JPH0129765Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0129765Y2 JPH0129765Y2 JP15403382U JP15403382U JPH0129765Y2 JP H0129765 Y2 JPH0129765 Y2 JP H0129765Y2 JP 15403382 U JP15403382 U JP 15403382U JP 15403382 U JP15403382 U JP 15403382U JP H0129765 Y2 JPH0129765 Y2 JP H0129765Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- arrester
- shape memory
- insulating layer
- memory alloy
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 229910001285 shape-memory alloy Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、ZnO素子等の半導体アレスター素子
を用いたギヤツプレス・アレスターに関するもの
である。
を用いたギヤツプレス・アレスターに関するもの
である。
第１図は従来のこの種のギヤツプレス・アレス
ターの構造を示したものである。即ち、従来のギ
ヤツプレス・アレスターは、ZnO素子等の半導体
アレスター素子１の両端面に端子２の電極部２Ａ
を接続し、且つこれら半導体アレスター素子１及
び両電極部２Ａを包囲してモールド或はテーピン
グ等により絶縁層３を設けた構造であつた。
ターの構造を示したものである。即ち、従来のギ
ヤツプレス・アレスターは、ZnO素子等の半導体
アレスター素子１の両端面に端子２の電極部２Ａ
を接続し、且つこれら半導体アレスター素子１及
び両電極部２Ａを包囲してモールド或はテーピン
グ等により絶縁層３を設けた構造であつた。
このようなギヤツプレス・アレスターは、小形
で軽量となる特長をもつている。また、第２図に
示すように制限電圧−電流特性も優れている。
で軽量となる特長をもつている。また、第２図に
示すように制限電圧−電流特性も優れている。
しかしながらこのような構造のギヤツプレス・
アレスターでは、ケーブルシース保護用等の用途
に使用した場合には、ケーブルが短絡、地絡事故
を起こした際に、短絡、地絡電流が長い時間流れ
るので、半導体アレスター素子１がジユール熱で
発熱して熱破壊されてしまうことがある。
アレスターでは、ケーブルシース保護用等の用途
に使用した場合には、ケーブルが短絡、地絡事故
を起こした際に、短絡、地絡電流が長い時間流れ
るので、半導体アレスター素子１がジユール熱で
発熱して熱破壊されてしまうことがある。
この場合、半導体アレスター素子１は、地下等
の使用場所による水滴等から保護するため等の理
由で絶縁層で覆われているので、熱破壊されたか
否か等の判断が目視によつてはできない欠点があ
つた。
の使用場所による水滴等から保護するため等の理
由で絶縁層で覆われているので、熱破壊されたか
否か等の判断が目視によつてはできない欠点があ
つた。
本考案の目的は、半導体アレスター素子が熱破
損を受けているか否かの判断を目視により容易に
行うことができるギヤツプレス・アレスターを提
供するにある。
損を受けているか否かの判断を目視により容易に
行うことができるギヤツプレス・アレスターを提
供するにある。
本考案は、半導体アレスター素子の両端面に１
対の端子の電極部がそれぞれ接続され、前記半導
体アレスター素子及び前記両電極部が絶縁層内に
収容されているギヤツプレス・アレスターにおい
て、前記端子の表面には所定の温度になると前記
端子の表面から離れる方向に形状記憶がなされた
形状記憶合金が配設され、絶縁層で被覆されてい
ることを特徴とするものである。
対の端子の電極部がそれぞれ接続され、前記半導
体アレスター素子及び前記両電極部が絶縁層内に
収容されているギヤツプレス・アレスターにおい
て、前記端子の表面には所定の温度になると前記
端子の表面から離れる方向に形状記憶がなされた
形状記憶合金が配設され、絶縁層で被覆されてい
ることを特徴とするものである。
以下本考案の実施例を第３図を参照して詳細に
説明する。なお、第１図と対応する部分には同一
符号を付して示している。本実施例のギヤツプレ
ス・アレスターにおいては、一方の端子２の外周
には所定の温度になると端子の表面から離れる方
向に形状記憶がなされた形状記憶合金４が配設さ
れている。本実施例の形状記憶合金４は、周方向
の一部にギヤツプを備えたリング状をしていて所
定の温度になると外径が大きくなるように形状記
憶がなされている。形状記憶合金４としては、例
えばNiTi系で記憶戻し設定温度が100℃のものを
用いる。このような形状記憶合金４は絶縁層３で
薄く被覆されている。
説明する。なお、第１図と対応する部分には同一
符号を付して示している。本実施例のギヤツプレ
ス・アレスターにおいては、一方の端子２の外周
には所定の温度になると端子の表面から離れる方
向に形状記憶がなされた形状記憶合金４が配設さ
れている。本実施例の形状記憶合金４は、周方向
の一部にギヤツプを備えたリング状をしていて所
定の温度になると外径が大きくなるように形状記
憶がなされている。形状記憶合金４としては、例
えばNiTi系で記憶戻し設定温度が100℃のものを
用いる。このような形状記憶合金４は絶縁層３で
薄く被覆されている。
このようなギヤツプレス・アレスターにおいて
は、短絡電流等が流れてジユール熱で半導体アレ
スター素子１が熱破壊されるような事態に達した
ときには、形状記憶合金４も端子２の発熱で加熱
されて、記憶形状が呼び戻されて外径が大きくな
り、その表面の絶縁層３を突き破るか押し上げて
該絶縁層３を変形させる。この絶縁層３の変形を
目視することにより、半導体アレスター素子１が
熱破壊を受けたか否かの判断を容易にすることが
できる。
は、短絡電流等が流れてジユール熱で半導体アレ
スター素子１が熱破壊されるような事態に達した
ときには、形状記憶合金４も端子２の発熱で加熱
されて、記憶形状が呼び戻されて外径が大きくな
り、その表面の絶縁層３を突き破るか押し上げて
該絶縁層３を変形させる。この絶縁層３の変形を
目視することにより、半導体アレスター素子１が
熱破壊を受けたか否かの判断を容易にすることが
できる。
なお、形状記憶合金の絶縁層は半導体アレスタ
ー素子の絶縁層とは独立させて設けてもよい。
ー素子の絶縁層とは独立させて設けてもよい。
また、形状記憶合金は完全をみて両方の端子に
対してそれぞれ設けてもよい。
対してそれぞれ設けてもよい。
更に、形状記憶合金はリング状のみに限定され
るものではなく、例えば渦巻状にして加熱を受け
ると内端側が端子から離れて突出するようにして
もよい。
るものではなく、例えば渦巻状にして加熱を受け
ると内端側が端子から離れて突出するようにして
もよい。
以上説明したように本考案に係るギヤツプレ
ス・アレスターにおいては、端子の表面に所定の
温度になるとこの端子の表面から離れる方向に形
状記憶がなされた形状記憶合金を配設し、その表
面を絶縁層で覆つたので、半導体アレスター素子
がジユール熱で熱破壊を受けたか否かの判断を絶
縁層の変形を目視することにより容易に行うこと
ができる。また、形状記憶合金は表面を絶縁層で
覆つているので、地下等の水滴が付着するところ
で使用されても水で冷却されて動作が狂うといつ
た事態の発生を防止でき、信頼性を向上させるこ
とができる。
ス・アレスターにおいては、端子の表面に所定の
温度になるとこの端子の表面から離れる方向に形
状記憶がなされた形状記憶合金を配設し、その表
面を絶縁層で覆つたので、半導体アレスター素子
がジユール熱で熱破壊を受けたか否かの判断を絶
縁層の変形を目視することにより容易に行うこと
ができる。また、形状記憶合金は表面を絶縁層で
覆つているので、地下等の水滴が付着するところ
で使用されても水で冷却されて動作が狂うといつ
た事態の発生を防止でき、信頼性を向上させるこ
とができる。
第１図は従来のギヤツプレス・アレスターの縦
断面図、第２図は半導体アレスター素子の制限電
圧−電流特性図、第３図は本考案に係るギヤツプ
レス・アレスターの一実施例の縦断面図である。 １……半導体アレスター素子、２……端子、２
Ａ……電極部、３……絶縁層、４……形状記憶合
金。
断面図、第２図は半導体アレスター素子の制限電
圧−電流特性図、第３図は本考案に係るギヤツプ
レス・アレスターの一実施例の縦断面図である。 １……半導体アレスター素子、２……端子、２
Ａ……電極部、３……絶縁層、４……形状記憶合
金。
Claims (1)
- 半導体アレスター素子の両端面に１対の端子の
電極部がそれぞれ接続され、前記半導体アレスタ
ー素子及び前記両電極部が絶縁層内に収容されて
いるギヤツプレスアレスターにおいて、前記端子
の表面には所定の温度になると前記端子の表面か
ら離れる方向に形状記憶がなされた形状記憶合金
が配設され、絶縁層で被覆されていることを特徴
とするギヤツプレス・アレスター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15403382U JPS5959492U (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ギヤツプレス・アレスタ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15403382U JPS5959492U (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ギヤツプレス・アレスタ− |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5959492U JPS5959492U (ja) | 1984-04-18 |
| JPH0129765Y2 true JPH0129765Y2 (ja) | 1989-09-11 |
Family
ID=30340610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15403382U Granted JPS5959492U (ja) | 1982-10-13 | 1982-10-13 | ギヤツプレス・アレスタ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5959492U (ja) |
-
1982
- 1982-10-13 JP JP15403382U patent/JPS5959492U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5959492U (ja) | 1984-04-18 |
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