JPH01296620A - Pattern formation - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
電子線リソグラフィ技術による微細パターンの形成方法
に関し、
耐ドライエツチング性に優れた電子線露光用ネガ型レジ
スト膜パターンを十分な膜厚の厚さに精度良く形成する
ことを目的とし、
被エツチング基板上に選択的なポジ型レジスト膜パター
ンを形成し、その上の全面に該ポジ型レジスト膜パター
ンの膜厚より厚いネガ型レジスト膜を塗布する工程、
次いで、該ネガ型レジスト膜を選択的に電子線露光し、
現像して前記ポジ型レジスト膜パターンとは逆パターン
のネガ型レジスト膜パターンを形成し、次いで、前記ポ
ジ型レジスト膜パターンを有機溶剤によって溶解除去す
る工程が含まれることを特徴とする。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding a method for forming fine patterns using electron beam lithography technology, a negative resist film pattern for electron beam exposure with excellent dry etching resistance is formed with high precision to a sufficient film thickness. A step of forming a selective positive resist film pattern on the substrate to be etched, and applying a negative resist film thicker than the positive resist film pattern over the entire surface; selectively exposing the negative resist film to electron beam;
The method is characterized in that it includes a step of developing to form a negative resist film pattern that is an opposite pattern to the positive resist film pattern, and then dissolving and removing the positive resist film pattern with an organic solvent.
被エツチング基板上に選択的なポジ型レジスト膜パター
ンを形成し、その上の全面に該ポジ型レジスト膜パター
ンの膜厚より厚い第１のネガ型レジスト膜を塗布して、
全面露光する工程、次いで、第２のネガ型レジスト膜を
塗布して選択的に電子線露光し、現像して前記ポジ型レ
ジスト膜パターンとは逆パターンのネガ型レジスト膜パ
ターンを形成する工程、
次いで、前記第１および第２のネガ型レジスト膜を酸素
イオンによるリアクティブイオンエツチングして、前記
ポジ型レジスト膜パターンを露出させ、次いで、前記ポ
ジ型レジスト膜パターンを有機溶剤によって溶解除去す
る工程が含まれてなることを特徴とする。forming a selective positive resist film pattern on a substrate to be etched; coating the entire surface thereof with a first negative resist film thicker than the positive resist film pattern;
a step of exposing the entire surface to light; then a step of applying a second negative resist film, selectively exposing it to electron beams, and developing it to form a negative resist film pattern having an opposite pattern to the positive resist film pattern; Next, the first and second negative resist films are subjected to reactive ion etching using oxygen ions to expose the positive resist film pattern, and then the positive resist film pattern is dissolved and removed using an organic solvent. It is characterized by containing.
「産業上の利用分野］
本発明はパターン形成方法のうち、電子線リソグラフィ
技術による微細パターンの形成方法に関する。"Field of Industrial Application" The present invention relates to a method of forming a fine pattern using electron beam lithography among pattern forming methods.
ＩＣなどの半導体装置の製造方法において、最も重要な
プロセスの一つにパターンを写真食刻法で形成する、所
謂リソグラフィー技術があり、現在、ＩＣが微細化され
、高集積化されてきた背景にはリソグラフィー技術の進
歩が大きく寄与している。One of the most important processes in the manufacturing method of semiconductor devices such as ICs is the so-called lithography technology, in which patterns are formed using photolithography. Advances in lithography technology have greatly contributed to this.
更に、そのリソグラフィー技術も従前のフォトから電子
線に移行しており、現在、電子線リソグラフィ（ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）技術
による微細レジスト膜パターンの形成とそのレジスト膜
パターンをマスクにした高精度パターンの形成が重要な
課題になっている。Furthermore, the lithography technology has also shifted from the conventional photo to electron beam, and currently electron beam lithography (ele
Formation of fine resist film patterns using ctron beam lithography technology and formation of high-precision patterns using the resist film patterns as masks have become important issues.
［従来の技術〕
周知のように、フォトレジスト膜は光を受けて架橋した
り、分解したりしてパターン形成（パターンニング）す
るが、電子線レジスト膜は電子線（ＥＢ）を受けて架橋
したり、分解してパターンを形成しているが、レジスト
内部や基板からの二次電子を含む電子の散乱のために微
細パターンの制御が困難であると云う問題があり、その
ため、電子線露光では近接効果補正などの処理を加えて
パターンの高精度化を図っている。[Prior Art] As is well known, a photoresist film crosslinks or decomposes when exposed to light to form a pattern (patterning), but an electron beam resist film crosslinks when exposed to an electron beam (EB). However, there is a problem in that it is difficult to control fine patterns due to the scattering of electrons, including secondary electrons, from inside the resist and from the substrate, so electron beam exposure In order to improve the accuracy of the pattern, we have added processing such as proximity effect correction.
しかし、電子線露光によるパターン形成方法において、
ＥＢ用ポジ型レジスト膜は解像性が良くて高精度にパタ
ーンニングできる利点があるが、耐ドライエツチング性
に劣る欠点がある。一方、ＥＢ用ネガ型レジストは耐ド
ライエツチング性に優れているが、解像性が良くない欠
点がある。However, in the pattern formation method using electron beam exposure,
Positive resist films for EB have the advantage of good resolution and can be patterned with high precision, but have the disadvantage of poor dry etching resistance. On the other hand, negative resists for EB have excellent dry etching resistance, but have the disadvantage of poor resolution.
第３図（ａ）、 （ｂ）はそのＥＢ用レジスト膜の問題
点を示す図で、同図（ａ）はネガ型レジスト膜のパター
ン断面図、同図（ｂ）はポジ型レジスト膜のパターン断
面図である。図中の１は被エツチング基板、２はネガ型
レジスト膜パターン、３はポジ型レジスト膜パターンで
あるが、例えば、レジスト膜の膜厚を１μｍ程度にし、
間隔を１μｍにすると、同図（ａ）に示すように、ネガ
型レジスト膜は解像度の悪さ、現像時の膨潤などのため
に完全にパターンニングできない場合が起こる。一方、
ポジ型レジスト膜は、同図（ｂｌに示すように、高精度
にパターンニングできる。Figures 3(a) and 3(b) are diagrams showing problems with the EB resist film. Figure 3(a) is a cross-sectional view of the pattern of the negative resist film, and Figure 3(b) is a cross-sectional view of the pattern of the positive resist film. It is a pattern sectional view. In the figure, 1 is a substrate to be etched, 2 is a negative resist film pattern, and 3 is a positive resist film pattern. For example, the thickness of the resist film is set to about 1 μm,
When the spacing is 1 μm, as shown in FIG. 2(a), complete patterning of the negative resist film may not be possible due to poor resolution and swelling during development. on the other hand,
The positive resist film can be patterned with high precision, as shown in the same figure (bl).
このように、ポジ型レジスト膜の方が解像性が良いが、
反面、図示していないが、耐ドライエツチング性は、例
えば、アルミニウムをバクーンニングする場合、塩素イ
オンをエツチング剤とすればアルミニウムとネガ型レジ
ストとのエツチング比は３倍程度あるいはそれ以上の差
があるのに対して、アルミニウムとポジ型レジストとの
エツチング比は１／４程度で、ポジ型レジストはアルミ
ニウムの保護マスクにならない問題がある。In this way, the positive resist film has better resolution, but
On the other hand, although not shown in the figure, for example, when vacuuming aluminum, if chlorine ions are used as the etching agent, the etching ratio between aluminum and negative resist will be about 3 times or more. On the other hand, the etching ratio between aluminum and positive resist is about 1/4, and there is a problem that positive resist cannot serve as a protective mask for aluminum.
そこで、そのようなＥＢ用のポジ型レジストとネガ型レ
ジストとのお互いの弱点を補って、高精度で、且つ、耐
ドライエツチング性に優れたレジスト膜パターンを形成
するためのパターン形成方法が提案されでいる。Therefore, a pattern forming method has been proposed to compensate for the weaknesses of positive resist and negative resist for EB and form a resist film pattern with high precision and excellent dry etching resistance. It's been done.
第４図（ａ）〜（ｄ）はその従来の形成方決の工程順断
面図を示しており、その概要を説明すると、第４図（ａ
）参照；まず、被エツチング基板ｌ上にポジ型レジスト
膜を塗布し、電子線露光、現像してポジ型レジスト膜パ
ターン３を形成する。なお、電子線露光法はビームを走
査してパターンを描画する方法であるが、本図では非露
光部を遮蔽用のマスク５で示している。また、周知のよ
うに、ポジ型レジスト膜は露光部が現像で除去される性
質のレジストであり、ネガ型レジスト膜は露光部が現像
で残存する性質のレジストである。FIGS. 4(a) to 4(d) show cross-sectional views of the conventional forming method in the order of steps.
): First, a positive resist film is applied onto the substrate 1 to be etched, exposed to electron beam and developed to form a positive resist film pattern 3. Note that the electron beam exposure method is a method of drawing a pattern by scanning a beam, and in this figure, non-exposed areas are shown by a mask 5 for shielding. Furthermore, as is well known, a positive resist film is a resist whose exposed portion is removed by development, and a negative resist film is a resist whose exposed portion remains after development.
第４図（ｂ）参照；次いで、その上にネガ型レジスト膜
４を塗布し、全面を電子線露光（遠紫外線露光でもよい
）して現像する。その際、ネガ型レジスト膜４の膜厚は
ポジ型レジスト膜パターン３の膜厚より厚く被着する。Refer to FIG. 4(b); next, a negative resist film 4 is applied thereon, and the entire surface is exposed to electron beam (deep ultraviolet exposure may also be used) and developed. At this time, the thickness of the negative resist film 4 is thicker than that of the positive resist film pattern 3.
第４図（Ｃ１参照；次いで、そのネガ型レジスト膜４の
上から酸素イオンを用いたりアクティブイオンエツチン
グ（ＲＩ Ｅ）によって垂直にエツチングし、全面を平
均に除去してポジ型レジスト膜パターン３を露出させる
。そうすれば、ネガ型レジスト膜パターン２が形成され
る。FIG. 4 (See C1; Next, the negative resist film 4 is vertically etched using oxygen ions or active ion etching (RIE) to remove the entire surface evenly to form a positive resist film pattern 3. Then, a negative resist film pattern 2 is formed.
第４図（ｄ）参照；次いで、露出したポジ型レジスト膜
パターン３を有機溶剤で溶解除去して、ネガ型レジスト
膜パターン２のみを残存させる。例えば、Ｍ ｉ Ｂ
Ｋなどの有機溶剤を用いれば、ネガ型レジスト膜を残存
させて、ポジ型レジスト膜を除去することができる。Refer to FIG. 4(d); Next, the exposed positive resist film pattern 3 is dissolved and removed using an organic solvent, leaving only the negative resist film pattern 2. For example, M i B
If an organic solvent such as K is used, the positive resist film can be removed while leaving the negative resist film.
上記の第４図に説明したような形成方法によれば、パタ
ーン精度がポジ型レジスト膜パターンで規制されて高精
度になり、且つ、耐ドライエソ４チング性に優れたネガ
型レジスト膜パターンが形成される。According to the forming method as explained in FIG. 4 above, the pattern accuracy is regulated by the positive resist film pattern, resulting in high precision, and a negative resist film pattern with excellent dry etching resistance is formed. be done.
ところが、ネガ型レジストを塗布すると、ネガ型レジス
ト表面が平坦にならずに凹凸ができて、ネガ型レジスト
の膜厚が一定にならないと云う問題がある。例えば、大
きなパターン、即ち、ポジ型レジスト膜パターンの存在
しない広い面積の被エツチング基板の露出した部分のネ
ガ型レジスト膜厚が薄くなって、狭い面積の被エツチン
グ基板の露出部分やポジ型レジスト膜パターンの存在す
る部分は膜厚が厚くなり易い。そのため、その膜厚の変
動がエツチング保護マスクのネガ型レジスト膜パターン
に持ち越される。However, when a negative resist is applied, there is a problem in that the surface of the negative resist is not flat, but uneven, and the film thickness of the negative resist is not constant. For example, the negative resist film thickness on exposed parts of a substrate to be etched with a large pattern, that is, a wide area where no positive resist film pattern does not exist, becomes thinner, and the thickness of the negative resist film becomes thinner on exposed parts of a substrate to be etched with a narrow area or with a positive resist film. The film thickness tends to be thick in the area where the pattern is present. Therefore, the variation in film thickness is carried over to the negative resist film pattern of the etching protection mask.
そうすると、そのような膜厚の変化したネガ型レジスト
膜パターンはエツチング時に十分に保護の役目を果たさ
ない欠点がある。In this case, the negative resist film pattern with such a change in film thickness has the disadvantage that it does not sufficiently protect the film during etching.
本発明はそのようなレジストに起因する問題点を低減さ
せて、高精度で、且つ、耐ドライエツチング性に優れた
ネガ型レジスト膜パターンを十分な膜厚の厚さに形成す
ることを目的としたパターン形成方法を提案するもので
ある。The purpose of the present invention is to reduce the problems caused by such resists and form a negative resist film pattern with high precision and excellent dry etching resistance to a sufficient thickness. This paper proposes a method for forming patterns.
［問題点を解決するための課題］
その目的は、被エツチング基板上に選択的なポジ型レジ
スト膜パターンを形成し、その上の全面に該ポジ型レジ
スト膜パターンの膜厚より厚いネガ型レジスト膜を塗布
する工程、
次いで、該ネガ型レジスト膜を選択的に電子線露光し、
現像して前記ポジ型レジスト膜パターンとは逆パターン
のネガ型レジスト膜パターンを形成し、次いで、前記ポ
ジ型レジスト膜パターンを有機溶剤によって溶解除去す
る工程が含まれるパターン形成方法、
または、被エツチング基板上に選択的なポジ型レジスト
膜パターンを形成し、その上の全面に該ポジ型レジスト
膜パターンの膜厚より厚い第１のネガ型レジスト膜を塗
布して、全面露光する工程、次いで、第２のネガ型レジ
スト膜を塗布して選択的に電子線露光し、現像して前記
ポジ型レジスト膜パターンとは逆パターンのネガ型レジ
スト膜パターンを形成する工程、
次いで、前記第１および第２のネガ型レジスト膜を酸素
イオンによるリアクティブイオンエツチングして、前記
ポジ型レジスト膜パターンを露出させ、次いで、前記ポ
ジ型レジスト膜パターンを有機溶剤によって溶解除去す
る工程が含まれるパターン形成方法によって達成される
。[Issues to be solved] The purpose is to form a selective positive resist film pattern on the substrate to be etched, and then apply a negative resist film that is thicker than the positive resist film pattern over the entire surface. a step of applying a film, then selectively exposing the negative resist film to an electron beam,
A pattern forming method comprising a step of developing to form a negative resist film pattern that is an opposite pattern to the positive resist film pattern, and then dissolving and removing the positive resist film pattern with an organic solvent; forming a selective positive resist film pattern on the substrate, applying a first negative resist film thicker than the positive resist film pattern over the entire surface, and exposing the entire surface to light; a step of applying a second negative resist film, selectively exposing it to electron beams, and developing it to form a negative resist film pattern having an opposite pattern to the positive resist film pattern; A pattern forming method comprising the steps of subjecting the negative resist film of No. 2 to reactive ion etching with oxygen ions to expose the positive resist film pattern, and then dissolving and removing the positive resist film pattern with an organic solvent. achieved.
［作用〕
即ち、本発明は、ネガ型レジスト膜パターンをポジ型レ
ジスト膜パターンとは逆のパターンによって選択露光、
現像する工程を用いて、被エツチング基板のエツチング
に十分に耐える膜厚の厚さのネガ型レジスト膜パターン
を形成するものである。[Operation] That is, the present invention selectively exposes a negative resist film pattern to a pattern opposite to a positive resist film pattern.
A developing process is used to form a negative resist film pattern having a thickness sufficient to withstand etching of the substrate to be etched.
［実施例コ 以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。[Example code] Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the drawings.
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明にかかる実施例（Ｉ）の
形成工程順断面図を示している。FIGS. 1(a) to 1(d) show cross-sectional views in the order of the formation steps of Example (I) according to the present invention.
第１図（ａ）参照；まず、被エツチング基板ｌｌ上にポ
ジ型レジスト膜を塗布し、マスク１５の部分は露光走査
せずに、他部分を電子線露光、現像してポジ型レジスト
膜パターン１３（膜厚１μｍ程度）を形成する。このポ
ジ型レジストとしては例えば、ＰＭＭＡを用いる。Refer to FIG. 1(a); First, a positive resist film is applied onto the substrate 11 to be etched, and the mask 15 is not exposed and scanned, but other parts are exposed to electron beam and developed to form a positive resist film pattern. 13 (film thickness of about 1 μm) is formed. For example, PMMA is used as this positive resist.
第１図（ｂ）参照；次いで、その上にネガ型レジスト膜
１４を塗布し、そのネガ型レジスト膜１４の膜厚をポジ
型レジスト膜パターン１３の膜厚１μｍより厚くして、
例えば、１．５μｍ程度の厚さに塗布する。Refer to FIG. 1(b); Next, a negative resist film 14 is applied thereon, and the film thickness of the negative resist film 14 is made thicker than the film thickness of the positive resist film pattern 13 by 1 μm.
For example, it is applied to a thickness of about 1.5 μm.
ネガ型レジスト膜は、例えば、ＣＭＳを用いる。For example, CMS is used as the negative resist film.
第１図（Ｃ１参照；次いで、そのネガ型レジスト膜１４
を上記と同様に、マスク１５以外の部分を電子線露光、
現像してネガ型レジスト膜パターン１２を形成する。FIG. 1 (see C1; next, the negative resist film 14
In the same manner as above, the parts other than the mask 15 are exposed to electron beam,
A negative resist film pattern 12 is formed by development.
第１図（ｄ）参照；次いで、露出したポジ型レジスト膜
パターン１３を有機溶剤で溶解除去して、ネガ型レジス
ト膜パターン１２のみを残存させる。See FIG. 1(d); then, the exposed positive resist film pattern 13 is dissolved and removed using an organic solvent, leaving only the negative resist film pattern 12.
ごのような形成方法によれば、ネガ型レジスト膜パター
ンを厚い膜厚に形成することができて、微細に、且つ、
精度良く形成することが可能になる。According to the formation method described above, it is possible to form a negative resist film pattern with a thick film thickness, finely and
It becomes possible to form with high precision.
次に、第２図（ａｌ〜ｔｅｌは本発明にかかる実施例（
■〉の形成工程順断面図を示している。Next, FIG. 2 (al to tel are examples of the present invention)
②> is a sectional view in the order of the formation process.
第２図（ａ）参照；同様に、被エツチング基板２１上に
ポジ型レジスト膜を塗布し、マスク２５の部分は露光走
査せずに、他部分を電子線露光、現像してポジ型レジス
ト膜パターン２３を形成する。Refer to FIG. 2(a); Similarly, a positive resist film is applied onto the substrate 21 to be etched, and the mask 25 is not exposed and scanned, but other parts are exposed to electron beam and developed to form a positive resist film. A pattern 23 is formed.
第２図（ｂｌ参照；次いで、その上に第１のネガ型レジ
スト膜２４を塗布し、その第１のネガ型レジスト膜２４
の膜厚をポジ型レジスト膜パターン２３の膜厚より厚く
形成し、この第１のネガ型レジスト膜２４を全面露光す
る。尚、全面露光は遠紫外線露光を用いても良い。FIG. 2 (see BL; Next, a first negative resist film 24 is applied thereon, and the first negative resist film 24
The first negative resist film 24 is formed to be thicker than the positive resist film pattern 23, and the entire surface of the first negative resist film 24 is exposed to light. Note that deep ultraviolet light exposure may be used for the entire surface exposure.
第２図（Ｃ）参照；次いで、その第１のネガ型レジスト
膜２４の上に膜厚０．５μｍ程度の第２のネガ型レジス
ト膜２４′を塗布する。Refer to FIG. 2(C); Next, a second negative resist film 24' having a thickness of about 0.5 μm is coated on the first negative resist film 24.
第２図（ｄ）参照；次いで、その第２のネガ型レジスト
膜２４“を選択的に電子線露光、現像して第２のネガ型
レジスト膜パターン２２′を形成する。その際、マスク
２５の部分は露光せず、その他の部分を電子線露光する
。Refer to FIG. 2(d); Next, the second negative resist film 24'' is selectively exposed to electron beam and developed to form a second negative resist film pattern 22'. The area marked with is not exposed to light, and the other areas are exposed to electron beam.
第２図（ｅ）参照；次いで、その第２のネガ型レジスト
２４および第２のネガ型レジスト膜パターン２２’の上
から酸素イオンを用いたＲＩＥによって垂直にエツチン
グして、ポジ型レジスト膜パターン２３を露出させる。Refer to FIG. 2(e); Next, the second negative resist 24 and the second negative resist film pattern 22' are vertically etched by RIE using oxygen ions to form a positive resist film pattern. 23 is exposed.
そうして、ネガ型レジスト膜パターン２２が形成される
が、その時は第２のネガ型レジスト膜パターン２２°の
部分は消滅している。In this way, the negative resist film pattern 22 is formed, but at that time, the portion of the second negative resist film pattern 22° has disappeared.
第２図（ｆ）参照；次いで、露出したポジ型レジスト膜
パターン２３を有機溶剤で溶解除去して、ネガ型レジス
ト膜パターン２２のみを残存させる。それには、ＭｉＢ
Ｋなどの有機溶剤を用い、ネガ型レジスト膜を残存させ
て、ポジ型レジスト膜を除去する。Refer to FIG. 2(f); then, the exposed positive resist film pattern 23 is dissolved and removed using an organic solvent, leaving only the negative resist film pattern 22. For that, MiB
Using an organic solvent such as K, the positive resist film is removed while leaving the negative resist film.
この第２図で説明した実施例（ＩＩ）は第１図で説明し
た実施例（Ｉ）よりも処理工程が長（かかるが、より精
度良いネガ型レジスト膜パターン２２が形成できる利点
がある。Although the embodiment (II) described in FIG. 2 requires longer processing steps than the embodiment (I) described in FIG. 1, it has the advantage that a more accurate negative resist film pattern 22 can be formed.
従って、上記した本発明にかかる形成方法によって形成
したネガ型レジスト膜パターンを用いれば、被エツチン
グ基板にサブミクロンパターンを精度良く形成すること
ができる。Therefore, by using the negative resist film pattern formed by the above-described forming method according to the present invention, a submicron pattern can be formed on the substrate to be etched with high precision.
「発明の効果」
以上の説明から明らかなように、本発明によれば高精度
で、耐エツチング性の良いネガ型レジスト膜パターンを
形成することができ、そのネガ型レジスト膜パターンに
よって高精度な微細パターンが精度良く形成できる。従
って、本発明はＩＣの微細化に大きく貢献するものであ
る。"Effects of the Invention" As is clear from the above explanation, according to the present invention, it is possible to form a negative resist film pattern with high precision and good etching resistance. Fine patterns can be formed with high precision. Therefore, the present invention greatly contributes to the miniaturization of ICs.
第１図（ａｌ〜（ｄ）は本発明にかかる実施例（１）の
形成工程順断面図、
第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明にかかる実施例（ＩＩ）
の形成工程順断面図、
第３図はＥＢ用レジスト膜の問題点を示す図、第４図（
ａ）〜ｆｄｌは従来の形成方法の工程順断面図である。
図において、
１、１１．２１は被エツチング基板、
２．１２はネガ型レジスト膜パターン、３、１３．２３
はポジ型レジスト膜パターン、４．１４はネガ型レジス
ト膜、
５、１５．２５はマスク、
２２は第１のネガ型レジスト膜パターン、２２’は第２
のネガ型レジスト膜パターン、２４は第１のネガ型レジ
スト膜、
２４１は第２のネガ型レジスト膜、
を示している。
ｔ〜 へＯＤ
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図 はの２）
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従５）ミー−７→１で３Ａ″５う一法−フコ（）１１貞
断廿６ヒフ０第４ 図Figures 1 (al to d) are cross-sectional views in the order of forming steps of Example (1) according to the present invention, and Figures 2 (a) to (f) are Example (II) according to the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view of the formation process of EB resist film.
a) to fdl are step-by-step sectional views of a conventional forming method. In the figure, 1, 11.21 is the substrate to be etched, 2.12 is the negative resist film pattern, 3, 13.23
is a positive resist film pattern, 4.14 is a negative resist film, 5, 15.25 is a mask, 22 is a first negative resist film pattern, and 22' is a second resist film pattern.
The negative resist film pattern 24 is a first negative resist film, and 241 is a second negative resist film. t～ OD 7-mm transmission τ) Back layer example U) Q-shaped square 4-sided section 2nd
Figure 2) Shows the [blasphemous] odor of the sheet for EB ``5 Another method - fuko () 11 chadan 廿 6 hifu 0 Figure 4
Claims (2)
なつてポジ型レジスト膜パターンを形成する工程、 該ポジ型レジスト膜パターンを含む被エッチング基板全
面に、該ポジ型レジスト膜パターンの膜厚より厚いネガ
型レジスト膜を塗布する工程、次いで、該ネガ型レジス
ト膜を選択的に電子線露光し、現像して前記ポジ型レジ
スト膜パターンとは逆パターンのネガ型レジスト膜パタ
ーンを形成する工程、 次いで、前記ポジ型レジスト膜パターンを有機溶剤によ
つて溶解除去する工程が含まれてなることを特徴とする
パターン形成方法。(1) A step of forming a positive resist film pattern by performing selective electron beam exposure on the substrate to be etched, and applying a film of the positive resist film pattern to the entire surface of the substrate to be etched including the positive resist film pattern. A step of applying a negative resist film thicker than the thickness, and then selectively exposing the negative resist film to an electron beam and developing it to form a negative resist film pattern opposite to the positive resist film pattern. 1. A pattern forming method, comprising: a step of dissolving and removing the positive resist film pattern with an organic solvent.
なつてポジ型レジスト膜パターンを形成する工程、 該ポジ型レジスト膜パターンを含む被エッチング基板全
面に該ポジ型レジスト膜パターンの膜厚より厚い第１の
ネガ型レジスト膜を塗布して、全面露光する工程、 次いで、第２のネガ型レジスト膜を塗布して選択的に電
子線露光し、現像して前記ポジ型レジスト膜パターンと
は逆パターンのネガ型レジスト膜パターンを形成する工
程、 次いで、前記第１および第２のネガ型レジスト膜を酸素
イオンによるリアクティブイオンエッチングして、前記
ポジ型レジスト膜パターンを露出させる工程、 次いで、前記ポジ型レジスト膜パターンを有機溶剤によ
つて溶解除去する工程が含まれてなることを特徴とする
パターン形成方法。(2) A step of forming a positive resist film pattern by performing selective electron beam exposure on the substrate to be etched, and determining the film thickness of the positive resist film pattern over the entire surface of the substrate to be etched including the positive resist film pattern. A step of applying a thicker first negative resist film and exposing the entire surface to light. Next, a second negative resist film is applied, selectively exposed to electron beams, and developed to form the positive resist film pattern. forming a negative resist film pattern with a reverse pattern; then, reactive ion etching the first and second negative resist films using oxygen ions to expose the positive resist film pattern; . A pattern forming method comprising the step of dissolving and removing the positive resist film pattern with an organic solvent.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127871A JPH01296620A (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Pattern formation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63127871A JPH01296620A (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Pattern formation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01296620A true JPH01296620A (en) | 1989-11-30 |
Family
ID=14970709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63127871A Pending JPH01296620A (en) | 1988-05-24 | 1988-05-24 | Pattern formation |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01296620A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396193B1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-08-27 | 샤프 가부시키가이샤 | Formation Method Of Pattern |
| JP2014235391A (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 三菱製紙株式会社 | Pattern forming method |
-
1988
- 1988-05-24 JP JP63127871A patent/JPH01296620A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100396193B1 (en) * | 2000-03-21 | 2003-08-27 | 샤프 가부시키가이샤 | Formation Method Of Pattern |
| JP2014235391A (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 三菱製紙株式会社 | Pattern forming method |
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