JPH01296544A - 高輝度ｘ線銃 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、高輝度なＸ線を発生せしめるＸ線銃の構造に
関する。

［従来の技術］ 従来、Ｘ線銃は、円錐状銅ターゲット材に回転を与えな
がら、電子線を照射するか、あるいは、水冷の固定銅タ
ーゲットの平面表面に電子線を照射するのが通例であっ
た。

〔発明が解決しようとする課題］ し、かじ、上記従来技術によると、照射する電子線の輝
度を上げても、銅ターゲット平面表面の融解を招き、Ｘ
線の輝度を上げるのが困難であると云う課題があった。

本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、高輝度なＸ
線の発生を可能とする新しいＸ線銃の構造を提供する事
を目的とする。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明（Ｊ、高輝度Ｘ線銃
に関し、 （１）電子銃からの電子線が昭躬されるり−ゲッ凹部に
凹部を形成する手段を取る事、及び（２）前記凹部を円
錐状となす手段を取る事、及び （３）電子銃からの電子線を偏向磁界又は偏向電界にて
偏向した後、ターゲット凹部に照射する手段を取る事、
及び （４）少くとも電子線が！ｌＧ射されるターゲット凹部
には銅ターゲット材表面にタングステン膜あるいはモリ
ブデン膜を形成する手段を取る事、等の手段を取る。

［実　施　例］ 以下、実施例により本発明を詳述する。

第１図は本発明の一実施例を示す高輝度Ｘ線銃の構成図
である。すなわち、円筒状の銅り−ゲ・ソト１の底部に
は、例へば電子線の直径を１′″ｍφとすると、１１１
φ程度の直径を持ち、１０ｍｍ１さ程度の円錐状の凹部
２を設け、該凹部２を含む表面が電子銃からの電子線の
輝度が高い場合に、融解するのを防ぐ目的でタングステ
ン膜３あるいはモリブデン膜が形成され、前記銅ターゲ
ットｌも水入口４からの水が水出口５から排出される構
造により高速水冷も併せて行なえる構造となっている。

前記凹部２には、タングステンのフィラメント６からの
熱電子が加速されて引出され、電子銃レンズ７により収
束され、偏向板８の電界あるいは、偏向コイルや偏向磁
石による磁界等により偏向されて高輝度の電子線９が照
射される事によりＸ線１０が高輝度て発生ずる事となる
。尚、タングステン膜３は必ずしも必要でなく、又、銅
クーゲット１は、円錐状の回転ターゲットである場合に
は、凹部２は、円錐状ではなく、くさび状の溝として構
成される事となり、又、電子線の偏向は必ずしも必要で
ない場合もある。更に、凹部２の形状は、必ずしも円錐
のみてなく、底部が円型状になったり、電子線のガラス
分布に合わせた、弯曲状になったりしても良い事は云う
までもない。

［発明の効果１ 本発明により高輝度のＸ線銃が容易に得られる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示１′高輝度Ｘ線銃の構成
図である。 １・・・銅ターゲット ２・・・凹部 ３・・・タングステン膜 ４・・・水入口 ５・・・水出口 ６・・・フィラメント ７・・・電子銃レンズ ８・・・電子線 ９・・・Ｘ線 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）電子銃からの電子線が照射されるターゲット部に
   は、凹部が形成されて成る事を特徴とする高輝度Ｘ線銃
   。
2. （２）凹部は円錐状をなして成る事を特徴とする第１項
   記載の高輝度Ｘ線銃。
3. （３）電子銃からの電子線は偏向磁界又は偏向電界にて
   偏向された後、ターゲット凹部に照射される事を特徴と
   する第１項記載の高輝度Ｘ線銃。
4. （４）少くとも電子線が照射されるターゲット凹部では
   銅ターゲット材表面にタングステン膜あるいはモリブデ
   ン膜が形成されて成る事を特徴とする第１項記載の高輝
   度Ｘ線銃。