JPH01294857A - 誘導プラズマ成膜装置，誘導プラズマ成膜方法および誘導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造 - Google Patents
誘導プラズマ成膜装置，誘導プラズマ成膜方法および誘導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造Info
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- JPH01294857A JPH01294857A JP12318988A JP12318988A JPH01294857A JP H01294857 A JPH01294857 A JP H01294857A JP 12318988 A JP12318988 A JP 12318988A JP 12318988 A JP12318988 A JP 12318988A JP H01294857 A JPH01294857 A JP H01294857A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〉
本発明は、材料に均一な膜を形成することができる誘導
プラズマ成膜装置および誘導プラズマ成膜方法および誘
導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造に関する。
プラズマ成膜装置および誘導プラズマ成膜方法および誘
導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造に関する。
（従来の技術）
物体の表面の耐熱性を向上させる目的で、耐熱性に秀れ
た粉末等の物質を１万度程度の高温プラズマ中に通して
溶かし、物体の表面に投射して該粉末物質の膜を形成す
ることが行われているが、このプラズマを発生させるた
めに誘導プラズマ発生装置が用いられている。この装置
では、絶縁性物質で形成された円筒状の管の周囲に高周
波電源により駆動される加熱用のＲＦコイルを配置する
よう構成している。この構成でＲＦコイルに高周波励磁
電流を流すと、管の内部に誘導プラズマが発生するが、
このプラズマの温度は、１万度から１万５壬度程麿とか
なりの高温となり、このプラズマ内に成膜用の物質を流
すことにより、この物質を溶解することができる。該溶
解された物質は、該管に連通したチャンバー内に配置さ
れた材料上に投射され、該材料上に所望物質の膜が形成
される。
た粉末等の物質を１万度程度の高温プラズマ中に通して
溶かし、物体の表面に投射して該粉末物質の膜を形成す
ることが行われているが、このプラズマを発生させるた
めに誘導プラズマ発生装置が用いられている。この装置
では、絶縁性物質で形成された円筒状の管の周囲に高周
波電源により駆動される加熱用のＲＦコイルを配置する
よう構成している。この構成でＲＦコイルに高周波励磁
電流を流すと、管の内部に誘導プラズマが発生するが、
このプラズマの温度は、１万度から１万５壬度程麿とか
なりの高温となり、このプラズマ内に成膜用の物質を流
すことにより、この物質を溶解することができる。該溶
解された物質は、該管に連通したチャンバー内に配置さ
れた材料上に投射され、該材料上に所望物質の膜が形成
される。
（発明が解決しようどする課題）
このような高周波誘導プラズマを用いて成膜を行う場合
、初期段階において、成膜物質とキャリアガスをプラズ
マ中に導入するための粉末供給装置の動作上、初めの３
０秒ぐらい粉の供給が不安定となったり一時的に成膜物
質が凝縮等によりかたまりのままプラズマ中に入り、こ
のかたまりが溶けないままに被成膜材料に投射されるこ
とが明らかとなった。この結果、材料の表面には、不均
一な膜質の膜が付着したり、最初に成膜物質のかたまり
が付着し、その後、溶融した物質を定常的に材料上に投
射しても、もはや該材料表面には凹凸が生じてしまい、
均一な膜を材料表面の全体に渡って形成することは不可
能となる。
、初期段階において、成膜物質とキャリアガスをプラズ
マ中に導入するための粉末供給装置の動作上、初めの３
０秒ぐらい粉の供給が不安定となったり一時的に成膜物
質が凝縮等によりかたまりのままプラズマ中に入り、こ
のかたまりが溶けないままに被成膜材料に投射されるこ
とが明らかとなった。この結果、材料の表面には、不均
一な膜質の膜が付着したり、最初に成膜物質のかたまり
が付着し、その後、溶融した物質を定常的に材料上に投
射しても、もはや該材料表面には凹凸が生じてしまい、
均一な膜を材料表面の全体に渡って形成することは不可
能となる。
本発明は、上述した点に鑑みてなされたもので、その目
的は、常に材料に均一な膜を形成することができる誘導
プラズマ発生装置と方法およびこのＶ！４置に使用する
のに最適なシャッタ構造を実現することにある。
的は、常に材料に均一な膜を形成することができる誘導
プラズマ発生装置と方法およびこのＶ！４置に使用する
のに最適なシャッタ構造を実現することにある。
（課題を解決するための手段）
前記した課題を解決する本発明に基づく誘導プラズマ発
生装置は、絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回され
たＲ「コイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズ
マを発生させ、該プラズマの高温によって注入物質を溶
融し、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内
の被成膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成膜装
置において、該被成膜材料の前面に、開閉可能なシャッ
タ好ましくは水冷構造の第１のシャッタと第２のシャッ
タを配置したことを特徴とするものである。
生装置は、絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回され
たＲ「コイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズ
マを発生させ、該プラズマの高温によって注入物質を溶
融し、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内
の被成膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成膜装
置において、該被成膜材料の前面に、開閉可能なシャッ
タ好ましくは水冷構造の第１のシャッタと第２のシャッ
タを配置したことを特徴とするものである。
前記した課題を解決する本発明に基づく誘導プラズマ発
生方法は、絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回され
たＲＦコイルに励１１電流を流して該管内部に誘導プラ
ズマを発生させ、該プラズマの高温によって注入物質を
溶融し、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー
内の被成膜材料に投ＤＡするようにした誘導プラズマ成
膜り法において、該被成膜材料の前面に、開閉可能な第
１と第２のシャッタを配置し、次のステップで被成膜材
料に膜を形成するようにしたことを特徴としている。
生方法は、絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回され
たＲＦコイルに励１１電流を流して該管内部に誘導プラ
ズマを発生させ、該プラズマの高温によって注入物質を
溶融し、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー
内の被成膜材料に投ＤＡするようにした誘導プラズマ成
膜り法において、該被成膜材料の前面に、開閉可能な第
１と第２のシャッタを配置し、次のステップで被成膜材
料に膜を形成するようにしたことを特徴としている。
■材料からより離れた第１のシャッタを開き、材料によ
り近い第２のシャッタを閉じるステップ、 ■管内に第１のガスを導入するステップ、（３）ＲＦコ
イルに高周波電流を流し、該管内に誘導磁界を生「しめ
、プラズマを発生させるステップ、 ■第１のガスの一部あるいは全部を第２のガスに置換す
るステップ、 ■第１のシャッタを開じ、第２のシャッタを開け、被成
膜材料を最適位置に移動するステップ、 ■成膜物質をプラズマ中に供給し、その後、第１のシャ
ッタをσ■けるステップ。
り近い第２のシャッタを閉じるステップ、 ■管内に第１のガスを導入するステップ、（３）ＲＦコ
イルに高周波電流を流し、該管内に誘導磁界を生「しめ
、プラズマを発生させるステップ、 ■第１のガスの一部あるいは全部を第２のガスに置換す
るステップ、 ■第１のシャッタを開じ、第２のシャッタを開け、被成
膜材料を最適位置に移動するステップ、 ■成膜物質をプラズマ中に供給し、その後、第１のシャ
ッタをσ■けるステップ。
又、本発明の誘導プラズマ成膜装置用水冷シＶツタ構造
は、絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたＲＦ
コイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを発
生させ、該プラズマの高温によって注入物質を溶融し、
該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内の被成
膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成Ｖ、装釘に
使用されるシャッタであって、該シャッタには、該シャ
ッタの回転に伴ってシャッタ表面に１１１積した物質が
落下するのを防止する縁部を有していることを特徴とす
るものである。
は、絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたＲＦ
コイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを発
生させ、該プラズマの高温によって注入物質を溶融し、
該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内の被成
膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成Ｖ、装釘に
使用されるシャッタであって、該シャッタには、該シャ
ッタの回転に伴ってシャッタ表面に１１１積した物質が
落下するのを防止する縁部を有していることを特徴とす
るものである。
（作用）
プラズマ発生部と材料との間にシャッタを配置し、プラ
ズマ中に注入された成膜物質が安定に溶融するまで、該
シ１Ｆツタを閉じておき、その後、シャッタを開けて材
料に均一な膜を形成する。
ズマ中に注入された成膜物質が安定に溶融するまで、該
シ１Ｆツタを閉じておき、その後、シャッタを開けて材
料に均一な膜を形成する。
開閉可能なシャッタとして第１と第２のシャッタを用い
る場合には、以下のステップで被成膜材料に膜を形成す
る。■材料からより離れた第１のシャッタを開き、材料
により近い第２のシャッタを閉じる。■管内にガス（展
開用のガス、例えばアルゴン）を導入フる。（３）ＲＦ
コイルに高周波電流を流し、該管内に誘導磁界を生ぜし
め、プラズマを発生させる。■ガスの一部あるいは全部
をガス（生成すべき物質の生成の為の反応に使用される
ガス、例えば、酸素や窒素〉に置換する。
る場合には、以下のステップで被成膜材料に膜を形成す
る。■材料からより離れた第１のシャッタを開き、材料
により近い第２のシャッタを閉じる。■管内にガス（展
開用のガス、例えばアルゴン）を導入フる。（３）ＲＦ
コイルに高周波電流を流し、該管内に誘導磁界を生ぜし
め、プラズマを発生させる。■ガスの一部あるいは全部
をガス（生成すべき物質の生成の為の反応に使用される
ガス、例えば、酸素や窒素〉に置換する。
■第１のシャッタを閉じ、第２のシャッタを開け、被成
膜材料を最適位δに移動する。■成膜物質をプラズマ中
に供給し、その後、第１のシャッタを開ける。
膜材料を最適位δに移動する。■成膜物質をプラズマ中
に供給し、その後、第１のシャッタを開ける。
シャッタの縁部は、該シャッタの回転に伴ってシャッタ
表面にＨ１積した物質が落下づ−るのを防止する。
表面にＨ１積した物質が落下づ−るのを防止する。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。第１図は本発明に基づく誘導プラズマ成膜装置を示し
てＪ３す、図中、１は誘導プラズマ発生部（トーチ）で
あり、該トーチ１は、石英等の熱伝導の良い絶縁性物質
で形成された円筒状の管２、金属製のガス供給ノズル３
および該管２の周囲に巻回されたＲＦコイル４等によっ
て構成されている。該ガス供給ノズル３には、復数の孔
５が穿たれており、該孔５は、図示していないが、ガス
供給源や成膜物質供給源に接続されている。
。第１図は本発明に基づく誘導プラズマ成膜装置を示し
てＪ３す、図中、１は誘導プラズマ発生部（トーチ）で
あり、該トーチ１は、石英等の熱伝導の良い絶縁性物質
で形成された円筒状の管２、金属製のガス供給ノズル３
および該管２の周囲に巻回されたＲＦコイル４等によっ
て構成されている。該ガス供給ノズル３には、復数の孔
５が穿たれており、該孔５は、図示していないが、ガス
供給源や成膜物質供給源に接続されている。
又、前記ＲＦコイル４は、図示していない高周波電源に
接続されている。なお、通常、管２は二重に形成され、
その二重管の間には冷却水が流されて、管を冷却するよ
うに構成される。
接続されている。なお、通常、管２は二重に形成され、
その二重管の間には冷却水が流されて、管を冷却するよ
うに構成される。
トーチ１の下部には、材料６が配置されるチャンバー７
が接続されている。該チャンバー７内には第１のシャッ
タ機構８と第２のシャッタ１１１＋Ｒ９とが設【Ｊられ
ている。該第１と第２のシャッタ機構８，９は、いずれ
もチャンバー７の壁面に対して回転可能なシャフト８ａ
、９ａと、このシャフト８ａ、９ａと一体的に回転する
が、該シャフト３ａ、９ａの回転軸とは離れた軸を中心
として回転する平板状のシャッタ部Ｕ８ｂ、９ｂとより
構成されている。材料６はステージ１０の上に配置され
ているが、該ステージ１０は、駆動１構１１によって図
中上下方向に移動可能となっている。
が接続されている。該チャンバー７内には第１のシャッ
タ機構８と第２のシャッタ１１１＋Ｒ９とが設【Ｊられ
ている。該第１と第２のシャッタ機構８，９は、いずれ
もチャンバー７の壁面に対して回転可能なシャフト８ａ
、９ａと、このシャフト８ａ、９ａと一体的に回転する
が、該シャフト３ａ、９ａの回転軸とは離れた軸を中心
として回転する平板状のシャッタ部Ｕ８ｂ、９ｂとより
構成されている。材料６はステージ１０の上に配置され
ているが、該ステージ１０は、駆動１構１１によって図
中上下方向に移動可能となっている。
１２はチャンバ−７内部を観察するための窓である。な
お、図示していないが、チャンバー７は排気ポンプに接
続されており、その内部は排気されている。
お、図示していないが、チャンバー７は排気ポンプに接
続されており、その内部は排気されている。
次に、上述した誘導プラズマ成脱装置の動作について、
第２図のフローチャートに基づき説明する。最初に第１
のシャッタ機構８のシャフト８ａを回転させ、シャッタ
部材８ｂを管２内部のプラズマ発生部から材料６に向か
うプラズマガスの通路から外しく第１のシャッタを開り
）、第２のシャッタ機構９のシャツｔ−９ａを回転させ
、シャッタ部材９ｂをプラズマ通路上に配置し、第２の
シャッタを閉じる（ステップ１）。次に、ガスノズル３
に穿たれた孔５から管２内部に、例えば、アルゴンガス
を供給する（ステップ２）。ＲＦコイル４に高周波電流
を流し、管２内部に誘導磁界を発生させ、プラズマを励
起する（ステップ３）。
第２図のフローチャートに基づき説明する。最初に第１
のシャッタ機構８のシャフト８ａを回転させ、シャッタ
部材８ｂを管２内部のプラズマ発生部から材料６に向か
うプラズマガスの通路から外しく第１のシャッタを開り
）、第２のシャッタ機構９のシャツｔ−９ａを回転させ
、シャッタ部材９ｂをプラズマ通路上に配置し、第２の
シャッタを閉じる（ステップ１）。次に、ガスノズル３
に穿たれた孔５から管２内部に、例えば、アルゴンガス
を供給する（ステップ２）。ＲＦコイル４に高周波電流
を流し、管２内部に誘導磁界を発生させ、プラズマを励
起する（ステップ３）。
その後、アルゴンガスに代えて酸素ガスや窒素ガスを供
給Ｌノ、アルゴンガスプラズマから酸素ガスプラズマや
窒素ガスプラズマに部分的あるいは全部置換する（ステ
ップ４）。ここまでの過程で、プラズマフレームは、第
２のシャッタよって材料６には投射されず、材料が該プ
ラズマの熱によって損（口されることは防止される。こ
のステップ４の状態において、ガスの置換に伴ってプラ
ズマのフレームの状態が変化する。この置換が終了した
段階で、窓１２を介してプラズマフレームの状態を観察
することにより、成膜に最適な材料の位置を確認するこ
とができる（ステップ５）。この段階で、第１のシャッ
タを閉じ、第２のシ（アツタを開け（ステップ６）、ス
テージ駆動機溝１１を動作させ、ステージ１０を上録さ
せて、材料６を観察によって確認されたＲ適位質にまで
移ｖＪｔろ（ステップ７）。次に、ガス供給ノズル３か
らキャリアガスと共に、成膜用の物質を該管２内部に供
給する（ステップ８）。この結果、該成膜用物質は、１
万度〜１万５千度に加熱されたプラズマによって溶融し
、チャンバー７内の材料６の方向に向けて投射される。
給Ｌノ、アルゴンガスプラズマから酸素ガスプラズマや
窒素ガスプラズマに部分的あるいは全部置換する（ステ
ップ４）。ここまでの過程で、プラズマフレームは、第
２のシャッタよって材料６には投射されず、材料が該プ
ラズマの熱によって損（口されることは防止される。こ
のステップ４の状態において、ガスの置換に伴ってプラ
ズマのフレームの状態が変化する。この置換が終了した
段階で、窓１２を介してプラズマフレームの状態を観察
することにより、成膜に最適な材料の位置を確認するこ
とができる（ステップ５）。この段階で、第１のシャッ
タを閉じ、第２のシ（アツタを開け（ステップ６）、ス
テージ駆動機溝１１を動作させ、ステージ１０を上録さ
せて、材料６を観察によって確認されたＲ適位質にまで
移ｖＪｔろ（ステップ７）。次に、ガス供給ノズル３か
らキャリアガスと共に、成膜用の物質を該管２内部に供
給する（ステップ８）。この結果、該成膜用物質は、１
万度〜１万５千度に加熱されたプラズマによって溶融し
、チャンバー７内の材料６の方向に向けて投射される。
該成膜物質の供給が定量的に行われ、プラズマが安定し
、全ての成膜物質が溶融する状態となったところで第１
のシャッタを開け（ステップ９）、材料６にプラズマガ
ス中に溶融した物質を投射して成膜を行う。
、全ての成膜物質が溶融する状態となったところで第１
のシャッタを開け（ステップ９）、材料６にプラズマガ
ス中に溶融した物質を投射して成膜を行う。
なお、成膜途中でプラズマが消えた場合には、成膜物質
が溶融しないで材料に投射されることを防止するため、
第１のシャッタを閉じることが望ましい。又、プラズマ
が発生している状態で長時間管２に接近している第１の
シャッタを閉じておくと・管２の端部がプラズマの熱に
よって破損することがあるため、第１のシャッタを閉じ
ている時間が所定時間を越えた場合には、材料６を下降
させ、第２のシャッタを閉じ、第１のシャッタを開ける
ようにすると良い。
が溶融しないで材料に投射されることを防止するため、
第１のシャッタを閉じることが望ましい。又、プラズマ
が発生している状態で長時間管２に接近している第１の
シャッタを閉じておくと・管２の端部がプラズマの熱に
よって破損することがあるため、第１のシャッタを閉じ
ている時間が所定時間を越えた場合には、材料６を下降
させ、第２のシャッタを閉じ、第１のシャッタを開ける
ようにすると良い。
第３図は平板状のシャッタ部材８ｂの断面図（第１図の
Ａ−ＡＩＷｉ面図）を示している。このシャッタ部材８
ｂは、端部に突起部８Ｃを有しており、シャッタ部材８
ｂにプラズマガスが投射されることに伴って、該ガス中
に含まれる物質が該部材表面に滞留するが、該シャッタ
部材が回転しても、真下の材ｖ１６に落下せず、材料６
の表面を汚染することが防止される。なお、シャッタ部
材９ｂもシャッタ部材８ｂと同様な形状となっている。
Ａ−ＡＩＷｉ面図）を示している。このシャッタ部材８
ｂは、端部に突起部８Ｃを有しており、シャッタ部材８
ｂにプラズマガスが投射されることに伴って、該ガス中
に含まれる物質が該部材表面に滞留するが、該シャッタ
部材が回転しても、真下の材ｖ１６に落下せず、材料６
の表面を汚染することが防止される。なお、シャッタ部
材９ｂもシャッタ部材８ｂと同様な形状となっている。
以上本発明を詳述したが、本発明は上記実施例に限定さ
れない。例えば、２枚のシャッタによって材料へのプラ
ズマガスの照射を停止させるようにしたが、１枚のシャ
ッタにより、成膜物質の供給が開始される初期状態のと
ぎのみ材料へのプラズマフレームの投射を停止するよう
に構成しても良い。
れない。例えば、２枚のシャッタによって材料へのプラ
ズマガスの照射を停止させるようにしたが、１枚のシャ
ッタにより、成膜物質の供給が開始される初期状態のと
ぎのみ材料へのプラズマフレームの投射を停止するよう
に構成しても良い。
（発明の効果）
以上説明したように、請求項１の発明によれば、成膜物
質が安定に溶融されない状態の時に、プラズマガスが月
利に投射されないように構成できるで、均一な成膜を行
うことができる。
質が安定に溶融されない状態の時に、プラズマガスが月
利に投射されないように構成できるで、均一な成膜を行
うことができる。
又、請求項２．３の発明によれば、請求ｍｌの発明の効
果に追加して、材料をプラズマフレームに対して最適な
位置に配置することができ、又、フレームの観察時に、
材料へのプラズマガスの投射が停止されるので、材料表
面の損傷を防止できる。
果に追加して、材料をプラズマフレームに対して最適な
位置に配置することができ、又、フレームの観察時に、
材料へのプラズマガスの投射が停止されるので、材料表
面の損傷を防止できる。
更に、請求項４の発明によれば、シャッタの回転により
、シ１ｐツタに付着したり滞留している物質を落下さ「
ることが防止できる。
、シ１ｐツタに付着したり滞留している物質を落下さ「
ることが防止できる。
第１図は本発明の一実施例である誘導プラズマ成膜装置
を示す図、第２図は本発明の詳細な説明するためのフロ
ーチャート、第３図は本発明に使用されるシャッタ一部
月の断面を示す図である。 １・・・１−−チ ２・・・管３・・・ガス
ノズル ４・・・ＲＦコイル５・・・孔
６・・・材料７・・・ヂトンバー ８・
・・第１のシャッタ９・・・第２のシャッタ １０・・
・ステージ１１・・・ステージ駆動機構 特許出願人 日 本 電 子 株 式
会 社代 理 人 弁 理 士
井 島 藤 治外１名 第２図 第３ 図
を示す図、第２図は本発明の詳細な説明するためのフロ
ーチャート、第３図は本発明に使用されるシャッタ一部
月の断面を示す図である。 １・・・１−−チ ２・・・管３・・・ガス
ノズル ４・・・ＲＦコイル５・・・孔
６・・・材料７・・・ヂトンバー ８・
・・第１のシャッタ９・・・第２のシャッタ １０・・
・ステージ１１・・・ステージ駆動機構 特許出願人 日 本 電 子 株 式
会 社代 理 人 弁 理 士
井 島 藤 治外１名 第２図 第３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたＲ
Ｆコイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを
発生させ、該プラズマの高温によって注入物質を溶融し
、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内の被
成膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成膜装置に
おいて、該被成膜材料の前面に、開閉可能な水冷構造の
シャッタを配置したことを特徴とする誘導プラズマ成膜
装置。 （２）前記被成膜材料の前面に配置する開閉可能な水冷
構造のシャッタとして、第１と第２のシャッタからなる
ものを用いたことを特徴とする誘導プラズマ成膜装置。 （３）絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたＲ
Ｆコイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを
発生させ、該プラズマの高温によって注入物質を溶融し
、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内の被
成膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成膜方法に
おいて、該被成膜材料の前面に、開閉可能な第１と第２
のシャッタを配置し、次のステップで被成膜材料に膜を
形成するようにした誘導プラズマ成膜方法。 （１）材料からより離れた第１のシャッタを開き、材料
により近い第２のシャッタを閉じるステップ、 （２）管内に第１のガスを導入するステップ、 （３）ＲＦコイルに高周波電流を流し、該管内に誘導磁
界を生ぜしめ、プラズマを発生させるステップ、 （４）第１のガスの一部あるいは全部を第２のガスに置
換するステップ、 （５）第１のシャッタを閉じ、第２のシャッタを開け、
被成膜材料を最適位置に移動するステップ、 （６）成膜物質をプラズマ中に供給し、その後、第１の
シャッタを開けるステップ。 （４）絶縁性物質で形成された管の周囲に巻回されたＲ
Ｆコイルに励磁電流を流して該管内部に誘導プラズマを
発生させ、該プラズマの高温によつて注入物質を溶融し
、該溶融した物質を該管に接続されたチャンバー内の被
成膜材料に投射するようにした誘導プラズマ成膜装置に
使用されるシャッタであって、該シャッタには、該シャ
ッタの回転に伴ってシャッタ表面に推積した物質が落下
するのを防止する縁部を有していることを特徴とする誘
導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12318988A JPH01294857A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 誘導プラズマ成膜装置，誘導プラズマ成膜方法および誘導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12318988A JPH01294857A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 誘導プラズマ成膜装置，誘導プラズマ成膜方法および誘導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294857A true JPH01294857A (ja) | 1989-11-28 |
Family
ID=14854394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12318988A Pending JPH01294857A (ja) | 1988-05-20 | 1988-05-20 | 誘導プラズマ成膜装置，誘導プラズマ成膜方法および誘導プラズマ成膜装置用水冷シャッタ構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01294857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256705A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319563B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1988-04-23 | Nippon Kokan Kk |
-
1988
- 1988-05-20 JP JP12318988A patent/JPH01294857A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319563B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1988-04-23 | Nippon Kokan Kk |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256705A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
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