer periphery was processed and polished to 4"φ x 3t.
A sputtering target was created. As expected, the target composition has three phases: RE, RE-TM, and TM, and the overall composition is D 3'zzF eto, zc Oq
, *at%. And Example 3-1.3-2
As a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as the above, the RE was 21.5.
It is uniform at ~22.0at%, and the magnetic property Hc is 1
It is uniform at 3.5 to 13.0 KOe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder. Also, the amount of oxygen in this target is as low as 350 ppm.
Sputtering was stable from the beginning even after being left in the air for 24 hours, and the magnetic properties of the film were also stable from the beginning.

r実施例3−7〕 次にTbGdFeCoについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例3−1.3−2等と同じであ
り、まず母合金として(Tbo、5Gdo、s)7+、
s (F eo、q COo、+ ) [、Sa t%
の鋳塊を作る。この母合金の融点は838“C程度であ
る。そして次にFe、。Cot。at%の20Qμm粒
径の粉末を用意した。この融点は1500℃程度と高く
、又この粉末の空孔率は43.7%である。
Example 3-7 Next, the effect of the method of the present invention on TbGdFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as in Example 3-1.3-2, etc., and first, (Tbo, 5Gdo, s)7+,
s (F eo, q COo, +) [, Sat%
Make an ingot. The melting point of this master alloy is about 838"C. Next, we prepared a powder of Fe, Cot.at% with a particle size of 20Qμm. This melting point is as high as about 1500℃, and the porosity of this powder is It is 43.7%.

この粉末を4#φ内径のイソライトでできた型に敷き、
その上に母合金を入れる。その後真空中1050℃まで
雰囲気加熱し、母合金が溶解した後冷却し、型中に出来
上がった成形体を取り出し外周加工し、研磨し4#φX
3tのスパッタリング用ターゲットを作成した。やはり
ターゲット組成はRE、RE−TM、TMの3相となっ
ており、全体の組成はGd++F eto、zcO7,
s a t%であった。そして実施例3−1.3−2等
と同様の成膜装置及び成膜方法で基板ホルダー内の組成
分布と磁気特性分布を評価した結果、REが22.0〜
22.3at%で均一であり、磁気特性もHcが15.
5〜16.0KOeで均一でちった。基板ホルダー内に
ほとんどといって良いほど均一な膜が成膜できている。
Spread this powder in a mold made of isolite with an inner diameter of 4#φ,
Place the mother alloy on top of it. Afterwards, the atmosphere is heated to 1050℃ in a vacuum, and after the master alloy has melted, it is cooled, and the formed body is taken out from the mold and the outer periphery is processed and polished.
A 3t sputtering target was created. As expected, the target composition has three phases: RE, RE-TM, and TM, and the overall composition is Gd++F eto, zcO7,
It was sat%. Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 3-1.3-2, the RE was 22.0~
It has a uniform Hc of 22.3 at%, and its magnetic properties are 15.
It was uniformly dusty at 5 to 16.0 KOe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder.

又、酸素量も300 p pmと少なく、大気中放置2
4時間後もスパッタリングは初期から安定しており、膜
磁気特性も同様に初期から安定していた。
In addition, the amount of oxygen is as low as 300 ppm, so it cannot be left in the atmosphere2.
Even after 4 hours, sputtering remained stable from the beginning, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

これら実施例3−5. 3−6. 3−7に示す組酸系
以外にTbFe、TbCo、GdFeCo。
These Examples 3-5. 3-6. TbFe, TbCo, and GdFeCo in addition to the grouped acid series shown in 3-7.

GdD)’FeCo、GdDyTbFeCo、DyTb
FeCo、  GdTbFe、  DyCo、TbGd
Co、TbD)’Co等のGd、Tb、Dyのうちの少
なくとも1種以上の重希土類金属と、Fe。
GdD)'FeCo, GdDyTbFeCo, DyTb
FeCo, GdTbFe, DyCo, TbGd
At least one heavy rare earth metal selected from Gd, Tb, and Dy such as Co, TbD)'Co, and Fe.

Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む全
ての組成系について本発明製造法が可能であり、又同様
の効果も存在することが確認された。
It was confirmed that the production method of the present invention is possible for all composition systems containing at least one transition metal among Co, and that similar effects also exist.

そして、遷移金属粉をFe粉にし、母合金の方でCo量
を言周整することにより、ターゲットのCO組成を所望
にする方法も可能であることが確認された 次に他の実施例として、本発明ターゲットの別の製造方
法を示す。この製造方法は、上述してきた含浸法と基本
的に同じであるが、7M粉末を用いるかわりに、発泡状
TMを用いるのである。発泡状TMとは例えば「工業材
料、1987年10月号」等にみられるような、骨格が
海綿状の高い空孔率を持った金属多孔体である。
It was also confirmed that it is possible to obtain a desired CO composition in the target by using Fe powder as the transition metal powder and adjusting the amount of Co in the master alloy. , shows another method for manufacturing the target of the present invention. This manufacturing method is basically the same as the impregnation method described above, but instead of using 7M powder, foamed TM is used. Foamed TM is a metal porous body with a spongy skeleton and high porosity, as seen in, for example, "Kogyo Materials, October 1987 issue."

型内に発泡状7Mシートを敷き、その上にRE−TM母
合金鋳塊を置く。この母合金組成は、状態図において希
土類金属側共晶組成近傍で、融点も1200 ’C以下
の低融点合金である。この粉末と母合金を加熱し、母合
金を溶解させ、粉末の空孔中に溶解した母合金を浸み込
ませることにより作成する。溶解した母合金が凝固する
ときには、REとRE、TM、の相に分離するため、必
然的に出来上がったターゲットの金属組織はTM相。
A foamed 7M sheet is placed in the mold, and the RE-TM master alloy ingot is placed on top of it. This mother alloy composition is near the eutectic composition on the rare earth metal side in the phase diagram, and is a low melting point alloy with a melting point of 1200'C or less. It is produced by heating this powder and the master alloy to melt the master alloy and infiltrating the molten master alloy into the pores of the powder. When the molten master alloy solidifies, it separates into RE, RE, and TM phases, so the metal structure of the resulting target is inevitably the TM phase.

RE相、RE−7M合金相の3相になるのである。There are three phases: the RE phase and the RE-7M alloy phase.

この発泡TMはTMが粉体でないため、連続したTMが
骨格となる。そのため、出来たターゲットはTMの骨格
で強度が増し、靭性も強化され、非常に強いターゲット
となる。
Since the foamed TM is not a powder, the continuous TM forms the skeleton. Therefore, the resulting target has increased strength and toughness due to the TM skeleton, making it an extremely strong target.

〔実施例4−1〕 まず原料として組成がTbtzFezi、zcO+、s
at%なる母合金鋳塊を作る。またFeqy、bC。
[Example 4-1] First, as raw materials, the composition was TbtzFezi, zcO+, s
A master alloy ingot of at% is made. Also Feqy, bC.

、、、at%なる組成の発泡状FeCoシートを準備す
る。この発泡状シートは空孔率が91%と非常に高く、
このままでは使用できないため発泡シートをプレスし、
空孔率が43.5%となる様にした。
A foamed FeCo sheet having a composition of , , at% is prepared. This foam sheet has a very high porosity of 91%.
Since it cannot be used as it is, we press the foam sheet,
The porosity was set to 43.5%.

この発泡状FeCoシートを4#φ内径のアルミナでで
きた型に敷き、そしてその上に母合金を置き(無加圧)
、真空下で1000℃に雰囲気加熱した。母合金は融点
が850℃程度と低く、熔解した母合金鋳塊は発泡状F
eCoシートに溶浸透する。その後冷却し型中に出来上
がった成形体を取り出し外周加工、研磨し4“φX3t
のスパッタリング用ターゲットを作成した。このターゲ
ットの金属組織の模式図を第17図に示す。組織中には
遷移金属(F eqz、bcob、g )の単独相17
1、希土類金属(T b )の単独相172.遷移金属
と希土類金属の合金相(TbFeCo)173が混在し
ている。ターゲットの全体組成はTbzzF e、5c
osa t%であった。
This foamed FeCo sheet is placed in a mold made of alumina with an inner diameter of 4 #φ, and the master alloy is placed on top of it (no pressure applied).
, the atmosphere was heated to 1000° C. under vacuum. The mother alloy has a low melting point of about 850℃, and the molten mother alloy ingot has a foamed F shape.
It dissolves into the eCo sheet. After that, it is cooled and the formed body is taken out from the mold and the outer periphery is processed and polished to 4"φX3t.
A sputtering target was created. A schematic diagram of the metal structure of this target is shown in FIG. In the structure, there is a single phase of transition metals (F eqz, bcob, g)17
1. Single phase of rare earth metal (T b ) 172. An alloy phase (TbFeCo) 173 of transition metals and rare earth metals coexists. The overall composition of the target is TbzzFe,5c
It was osa t%.

この本発明ターゲットを第2図と同様のスパッタリング
装置に装着し、成膜しその磁気特性及び組成分布を調べ
てみた。成膜条件はAr圧2.5mTorr、初期真空
度3 X 10−7To r r、投入電力はDC電源
を用い1.0A340Vでおこなった。第18図に本発
明法ターゲットを用いた基板ホルダー内組成分布及び磁
気特性分布図である。この図に示すように組成はREが
22.0〜22.5at%で均一であり、Hcも14.
7〜15.5KOeで均一である。基(反ホルダー内に
ほとんどいって良いほど均一な膜が成膜されている。当
然このターゲットは焼結法でなく、母合金もTMレシー
ト粉体でなく、全溶融による溶浸ターゲットであるため
酸素量も少なく500ppmであった。又、充填密度も
99.8%と完全充填となった。
This target of the present invention was installed in a sputtering apparatus similar to that shown in FIG. 2, and a film was formed to examine its magnetic properties and composition distribution. The film formation conditions were an Ar pressure of 2.5 mTorr, an initial vacuum level of 3 x 10-7 Torr, and an input power of 1.0 A and 340 V using a DC power supply. FIG. 18 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the target of the present invention. As shown in this figure, the composition is uniform with an RE of 22.0 to 22.5 at%, and an Hc of 14.
It is uniform at 7 to 15.5 KOe. (An almost uniform film is formed inside the anti-holder.Of course, this target is not a sintering method, and the master alloy is not a TM receipt powder, but an infiltration target by total melting.) The amount of oxygen was also low, at 500 ppm.Furthermore, the packing density was 99.8%, indicating complete filling.

本ターゲットも、スパッタリング初期より放電は非常に
安定しており、Ar圧も2.5mTorrでDCスパッ
タリングが可能である。そして、大気中24時間放置し
た後もスパッタリング後すぐに安定な膜特性を示す。
With this target, the discharge is also very stable from the beginning of sputtering, and DC sputtering is possible at an Ar pressure of 2.5 mTorr. Even after being left in the atmosphere for 24 hours, it exhibits stable film properties immediately after sputtering.

〔実施例4−2〕 次に原料として組成がD )’72F ezb、zc 
O+、sat%なる母合金鋳塊を作る。又、Feqx、
bC。
[Example 4-2] Next, as a raw material, the composition is D)'72F ezb, zc
A mother alloy ingot of O+, sat% is made. Also, Feqx,
bC.

6.4at%なる組成の発泡状FeCoシートを準備す
る。発泡状FeCoシートの空孔率を43゜1%になる
様に、プレスし調整した後、この発泡状Fecoシート
を4“φ内径のジルコニアでできた型に敷き、そしてそ
の上に母合金を置き(無加圧)、真空下で1050℃の
雰囲気加熱した。
A foamed FeCo sheet having a composition of 6.4 at% is prepared. After pressing and adjusting the porosity of the foamed FeCo sheet to 43.1%, the foamed FeCo sheet was placed in a mold made of zirconia with an inner diameter of 4", and the master alloy was placed on top of it. The sample was placed (no pressure applied) and heated in an atmosphere of 1050° C. under vacuum.

母合金が溶解した後冷却し、型中に出来上がった成形体
を取り出し、外周加工、研磨し4″φ×3ものスパッタ
リング用ターゲットを作成した。やはりターゲット組成
はRE、RE−TM、TMの3相となっており、全体の
組成はD y z□Fe=、、Co、at%であった。
After the master alloy was melted, it was cooled, and the molded body formed in the mold was taken out, and the outer periphery was processed and polished to create sputtering targets of 4″φ×3.The target compositions were RE, RE-TM, and TM. The overall composition was D y z□Fe=, Co, at%.

そして実施例4−1と同様の成膜装置及び成膜方法で基
板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結果
、REが21゜5〜22.0at%で均一であり、磁気
特性もHCが13.5〜13.0KOeで均一である。
As a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 4-1, the RE was uniform at 21°5 to 22.0 at%, and the magnetic properties were also HC is uniform at 13.5 to 13.0 KOe.

基板ホルダー内にほとんどいって良いほど均一な膜が成
膜できている。またこのターゲットの酸素量も430p
pmと少なく、大気中放置24時間後もスパッタリング
は初期から安定しており、BtJ磁気特性も同様に初期
から安定していた。
An almost uniform film was formed inside the substrate holder. Also, the amount of oxygen in this target is 430p
pm, and sputtering was stable from the beginning even after 24 hours of being left in the air, and the BtJ magnetic properties were similarly stable from the beginning.

〔実施例4−3〕 次にTbGdFeCoについて本発明法による効果を確
認した。製造方法は実施例4−1.4−2と同じであり
、まず原料としてTb3bGdzbFezb、zCO+
、e a t%なる母合金鋳塊を作る。又F eq3.
bc Ob、a a t%なる組成の発泡状FeC0シ
ートを準備し、空孔率が43,5%になるまでプレスし
調整した。そして、この発泡状FeC0シートを4″φ
内径のムライトでできた型に敷き、そしてその上に母合
金を置き(無加圧)、真空下で1(120 ’Cに雰囲
気加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出来上
がった成形体を取り出し外周加工し、研磨し4″φx3
tのスパッタリング用ターゲットを作成した。やはりタ
ーゲット組成はRE、RE−TM、TMの3相となって
おり、全体の組成はTbzGdzFet3cO2at%
であった。そして実施例4−1.4−2と同様の成膜装
置及び成膜方法で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性
分布を評価した結果、REが21.5〜22.0at%
で均一であり、磁気特性もHcが14〜15.0KOe
で均一である。
[Example 4-3] Next, the effect of the method of the present invention on TbGdFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as Example 4-1.4-2, and first, Tb3bGdzbFezb, zCO +
, e a t%, a master alloy ingot is prepared. Also F eq3.
A foamed FeC0 sheet having a composition of bc Ob, a at % was prepared and pressed until the porosity was 43.5%. Then, this foamed FeC0 sheet was 4″φ
It was placed in a mold made of mullite with an inner diameter, and the master alloy was placed on top of it (no pressure applied), and the atmosphere was heated to 120'C under vacuum. After the master alloy was melted, it was cooled and completed in the mold. Take out the molded body, process the outer periphery, and polish it to 4″φx3
A sputtering target of t was prepared. As expected, the target composition has three phases: RE, RE-TM, and TM, and the overall composition is TbzGdzFet3cO2at%
Met. Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 4-1.4-2, the RE was 21.5 to 22.0 at%.
The magnetic properties are uniform and Hc is 14 to 15.0 KOe.
It is uniform.

基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一な膜が
成膜できている。又このターゲットの酸素量も480p
pmと少なく、大気中放置24時間後もスパッタリング
は初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期から
安定していた。
A nearly uniform film was formed inside the substrate holder. Also, the amount of oxygen in this target is 480p
pm, and sputtering was stable from the beginning even after 24 hours of being left in the air, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

これら実施例4−1,4−2. 4−3に示す組成系以
外にTbFe、TbCo、GdFeCo。
These Examples 4-1 and 4-2. In addition to the composition system shown in 4-3, TbFe, TbCo, and GdFeCo.

GdDyTbFeCo、DyTbFeCo、CdTbF
e、DyCo、TbGdCo、TbDyC0等の、Gd
、Tb、Dyのうちの少なくとも1種以上の重希土類金
属とFe、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属
とを含む全ての組成系について発泡金属が用いる本発明
製造方法が可能であり、又同様の効果も存在することが
確認された。
GdDyTbFeCo, DyTbFeCo, CdTbF
Gd such as e, DyCo, TbGdCo, TbDyC0, etc.
, Tb, Dy, and at least one transition metal among Fe, Co. The manufacturing method of the present invention is applicable to the foam metal, It was also confirmed that a similar effect also exists.

そして、発泡遷移金属をFeにし、母合金の方でC0f
f1を調整することによりターゲットのC。
Then, the foamed transition metal is changed to Fe, and the mother alloy is C0f.
Target C by adjusting f1.

組成を所望にする方法も可能であることが確認された。It was confirmed that it is also possible to create a desired composition.

次にターゲット組成が軽希土類金属を含む場合、すなわ
ち軽希土類金属と重希土類金属と遷移金属とを含む場合
の、発泡金属を用いた本発明製造法の実施例を述べる。
Next, an example of the manufacturing method of the present invention using a foamed metal will be described where the target composition includes a light rare earth metal, that is, a light rare earth metal, a heavy rare earth metal, and a transition metal.

〔実施例4−4〕 NdDyFeCoについて本発明法による効果を確認し
た。製造方法は実施例4−1.4−2等と同じであり、
まず原料として(r”Jdo、zD3’o、a)tz、
z (F eo、ll COo、z)zw、aa t%
の母合金鋳塊を作る。又Fe、。CO□。at%からな
る組成の発泡状FeCoシートを準備し、空孔率が62
.6%になるまでプレスし調整した。そしてこの発泡状
FeCoシートを4“φ内径のイソライトでできた型に
敷く。そしてその上に母合金を置き(無加圧)、真空下
で1(130℃に雰囲気加熱した。
[Example 4-4] The effect of the method of the present invention on NdDyFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as Example 4-1.4-2, etc.
First, as raw materials (r"Jdo, zD3'o, a) tz,
z (F eo, ll COo, z) zw, aa t%
Make a mother alloy ingot. Also Fe. CO□. A foamed FeCo sheet having a composition of at% is prepared, and the porosity is 62.
.. It was pressed and adjusted until it became 6%. Then, this foamed FeCo sheet was placed in a mold made of isolite with an inner diameter of 4". Then, a master alloy was placed on top of it (no pressure applied), and the atmosphere was heated to 130° C. under vacuum.

母合金が熔解した後、冷却し型中に出来上がった成形体
を取り出し外型加工、研磨し4″φX3tのスパッタリ
ング用ターゲットを作成した。やはりターゲット組成は
RE、RE−TM、TMの3相となっており、全体の組
成はNds、5Dyz□、。
After the master alloy was melted, the molded body was cooled and removed from the mold, processed and polished to create a sputtering target of 4″φ x 3t.The target composition was also three phases: RE, RE-TM, and TM. The overall composition is Nds, 5Dyz□.

F ess、oCOz、sa t%であった。そして実
施例4−1.4−2等と同様の成膜装置及び成膜方法で
基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結
果、REが28.0〜28.5at%と均一であり、磁
気特性もHcが9.7〜10.5K Oeで均一である
。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一な膜
が成膜できている。又このターゲットの酸素量も475
ppmと少なく、大気中放置24時間後もスパッタリン
グは初期から安定しており、膜磁気特性も同様に初期か
ら安定していた。
Fess, oCOz, and sat%. Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 4-1.4-2, it was found that the RE was uniform at 28.0 to 28.5 at%. The magnetic properties are uniform with Hc ranging from 9.7 to 10.5 K Oe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder. Also, the amount of oxygen in this target is 475
ppm, and sputtering was stable from the beginning even after 24 hours of being left in the atmosphere, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

〔実施例4−5〕 次にPrTbDyFeCoについて本発明法による効果
を確認した。製造方法は実施例4−1゜4−2等と同じ
であり、まず母合金として(Pro、z Tbo、a 
D)’0.4)80  (F eo、a COo、2)
20at%の鋳塊を作る。この母合金の融点は820”
C程度である。又Fes。CO□。at%からなる組成
の発泡状FeCoシートを準備し、空孔率が62.8%
になるまでプレスし調整した。そしてこの発泡状FeC
oシートを4“φ内径のアルミナでできた型に敷き、そ
の上に母合金を無加圧で置き、真空下で1(130℃に
雰囲気加熱した。母合金が溶解した後、冷却し型中に出
来上がった成形体を取り出し、外型加工、研磨し4″φ
X3tのスパッタリング用ターゲットを作成した。やは
りターゲット組成はRE、RE−TM、TMの3相とな
っており、全体の組成はP r s、s T b zD
 V1□Fe5ecOz、sa t%であった。そして
実施例4−1.4−2等と同様の成膜装置及び成膜方法
で基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した
結果、REが28.0〜27.8at%で均一であり、
磁気特性もHcが15.5〜15゜8KOeで均一であ
った。基板ホルダー内にほとんどといって良いほど均一
な膜が成膜できている。
[Example 4-5] Next, the effect of the method of the present invention on PrTbDyFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as in Examples 4-1 and 4-2, and first, as a mother alloy (Pro, z Tbo, a
D)'0.4)80 (F eo, a COo, 2)
Make a 20at% ingot. The melting point of this master alloy is 820"
It is about C. Also Fes. CO□. A foamed FeCo sheet having a composition of at% is prepared, and the porosity is 62.8%.
Press and adjust until it becomes . And this foamed FeC
The o-sheet was placed on a mold made of alumina with an inner diameter of 4", the master alloy was placed on top of it without pressure, and the atmosphere was heated to 130°C under vacuum. After the master alloy was melted, it was cooled and molded. The completed molded body is taken out, processed and polished to a diameter of 4″φ.
An X3t sputtering target was created. As expected, the target composition has three phases: RE, RE-TM, and TM, and the overall composition is P r s, s T b zD
V1□Fe5ecOz, sat%. Then, as a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as in Example 4-1.4-2, it was found that the RE was uniform at 28.0 to 27.8 at%. can be,
The magnetic properties were also uniform with Hc ranging from 15.5 to 15°8KOe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder.

又このターゲットの酸素量も420ppmと少なく、大
気中放置24時間後もスパッタリングは初期から安定し
ており、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。
Furthermore, the oxygen content of this target was as low as 420 ppm, and sputtering was stable from the beginning even after 24 hours of being left in the atmosphere, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

〔実施例4−6〕 次にPrSmDyGdFeCoについて本発明法による
効果を確認した。製造方法は実施例4−1.4−2等と
同じであり、まず母合金として(P ro、+  Sm
o、+  Dyo、4Gdo、4)vz、z  (F 
e。、8CO0,2)2゜、Ila t%の鋳塊を作る
。この鋳塊の融点は880℃程度である。又Fes。C
oz。aL%からなる組成の発泡状FeCoシートを準
備し、空孔率が63.1%になるまでプレスし調整した
。そして、この発泡状FeCoシートを4“φ内径のア
ルミナでできた型に敷き、その上に母合金を無加圧で置
き、真空下で1040 ’Cに雰囲気加熱した。母合金
が溶解した後、冷却し型中に出来上がった成形体を取り
出し、外型加工、研磨し4″φX3tのスパッタリング
用ターゲットを作成した。やはりターゲット組成はRE
、RE−TM、TMの3相となっており、全体の組成は
Pr t、7ssmz、rsD Y xG d zCO
+4,5a t%であった。そして実施例4−1.4−
2等と同様の成膜装置及び成膜方法で基板ホルダー内の
組成分布と磁気特性分布を評価した結果、REが28.
0〜28.1at%で均一であり、磁気特性もHcが7
.2〜7.5KOeで均一であった。基板ホルダー内に
ほとんどといって良いほど均一な膜が成膜できている。
[Example 4-6] Next, the effect of the method of the present invention on PrSmDyGdFeCo was confirmed. The manufacturing method is the same as in Example 4-1.4-2, etc., and first, as a master alloy (Pro, + Sm
o, + Dyo, 4Gdo, 4) vz, z (F
e. ,8CO0,2) 2°, Ilat% ingot is made. The melting point of this ingot is about 880°C. Also Fes. C
oz. A foamed FeCo sheet having a composition of aL% was prepared, and the porosity was pressed and adjusted to 63.1%. Then, this foamed FeCo sheet was placed in a mold made of alumina with an inner diameter of 4", and the master alloy was placed on top of it without pressure, and the atmosphere was heated to 1040'C under vacuum. After the master alloy was melted, After cooling, the molded body formed in the mold was taken out, processed and polished to form a sputtering target of 4″φ×3t. After all, the target composition is RE
, RE-TM, and TM, and the overall composition is Pr t, 7ssmz, rsD Y xG d zCO
+4.5at%. And Example 4-1.4-
As a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution inside the substrate holder using the same film forming apparatus and film forming method as No. 2, the RE was 28.
It is uniform at 0 to 28.1 at%, and the magnetic properties are Hc of 7.
.. It was uniform between 2 and 7.5 KOe. A nearly uniform film was formed inside the substrate holder.

又このターゲットの酸素量も490ppmと少なく、大
気中放置24時間後もスパッタリングは初期から安定し
ており、膜磁気特性も同様に初期から安定していた。
Furthermore, the oxygen content of this target was as low as 490 ppm, and sputtering was stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

これら実施例4−4. 4−5. 4−6に示す組成系
以外にNdGdFeCo、NdTbFeCo。
These Example 4-4. 4-5. In addition to the composition system shown in 4-6, NdGdFeCo and NdTbFeCo.

NdPrDyFeCo、NdPrDyTbFeCo、P
rDyFeCo、NdSmGdFeCo。
NdPrDyFeCo, NdPrDyTbFeCo, P
rDyFeCo, NdSmGdFeCo.

PrTbFeCo、CeNdDyFeCo、CeNdP
rDyFeCo等の、Sm、Nd、Pr。
PrTbFeCo, CeNdDyFeCo, CeNdP
Sm, Nd, Pr such as rDyFeCo.

Ceのうちの少なくとも1種以上の軽希土類金属とGd
、 Dy、Tbのうちの少なくとも1種以上の重希土類
金属と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上の31
移金属とを含む全ての組成系について本発明製造法が可
能であり、又同様の効果も存在することが確認された。
At least one light rare earth metal of Ce and Gd
, Dy, and Tb; and at least one of Fe and Co.
It was confirmed that the production method of the present invention is possible for all composition systems containing transfer metals, and that similar effects also exist.

そして、発泡遷移金属をFeにし、母合金の方でCo量
を調整することにより、ターゲットのCO組成を所望に
する方法も可能であることが確認された。
It was also confirmed that it is possible to obtain a desired CO composition in the target by using Fe as the foamed transition metal and adjusting the amount of Co in the master alloy.

本発明法の1つである含浸法あるいは溶浸法では、粉末
あるいは発泡シートの空孔率が重要になでくる。これは
、粉末あるいは発泡シートの空孔の内に、溶融した鋳塊
が浸み込みターゲットが作られるのであるから、ターゲ
ット組成は空孔率で決定されることになる。つまり空孔
率を制御することにより所望の組成のターゲットを提供
しなければならない。
In the impregnation method or infiltration method, which is one of the methods of the present invention, the porosity of the powder or foam sheet is important. This is because the target is created by infiltrating the molten ingot into the pores of the powder or foam sheet, so the target composition is determined by the porosity. In other words, a target with a desired composition must be provided by controlling the porosity.

媒体の組成は希土類金属量が15at%〜35at%ぐ
らいまでが要求されるため、それに伴いターゲットの組
成を合わせなければならない。それを満たすため粉末あ
るいは発泡金属の空孔率を種々変えることによりターゲ
ット組成を合わせよ・うとするものである。
Since the composition of the medium is required to have a rare earth metal content of about 15 at % to 35 at %, the composition of the target must be adjusted accordingly. In order to satisfy this requirement, attempts are being made to match the target composition by varying the porosity of the powder or metal foam.

具体的に簡単に説明する。空孔率が30%程度の粉末を
用意し、その上に鋳塊を置く。第19図(a)がそれで
ある。そして鋳塊を溶融し、粉末中に含浸させた状態が
第19図(b)である。粉末中の空孔にしか溶融した鋳
塊が入り込まないのがわかる。
A concrete and brief explanation will be provided. Prepare powder with a porosity of about 30%, and place an ingot on top of it. This is shown in FIG. 19(a). The state in which the ingot is melted and impregnated into powder is shown in FIG. 19(b). It can be seen that the molten ingot only enters the pores in the powder.

次に空孔率が80%の粉末を用意し、その上に鋳塊を薗
いたものが第20図(a)である。同様に鋳塊を溶融し
、粉末中に含浸させた状態が第20図(ト))である。
Next, powder with a porosity of 80% was prepared, and an ingot was placed on top of it, as shown in FIG. 20(a). Similarly, the state in which the ingot is melted and impregnated into powder is shown in FIG. 20 (G).

この様にすることにより粉末の空孔率を制御し、組成を
決定することができるのである。
By doing this, the porosity of the powder can be controlled and the composition can be determined.

〔実施例5−1〕 NdDyFeCoについて、種々の空孔率の粉末及び発
泡7Mシートを用意し、本発明製造法である含浸法によ
りスパッタリング用ターゲットを作成した。
[Example 5-1] Regarding NdDyFeCo, powders and foamed 7M sheets with various porosity were prepared, and sputtering targets were created by the impregnation method, which is the manufacturing method of the present invention.

母合金として(N d o、 zD Y O,II)7
2.2(F e o、 aCo o、 z)zt、 v
+ a t%の鋳塊を作る。そして次にFe8゜Coz
。at%で200μm粒径の粉末を用意した。粉末の空
孔率は、30%、40%、50%。
As a master alloy (N d o, zD YO, II) 7
2.2 (F e o, aCo o, z) zt, v
+ a t% ingot is made. And then Fe8゜Coz
. A powder having a particle size of 200 μm at % was prepared. The porosity of the powder is 30%, 40%, and 50%.

62%、70%、80%のものを用意した。空孔率は粒
が球状のものから異形のものまで用意することにより制
御が可能である。又、同じ(Feg。
We prepared 62%, 70%, and 80%. The porosity can be controlled by preparing grains ranging from spherical to irregularly shaped grains. Also, the same (Feg.

Coz。at%の発泡金属シートを用意し、プレスによ
り空孔率30%、40%、50%、62%。
Coz. At% foamed metal sheets are prepared, and the porosity is 30%, 40%, 50%, and 62% by pressing.

70%、80%のものを用意した。先の実施例3−1.
4−4と同様の製造方法で、各種空孔率の異なるFeC
o粉末あるいは発泡FeCoシートを用いスパッタリン
グ用ターゲットを作成した。
We prepared 70% and 80%. Previous Example 3-1.
Using the same manufacturing method as 4-4, FeC with various porosity
A sputtering target was prepared using o powder or foamed FeCo sheet.

下表に、用いた粉末の空孔率と出来たターゲット組成、
発泡シートの空孔率と出来たターゲット組成を示す。
The table below shows the porosity of the powder used and the target composition.
The porosity of the foam sheet and the composition of the resulting target are shown.

表3 30  Ndz、w Dyz、aF 66g、+co+
7.440  Nd3.b D)’+4.zF eb5
.ecO+b、<50  N da、a D y17.
11F ebz、ac O+5.b62  N ds、
s D Yzz F es++ COIa、s70  
N d6.z D y24.7F ess、3c O+
z、e80  Ndv、+ Dyze、3F es+、
acO+z、s表4 30  N dz、7D YIl、bF ebs、sc
 o+t140  ’N d3.b D )’ +4.
ZF e6s、ec OIb、450  N da、a
 D V Iq、bF ebz、ac O+5.b62
  N ds、s D >’zz、oF ess、oc
 O+a、s70  N d6.z D yz4.7F
 ess、3c O11880Nd7.+ D)’zs
、zF es+、ecO+z、iこれらFeCo粉空孔
率を変えたターゲットあるいはFeCo発泡シート空孔
率を変えたターゲットを用いて、第2図と同様のスパッ
タ装置で成膜し基板ホルダー内の組成分布をみた。第2
1図が各種空孔率粉末を用いたターゲットの組成分布図
で、第22図が各種空孔率発泡シートを用いたターゲ・
7トの組成分布図である。
Table 3 30 Ndz, w Dyz, aF 66g, +co+
7.440 Nd3. b D)'+4. zF eb5
.. ecO+b, <50 N da, a D y17.
11F ebz, ac O+5. b62 Nds,
s D Yzz F es++ COIa, s70
Nd6. z D y24.7F ess, 3c O+
z, e80 Ndv, + Dyze, 3F es+,
acO+z, sTable 4 30 N dz, 7D YIl, bF ebs, sc
o+t140'N d3. b D )' +4.
ZF e6s, ec OIb, 450 N da, a
D V Iq, bF ebz, ac O+5. b62
N ds, s D >'zz, oF ess, oc
O+a, s70 N d6. z D yz4.7F
ess, 3c O11880Nd7. + D)'zs
, zF es+, ecO+z, i Using targets with different FeCo powder porosity or FeCo foam sheet with different porosity, films were formed using the same sputtering equipment as shown in Figure 2, and the composition distribution inside the substrate holder was measured. I saw it. Second
Figure 1 is a composition distribution diagram of targets using various porosity powders, and Figure 22 is a composition distribution diagram of targets using various porosity foam sheets.
FIG.

211が空孔率30%粉のターゲットで成膜した組成分
布、212が空孔率40%粉のターゲットで成膜した組
成分布、213が空孔率50%粉のターゲットで成膜し
た組成分布、214が空孔率62%粉のターゲットで成
膜した組成分布、215が空孔率70%粉のターゲット
で成膜した組成分布、216が空孔率80%粉のターゲ
ットで成膜した組成分布である。又、221が空孔率3
0%発泡シートのターゲットで成膜した組成分布、22
2が空孔率40%発泡シートのターゲットで成膜した組
成分布、223が空孔率50%発泡シートのターゲット
で成膜した組成分布、224が空孔率62%発泡シート
のターゲットで成膜した組成分布、225が空孔率70
%発泡シートのターゲットで成膜した組成分布、226
が空孔率80%発泡シートのターゲットで成膜した組成
分布である。これらいずれのターゲットにおいても、本
発明製造法によるターゲットで成膜した組成分布は極め
て小さく良好な均一性を示しており、空孔率を制御する
ことにより膜組成を種々に変えることができるものであ
る。
211 is the composition distribution when a film is formed using a powder target with a porosity of 30%, 212 is a composition distribution when the film is formed using a target with a porosity of 40% powder, and 213 is a composition distribution when a film is formed using a target with a porosity of 50% powder. , 214 is the composition distribution when the film is formed using a 62% porosity powder target, 215 is the composition distribution when the film is formed using a 70% porosity powder target, and 216 is the composition when the film is formed using a porosity 80% powder target. distribution. Also, 221 has a porosity of 3
Composition distribution of film formed using 0% foam sheet target, 22
2 is a composition distribution formed using a foam sheet target with a porosity of 40%, 223 is a composition distribution formed using a foam sheet target with a porosity of 50%, and 224 is a film formed using a foam sheet target with a porosity of 62%. composition distribution, 225 has a porosity of 70
% composition distribution of film formed with foam sheet target, 226
is the composition distribution of a film formed using a foam sheet target with a porosity of 80%. In all of these targets, the composition distribution of the film formed using the target produced by the production method of the present invention is extremely small and shows good uniformity, and the film composition can be varied in various ways by controlling the porosity. be.

他の組成系、PrTbFeCo、SmGdFeCo、S
mDyTbFeCo、NdTbFeCo。
Other composition systems, PrTbFeCo, SmGdFeCo, S
mDyTbFeCo, NdTbFeCo.

NdGdFeCo、  NdPrDyFeCo、  N
dPrDyTbFeCo、  PrDyFeCo、  
NdSmGdTbFeCo、  CeNdDyFt=C
o。
NdGdFeCo, NdPrDyFeCo, N
dPrDyTbFeCo, PrDyFeCo,
NdSmGdTbFeCo, CeNdDyFt=C
o.

CeNdPrDyFeCo等のSm、Nd、Pr。Sm, Nd, Pr such as CeNdPrDyFeCo.

Ceのうちの少なくとも1種以上の軽希土類金属と、G
d、  Dy、’rbのうちの少なくとも1種以上の重
希土類金属と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上
の遷移金属とを含む全ての組成系について本発明法は有
効であることを確認した。
at least one light rare earth metal of Ce, and G
It was confirmed that the method of the present invention is effective for all composition systems containing at least one heavy rare earth metal of d, Dy, and 'rb and at least one transition metal of Fe and Co. did.

〔実施例5−2〕 次にTbFeCoについて、種々の空孔率の粉末及び発
泡7Mシートを用意し、本発明製造法である含浸法によ
りスパッタリング用ターゲットを作成した。
[Example 5-2] Next, TbFeCo powders and foamed 7M sheets with various porosity were prepared, and sputtering targets were created by the impregnation method, which is the manufacturing method of the present invention.

母合金としてT b7z (F eo、q COo、+
)z8a t%の鋳塊を作る。そして次にFew。Co
、。at%で200μm粒径の粉末を用意した。粉末の
空孔率は、30%、43%、50%、60%、70%。
T b7z (F eo, q COo, +
) Make an ingot of z8a t%. And then Few. Co
,. A powder having a particle size of 200 μm at % was prepared. The porosity of the powder is 30%, 43%, 50%, 60%, and 70%.

80%のものを用い、空孔率は粒が球状のものから異形
のものまで用意することにより制御した。
80% was used, and the porosity was controlled by preparing grains ranging from spherical to irregularly shaped.

又、同じ(Fe、。Co、。at%の発泡金属シートを
用意し、プレスにより空孔率30%、43%。
In addition, foamed metal sheets of the same (Fe, .Co, .at%) were prepared, and the porosity was 30% and 43% by pressing.

50%、60%、70%、80%のものを用意した。先
の実施例3−5.4−1と同様の製造方法で、各種空孔
率の異なるFeCo粉末あるいは発泡Fecoシートを
用いスパッタリング用ターゲットを作成した。下表に、
用いた粉末の空孔率と出来たターゲット組成、発泡シー
トの空孔率と出来たターゲット組成を示す。
50%, 60%, 70%, and 80% were prepared. Sputtering targets were prepared using FeCo powder or foamed FeCo sheets having various porosity using the same manufacturing method as in Example 3-5.4-1. In the table below,
The porosity of the powder used and the composition of the resulting target are shown, as well as the porosity of the foam sheet and the composition of the created target.

表5 30   Tbzs Few6゜5coa、s43  
 T bzz F e7o、zCoi150   T 
bzs、、F ebt、oc 07.560   T 
bio、sF ehz、bc 06.970   T 
b3s、、F e ss、oCO6,580T bno
、tF es:+1c 05.9表6 30   T bus F e、b、sc Oa、s4
3   T bzz F e7o、zc o1850 
  T bzs、sF ebt、oc 07.560 
  T bio、sF ebz、bc Ob、q70 
  T bzs、sF ess、oCOb、580  
      T b4o、yF es3゜4CO5,9
これらFeCo粉空孔率を変えたターゲットあるいはF
eCo発泡シート空孔率を変えたターゲットを用いて、
第2図と同様のスパッタ装置で成膜し基板ホルダー内の
組成分布をみた。第23図が各種空孔率粉末を用いたタ
ーゲラ(・の組成分布図で、第24図が各種空孔率発泡
シートを用いたターゲットの組成分布図である。
Table 5 30 Tbzs Few6゜5coa, s43
T bzz F e7o,zCoi150 T
bzs,,Febt,oc 07.560 T
bio, sF ehz, bc 06.970 T
b3s,, F e ss, oCO6,580T bno
,tF es:+1c 05.9Table 6 30 T bus F e,b,sc Oa,s4
3 T bzz F e7o,zc o1850
T bzs, sF ebt, oc 07.560
T bio, sF ebz, bc Ob, q70
T bzs, sF ess, oCOb, 580
T b4o,yF es3゜4CO5,9
These FeCo powder targets with different porosity or F
Using targets with different eCo foam sheet porosity,
A film was formed using a sputtering apparatus similar to that shown in FIG. 2, and the composition distribution inside the substrate holder was observed. FIG. 23 is a composition distribution diagram of Targetera (*) using powders with various porosity, and FIG. 24 is a composition distribution diagram of targets using foamed sheets with various porosity.

231が空孔率30%粉のターゲットで成膜した組成分
布、232が空孔率43%粉のターゲットで成膜した組
成分布、233が空孔率50%粉のターゲットで成膜し
た組成分布、234が空孔率60%粉のターゲットで成
膜した組成分布、235が空孔率70%粉のターゲット
で成膜した組成分布、236が空孔率80%粉のターゲ
ットで成膜した組成分布である。又、241が空孔率3
0%発泡シートのターゲットで成膜した組成分布、24
2が空孔率43%発泡シートのターゲットで成膜した組
成分布、243が空孔率50%発泡シートのターゲット
で成膜した組成分布、244が空孔率60%発泡シート
のターゲットで成膜した組成分布、245が空孔率70
%発泡シートのターゲットで成膜した組成分布である。
231 is the composition distribution when a film is formed using a powder target with a porosity of 30%, 232 is a composition distribution when a film is formed using a target with a porosity of 43% powder, and 233 is a composition distribution when a film is formed using a target with a porosity of 50% powder. , 234 is a composition distribution formed with a target of 60% porosity powder, 235 is a composition distribution of a film formed with a target of 70% porosity powder, and 236 is a composition formed with a target of 80% porosity powder. distribution. Also, 241 has a porosity of 3
Composition distribution of film formed using 0% foam sheet target, 24
2 is a composition distribution formed using a foam sheet target with a porosity of 43%, 243 is a composition distribution formed using a foam sheet target with a porosity of 50%, and 244 is a film formed using a foam sheet target with a porosity of 60%. composition distribution, 245 has a porosity of 70
% composition distribution of a film formed using a foamed sheet target.

246が空孔率80%発泡シートのターゲットで成膜し
た組成分布である。これらいずれのターゲットにおいて
も、本発明製造法によるターゲットで成膜した組成分布
は極めて小さく、良好な均一性を示しており、空孔率を
制御することにより膜組成を種々に変えることができる
ものである。
246 is the composition distribution obtained by forming a film using a foam sheet target with a porosity of 80%. In all of these targets, the composition distribution of the film formed using the target produced by the manufacturing method of the present invention is extremely small and shows good uniformity, and the film composition can be varied in various ways by controlling the porosity. It is.

他の組成系、DyFeCo、TbGdFeCo。Other composition systems, DyFeCo, TbGdFeCo.

TbFe、GdFeCo、GdDVFeCo、GdDy
TbFeCo、  DyTbFeCo、  GdTbF
e、TbDyCo等のGd、Tb、D)’のうち少なく
とも1種以上の重希土類金属と、Fe。
TbFe, GdFeCo, GdDVFeCo, GdDy
TbFeCo, DyTbFeCo, GdTbF
e, at least one heavy rare earth metal selected from Gd, Tb, D)' such as TbDyCo, and Fe.

Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む全
ての組成系について本発明法は有であることを確認した
It was confirmed that the method of the present invention is applicable to all composition systems containing at least one transition metal among Co.

次に遷移金属粉末を使用する本発明法ターゲットの作成
において、粉末の粒径が種々異なるものを用意しターゲ
ットを作成してみた。
Next, in creating targets using the present invention method using transition metal powder, targets were created using powders with various particle sizes.

〔実施例6−1] 基本的作成方法は実施例3−1と同じであり、原料とし
て(N do、z D yo、5)vz、z (F e
o、a COo、 z) z、、 e a t%の母合
金鋳塊を用意しく4#φx4t)、次にFefi。CO
□。at%の粒径の異なった粉末を種々用意し、それら
を用いて、粉末上に母合金を置き1000℃で真空中雰
囲気加熱し、スパッタリング用ターゲットを作成した。
[Example 6-1] The basic preparation method is the same as Example 3-1, and the raw materials are (N do, z D yo, 5) vz, z (F e
o, a COo, z) z,, e a t% master alloy ingot 4#φx4t), then Fefi. C.O.
□. A variety of powders having different particle sizes at % were prepared, and using these powders, a master alloy was placed on the powder and heated in a vacuum atmosphere at 1000° C. to create a sputtering target.

出来上がりは4“φX、6 tのターゲットを作成。The result is a target of 4"φX and 6t.

用いた粉末の平均粒径は、5μm、8μm、  10μ
m、24μm、38μm、53μm、120μm、23
0μITI、570μm、730μm、  1mm、 
 1. 5mm、  2mm、  3mm、  3. 
2mm。
The average particle diameters of the powders used were 5 μm, 8 μm, and 10 μm.
m, 24 μm, 38 μm, 53 μm, 120 μm, 23
0μITI, 570μm, 730μm, 1mm,
1. 5mm, 2mm, 3mm, 3.
2mm.

4mmである。It is 4mm.

用いた粉末に対するターゲットの出来上がり状態を下表
に示す。
The table below shows the finished targets for the powders used.

表7 5μm、64% 粉末の上から3%まで含浸8μm、6
4% 粉末の上から5%まで含浸10μm、64% 粉
末の上から100%含浸24μm、62%    10
0%含浸38μm、58%    100%含浸53μ
m、55%    100%含浸120μm、51% 
   100%含浸230μm、48%    100
%含浸570μm、44%    100%含浸730
μm、64%    100%含浸1、Omm、62%
    100%含浸1.5mm、58%    10
0%含浸2.5mm、55%    100%含浸3、
Omm、53%    100%含浸3.2mm、51
%    100%含浸4、Omm、48%    1
00%含浸上表の結果より平均粒径が5μm、8μmの
粉を使用した場合は、母合金が浸み込まずターゲットが
製造できないことがわかる。これは粉末の粒径があまり
にも小さ過ぎ、空孔自身も小さ過ぎるために溶解した母
合金溶液の粘度との関係があり、浸み込まないのである
。lo/7m以上の平均粒径をもつ粉末は、100%浸
み込みターゲットが作成できる。
Table 7 5μm, 64% Impregnated to 3% from the top of powder 8μm, 6
4% Impregnated to 5% from top of powder 10 μm, 64% Impregnated 100% from top of powder 24 μm, 62% 10
0% impregnation 38μm, 58% 100% impregnation 53μm
m, 55% 100% impregnated 120μm, 51%
100% impregnation 230μm, 48% 100
% impregnation 570μm, 44% 100% impregnation 730
μm, 64% 100% impregnation 1, Omm, 62%
100% impregnation 1.5mm, 58% 10
0% impregnation 2.5mm, 55% 100% impregnation 3,
Omm, 53% 100% impregnation 3.2mm, 51
% 100% impregnated 4, Omm, 48% 1
00% impregnation From the results in the table above, it can be seen that when powder with an average particle diameter of 5 μm or 8 μm is used, the target cannot be manufactured because the master alloy does not penetrate. This is because the particle size of the powder is too small and the pores themselves are too small, which has a relationship with the viscosity of the dissolved mother alloy solution, and does not penetrate. Powder having an average particle size of lo/7m or more can be used to create a target with 100% penetration.

上表の平均粒径が10μm以上の粉末を用いたターゲッ
トを第2図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を試みた
。どのターゲットもスパッタ初期より放電も安定してお
り、問題なかった。それぞれのターゲットを長時間スパ
ッタし、膜磁気特性との関係をみた。第25図、第26
図がそれで、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図である
。251が10μm粒径粉を用いたターゲット、252
が24μm粒径粉粒径−たターゲット、253が38μ
m粒径粉を用いたターゲット、254が53μm粒径粉
を用いたターゲット、255が120μm粒径粉を用い
たターゲット、256が230μm粒径粉を用いたター
ゲット、257が570μm粒径粉を用いたターゲット
である。
A target using powder having an average particle size of 10 μm or more as shown in the above table was attached to a sputtering apparatus shown in FIG. 2, and film formation was attempted. For all targets, the discharge was stable from the initial stage of sputtering, and there were no problems. Each target was sputtered for a long time and the relationship with the film magnetic properties was examined. Figures 25 and 26
The figure is a sputtering time dependence diagram of film magnetic properties. 251 is a target using 10 μm particle size powder, 252
The target has a particle size of 24 μm, and the target has a particle size of 253 and 38 μm.
Target using m particle size powder, 254 target using 53 μm particle size powder, 255 target using 120 μm particle size powder, 256 target using 230 μm particle size powder, 257 using 570 μm particle size powder It was a target.

10μm〜570μm粒径粉使用のターゲットにおいて
は、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性であり十
分使用可能であることが確認された。それぞれのターゲ
ットで膜磁気特性が異なるのは、粉末の空孔率が異なり
、したがってターゲット組成が異なってくるためであり
、本実施例の主旨とは直接関係のないものである。26
1は730μm粒径粉を用いたターゲット、262は1
゜0mmmm粒径用いたターゲット、263はl。
It was confirmed that the target using particle size powder of 10 μm to 570 μm had constant film magnetic properties at all sputtering times and was sufficiently usable. The reason why the film magnetic properties are different for each target is because the porosity of the powder is different, and therefore the target composition is different, and this is not directly related to the gist of this example. 26
1 is a target using 730 μm particle size powder, 262 is 1
Target using ゜0mmmm particle size, 263 is l.

5mmmm粒径用いたターゲット、264は2゜5mm
mm粒径用いたターゲット、265は3゜0mmmm粒
径用いたターゲット、266は3゜2mmmm粒径用い
たターゲット、267は4゜0mmmm粒径用いたター
ゲットである。730μm〜2.5mm粒径粉使用ター
ゲットにおいては、全てのスパック時間で一定した膜磁
気特性であり十分使用可能であることが確認された。3
゜0mmmm粒径用使用ターゲットいてはスパッタ時間
により、膜磁気特性が少し変動している。これは粒子の
大きさが大きくなってきたため、ターゲット表面のRE
、RE−TM、TMの比率がスパック時間により変動す
るからである。
Target using 5mmmm particle size, 264 is 2°5mm
265 is a target using 3°0mmmm particle size, 266 is a target using 3°2mmmm particle size, and 267 is a target using 4°0mmmm particle size. It was confirmed that the target using powder with a particle size of 730 μm to 2.5 mm had constant film magnetic properties at all spuck times and was sufficiently usable. 3
When using a target with a grain size of 0 mm mm, the film magnetic properties slightly fluctuate depending on the sputtering time. This is because the particle size has increased, so the RE on the target surface
, RE-TM, and TM vary depending on the spuck time.

しかしながら、3.0mm粒径程度であれば、変動中も
、あまり大きくなく使用することは可能である。ところ
が、3.2m、m粒径検使用ターゲット、4.0mmm
m粒径用使用ターゲットいては、あまりにも膜磁気特性
の変動が大きすぎるために使用には耐えられないことが
わかった。このことより本発明ターゲットを製造するに
は、TM粉末は平均粒径が10pm以上3.Ornm以
下であることが必要となる。
However, if the particle size is about 3.0 mm, it is not too large and can be used even during fluctuations. However, the target used for 3.2m and m particle size inspection was 4.0mm.
It was found that the target used for the m particle size was unusable because the fluctuations in the film magnetic properties were too large. From this, in order to manufacture the target of the present invention, the TM powder must have an average particle size of 10 pm or more.3. It is necessary that it is less than Ornm.

他の組成系、PrTbFeCo、SmGdFeCo、S
mDyTbFeCo、NdTbFeCo。
Other composition systems, PrTbFeCo, SmGdFeCo, S
mDyTbFeCo, NdTbFeCo.

NdGdFeCo、NdPrDyFeCo、NdPrD
yTbFeCo、  PrDyFeCo、NdSmGd
TbFeCo、CeNdDyFeCo。
NdGdFeCo, NdPrDyFeCo, NdPrD
yTbFeCo, PrDyFeCo, NdSmGd
TbFeCo, CeNdDyFeCo.

CeNdPrDyFeCo等のSm、Nd、、Pr。Sm, Nd, Pr such as CeNdPrDyFeCo.

Ceのうちの少なくとも1種以上の軽希土類金属と、G
d、Dy、Tbのうちの少なくとも1種以上の重希土類
金属と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移
金属とを含む全ての組成系についても、同範囲の粒径を
用いる必要のあることを確認した。
at least one light rare earth metal of Ce, and G
It is also necessary to use particle sizes in the same range for all composition systems containing at least one heavy rare earth metal among d, Dy, and Tb and at least one transition metal among Fe and Co. I confirmed that there is.

〔実施例6−2] 次にTbFeCoについて、TM粉の粒径の異なるもの
を用意し、実施例3−5と同様の製造方法を試みた。
[Example 6-2] Next, regarding TbFeCo, TM powders having different particle sizes were prepared, and the same manufacturing method as in Example 3-5 was attempted.

原料としてT 11)+z (F eo、q COo、
I) 211a t%の母合金鋳塊を用意しく4”φX
4t)、次にFeq。Co、、at%の粒径の異なった
粉末を種々用意し、それらを用いて、粉末上に母合金を
置き1(110℃で真空中雰囲気加熱し、スパッタリン
グ用ターゲットを作成した。出来上がりターゲットは4
“φX6tである。
T 11) + z (F eo, q COo,
I) Prepare a 211a t% master alloy ingot with a diameter of 4”φX.
4t), then Feq. A variety of Co, at% powders with different particle sizes were prepared, and using them, a master alloy was placed on the powder and heated in a vacuum atmosphere at 110°C to create a sputtering target.The finished target was 4
“φX6t.

用いた粉末の平均粒径は、5μm、8μm、  10μ
m、24μm、38μm、53μm、120am、23
0μm、570μm、130am、1mm、1.5mm
、2mm、3mm、3.2mm。
The average particle diameters of the powders used were 5 μm, 8 μm, and 10 μm.
m, 24 μm, 38 μm, 53 μm, 120 am, 23
0μm, 570μm, 130am, 1mm, 1.5mm
, 2mm, 3mm, 3.2mm.

4mmである。用いた粉末に対するターゲットの出来上
がり状態を下表に示す。
It is 4mm. The table below shows the finished targets for the powders used.

表8 5μm、44% 粉末の上から3%まで含浸8μm、4
4% 粉末の上から5%まで含浸10μm、44% 粉
末の上から100%含浸24μm、42%    10
0%含浸38μm、39%    100%含浸53μ
m、37%    100%含浸120μm、35% 
   100%含浸230μm、32%    100
%含浸570μm、30%    100%含浸730
μm、44%    100%含浸1、Omm、42%
    100%含浸1.5mm、39%    10
0%含浸2.5mm、37%    100%含浸3、
Omm、35%    100%含浸3.2mm、32
%    10(1%含浸4、Omm、30%    
100%含浸上表の結果より平均粒径が5μm、8μm
の粉を使用した場合は、母合金が浸み込まずターゲット
が製造できないことがわかる。これは粉末の粒径があま
りにも小さ過ぎ、空孔自身も小さ過ぎるために溶解した
母合金溶液の粘度との関係があり、浸み込まないのであ
る。10μm以上の平均粒径をもつ粉末は、100%浸
み込みターゲットが作成できる。
Table 8 5μm, 44% Impregnated to 3% from the top of powder 8μm, 4
4% Impregnation from top of powder to 5% 10 μm, 44% Impregnation from top of powder to 100% 24 μm, 42% 10
0% impregnation 38μm, 39% 100% impregnation 53μm
m, 37% 100% impregnation 120μm, 35%
100% impregnation 230μm, 32% 100
% impregnation 570μm, 30% 100% impregnation 730
μm, 44% 100% impregnation 1, Omm, 42%
100% impregnation 1.5mm, 39% 10
0% impregnation 2.5mm, 37% 100% impregnation 3,
Omm, 35% 100% impregnation 3.2mm, 32
% 10 (1% impregnation 4, Omm, 30%
100% impregnation From the results in the table above, the average particle size is 5 μm and 8 μm.
It can be seen that if powder of This is because the particle size of the powder is too small and the pores themselves are too small, which has a relationship with the viscosity of the dissolved mother alloy solution, and does not penetrate. Powder having an average particle size of 10 μm or more can be used to create a target with 100% penetration.

上表の平均粒径が10μm以上の粉末を用いたターゲッ
トを第2図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を試みた
。どのターゲットもスパック初期より放電も安定してお
り、問題なかった。それぞれのターゲットを長時間スパ
ッタし、膜磁気特性との関係をみた。第27図、第28
図がそれで、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図である
。271が10μm粒径粉を用いたターゲット、272
が24μm粒径粉を用いたターゲット、273が38u
m粒径扮を用いたターゲット、274が53μm粒径粉
を用いたターゲット、275が120μm粒径粉を用い
たターゲット、276が230μm粒径粉を用いたター
ゲット、277が570μm粒径粉を用いたターゲット
である。
A target using powder having an average particle size of 10 μm or more as shown in the above table was attached to a sputtering apparatus shown in FIG. 2, and film formation was attempted. The discharge of all targets was stable from the beginning of the spuck, and there were no problems. Each target was sputtered for a long time and the relationship with the film magnetic properties was examined. Figures 27 and 28
The figure is a sputtering time dependence diagram of film magnetic properties. 271 is a target using 10 μm particle size powder, 272
is a target using 24μm particle size powder, 273 is 38u
Target using m particle size powder, 274 target using 53 μm particle size powder, 275 target using 120 μm particle size powder, 276 target using 230 μm particle size powder, 277 using 570 μm particle size powder It was a target.

10μm〜570μm粒径粉使用のターゲットにおいて
は、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性であり十
分使用可能であることが確認された。それぞれのターゲ
ットで膜磁気特性が異なるのは、粉末の空孔率が異なり
、したがってターゲット組成が異なってくるためであり
、本実施例の主旨とは直接関係のないものである。28
1は730μm粒径粉を用いたターゲット、282は1
、Ommmm粒径用いたターゲット、283は1゜5m
mmm粒径用いたターゲット、284は2゜5mmmm
粒径用いたターゲット、285は3゜0mmmm粒径用
いたターゲット、286は3゜2mmmm粒径用いたタ
ーゲット、287は4゜0mmmm粒径用いたターゲッ
トである。730μm〜2.5mm粒径粉使用ターゲッ
トにおいては、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特
性であり十分使用可能であることが確認された。3゜O
mmmm粒径用使用ターゲットいてはスパッタ時間によ
り、膜磁気特性が少し変動している。これは粒子の大き
さが大きくなってきたため、ターゲット表面のRE、R
E−TM、TMの比率がスパッタ時間により変動するか
らである。
It was confirmed that the target using particle size powder of 10 μm to 570 μm had constant film magnetic properties at all sputtering times and was sufficiently usable. The reason why the film magnetic properties are different for each target is because the porosity of the powder is different, and therefore the target composition is different, and this is not directly related to the gist of this example. 28
1 is a target using 730 μm particle size powder, 282 is 1
, target using Ommmm particle size, 283 is 1°5m
Target using mm particle size, 284 is 2゜5mmmm
285 is a target using a particle size of 3°0 mmmm, 286 is a target using a particle size of 3°2 mmmm, and 287 is a target using a particle size of 4°0 mmmm. It was confirmed that the target using powder with a particle size of 730 μm to 2.5 mm had constant film magnetic properties at all sputtering times and was sufficiently usable. 3゜O
When using a target for mmmm grain size, the film magnetic properties vary slightly depending on the sputtering time. This is because the size of the particles has increased, so the RE and R of the target surface
This is because the ratio of E-TM and TM varies depending on the sputtering time.

しかしながら、3.0mm粒径程度であれば、変動中も
、あまり太き(なく使用することは可能である。ところ
が、3.2mmmm粒径用使用ターゲット、0mmmm
粒径用使用ターゲットいては、あまりにも膜磁気特性の
変動が大きすぎるために使用には耐えられないことがわ
かった。このことより本発明ターゲットを製造するには
、7M粉末は平均粒径が10μm以上3.0mm以下で
あることが必要となる。
However, if the particle size is about 3.0 mm, it is possible to use it without making it too thick even during fluctuations. However, the target used for the 3.2 mm particle size, 0 mm
It was found that the target used for grain size had too large a fluctuation in film magnetic properties to be usable. From this, in order to manufacture the target of the present invention, the 7M powder needs to have an average particle size of 10 μm or more and 3.0 mm or less.

他の組成系DyFeCo、TbGdFeCo。Other composition systems DyFeCo, TbGdFeCo.

TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo、GdDy
TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、GdTb
Fe、TbDyCo等のGd、Tb。
TbFe, GdFeCo, GdDyFeCo, GdDy
TbFeCo, DyTbFeCo, TbCo, GdTb
Gd, Tb such as Fe, TbDyCo.

Dyのうち少なくとも1種以上の重希土類金属と、Fe
、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系についても、同範囲の粒径を用いる必要の
あることをl111認した。
At least one heavy rare earth metal among Dy and Fe
It was recognized in 1111 that it is necessary to use particle sizes in the same range for all composition systems containing at least one transition metal among , Co, and Co.

次に発泡遷移金属シートを使用する本発明法ターゲット
の作成において、発泡金属の空孔径が種々異なるものを
用意しターゲットを作成してみた。
Next, in creating targets using the present invention method using foamed transition metal sheets, targets were created using foamed metals with various pore sizes.

〔実施例7−1〕 FeDyFeCoについて、発泡遷移金属の空孔径が種
々異なるものを用意し、実施例4−4と同様の製造方法
を試みた。
[Example 7-1] Regarding FeDyFeCo, foamed transition metals having various pore diameters were prepared, and the same manufacturing method as in Example 4-4 was attempted.

原料としテ(N d O,2D yo、s) 72.2
 (F e o、aCoo、z)zt、iaむ%の母合
金鋳塊を用意しく4″φX4t)、次にFe5oCOz
oa t%の空孔径の異なった発泡シートを種々用意し
、それらを用いて、発泡シート上に母合金を置き100
0℃で真空中雰囲気加熱し、スパッタリング用ターゲッ
トを作成した。出来上がりターゲットは4″φ×6tの
ターゲットを作成。
Raw material Toshite (N d O, 2D yo, s) 72.2
Prepare a master alloy ingot of (F e o, aCoo, z) zt, iamu% 4″φX4t), then Fe5oCOz
Various foam sheets with different pore diameters of oa t% were prepared, and using them, a master alloy was placed on the foam sheets at 100%
A sputtering target was prepared by heating in a vacuum atmosphere at 0°C. The completed target is 4″φ x 6t.

用いた発泡金属の平均粒径は、5μm、8μm。The average particle size of the metal foam used was 5 μm and 8 μm.

10μm、24μm、38μm、53μm、120pm
、230μm、570μm、730μm。
10μm, 24μm, 38μm, 53μm, 120pm
, 230 μm, 570 μm, 730 μm.

1mm、1.5mm、2mm、3mm、3.2mm、4
mmである。
1mm, 1.5mm, 2mm, 3mm, 3.2mm, 4
It is mm.

用いた発泡金属に対するターゲットの出来上がり状態を
下表に示す。
The table below shows the completed targets for the foamed metals used.

表9 5μm、64% 発泡FeCo0上から3%まで含浸8
μm、64% 発泡FeCo0上から5%まで含浸10
μm、64% 発泡FeCo0上から100%含浸24
μm、62%      100%含浸38μm、58
%      100%含浸53μm、55%    
  100%含浸120μm、51%      10
0%含浸230μm、48%      100%含浸
570μm、44%      100%含浸730μ
m、64%      100%含浸1、Omm、62
%      100%含浸1.5mm、58%   
   100%含浸2.5mm、55%      1
00%含浸3、Omm、53%      100%含
浸3.2mm、 51%      100%含浸4、
Omm、48%      100%含浸上表の結果よ
り平均空孔径が5μm、8μmの発泡金属を使用した場
合は、母合金が浸み込まずターゲットが製造できないこ
とがわかる。これは発泡金属の空孔径があまりにも小さ
過ぎるために溶解した母合金溶液の粘度との関係があり
、浸み込まないのである。10μm以上の平均空孔径を
もつ発泡金属は、100%浸み込みターゲットが作成で
きる。
Table 9 5 μm, 64% foamed FeCo0 impregnated from above to 3% 8
μm, 64% Foamed FeCo0 from top to 5% impregnated 10
μm, 64% 100% impregnation from above foamed FeCo0 24
μm, 62% 100% impregnated 38μm, 58
% 100% impregnation 53μm, 55%
100% impregnation 120μm, 51% 10
0% impregnation 230μm, 48% 100% impregnation 570μm, 44% 100% impregnation 730μm
m, 64% 100% impregnation 1, Omm, 62
% 100% impregnation 1.5mm, 58%
100% impregnated 2.5mm, 55% 1
00% impregnation 3, Omm, 53% 100% impregnation 3.2mm, 51% 100% impregnation 4,
Omm, 48% 100% impregnation From the results in the table above, it can be seen that when metal foams with average pore diameters of 5 μm and 8 μm are used, the target cannot be manufactured because the master alloy does not penetrate. This is related to the viscosity of the dissolved mother alloy solution because the pore diameter of the foamed metal is too small, and it does not penetrate. Foamed metal having an average pore diameter of 10 μm or more can be 100% penetrated to create a target.

上表の平均空孔径が10μm以上の発泡金属を用いたタ
ーゲットを第2図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を
試みた。どのターゲットもスパッタ初期より放電も安定
しており、問題なかった。
A target made of foamed metal having an average pore diameter of 10 μm or more as shown in the above table was attached to the sputtering apparatus shown in FIG. 2, and film formation was attempted. For all targets, the discharge was stable from the initial stage of sputtering, and there were no problems.

それぞれのターゲットを長時間スパッタし、膜磁気特性
との関係をみた。第29図、第30図がそれで、膜磁気
特性のスパッタ時間依存性図である。
Each target was sputtered for a long time and the relationship with the film magnetic properties was examined. FIGS. 29 and 30 are sputtering time dependence diagrams of film magnetic properties.

291が10μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
292が24μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
293が388m空孔径発泡金属を用いたターゲット、
294が53μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
295が120μm空孔径発泡金属を用いたターゲット
、296が230μm空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト、297が570μm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ットである。
291 is a target using foam metal with a pore size of 10 μm,
292 is a target using foamed metal with a pore size of 24 μm,
293 is a target using foam metal with a pore diameter of 388 m,
294 is a target using foamed metal with a pore size of 53 μm,
295 is a target using a foamed metal with a pore size of 120 μm, 296 is a target using a foamed metal with a pore size of 230 μm, and 297 is a target using a foamed metal with a pore size of 570 μm.

10μm〜570um空孔径発泡金属使用のターゲット
においては、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性
であり十分使用可能であることが確認された。それぞれ
のターゲットで膜磁気特性が異なるのは、粉末の空孔率
が異なり、したがってターゲット組成が異なってくるた
めであり、本実施例の主旨とは直接関係のないものであ
る。3(11は730μm空孔径発泡金属を用いたター
ゲット、3(12は1.Omm空孔径発泡金属を用いた
ターゲット、3(13は1.5mm空孔径発泡金属を用
いたターゲット、304は2.5mm空孔径発泡金属を
用いたターゲット、305は3.0mm空孔径発泡金属
を用いたターゲット、306は3.2mm空孔径発泡金
属を用いたターゲット、307は4.Omm空孔径発泡
金属を用いたターゲットである。7308m〜2.5m
m空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、全てのス
パッタ時間で一定した膜磁気特性であり十分使用可能で
あることが確認された。3.Omm空孔径発泡金属使用
ターゲットにおいてはスパッタ時間により、膜磁気特性
が少し変動している。これは空孔の大きさが大きくなっ
てきたため、ターゲット表面のRE、RE−TM、TM
の比率がスパッタ時間により変動するからである。
It was confirmed that a target using foamed metal with a pore diameter of 10 μm to 570 μm had constant film magnetic properties at all sputtering times and was sufficiently usable. The reason why the film magnetic properties are different for each target is because the porosity of the powder is different, and therefore the target composition is different, and this is not directly related to the gist of this example. 3 (11 is a target using foamed metal with 730 μm pore size, 3 (12 is a target using foamed metal with 1.0 mm pore size), 3 (13 is a target using foamed metal with 1.5 mm pore size, 304 is 2. A target using a foamed metal with a pore diameter of 5 mm, 305 a target using a foamed metal with a pore diameter of 3.0 mm, a target 306 using a foamed metal with a pore diameter of 3.2 mm, and a target 307 using a foamed metal with a pore diameter of 4.0 mm. Target: 7308m ~ 2.5m
It was confirmed that the target using foamed metal with m pore diameter had constant film magnetic properties during all sputtering times and was sufficiently usable. 3. In a target using a foamed metal with a pore diameter of 0 mm, the film magnetic properties slightly fluctuate depending on the sputtering time. This is because the size of the pores has become larger, so RE, RE-TM, TM on the target surface
This is because the ratio varies depending on the sputtering time.

しかしながら、3.0mm空孔率径程度であれば、変動
中も、あまり大きくなく使用することは可能である。と
ころが、3.2mm空孔径発泡金属使用ターゲット、4
.0mm空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、あ
まりにも膜磁気特性の変動が大きすぎるために使用には
耐えられないことがわかった。このことより本発明ター
ゲットを製造するには、TM発泡金属は平均空孔径が1
0μm以上3.0mm以下であることが必要となる。
However, if the porosity diameter is about 3.0 mm, it is not too large and can be used even during fluctuations. However, the target using foam metal with a pore size of 4.
.. It was found that a target using a foamed metal with a pore diameter of 0 mm was unusable because the film magnetic properties fluctuated too much. From this, in order to manufacture the target of the present invention, the TM foam metal has an average pore diameter of 1.
It is necessary that the thickness is 0 μm or more and 3.0 mm or less.

他の組成系PrTbFeCo、SmGdFeCo、Sm
DyTbFeCo、NdTbFeCo。
Other composition systems PrTbFeCo, SmGdFeCo, Sm
DyTbFeCo, NdTbFeCo.

NdGdFeCo、NdPrDyFeCo、NdPrD
yTbFeCo、PrDyFeCo、NdSmGdTb
FeC0,CeNdDyFeCo。
NdGdFeCo, NdPrDyFeCo, NdPrD
yTbFeCo, PrDyFeCo, NdSmGdTb
FeC0, CeNdDyFeCo.

CeNdPrDyFeCo等のSm、Nd、Pr。Sm, Nd, Pr such as CeNdPrDyFeCo.

Ceのうち少なくとも1種以上の軽希土類金属と、Gd
、 Dy、’rbのうちの少なくとも1種以上の重希土
類金属と、Fe、Goのうちの少なくも1種以上の遷移
金属とを含む全ての組成系についても、同範囲の空孔径
を用いる必要のあることを確認した。
At least one light rare earth metal among Ce and Gd
It is necessary to use pore diameters in the same range for all composition systems containing at least one heavy rare earth metal of , Dy, and 'rb and at least one transition metal of Fe and Go. It was confirmed that there is.

〔実施例7−2〕 次にT b F e C,oについて、発泡遷移金属の
空孔径の異なるものを用意し、実施例4−1と同様の製
造方法を試みた。
[Example 7-2] Next, for T b Fe C,o, foamed transition metals with different pore diameters were prepared, and the same manufacturing method as in Example 4-1 was attempted.

原料としてT byz (F eo、q COo、+ 
) z、aa t%の母合金鋳塊を用意しく4“φ×4
t)、次にFee。Co、。at%の空孔径の異なった
発泡金属を種々用意し、それらを用いて、発泡金属上に
母合金を置き1(110℃で真空中雰囲気加熱し、スパ
ッタリング用ターゲットを作成した。出来上がりターゲ
ットは4“φX6tである。
T byz (F eo, q COo, +
) Prepare a master alloy ingot of z, aa t% 4"φ×4
t), then Fee. Co. We prepared various foamed metals with different pore diameters at %, and using them, we placed a master alloy on the foamed metal and heated it in a vacuum atmosphere at 110°C to create a sputtering target.The completed target was 4 “φX6t.

用いた発泡金属の平均空孔径は、5μm、8μm、10
μm、24μm、38μm、53μm。
The average pore diameters of the metal foam used were 5 μm, 8 μm, and 10 μm.
μm, 24 μm, 38 μm, 53 μm.

120μm、230μm、570μm、730μm、1
mm、1.5mm、2mm、3mm、3゜2mm、4m
mである。用いた発泡金属に対するターゲットの出来上
がり状態を下表に示す。
120μm, 230μm, 570μm, 730μm, 1
mm, 1.5mm, 2mm, 3mm, 3゜2mm, 4m
It is m. The table below shows the completed targets for the foamed metals used.

表10 5μm、44% 発泡FeCo0上から3%まで含浸8
μm、44% 発泡FeCo0上から5%まで含浸10
μm、44% 発泡FeCo0上から100%含浸24
μm、42%      100%含浸38μm、39
%      100%含浸53μm、37%    
  100%含浸120μm、35%      10
0%含浸230μm、32%      100%含浸
570μm、 30%      100%含浸730
μm、44%      100%含浸1、Omm、4
2%      100%含浸1.5mm、39%  
    100%含浸2.5mm、37%      
100%含浸3、Omm、35%      ioo%
含浸3.2mm、32%      100%含浸4、
Omm、30%      100%含浸上表の結果よ
り平均空孔径が5μm、  8μmの発泡金属を使用し
た場合は、母合金が浸み込まずターゲットが製造できな
いことがわかる。これは発泡金属の空孔径があまりにも
小さ過ぎるために溶解した母合金溶液の粘度との関係が
あり、浸み込まないのである。10μm以上の平均空孔
径をもつ発泡金属は、100%浸み込みターゲットが作
成できる。
Table 10 5 μm, 44% foamed FeCo0 impregnated from above to 3% 8
μm, 44% impregnated from above foamed FeCo0 to 5% 10
μm, 44% 100% impregnation from above foamed FeCo0 24
μm, 42% 100% impregnated 38μm, 39
% 100% impregnation 53μm, 37%
100% impregnation 120μm, 35% 10
0% impregnation 230μm, 32% 100% impregnation 570μm, 30% 100% impregnation 730
μm, 44% 100% impregnation 1, Omm, 4
2% 100% impregnation 1.5mm, 39%
100% impregnated 2.5mm, 37%
100% impregnation 3, Omm, 35% ioo%
Impregnation 3.2mm, 32% 100% impregnation 4,
Omm, 30% 100% impregnation From the results in the table above, it can be seen that when using foamed metals with average pore diameters of 5 μm and 8 μm, the master alloy does not penetrate and the target cannot be manufactured. This is related to the viscosity of the dissolved mother alloy solution because the pore diameter of the foamed metal is too small, and it does not penetrate. Foamed metal having an average pore diameter of 10 μm or more can be 100% penetrated to create a target.

上表の平均空孔径が10μm以上の発泡金属を用いたタ
ーゲットを第2図に示すスパッタ装置に装着し、成膜を
試みた。どのターゲットもスパッタ初期より放電も安定
しており、問題なかった。
A target made of foamed metal having an average pore diameter of 10 μm or more as shown in the above table was attached to the sputtering apparatus shown in FIG. 2, and film formation was attempted. For all targets, the discharge was stable from the initial stage of sputtering, and there were no problems.

それぞれのターゲットを長時間スパッタし、膜磁気特性
との関係をみた。第31図、第32図がそれで、膜磁気
特性のスパック時間依存性図である。
Each target was sputtered for a long time and the relationship with the film magnetic properties was examined. FIGS. 31 and 32 are diagrams showing the spuck time dependence of the film magnetic properties.

311が10μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
312が24μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
313が38μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
314が53μm空孔径発泡金属を用いたターゲット、
315が120μm空孔径発泡金属を用いたターゲット
、316が2308m空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト、317が5708m空孔径発泡金属を用いたターゲ
ットである。
311 is a target using foamed metal with a pore size of 10 μm,
312 is a target using foam metal with a pore size of 24 μm,
313 is a target using foam metal with a pore size of 38 μm,
314 is a target using foamed metal with a pore size of 53 μm,
315 is a target using a foamed metal with a pore diameter of 120 μm, 316 is a target using a foamed metal with a pore diameter of 2308m, and 317 is a target using a foamed metal with a pore diameter of 5708m.

10μm〜570μm空孔径発泡金属使用のり−ゲット
においては、全てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性
であり十分使用可能であることがtl’l L’2され
た。それぞれのターゲットで膜磁気特性が異なるのは、
粉末の空孔率が異なり、したがってターゲット紹成が異
なってくるためであり、本実施例の主旨とは直接関係の
ないものである。321は7308m空孔径発泡金属を
用いたターゲット、322は1.Omm空孔径発泡金属
を用いたターゲット、323は1.5mm空孔径発泡金
属を用いたターゲット、324は2.5mm空孔径発泡
金属を用いたターゲット、325は3.0mm空孔径発
泡金属を用いたターゲット、326は3.2mm空孔径
発泡金属を用いたターゲット、327は4.0mm空孔
径発泡金属を用いたターゲットである。730μm〜2
.5mm空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、全
てのスパッタ時間で一定した膜磁気特性であり十分使用
可能であることがG11L’2された。3.Omm空孔
径発泡金屈使用ターゲットにおいてはスパッタ時間によ
り、膜磁気特性が少し変動している。これは空孔の大き
さが大きくなってきたため、ターゲット表面のRE、R
E−TM、TMの比率がスパッタ時間により変動するか
らである。
In the glue get using foamed metal with a pore diameter of 10 μm to 570 μm, the magnetic properties of the film were constant over all sputtering times, and it was found that the film could be used satisfactorily. The reason why the film magnetic properties are different for each target is
This is because the porosity of the powder is different, and therefore the target formation is different, and is not directly related to the gist of this example. 321 is a target using foamed metal with a pore diameter of 7308 m, and 322 is a target using 1. 323 is a target using foamed metal with pore size of 1.5mm, 324 is a target using foamed metal with 2.5mm pore size, 325 is a target using foamed metal with 3.0mm pore size. The target 326 is a target using a foamed metal with a pore size of 3.2 mm, and the target 327 is a target using a foamed metal with a pore size of 4.0 mm. 730μm~2
.. G11L'2 found that the target using a foamed metal with a pore diameter of 5 mm had constant film magnetic properties during all sputtering times and was sufficiently usable. 3. In a target using foamed metal with a pore diameter of 0 mm, the film magnetic properties slightly fluctuate depending on the sputtering time. This is because the size of the pores has become larger, so the RE and R of the target surface
This is because the ratio of E-TM and TM varies depending on the sputtering time.

しかしながら、3.Omm空孔率径程度であれば、変動
中も、あまり大きくなく使用することは可能である。と
ころが、3.2mm空孔径発泡金属使用ターゲット、4
.Omm空孔径発泡金属使用ターゲットにおいては、あ
まりにも膜磁気特性の変動が大きすぎるために使用には
耐えられないことがわかった。このことより本発明ター
ゲットを製造するには、TM発泡金属は平均空孔径が1
0μm以上3,0mm以下であることが必要となる。
However, 3. If the porosity diameter is approximately 0 mm, it can be used without being too large even during fluctuations. However, the target using foam metal with a pore size of 4.
.. It was found that a target using a foamed metal with a pore diameter of 0 mm was unusable because the film magnetic properties fluctuated too much. From this, in order to manufacture the target of the present invention, the TM foam metal has an average pore diameter of 1.
It is necessary that the thickness is 0 μm or more and 3.0 mm or less.

他の組成系、DyFeCo、TbGdFeCo。Other composition systems, DyFeCo, TbGdFeCo.

TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo、GdDy
TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、GdTb
Fe、TbDyCo等のTb、layのうち少なくとも
1種以上の重希土類金属と、Fe、Coのうち少なくと
も1種以上の遷移金属とを含む全ての組成系についても
、同範囲の空孔径を用いる必要のあることを確認した。
TbFe, GdFeCo, GdDyFeCo, GdDy
TbFeCo, DyTbFeCo, TbCo, GdTb
It is necessary to use pore diameters in the same range for all composition systems containing at least one heavy rare earth metal such as Fe, TbDyCo, etc., and at least one transition metal among Fe and Co. It was confirmed that there is.

ここまで述べてきた様に、本発明法の1つである含浸法
あるいは溶浸法では、粉末あるいは発泡金属の空孔率や
粒径、空孔径が重要であり、特定範囲のものを用いる必
要があることがわかった。
As mentioned above, in the impregnation method or infiltration method, which is one of the methods of the present invention, the porosity, particle size, and pore size of the powder or metal foam are important, and it is necessary to use a material within a specific range. It turns out that there is.

一方、母合金の方の組成も重要であり、含浸させるため
の母合金融点と、母合金の金属組織つまり、希土類単相
と希土類、遷移金属2の合金相の比率とのかねあいで、
母合金組成が決定される。具体的に以下の実施例で説明
する。
On the other hand, the composition of the mother alloy is also important, and the balance between the mother alloy financial point for impregnation and the metal structure of the mother alloy, that is, the ratio of rare earth single phase to rare earth and transition metal 2 alloy phase, is important.
The master alloy composition is determined. This will be specifically explained in the following examples.

〔実施例8−1〕 NdDyFeCoを含浸法で作成する際の本発明法は、
実施例3−1.4−4等に述べている通りであり、母合
金に(Ndo、z D)’o、5)tz、z (Feo
、e COo、z)zy、ea t%組成を用イテイル
。この総酸は状態図において、希土類金属(RE)側の
共晶組成近傍であり融点が低く(830℃程度)、含浸
法による作成に都合がよい。本実施例では、母合金組成
がどの範囲までであれば、含浸法によるターゲットの作
成が可能かを調べた。
[Example 8-1] The method of the present invention when creating NdDyFeCo by an impregnation method is as follows:
This is as described in Example 3-1.4-4, etc., and (Ndo, z D)'o, 5) tz, z (Feo
, e COo, z) zy, eat % composition. This total acid has a eutectic composition near the rare earth metal (RE) side in the phase diagram, has a low melting point (about 830° C.), and is convenient for preparation by the impregnation method. In this example, the range of the master alloy composition was examined to see if it was possible to create a target by the impregnation method.

実施例3−1と同じFe7−Co粉末(空孔率62.4
%)を用い、母合金組成を種々用意し、含浸法によりタ
ーゲットを作成した。次表に、用いた母合金組成と、そ
の組成の融点ならびにその融点で加熱し作成した 含浸ターゲットの出来上り状態を示す。
Same Fe7-Co powder as Example 3-1 (porosity 62.4
%), various master alloy compositions were prepared, and targets were created by the impregnation method. The following table shows the composition of the master alloy used, the melting point of the composition, and the finished state of the impregnated target heated at the melting point.

表11 母合金組成(at%〕   融点r:c)  ターゲッ
ト出来上り状態(NdD)’)4.(FeCo)s+ 
  1220  FeCo粉末の一部力匈解(NdDy
)so(FeCo)so  1200   粉末完全状
態で含浸(NdDy)ss(FeCo)ns  11.
50   粉末完全状態で含浸(NdD)’)6s(F
eCO)+s   980   粉末完全状態で含浸(
NdD)’)7z(FeCo)zs   850   
粉末完全状態で含浸(NdDy)we(FeCo)zz
  1000   粉末完全状態で含浸(NdDy)e
z(FeCo)+a  1100   粉末完全状態で
含浸(NdD3’)to(FeCO)+o  1200
   粉末完全状態で含浸(NdD)’)q+(FeC
O)v   1230  FeCo粉末の一8肋喝容解
上表の結果より融点が1200℃を超える母合金を用い
た場合には、Fe−Co粉末の一部が溶解し始め、含浸
法にならないことがわかる。1200゛C以下の融点の
母合金を用いたターゲットはFeCo粉末も溶解せず、
きれいに含浸法によりターゲットができた。つまり母合
金組成は、融点が1200℃以下のものを用いる必要が
ある。
Table 11 Master alloy composition (at%) Melting point r:c) Target finished state (NdD)') 4. (FeCo)s+
Partial force decomposition of 1220 FeCo powder (NdDy
) so (FeCo) so 1200 completely impregnated with powder (NdDy) ss (FeCo) ns 11.
50 Impregnated in complete powder state (NdD)') 6s (F
eCO)+s 980 Impregnated in complete powder state (
NdD)')7z(FeCo)zs 850
Impregnated in powder complete state (NdDy) we (FeCo)zz
1000 Completely impregnated with powder (NdDy)e
z (FeCo) + a 1100 Impregnated in complete powder state (NdD3') to (FeCO) + o 1200
Impregnated in complete powder state (NdD)')q+(FeC
O) v 1230 18. Compounding of Fe-Co powder According to the results in the above table, if a master alloy with a melting point exceeding 1200°C is used, a part of the Fe-Co powder will begin to melt and the impregnation method will not work. I understand. A target using a master alloy with a melting point below 1200°C will not melt FeCo powder,
The target was successfully created using the impregnation method. In other words, it is necessary to use a master alloy composition having a melting point of 1200° C. or lower.

他の組成系、PrTbFeCo、SmGdFeCo、S
mDyTbFeCo、NdTbFeCo。
Other composition systems, PrTbFeCo, SmGdFeCo, S
mDyTbFeCo, NdTbFeCo.

NdGdFeCo、NdPrDyFeCo、NdPrD
yTbFeCo、PrDyFeCo、NdSmGdTb
FeCo、CeNdDyFeCo。
NdGdFeCo, NdPrDyFeCo, NdPrD
yTbFeCo, PrDyFeCo, NdSmGdTb
FeCo, CeNdDyFeCo.

CeNdPrDyFeCo等のSm、Nd、Pr。Sm, Nd, Pr such as CeNdPrDyFeCo.

Ceのうち少なくとも1種以上の軽希土類金属と、Gd
、Dy、Tbのうちの少なくとも1種以上の重希土類金
属と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金
属とを含む全ての組成系についても、同範囲の融点の母
合金を用いる必要のあることをill認した。
At least one light rare earth metal among Ce and Gd
For all composition systems containing at least one heavy rare earth metal among , Dy, and Tb and at least one transition metal among Fe and Co, it is necessary to use a master alloy with a melting point in the same range. I'm ill-advised that there is.

〔実施例8−2〕 TbFeCoでも母合金組成を種々用意し、含浸法によ
りターゲットを作成した。作成方法は実施例3−5に示
す方法と同様である。Feq。C(11゜at%の空孔
率43%の粉末を用意し、種々の母合金組成を用い含浸
法ターゲットを作成してみた。次表に用いた母合金組成
と、その組成の融点ならびにその融点で加熱し作成した
含浸ターゲットの出来上り状態を示す。
[Example 8-2] Various master alloy compositions of TbFeCo were prepared, and targets were created by an impregnation method. The manufacturing method is the same as the method shown in Example 3-5. Feq. C (11°at% powder with a porosity of 43%) was prepared, and impregnation method targets were created using various mother alloy compositions.The table below shows the mother alloy compositions used, their melting points, and their This figure shows the finished state of an impregnated target created by heating to the melting point.

表12 母合金組成(a、t%)  吊九点(℃) ターゲット
出来上り状態Tb5q(FeCO)i、+    12
10   FeCo粉末の一部力着解Tbao (Fe
Co)、、o   1200    粉末完全状態で含
浸Tb、(FeCo粉末  1100    粉末完全
状態で含浸Tb、t(FeCo)t   1000  
  粉末完全状態で含浸Tb7□(FeCo)ill 
  850    粉末完全状態で含浸Tb7s(Fe
Co)zz    1000    粉末完全状態で含
浸Tb*a (F e Co)+v    1100 
   粉末完全状態で含浸Tbiw(FeCO)u  
  1200    粉末完全状態で含浸Tbqo (
FeCo)+z   1220   FeCo粉末の=
部り’itg解上表の結果よりやはりNdDyFeCo
と同様に、融点が1200℃を超える母合金を用いた場
合には、Fe−Co粉末の一部が溶解し始め、含浸法に
ならないことがわかる。1200℃以下の融点の母合金
を用いたターゲットはFeCo粉末も溶解せず、きれい
に含浸法によりターゲットができた。つまり母合金組成
は、融点が1300 ”C以下のものを用いる必要があ
る。
Table 12 Master alloy composition (a, t%) Nine hanging points (°C) Target finished state Tb5q (FeCO)i, + 12
10 Partial force melting of FeCo powder Tbao (Fe
Co),, o 1200 Impregnated Tb in a complete powder state, (FeCo powder 1100 Impregnated Tb in a complete powder state, t(FeCo)t 1000
Impregnated Tb7□(FeCo)ill in powder state
850 Impregnated Tb7s (Fe
Co)zz 1000 Impregnated in complete powder state Tb*a (F e Co)+v 1100
Impregnated Tbiw(FeCO)u in powder complete state
1200 Impregnated in powder complete state Tbqo (
FeCo) + z 1220 = of FeCo powder
According to the results in the table above, NdDyFeCo
Similarly, it can be seen that when a master alloy with a melting point exceeding 1200° C. is used, a part of the Fe-Co powder begins to dissolve and the impregnation method cannot be used. In a target using a master alloy with a melting point of 1200° C. or lower, even the FeCo powder did not dissolve, and the target was successfully formed by the impregnation method. In other words, it is necessary to use a master alloy composition having a melting point of 1300''C or less.

他の組成系、DyFeCo、TbGdFeCo。Other composition systems, DyFeCo, TbGdFeCo.

TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo、GdDy
TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、CdTb
Fe、TbDyCo等のGd、Tb。
TbFe, GdFeCo, GdDyFeCo, GdDy
TbFeCo, DyTbFeCo, TbCo, CdTb
Gd, Tb such as Fe, TbDyCo.

Dyのうち少な(とも1種以上の重希土類金属と、Fe
、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系についても、同範囲の融点の母合金を用い
る必要のあることを確認した。
Minor amounts of Dy (including one or more heavy rare earth metals and Fe)
It was confirmed that it is necessary to use a master alloy having a melting point in the same range for all composition systems containing at least one transition metal among , Co, and at least one transition metal.

これら実施例8−1.8−2に示したNdDyFeCo
、TbFeCo系等で用いた種々の母合金組成により、
出来上がったターゲットの金属組織は異なってくる。つ
まりRE、−TM2の金属間化合物相の出現量がことな
るのである。REの少ない側、例えばRE、、7M6゜
の母合金組成を用いれば金属間化合物相は多くなり、又
逆にREの多い側、例えばRE、、TM、、の母合金組
成を用いれば金属間化合物相は少なくなる。これらの母
合金組成は、用いられるスパッタリング装置あるいは成
膜方法により、最適な母合金組成を選択することになる
NdDyFeCo shown in these Example 8-1.8-2
, by various mother alloy compositions used in TbFeCo system, etc.
The metal structure of the finished target will be different. In other words, the amounts of the intermetallic compound phases of RE and -TM2 are different. If a master alloy composition with less RE is used, for example RE, 7M6°, the number of intermetallic compounds will increase, and conversely, if a master alloy composition with more RE, for example RE, TM, is used, the number of intermetallic compounds will increase. The compound phase is reduced. The optimum mother alloy composition is selected depending on the sputtering apparatus or film forming method used.

金属間化合物相の量が、母合金組成だけではコントロー
ルできない場合に、次の様な方法をとることもある。つ
まり出来上がったターゲットを、再度融点未満の温度で
熱処理することにより、金属間と化合物相をコントロー
ルするのである。
When the amount of intermetallic compound phase cannot be controlled solely by the mother alloy composition, the following method may be used. In other words, by heat-treating the completed target again at a temperature below its melting point, the intermetallic and compound phases can be controlled.

〔実施例9−1〕 実施例3−1で作成したNdDyFeCo含浸ターゲッ
トを用いて種々の熱処理をおこない(Nd D y)+
 (F e CO)2の金属間化合物相の量がどのよう
になるかをみてみた。熱処理条件と金属間化合物相の量
を次表に示す。熱処理は真空中にて無加圧のままおこな
った。
[Example 9-1] Various heat treatments were performed using the NdDyFeCo-impregnated target prepared in Example 3-1 (NdD y) +
We looked at the amount of the intermetallic compound phase of (F e CO) 2. The heat treatment conditions and the amount of intermetallic compound phase are shown in the table below. The heat treatment was performed in a vacuum with no pressure applied.

表13 熱処理条件   金属間化合物相の量<area%)未
処理        10 400℃2hr      11 400℃10hr      15 400℃20hr      20 600”C2hr      12 600’C10hr      20 600″C20hr      30 700’C2hr      14 700℃10hr      30 700℃20hr      50 700℃25hr      60 上表に示すように温度が高いほど、又時間が長いほど金
属間化合物量が多(なることがわかる。
Table 13 Heat treatment conditions Amount of intermetallic compound phase <area%) Untreated 10 400°C 2hr 11 400°C 10hr 15 400°C 20hr 20 600"C2hr 12 600'C10hr 20 600"C20hr 30 700'C2hr 14 700°C 10hr 30 700 ℃20hr 50 700℃25hr 60 As shown in the table above, it can be seen that the higher the temperature and the longer the time, the greater the amount of intermetallic compounds.

これは固相拡散によりおこる現象であるから、温度と時
間の関係になるのは当然である。
Since this is a phenomenon caused by solid phase diffusion, it is natural that it is related to temperature and time.

これら金属間化合物量の最適値は、スパッタリング装置
およびスパッタリング方法により決まってくる。具体的
に数例を次に述べる。
The optimum amount of these intermetallic compounds is determined by the sputtering device and sputtering method. A few specific examples are described below.

第2図に示す様なスパッタリング装置の場合において、
基板ホルダー22が回転しており、とりつけられる基板
が自転する方法であると(つまり基板が自公転する)、
金属間化合物量はどのような量でもかまわない。ところ
が基板が自転しない方法(つまり公転だけ)であると、
金属間化合物量は10〜30area%程度が良い。こ
の中で、どの量が最適かは、ターゲット基板間の距離、
ターゲット中心と基板ホルダー中心との距離、スパッタ
リング条件(Ar圧、Power)により決定されてく
る。
In the case of a sputtering device as shown in Fig. 2,
If the substrate holder 22 is rotating and the attached substrate rotates on its own axis (that is, the substrate rotates around itself),
Any amount of intermetallic compound may be used. However, if the substrate does not rotate (in other words, only revolves),
The amount of intermetallic compounds is preferably about 10 to 30 area%. Among these, which amount is optimal depends on the distance between the target substrates,
It is determined by the distance between the target center and the substrate holder center and the sputtering conditions (Ar pressure, power).

第33図に示す様なスパッタリング装置の場合には、3
31のターゲットと332の基板は対向しており、基板
も動かず静止している。この場合、金属間化合物量は1
5〜40area%程度が良い。
In the case of a sputtering apparatus as shown in FIG.
The target 31 and the substrate 332 are facing each other, and the substrate is also stationary without moving. In this case, the amount of intermetallic compounds is 1
Approximately 5 to 40 area% is good.

この中でどの量が最適かは、ターゲット基板間の距離、
スパッタリング条件(Ar圧、Power)により決定
されてくる6 ターゲット上を基板が通過していく第34図に示す様な
スパッタリング装置の場合、金属間化合物量は20〜6
0area%程度が良い(341はターゲット、342
は基板)。この中でどの量が最適かは、ターゲット基板
間の距離、スパッタリング条件(A、r圧、Power
)、防着板の有無によって決定されてくる。
Which of these amounts is optimal depends on the distance between the target boards,
It is determined by the sputtering conditions (Ar pressure, power).6 In the case of a sputtering apparatus as shown in Fig. 34, in which the substrate passes over the target, the amount of intermetallic compounds is 20 to 6.
About 0 area% is good (341 is the target, 342
is the board). Which of these amounts is optimal depends on the distance between target substrates, sputtering conditions (A, r pressure, Power
), determined by the presence or absence of an anti-adhesion plate.

他の組成系PrTbFeCo、SmGdFeCo、Sm
DyTbFeCo、NdTbFeCo。
Other composition systems PrTbFeCo, SmGdFeCo, Sm
DyTbFeCo, NdTbFeCo.

NdGdFeCo、NdPrDyFeCo、NdPrD
yTbFeCo、PrDy、FeCo、NdSmGdT
bFeCo、CeNdDyFeCo。
NdGdFeCo, NdPrDyFeCo, NdPrD
yTbFeCo, PrDy, FeCo, NdSmGdT
bFeCo, CeNdDyFeCo.

CeNdPrDyFeCo等のSm、Nd、Pr。Sm, Nd, Pr such as CeNdPrDyFeCo.

Ceのうち少なくとも1種以上の軽希土類金属とGd、
Dy、Tbのうちの少なくとも1種以上の重希土類金属
と、Fe、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属
とを含む全ての組成系についても、本実施例と同様の結
果が得られた。
At least one light rare earth metal among Ce and Gd,
Results similar to those of this example were obtained for all composition systems containing at least one heavy rare earth metal among Dy and Tb and at least one transition metal among Fe and Co. .

〔実施例9−2〕 実施例3−5で作成したTbFeCo含浸ターゲットを
用いて種々の熱処理をおこないT b I(FeCo)
、の金属間化合物相の量がどのようになるかをみてみた
。熱処理条件と金属間化合物相の量を次表に示す。熱処
理は真空中にて無加圧のままおこなった。
[Example 9-2] Various heat treatments were performed using the TbFeCo-impregnated target prepared in Example 3-5 to obtain T b I (FeCo).
We looked at the amount of intermetallic compound phase in . The heat treatment conditions and the amount of intermetallic compound phase are shown in the table below. The heat treatment was performed in a vacuum with no pressure applied.

表13 熱処理条件   金属間化合物相のffi (area
%)未処理         7% 400℃3hr       8% 400℃15hr      12% 400℃30hr      17% 400℃60hr      27% 650℃3hr      10% 650℃15hr      22% 650℃ 30hr      37%750℃2hr
      11% 750℃15hr      37% 750℃30hr      67% 実施例9−1の場合と同様に、熱処理の温度が商いほど
、又時間が長いほど金属間化合物量が多くなる。
Table 13 Heat treatment conditions ffi (area) of intermetallic compound phase
%) Untreated 7% 400℃ 3hr 8% 400℃ 15hr 12% 400℃ 30hr 17% 400℃ 60hr 27% 650℃ 3hr 10% 650℃ 15hr 22% 650℃ 30hr 37% 750℃ 2hr
11% 750° C. 15 hr 37% 750° C. 30 hr 67% As in the case of Example 9-1, the higher the heat treatment temperature and the longer the heat treatment time, the greater the amount of intermetallic compounds.

これら金属間化合物量の最適値は、スパッタリング装置
およびスパッタリング方法により決まる。
The optimum amount of these intermetallic compounds is determined by the sputtering device and sputtering method.

他の組成系、DyFeCo、TbGdFeCo。Other composition systems, DyFeCo, TbGdFeCo.

TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo、GdDy
TbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、GdTb
Fe、TbDyCo等のGd、Tb。
TbFe, GdFeCo, GdDyFeCo, GdDy
TbFeCo, DyTbFeCo, TbCo, GdTb
Gd, Tb such as Fe, TbDyCo.

Dyのうち少なくとも1種以上の重希土類金属と、Fe
、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系についても、本実施例と同様の結果が得ら
れた。
At least one heavy rare earth metal among Dy and Fe
, Co, and at least one type of transition metal, results similar to those of this example were obtained.

今まで述べてきた本発明法の内で、粉末あるいは発泡金
属を用い、その上に母合金鋳塊を置き、含浸法で製造す
る場合には、組成を制御するには粉末あるいは発泡金属
の空孔率を制御する必要がある。次に述べる方法は粉末
を使用するが、空孔率を制御しなくても組成を制’<1
rJできる方法である。
In the method of the present invention described so far, when a powder or foam metal is used and a master alloy ingot is placed on top of it and manufactured by the impregnation method, it is necessary to control the composition of the powder or foam metal. Porosity needs to be controlled. The method described below uses powder, but the composition can be controlled without controlling the porosity.
This is a method that allows rJ.

節単に述べると、遷移金属の粉末と共晶組成近傍の希土
類遷移金属母合金鋳塊を粉砕した粉末とを適当に混合し
、均一になるまで十分混ぜ合わせる。そののち型内に、
この混合粉を入れ、■000゛C程度に加熱(無加圧)
し、冷却したのち、成形体を加工しターゲットを作成す
るのである。
Briefly, a transition metal powder and a powder obtained by pulverizing a rare earth transition metal master alloy ingot having a near eutectic composition are appropriately mixed, and the mixture is sufficiently mixed until the mixture becomes uniform. After that, in the mold,
Add this mixed powder and heat to around 000°C (no pressure)
After cooling, the molded body is processed to create a target.

〔実施例1O−1) NdD)’FeCoについて述べる。まず原料として(
N do、z D )’o、++)tz、z (F e
o、s COo、z)zt、aat%の母合金鋳塊を作
る。この鋳塊をショークラッシャーにて荒粉砕したのち
、ボールミル等で2008m平均粒径になるまで粉砕す
る。そしてF e soCOzoa tzの200um
粒径の粉末を用意し、先の母合金粉末と十分混合する。
[Example 1O-1] NdD)'FeCo will be described. First, as a raw material (
N do,z D )'o,++)tz,z (F e
o, s COo, z) Create a mother alloy ingot with zt, aat%. This ingot is roughly crushed using a show crusher, and then crushed using a ball mill or the like until it has an average particle size of 2008 m. And 200um of Fe so COzoa tz
Prepare a powder with a certain particle size and thoroughly mix it with the mother alloy powder.

このFeCo粉とNdDyFeCo母合金粉末の量は、
全体でN ds、s D )’zz、oF es*、o
c Ox、oa tzとなる様な量比で混合されている
。そしてこの混合粉末を4′φ内径のルツボ中に入れ、
真空に引いた後、無加圧状態のまま1050″Cまで加
熱する。このとき母合金粉末は溶解され、FeCo粉末
は溶解しない。そのため溶解しないFeCo粉末の周囲
を溶解した母合金が囲み、冷却されると、母合金溶湯は
NdDyと(N d D y)+(F e Co)zの
2相に分離し、3相混在のターゲットの出来上がりとな
る。
The amounts of this FeCo powder and NdDyFeCo master alloy powder are:
In total N ds, s D )'zz, oF es*, o
They are mixed in such a quantitative ratio that c Ox and oa tz are obtained. Then, put this mixed powder into a crucible with an inner diameter of 4'φ,
After vacuuming, heat to 1050"C without applying pressure. At this time, the mother alloy powder is melted, but the FeCo powder is not. Therefore, the unmelted FeCo powder is surrounded by the molten mother alloy, and cooled. When this happens, the molten master alloy is separated into two phases, NdDy and (NdDy)+(FeCo)z, resulting in a three-phase mixed target.

出来上りターゲットの組成は、初期混合する母合金粉末
と、FeCo粉末の量比により決定されるため、粉末の
空孔率の制御がいらなくなり、コントロールし易くなる
Since the composition of the finished target is determined by the ratio of the initially mixed master alloy powder to the FeCo powder, there is no need to control the porosity of the powder, making it easier to control.

この様にしてできたターゲットを第2図と同様のスパッ
タリング装置に装着し、成膜し、その磁気特性及び組成
分布を評価した結果、REが28〜28.5at%で、
Hcが9.7〜10.5KOeで均一であった。又、酸
素量も490ppmと少なく、大気中放置24時間後も
スパッタリングは初期から安定しており、膜磁気特性も
同様に初期から安定していた。
The target thus prepared was mounted on a sputtering apparatus similar to that shown in Fig. 2, a film was formed, and its magnetic properties and composition distribution were evaluated. As a result, the RE was 28 to 28.5 at%.
Hc was uniform at 9.7 to 10.5 KOe. Furthermore, the amount of oxygen was as low as 490 ppm, and sputtering was stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours, and the film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

本製造方法は粉末を使用するが、焼結法でなく一方の母
合金粉末が完全溶解するため、充填密度も99.3%と
なり、大気中に放置しても表面酸化が内部にまで進行す
ることはない。
This manufacturing method uses powder, but since it is not a sintering method and one of the mother alloy powders is completely dissolved, the packing density is 99.3%, and surface oxidation will progress to the inside even if left in the air. Never.

他の組成系、PrTbFeCo、SmGdFeCo、S
mDyTbFeCo、NdTbFeCo。
Other composition systems, PrTbFeCo, SmGdFeCo, S
mDyTbFeCo, NdTbFeCo.

NdGdFeCo、NdPrDyFeCo、NdPrD
yTbFeCo、  PrDyFeCo、NdSmGd
TbFeCo、  CeNdDyFeCo。
NdGdFeCo, NdPrDyFeCo, NdPrD
yTbFeCo, PrDyFeCo, NdSmGd
TbFeCo, CeNdDyFeCo.

CeNdPrDyFeCo、等のSm、Nd、Pr、C
eのうちの少なくとも1種以上の重希土類金属と、Fe
、Coのうちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む
全ての組成系について、同様の製造方法が可能であり、
又、同様の効果が存在することも確認した。
CeNdPrDyFeCo, etc. Sm, Nd, Pr, C
at least one heavy rare earth metal of e, and Fe
The same manufacturing method is possible for all composition systems containing at least one transition metal among Co,
It was also confirmed that similar effects existed.

(実施例1O−2) 次にTbFeCoについて述べる。まず原料としてTb
ttFezh、zcO+、Ila tzの母合金鋳塊を
作る。この鋳塊をショークラッシャーにて荒粉砕したの
ち、ボールミル等で200 am平均粒径になるまで粉
砕する。そしてF eq3.bc O6,48t%の2
00μm粒径の粉末を用意し、先の母合金粉末と十分混
合する。このFeCo粉とTbFeCo母合金粉末の量
は、全体でTt)zzFe、5cOsat%となる様な
量比で混合されている。そしてこの混合粉末を4″φ内
径のアルミナの型中に入れ、真空下で1050 ’Cの
雰囲気加熱をした(無加圧)。その後冷却し、できた成
形体を加工しスパッタリングターゲットとした。このク
ーデ6.トは、Tb、Tb+(FeCo)z、FeCo
の3相よりなっている。
(Example 1O-2) Next, TbFeCo will be described. First, Tb as a raw material
Master alloy ingots of ttFezh, zcO+, and Ila tz are made. This ingot is roughly crushed using a show crusher, and then crushed using a ball mill or the like until it has an average particle size of 200 am. And F eq3. bc O6, 2 of 48t%
A powder having a particle size of 00 μm is prepared and thoroughly mixed with the above-mentioned mother alloy powder. The FeCo powder and the TbFeCo master alloy powder are mixed in such a ratio that the total amount of Tt)zzFe is 5 cOsat%. This mixed powder was then put into an alumina mold with an inner diameter of 4'' and heated in an atmosphere of 1050'C under vacuum (no pressure applied). After that, it was cooled, and the resulting molded body was processed and used as a sputtering target. This coupe 6. is Tb, Tb+(FeCo)z, FeCo
It consists of three phases.

そして第2図と同様の成膜装置に装着し、成膜を試み、
基板ホルダー内の組成分布と磁気特性分布を評価した結
果、REが21. 5〜22. 0at%と均一であり
、磁気特性もHcが14.5〜15.2KOeで均一で
あった。又このターゲット酸素量は440ppm、充填
密度は99.5%と良好であった。そして、大気中放置
24時間後もスパッタリングは初期から安定しており、
膜磁気特性も同様に初期から安定していた。
Then, it was installed in a film forming apparatus similar to that shown in Fig. 2, and film formation was attempted.
As a result of evaluating the composition distribution and magnetic property distribution inside the substrate holder, the RE was 21. 5-22. The magnetic properties were uniform at 0 at%, and the magnetic properties were also uniform at Hc of 14.5 to 15.2 KOe. Further, the target oxygen amount was 440 ppm, and the packing density was 99.5%, which was good. Sputtering remained stable from the beginning even after being left in the atmosphere for 24 hours.
The film magnetic properties were similarly stable from the beginning.

他の組成系、DyFeCo、TbGclFeC。Other composition systems, DyFeCo, TbGclFeC.

、TbFe、GdFeCo、GdDyFeCo。, TbFe, GdFeCo, GdDyFeCo.

GdDyTbFeCo、DyTbFeCo、TbCo、
GdTbFe、TbDyCo等のGd、Tb、Dyのう
ち少な(とも1種以上の重希土類金属とFe、Coのう
ちの少なくとも1種以上の遷移金属とを含む全ての組成
系についても、同様の製造方法が可能であり、又同様の
効果が存在することも確認された。
GdDyTbFeCo, DyTbFeCo, TbCo,
The same manufacturing method can be used for all composition systems containing a small amount of Gd, Tb, and Dy, such as GdTbFe and TbDyCo (all containing one or more heavy rare earth metals and at least one or more transition metals among Fe and Co). It was also confirmed that similar effects exist.

本発明法(実施例10−1 、 、10−2 )による
場合も全組成が1200℃以下の融点をもつ組成でなけ
ればならないのは、実施例8−1.8−2と同様に、言
うまでもないことである。
It goes without saying that in the case of the method of the present invention (Examples 10-1, 10-2), the entire composition must have a melting point of 1200°C or less, as in Example 8-1.8-2. That's a good thing.

以上今まで述べてきた本発明(実施例1−1)〜(実施
例1O−2)に用いた遷移金属粉末あるは発泡遷移金属
は、FeCo合金ベースであるが、これをFeベースに
し、母合金をRE−FeC。
The transition metal powder or foamed transition metal used in the present invention (Example 1-1) to (Example 1O-2) described above is based on an FeCo alloy. The alloy is RE-FeC.

あいは、RE−Coにし作成することも可能であり、同
様の本発明ターゲットを作成できることを確認した。又
、同様の効果を有することも確認できている。さらにF
eCo合金ベース、又はC。
It was also confirmed that it is possible to create a target using RE-Co, and a similar target of the present invention can be created. It has also been confirmed that similar effects can be achieved. Further F
eCo alloy base, or C.

ベースの粉末あるいは発泡金属を用い、母合金にRE−
Fe合金を用いる場合も同様に本発明ターゲットは作成
でき、同様の効果も確認できた。そして当然のことなが
ら、Fe粉末とGo粉末を混合した粉末を使用しても本
発明ターゲットの作成が可能であった。
Using base powder or foam metal, RE-
Even when Fe alloy was used, the target of the present invention could be created in the same way, and similar effects could be confirmed. As a matter of course, it was also possible to create the target of the present invention using a mixture of Fe powder and Go powder.

又、本実施例等に示した希土類遷移金属組成以外に、T
i、Cr、Al、Zr、Pt、Au、Ag、Cu等の添
加物、あるいはSt、Ca、C等の不可避の不純物等が
混入しても本発明法による製造は可能であり、又同様の
効果も存在することを確認している。
In addition to the rare earth transition metal compositions shown in the present examples, T
Even if additives such as i, Cr, Al, Zr, Pt, Au, Ag, Cu, etc. or unavoidable impurities such as St, Ca, C, etc. are mixed, production by the method of the present invention is possible, and similar It has also been confirmed that there are effects.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この様に本発明法による希土類遷移金属スパッタリング
用ターゲットは、各種スパッタリング装置に合わせて、
成膜面内で組成分布が均一なスパッタリングが可能とな
り、酸素量も低く、充填密度も高く、スパッタリングも
初期より安定する。
In this way, the rare earth transition metal sputtering target made by the method of the present invention can be used in various sputtering devices.
Sputtering with a uniform composition distribution within the film formation surface is possible, the amount of oxygen is low, the packing density is high, and sputtering is stable from the initial stage.

又、大気中に放置されても、初期よりスパッタリングは
安定し、又、膜磁気特性も安定するものである。
Furthermore, even if the film is left in the atmosphere, sputtering is stable from the beginning, and the magnetic properties of the film are also stable.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明法によるスパッタリングターゲットの
表面組織の模式図。 第2図は、スパッタリング装置の模式図。 第3図は、本発明NdDyFeCoターゲットを用いた
基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第4図は、従来の鋳造合金NdDyFeCoターゲット
の表面組織の模式図。 第5図は、従来の鋳造合金NdDyFeCoターゲット
を用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第6図は、半溶融法NdDyFeCoターゲットを用い
た基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第7図は、24時間大気放置後の、本発明NdDyFe
Coターゲットと半溶融法NdDyFeCoターゲット
のスパッタリング時間と膜磁気特性の関係図。 第8図は、半熔融法NdDyFeCoターゲントの大気
放置時間に対する、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図
。 第9図は、本発明TbFeCoターゲットを用いた、基
板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第10図は、従来の鋳造合金TbFeCoターゲットを
用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第11図は、半溶融法TbFeCoターゲットを用いた
基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第12図は、24時間大気放置後の、本発明TbFeC
oターゲットと半溶融法TbFeCoターゲットのスパ
ッタリング時間と膜磁気特性の関係図。 第13図は、半溶融法TbFeCoターゲットの大気放
置時間に対する、膜磁気特性のスパッタ時間依存性図。 第14図は、含浸法による本発明製造方法の模式図。 第15図は、含浸法による本発明ターゲットの表面組織
の模式図。 第16図は、含浸法による本発明ターゲットを用いた基
板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第17図は、発泡金属シートを用いた本発明ターゲット
の金属組織の模式図。 第18図は、発泡金属シートによる本発明ターゲットを
用いた基板ホルダー内組成分布及び磁気特性分布図。 第19図(a)は、空孔率30%程度の粉末を用いた母
合金鋳塊が溶解する前の模式図。 第19図(b)は、空孔率30%程度の粉末を用いた母
合金が溶解し含浸した所の模式図。 第20図(a)は、空孔率80%程度の粉末を用いた母
合金鋳塊が溶解する前の模式図。 第20図(b)は、空孔率80%程度の粉末を用いた母
合金が溶解し含浸した所の模式図。 第21図は、各種空孔率粉末を用いたNdDyFeCo
ターゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第22図は、各種空孔率発泡シートを用いたNdDyF
eCoターゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第23図は、各種空孔率粉末を用いたTbFeCoター
ゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第24図は、各種空孔率発泡シートを用いたTbFeC
oターゲットの基板ホルダー内組成分布図。 第25図は、10μm〜570μm粒径粉を用いたNd
DyFeCoターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時間
の関係図。 第26図は、730μm〜4.0mm粒径粉を用いたN
dDyFeCoターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時
間の関係図。 第27図は、10μm〜570μm1粒径粉を用いたT
bFeCoターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時間の
関係図。 第28図は、730μm〜4.0mm粒径粉を用いたT
bFeCoターゲットの膜磁気特性とスパッタ時間の関
係図。 第29図は、10μm〜570μm空孔径発泡金属を用
いたNdDyFeCoターゲットの、膜磁気特性とスパ
ッタ時間の関係図。 第30図は、730μm〜4.Qmm空孔径発泡金属を
用いたNdDyFeCoターゲットの、膜磁気特性とス
パッタ時間の関係図。 第31図は10μm〜570μm空孔径発泡金屈を用い
たTbFeCoターゲットの、膜磁気特性とスパッタ時
間の関係図。 第32図は、730μm〜4.Omm空孔径発泡金属を
用いたTbFeCoターゲットの、膜磁気特性とスパッ
タ時間の関係図。 第33図は、基板がターゲットと対向し、静止している
スパッタ装置の概略図。 第34図は、基板がターゲット上を通過していくスパッ
タ装置の概略図。 第35図は、光磁気記録媒体の構造図。 1 ・” (N d D y)+3(F e C0)6
7 a t%組成相2・・・FeCo組成相 3・・・FeDy組成相 21・・・スパッタリングターゲット 22・・・基板ホルダー 41 ・” (N do、+zD )’0.1111)
25(F eo、ec 00.2)75at%組成相 42−  (N do、+  D Yo、t)+x、:
+ (F eo、ac Oo、t)bh、7at%組成
相 71・・・本発明ターゲット 72・・・半溶融法ターゲット 81・・・大気放置10分 82・・・大気放置30分 83・・・大気放置1時間 84・・・大気放置5時間 85・・・大気放置10時間 121・・・本発明ターゲット 122・・・半溶融法ターゲット 131・・・大気放置10分 132・・・大気放置30分 133・・・大気放置1時間 134・・・大気放置3時間 141・・・ルツボ 142・・・高周波誘導加熱コイル 143・・・R+R+Tz母合金 144−F esoCozoa t%粉末151− F
 e −Co粒子 1、52・・・Nd−Dyの希土類金属単独相153−
 (NdDyL (FeCo)zの希土類遷移金属合金
相 171−F eqz、bc 06.4 a t%の単独
相172・・・希土類金Ji(Tb)の単独相173・
・・遷移金属と希土類金属の合金相(TbFeCo) 211・・・空孔率30%粉のターゲット212・・・
空孔率40%粉のターゲット213・・・空孔率50%
粉のターゲット214・・・空孔率62%粉のターゲッ
ト215・・・空孔率70%粉のターゲット216・・
・空孔率80%粉のターゲット221・・・空孔率30
%発泡シートのターゲット222・・・空孔率40%発
泡シートのターゲット223・・・空孔率50%発泡シ
ートのターゲット224・・・空孔率62%発泡シート
のターゲット225・・・空孔率70%発泡シートのタ
ーゲット226・・・空孔率80%発泡シートのターゲ
ット231・・・空孔率30%粉のターゲット232・
・・空孔率43%粉のターゲット233・・・空孔率5
0%粉のターゲット234・・・空孔率60%粉のター
ゲット235・・・空孔率70%粉のターゲット236
・・・空孔率80%粉のターゲット241・・・空孔率
30%発泡シートのターゲット242・・・空孔率43
%発泡シートのターゲット243・・・空孔率50%発
泡シートのターゲット244・・・空孔率60%発泡シ
ートのターゲット245・・・空孔率70%発泡シート
のターゲット246・・・空孔率80%発泡シートのタ
ーゲット251・・・10μm粒径粉を用いたターゲッ
ト252・・・24μm粒径粉を用いたターゲット25
3・・・38μm粒径粉を用いたターゲット254・・
・53μm粒径粉を用いたターゲット255・・・12
0μm20μm粒径粉ターゲット256・・・230μ
m30μm粒径粉ターゲット257・・・57(11I
m粒径粉を用いたターゲット261・・・730μm3
0μm粒径粉ターゲット262・・・1.0mmmm粒
径用いたターゲット263・・・1.5mmmm粒径用
いたターゲット264・・・2.5mmmm粒径用いた
ターゲット265・・・3.0mmmm粒径用いたター
ゲット266・・・3.2mmmm粒径用いたターゲッ
ト267・・・4.0mmmm粒径用いたターゲット2
71・・・10μm粒径粉を用いたターゲット272・
・・24μm粒径粉を用いたターゲット273・・・3
8μm粒径粉を用いたターゲット274・・・53μm
粒径粉を用いたターゲット275・・・120μm20
μm粒径粉ターゲット276・・・230μm30μm
粒径粉ターゲット277・・・570μm粒径粉を用い
たターゲット281・・・730gm30μm粒径粉タ
ーゲット282・・・1.0mmmm粒径用いたターゲ
ット283・・・1.5mmmm粒径用いたターゲット
284・・・2.5mmmm粒径用いたターゲット28
5・・・3.0mmmm粒径用いたターゲット286・
・・3.2mmmm粒径用いたターゲット287・・・
4.0mmmm粒径用いたターゲット291・・・10
μm空孔径発泡金属を用いたターゲット 292・・・248m空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト 293・・・388m空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト 294・・・538m空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト 295・・・1208m空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 296・・・230μm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 297・・・570μm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 3(11・・・7308m空孔径発泡金属を用いたター
ゲット 3(12・・・1.0mm空孔径発泡金属を用いたター
ゲット 3(13・・・1.5mm空孔径発泡金属を用いたター
ゲット 304・・・2.5mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 305・・・3.0mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ラI・ 306・・・3.2mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 307・・・4.0mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 311・・・10μm空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト 312・・・248m空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト 313・・・38μm空孔径発泡金凰を用いたターゲッ
ト 314・・・538m空孔径発泡金属を用いたターゲッ
ト 315・・・120tIm空孔径発泡金屈を用いたター
ゲット 316・・・230μm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 317・・・570μm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 321・・・730 gm空孔径発泡金属を用いたター
ゲット 322・・・1.0mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 323・・・1.5mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 324・・・2.5mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 325・・・3.0mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 326・・・3.2mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 327・・・4.0mm空孔径発泡金属を用いたターゲ
ット 331・・・ターゲット 332・・・基板 341・・・ターゲット 342・・・基板 351・・・ポリカーボネート基板 352・・・A/!SiN誘電体膜 353・=NdDyFeCo光磁気記録膜354・・・
Aj2SiN誘電体膜 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人弁理士 上柳 雅誉 他1名 第2図 667女− cr・Kc、’。 大3−’P8i乙1吋r81i’kty>λt ’f 
・・t 9 II+fa’J(?=0)       
         (?−15″e−)1ダ3 7第1テ図 C卜・’)              (?’・15
)0”′°″)   第18図  (”′ト9箋1(1
図(α) 築19図(b) 2/乙 (Yン15Q−) 23み Cと−lダひ−ノ 第27図
FIG. 1 is a schematic diagram of the surface structure of a sputtering target produced by the method of the present invention. FIG. 2 is a schematic diagram of a sputtering device. FIG. 3 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the NdDyFeCo target of the present invention. FIG. 4 is a schematic diagram of the surface structure of a conventional casting alloy NdDyFeCo target. FIG. 5 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a conventional casting alloy NdDyFeCo target. FIG. 6 is a diagram of the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a semi-molten NdDyFeCo target. Figure 7 shows the NdDyFe of the present invention after being left in the atmosphere for 24 hours.
FIG. 3 is a diagram showing the relationship between sputtering time and film magnetic properties for a Co target and a semi-molten NdDyFeCo target. FIG. 8 is a sputtering time dependence diagram of the film magnetic properties of the semi-molten NdDyFeCo target with respect to the exposure time in the atmosphere. FIG. 9 is a diagram of the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the TbFeCo target of the present invention. FIG. 10 is a diagram showing the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a conventional cast alloy TbFeCo target. FIG. 11 is a diagram of the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using a semi-molten TbFeCo target. Figure 12 shows the TbFeC of the present invention after being left in the atmosphere for 24 hours.
Figure 2 is a diagram showing the relationship between the sputtering time and film magnetic properties of the o target and the semi-molten TbFeCo target. FIG. 13 is a sputtering time dependence diagram of the film magnetic properties of the semi-molten TbFeCo target with respect to the exposure time in the atmosphere. FIG. 14 is a schematic diagram of the manufacturing method of the present invention using an impregnation method. FIG. 15 is a schematic diagram of the surface structure of the target of the present invention obtained by the impregnation method. FIG. 16 is a diagram of the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the target of the present invention by the impregnation method. FIG. 17 is a schematic diagram of the metal structure of the target of the present invention using a foamed metal sheet. FIG. 18 is a diagram of the composition distribution and magnetic property distribution in the substrate holder using the target of the present invention made of a foamed metal sheet. FIG. 19(a) is a schematic diagram of a master alloy ingot using powder with a porosity of about 30% before melting. FIG. 19(b) is a schematic diagram of a place where a master alloy using powder with a porosity of about 30% is melted and impregnated. FIG. 20(a) is a schematic diagram of a master alloy ingot using powder with a porosity of about 80% before melting. FIG. 20(b) is a schematic diagram of a place where a master alloy using powder with a porosity of about 80% is melted and impregnated. Figure 21 shows NdDyFeCo using various porosity powders.
Composition distribution diagram inside the target substrate holder. Figure 22 shows NdDyF using various porosity foam sheets.
A composition distribution diagram of the eCo target in the substrate holder. FIG. 23 is a composition distribution diagram in the substrate holder of a TbFeCo target using various porosity powders. Figure 24 shows TbFeC using various porosity foam sheets.
o A composition distribution diagram of the target in the substrate holder. Figure 25 shows Nd using powder with a particle size of 10 μm to 570 μm.
A diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of a DyFeCo target. Figure 26 shows the N
dA diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of a DyFeCo target. Figure 27 shows T
b A diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of a FeCo target. Figure 28 shows T
b A diagram showing the relationship between film magnetic properties of a FeCo target and sputtering time. FIG. 29 is a diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of an NdDyFeCo target using a foamed metal with a pore size of 10 μm to 570 μm. Figure 30 shows 730 μm to 4. A diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of a NdDyFeCo target using Qmm pore diameter foam metal. FIG. 31 is a diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of a TbFeCo target using foamed metal with a pore diameter of 10 μm to 570 μm. FIG. 32 shows 730 μm to 4. A diagram showing the relationship between film magnetic properties and sputtering time of a TbFeCo target using a foamed metal with a pore size of 0 mm. FIG. 33 is a schematic diagram of a sputtering apparatus in which a substrate faces a target and is stationary. FIG. 34 is a schematic diagram of a sputtering apparatus in which a substrate passes over a target. FIG. 35 is a structural diagram of a magneto-optical recording medium. 1 ・” (N d D y) + 3 (F e C0) 6
7 a t% composition phase 2...FeCo composition phase 3...FeDy composition phase 21...sputtering target 22...substrate holder 41 ・" (Ndo, +zD)'0.1111)
25 (F eo, ec 00.2) 75 at% composition phase 42- (N do, + D Yo, t) + x,:
+ (F eo, ac Oo, t) bh, 7 at% composition phase 71...Target of the present invention 72...Semi-molten method target 81...Leave in the atmosphere for 10 minutes 82...Leave in the atmosphere for 30 minutes 83...・Leave in the atmosphere for 1 hour 84...Leave in the atmosphere for 5 hours 85...Leave in the atmosphere for 10 hours 121...Target of the present invention 122...Semi-melting method target 131...Leave in the atmosphere for 10 minutes 132...Leave in the atmosphere 30 minutes 133...Leave in the atmosphere for 1 hour 134...Leave in the atmosphere for 3 hours 141...Crucible 142...High frequency induction heating coil 143...R+R+Tz master alloy 144-F esoCozoa t% powder 151-F
e -Co particles 1, 52...Nd-Dy rare earth metal single phase 153-
(Rare earth transition metal alloy phase 171-F eqz of NdDyL (FeCo)z, single phase 172 of bc 06.4 at%...Single phase 173 of rare earth gold Ji (Tb)
...Alloy phase of transition metal and rare earth metal (TbFeCo) 211...30% porosity powder target 212...
Powder target 213 with 40% porosity...50% porosity
Powder target 214...62% porosity powder target 215...70% porosity powder target 216...
・Powder target 221 with porosity of 80%...porosity of 30
% foam sheet target 222...porosity 40% foam sheet target 223...porosity 50% foam sheet target 224...porosity 62% foam sheet target 225...pores Target 226 of foam sheet with 70% porosity...Target 231 of foam sheet with 80% porosity...Target 232 of powder with 30% porosity...
...Powder target 233 with porosity 43%...Porosity 5
0% powder target 234...60% porosity powder target 235...70% porosity powder target 236
...Powder target 241 with porosity 80%...Target 242 of foam sheet with porosity 30%...Porosity 43
% foam sheet target 243...porosity 50% foam sheet target 244...porosity 60% foam sheet target 245...porosity 70% foam sheet target 246...pores 80% foam sheet target 251...Target 252 using 10 μm particle size powder...Target 25 using 24 μm particle size powder
3...Target 254 using 38 μm particle size powder...
・Target 255...12 using 53 μm particle size powder
0μm20μm particle size powder target 256...230μ
m30μm particle size powder target 257...57 (11I
Target 261...730μm3 using m particle size powder
0μm particle size powder target 262...Target 263 using 1.0 mmmm particle size Target 264 using 1.5 mmmm particle size Target 265 using 2.5 mmmm particle size Target 266 used: 3.2 mmmm particle size Target 267: 4.0 mmmm particle size used Target 2
71...Target 272 using 10 μm particle size powder
...Target 273...3 using 24 μm particle size powder
Target 274...53μm using 8μm particle size powder
Target using particle size powder 275...120μm20
μm particle size powder target 276...230μm30μm
Particle size powder target 277...Target using 570 μm particle size powder 281...730 gm30 μm particle size powder target 282...Target using 1.0 mmmm particle size 283...Target 284 using 1.5 mmmm particle size ...Target 28 using 2.5mmmm particle size
5...Target 286 using 3.0mmmm particle size
...Target 287 using 3.2mmmm particle size...
Target 291...10 using 4.0mmmm particle size
μm Target using foamed metal with pore size 292...248m Target using foamed metal with pore size 293...388m Target using foamed metal with pore size 294...538m Target using foamed metal with pore size 295. ...Target 296 using foamed metal with a pore size of 1208m...Target 297 using foamed metal with a pore size of 230μm...Target 3 using foamed metal with a pore size of 570μm (11...using foamed metal with a pore size of 7308m Target 3 (12...using foamed metal with a pore size of 1.0 mm) Target 3 (13...using a foamed metal with a pore size of 1.5 mm) Target 3 (using a foamed metal with a pore size of 2.5 mm) Target 305: Target 305 using foam metal with a pore size of 3.0 mm Target 307 using foam metal with a pore size of 3.2 mm Target 311 using foam metal with a pore size of 4.0 mm ...Target 312 using foamed metal with a pore size of 10μm...Target 313 using foamed metal with a pore size of 248m...Target 314 using foamed metal with a pore size of 38μm...Target using foamed metal with a pore size of 538m Target 315...120 tIm pore size using foamed metal 316...230 μm pore size target using foam metal 317...570 μm pore size target using foam metal 321...730 gm pore size foaming Target using metal 322...Target using foam metal with 1.0 mm pore diameter323...Target using foam metal with 1.5 mm pore diameter324...Target using foam metal with 2.5 mm pore diameter 325...Target using foamed metal with 3.0mm pore diameter 326...Target using foamed metal with 3.2mm pore diameter 327...Target using foamed metal with 4.0mm pore diameter 331...Target 332...Substrate 341...Target 342...Substrate 351...Polycarbonate substrate 352...A/!SiN dielectric film 353=NdDyFeCo magneto-optical recording film 354...
Aj2SiN dielectric film and above Applicant: Seiko Epson Co., Ltd. Representative Patent Attorney Masayoshi Kamiyanagi and one other person Figure 2 667 Female - CR・Kc,'. Large 3-'P8i Otsu1inch r81i'kty>λt 'f
・・t 9 II+fa'J(?=0)
(?-15″e-)1 da 3 7 1st te figure C 卜・') (?'・15
)0"'°") Figure 18 ("'g9 note 1 (1
Figure (α) 19th figure (b) 2/Otsu (Yn 15Q-) 23rd C and -l Dahino Figure 27

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)希土類遷移金属合金からなる光磁気記録層をスパ
ッタリングにて製造するための鋳造合金ターゲットにお
いて、前記鋳造合金ターゲット中の金属組織が希土類金
属単体相と遷移金属単体相と希土類遷移金属合金相から
なることを特徴とするスパッタリング用ターゲット。 (2)前記スパッタリング用ターゲットの主たる組成が
、Sm、Nd、Pr、Ceのうち少なくとも1種以上の
軽希土類金属(LR)と、Gd、Tb、Dyのうちの少
なくとも1種類以上の重希土類金属(HR)とを含み、
さらにFe、Coのうち少なくとも1種以上の遷移金属
(TM)を含むことを特徴とする第1項記載のスパッタ
リング用ターゲット。(3)前記スパッタリング用ター
ゲットの主たる組成が、Gd、Tb、Dyのうちの少な
くとも1種以上の重希土類金属(HR)と、Fe、Co
のうち少なくとも1種以上の遷移金属(TM)を含むこ
とを特徴とする第1項記載のスパッタリング用ターゲッ
ト。 (4)前記スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移
金属の粉末と希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ、前記遷
移金属の融点と前記鋳塊の融点との間の温度で前記型内
を加熱し、その後冷却してできた成形体を加工し作製さ
れることを特徴とする第1項又は第2項又は第3項記載
のスパッタリング用ターゲットの製造方法。 (5)前記スパッタリング用ターゲットが、型内に発泡
状遷移金属のシートと希土類遷移金属合金の鋳塊を入れ
、前記遷移金属シートの融点と前記鋳塊の融点との間の
温度で前記型内を加熱し、その後冷却してできた成形体
を加工し作製されることを特徴とする第1項又は第2項
又は第3項記載のスパッタリング用ターゲットの製造方
法。 (6)前記スパッタリング用ターゲットが、型内に遷移
金属粉末と希土類遷移金属合金粉末とが混合された混合
粉として入れられ、前記遷移金属と前記希土類遷移金属
合金との間の融点で前記型内を加熱し、その後冷却して
できた成形体を加工し作製されることを特徴とする第1
項又は第2項又は第3項のスパッタリング用ターゲット
の製造方法。 (7)前記スパッタリング用ターゲットが、空孔率30
%以上80%以下の遷移金属粉末を用いて作製されるこ
とを特徴とする第4項記載のスパッタリング用ターゲッ
トの製造方法。 (8)前記スパッタリング用ターゲットが、空孔率30
%以上80%以下の発泡状遷移金属のシートを用いて作
製されることを特徴とする第5項記載のスパッタリング
用ターゲットの製造方法。 (9)前記スパッタリング用ターゲットの製造方法にお
いて、前記遷移金属粉末の平均粒径が10μm以上3.
0mm以下であることを特徴とする第4項記載のスパッ
タリング用ターゲットの製造方法。 (10)前記スパッタリング用ターゲットの製造方法に
おいて、前記発泡状遷移金属のシートの平均空孔径が1
0μm以上3.0mm以下であることを特徴とする第5
項記載のスパッタリング用ターゲットの製造方法。 (11)前記スパッタリング用ターゲットの製造方法に
おいて、前記希土類遷移金属の鋳塊の組成が、融点が1
200℃以下の組成からなる前記鋳塊を用いることを特
徴とする第4項又は第5項又は第6項記載のスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法。 (12)前記スパッタリング用ターゲットの製造方法に
おいて、前記成形体を熱処理することを特徴とする第4
項又は第5項記載のスパッタリング用ターゲットの製造
方法。 (13)透明基板上に、少なくとも1層の誘電体膜と少
なくとも1層の光磁気記録膜が存在する光磁気記録媒体
において、第1項、第2項又は第3項記載のスパッタリ
ング用ターゲットを用いて製造したことを特徴とする磁
気記録媒体。
[Scope of Claims] (1) A cast alloy target for manufacturing a magneto-optical recording layer made of a rare earth transition metal alloy by sputtering, wherein the metal structure in the cast alloy target is a rare earth metal elemental phase and a transition metal elemental phase. A sputtering target characterized by comprising a rare earth transition metal alloy phase. (2) The main composition of the sputtering target is at least one light rare earth metal (LR) selected from Sm, Nd, Pr, and Ce, and at least one heavy rare earth metal selected from Gd, Tb, and Dy. (HR),
2. The sputtering target according to item 1, further comprising at least one transition metal (TM) selected from Fe and Co. (3) The main composition of the sputtering target is at least one heavy rare earth metal (HR) selected from Gd, Tb, and Dy, and Fe and Co.
2. The sputtering target according to claim 1, comprising at least one transition metal (TM) among the following. (4) In the sputtering target, a transition metal powder and a rare earth transition metal alloy ingot are placed in a mold, and the inside of the mold is heated at a temperature between the melting point of the transition metal and the melting point of the ingot. The method for producing a sputtering target according to item 1, item 2, or item 3, characterized in that the sputtering target is produced by processing a molded product obtained by cooling. (5) The sputtering target includes a foamed transition metal sheet and a rare earth transition metal alloy ingot placed in the mold at a temperature between the melting point of the transition metal sheet and the melting point of the ingot. The method for producing a sputtering target according to item 1, item 2, or item 3, characterized in that the sputtering target is produced by processing a molded product obtained by heating and then cooling. (6) The sputtering target is placed in a mold as a mixed powder of transition metal powder and rare earth transition metal alloy powder, and the sputtering target is placed in the mold at a melting point between the transition metal and the rare earth transition metal alloy. The first method is characterized in that it is produced by processing a molded product obtained by heating and then cooling.
The method for manufacturing a sputtering target according to item 1 or 2 or 3. (7) The sputtering target has a porosity of 30
5. The method for producing a sputtering target according to item 4, wherein the sputtering target is produced using transition metal powder of % or more and 80% or less. (8) The sputtering target has a porosity of 30
6. The method for producing a sputtering target according to item 5, wherein the sputtering target is produced using a foamed transition metal sheet of % or more and 80% or less. (9) In the method for manufacturing a sputtering target, the average particle size of the transition metal powder is 10 μm or more; 3.
5. The method for manufacturing a sputtering target according to item 4, wherein the sputtering target has a diameter of 0 mm or less. (10) In the method for producing a sputtering target, the average pore diameter of the foamed transition metal sheet is 1.
Fifth, characterized in that it is 0 μm or more and 3.0 mm or less
A method for manufacturing a sputtering target as described in . (11) In the method for producing a sputtering target, the composition of the rare earth transition metal ingot has a melting point of 1.
7. The method for producing a sputtering target according to item 4, item 5, or item 6, characterized in that the ingot having a composition of 200° C. or less is used. (12) In the method for producing a sputtering target, the fourth method is characterized in that the molded body is heat-treated.
6. The method for manufacturing a sputtering target according to item 5. (13) In a magneto-optical recording medium in which at least one dielectric film and at least one magneto-optical recording film are present on a transparent substrate, the sputtering target according to item 1, 2 or 3 is used. A magnetic recording medium characterized in that it is manufactured using the magnetic recording medium.
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