JPH01293001A - Connecting structure for micro-strip line - Google Patents

Connecting structure for micro-strip line

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JPH01293001A
JPH01293001A JP63124102A JP12410288A JPH01293001A JP H01293001 A JPH01293001 A JP H01293001A JP 63124102 A JP63124102 A JP 63124102A JP 12410288 A JP12410288 A JP 12410288A JP H01293001 A JPH01293001 A JP H01293001A
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JP
Japan
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conductor
micro
microstrip
capacitive
capacitive stub
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JP63124102A
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Japanese (ja)
Inventor
Asao Ito
朝男 伊藤
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To prevent breakage of the connecting part of micro-strip lines even when the ambient temperature changes by connecting a 1st micro-strip conductor to a cepacitive stab with the flexible connecting conductor and the capacitive stab to a 2nd micro-strip conductor with an inductive line having the same inductance. CONSTITUTION:At the time of connecting the 1st and 2nd micro-strip lines 3 and 3' to each other through a space 16, the capacitive stab C is formed at the connecting end section of a 2nd inductive base plate 33 with a clearance against the 2nd micro-strip conductor 34. Then the 1st micro-strip conductor 32 is connected to the capacitive stab C with a 1st connecting conductor L1 and the capacitive stab C is connected to the 2nd micro-strip conductor 34 with a 2nd connecting conductor L2 which is sufficiently flexible or the 3rd micro-strip conductor L2 having a narrower width than the 2nd micro-strip conductor 34 has. Therefore, the connecting parts do not break or no crack is produced in the connecting part even when the ambient temperature changes.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 例えば、複数の旧C(マイクロ波ハイブリッド集積回路
)化されたマイクロ波回路を接続して、ある機能を持っ
た部分を製作する際に使用されるマイクロ波ストリップ
線路の接続構造に関し、周囲温度が変化しても接続部分
が破断、又は亀裂が生じない様にすると共に、一方の誘
電体基板の接続端部に容量性スタブが形成されていなく
ても。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] For example, microwave technology is used when manufacturing a part with a certain function by connecting multiple microwave circuits that have been converted into old C (microwave hybrid integrated circuits). Regarding the connection structure of a strip line, the connection part is prevented from breaking or cracking even if the ambient temperature changes, and even if a capacitive stub is not formed at the connection end of one dielectric substrate.

接続部分のマイクロ波特性インピーダンスの不連続補償
が行える様にすることを目的とし、裏面に第1及び第2
の接地導体が形成され、同一の金属ケースに隙間を介し
て配置された第1及び第2の誘電体基板と、該第1及び
第2の誘電体基板表面に形成された第1及び第2のマイ
クロストリップ導体とで構成される第1及び第2のマイ
クロストリップ線路を相互に接続する際に、該第2の誘
電体基板表面の接続端部に容量性スタブを形成し、該第
1のマイクロストリップ導体と該容量スタブとを撓みの
ある第1の接続導体で接続し。
The purpose is to compensate for the discontinuity of the microwave characteristic impedance of the connection part, and the first and second
first and second dielectric substrates having a ground conductor formed thereon and disposed in the same metal case with a gap therebetween; and first and second dielectric substrates formed on the surfaces of the first and second dielectric substrates. When interconnecting the first and second microstrip lines configured with the first microstrip conductor, a capacitive stub is formed at the connection end on the surface of the second dielectric substrate, and A first flexible connecting conductor connects the microstrip conductor and the capacitive stub.

該容量性スタブと該第2のマイクロストリップ導体とを
第1の接続導体と同じインダクタンスの誘導性線路で接
続し、該容量性スタブの容量をC9該誘導性線路のイン
ダクタンスをし、伝送周波数を ω/2π、該第1及び
第2のマイクロストリップ線路のインピーダンスを20
とした時、ω−(L・C)−””、 ZO=(L/C)
”” となる様な構造にする。
The capacitive stub and the second microstrip conductor are connected by an inductive line having the same inductance as the first connecting conductor, and the capacitance of the capacitive stub is made C9 the inductance of the inductive line, and the transmission frequency is ω/2π, the impedance of the first and second microstrip lines is 20
When ω-(L・C)-””, ZO=(L/C)
Create a structure that looks like this.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

例えば、複数のMIC化されたマイクロ波回路を接続し
て8ある機能をもった部分を製作する際に使用されるマ
イクロ波ストリップ線路の接続構造に関するものである
For example, it relates to a connection structure for microwave strip lines used when connecting a plurality of MIC microwave circuits to produce parts with eight functions.

マイクロ波ストリップ線路は並行平板形導波管の変形で
あり、接地導体とストリップ導体とを設け、この2導体
間に電界を加えて電磁波を伝播させる。この線路は平面
構造をしていて、小形、軽量、経済的な回路を作るのに
適しており、半導体部品との適合性もよいのでMIC用
の基本線路として多用されている。
A microwave strip line is a modification of a parallel plate waveguide, and includes a ground conductor and a strip conductor, and an electric field is applied between the two conductors to propagate electromagnetic waves. This line has a planar structure and is suitable for making small, lightweight, and economical circuits, and is also compatible with semiconductor components, so it is often used as a basic line for MIC.

例えば、マイクロ波発振器、マイクロ波増幅器などのM
IC化されたマイクロ波回路を金属ケースに入れて送信
部を構成する場合、これら回路内のマイクロストリップ
線路同士を接続しなければならないが1周囲温度が変化
しても接続部分が破断。
For example, M of microwave oscillators, microwave amplifiers, etc.
When constructing a transmitter by placing an IC microwave circuit in a metal case, the microstrip lines in these circuits must be connected to each other, but even if the ambient temperature changes, the connections will break.

又は亀裂が生じない様にすると共に、一方の誘電体基板
の接続端部に容量性スタブが形成されていなくても、接
続部分のマイクロ波特性インピーダンスの不連続補償が
行える様にすることが必要である。
Alternatively, it is possible to prevent cracks from occurring and to compensate for the discontinuity of the microwave characteristic impedance of the connection part even if a capacitive stub is not formed at the connection end of one dielectric substrate. is necessary.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第4図は従来例の構成図で、第4図(a)は従来例の斜
視図、第4図(b)は第4図(a)のA−A ’断面図
を示す。以下、第4図(blを参照して第4図(a)の
構成を説明する。
FIG. 4 is a block diagram of a conventional example, FIG. 4(a) is a perspective view of the conventional example, and FIG. 4(b) is a sectional view taken along the line AA' in FIG. 4(a). The configuration of FIG. 4(a) will be described below with reference to FIG. 4(bl).

図において、裏面に接地導体(図示せず)が形成され、
金属ケース11の上に1例えばO6旧〜0.11皇位の
隙間16を介して配置された誘電体基板12゜14と、
該誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップ導
体13.15とで構成されるマイクロスI・リップ線路
1,1°を導体リボン、例えば厚さ約20μmの金リボ
ン18で接続する時、隙間16の誘電率が誘電体基板1
2.14の誘電率よりも低くなっているので、この部分
でマイクロ波特性インピーダンスが不連続になる。
In the figure, a ground conductor (not shown) is formed on the back side,
A dielectric substrate 12° 14 is disposed on the metal case 11 with a gap 16 of 1, for example, O6 old to 0.11 imperial throne, and
When connecting the microstrip conductor 13.15 formed on the surface of the dielectric substrate to the microstrip line 1,1° with a conductor ribbon, for example, a gold ribbon 18 with a thickness of about 20 μm, there is a gap. Dielectric substrate 1 has a dielectric constant of 16.
Since the dielectric constant is lower than the dielectric constant of 2.14, the microwave characteristic impedance becomes discontinuous in this part.

そこで、この不連続を補償するために誘電体片゛17を
金リボン18の上に乗せて接着する。
Therefore, in order to compensate for this discontinuity, a dielectric piece 17 is placed on top of the gold ribbon 18 and bonded.

第5図は別の従来例の構成図を示す。図に示す様に、裏
面に接地導体(図示せず)が形成され。
FIG. 5 shows a configuration diagram of another conventional example. As shown in the figure, a ground conductor (not shown) is formed on the back side.

同一の金属ケース11上に隙間16を介して配置された
誘電体基板2L 24と、該誘電体基板の表面に形成し
たマイクロストリップ導体22.25とでマイクロスト
リップ線路2,2′を構成している。
A microstrip line 2, 2' is constituted by a dielectric substrate 2L 24 placed on the same metal case 11 with a gap 16 in between, and a microstrip conductor 22.25 formed on the surface of the dielectric substrate. There is.

ここで、上記のマイクロストリップ1.22.25に接
続して容量性スタブ23.2Gを誘電体基板21゜24
の接続端部に形成し、これらの容量性スタブの間を撓み
のある導体リボン27で接続して、隙間16の部分のマ
イクロ波特性インピーダンスの不連続性を補償している
Here, the capacitive stub 23.2G is connected to the above microstrip 1.22.25 on the dielectric substrate 21°24.
These capacitive stubs are connected by a flexible conductor ribbon 27 to compensate for the discontinuity of the microwave characteristic impedance in the gap 16.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ここで、第4図の場合には金属ケース11と誘電体基板
12.14との熱膨張係数が異なる為9周囲温度の変化
により隙間16の大きさが変化する。しかし、2つのマ
イクロストリップ導体13.15を接読する導体リボン
18は誘電体片17を乗せる為に平坦にしなければなら
ず、伸縮に余裕を持つことができない。そこで隙間の大
きさが変化した時に4体リボンが破断、又は亀裂を生じ
たりすると云う問題がある。
Here, in the case of FIG. 4, since the thermal expansion coefficients of the metal case 11 and the dielectric substrates 12 and 14 are different, the size of the gap 16 changes due to a change in ambient temperature. However, the conductor ribbon 18 that connects the two microstrip conductors 13 and 15 must be flat in order to place the dielectric piece 17 on it, and there is no room for expansion and contraction. Therefore, there is a problem that when the size of the gap changes, the four-body ribbon may break or crack.

又、第5図の様に撓みのある導体リボン27でマイクロ
ストリップ導体を接続すれば1周囲温度の変化による隙
間16の大きさの変化があっても、この導体リボンが破
断、又は亀裂を生ずることはない。しかし、容量性スタ
ブ23.2Gの特性値をほぼ等しくする必要があるので
9例えばMICサーキュレータや汎用パッケージに入っ
ているMICの様に容量性スタブがないMIC化素子(
容量スタブは周波数特性を持っているので、広帯域な動
作を行う汎用旧Cはこれを使用しない。)とマイクロス
トリップ導体との接続は不可能であると云う問題がある
Furthermore, if the microstrip conductor is connected with a flexible conductor ribbon 27 as shown in Fig. 5, even if the size of the gap 16 changes due to a change in ambient temperature, this conductor ribbon will break or crack. Never. However, it is necessary to make the characteristic values of the capacitive stubs 23.2G almost equal.
Since capacitive stubs have frequency characteristics, general-purpose old Cs that operate over a wide band do not use them. ) and the microstrip conductor is impossible.

〔課題を解決する為の手段〕[Means to solve problems]

第1図は本発明の原理ブロック図(等価回路)を示す。 FIG. 1 shows a principle block diagram (equivalent circuit) of the present invention.

図中、Cは第2の誘電体基板表面の接続端部に形成した
容量性スタブで、Llは第1のマイクロストリソツブ導
体32と該容量性スタブ6とを接続する撓みのある第1
の接続導体である。
In the figure, C is a capacitive stub formed at the connection end of the surface of the second dielectric substrate, and Ll is a flexible first capacitive stub that connects the first microstris conductor 32 and the capacitive stub 6.
is the connecting conductor.

更に、L2は該容量性スタブと該第2のマイクロストリ
ップ導体とを接続するが、該第1の接続導体と同じイン
ダクタンスを有する誘導性線路で、該容量性スタブの容
量をC9該誘導性線路のインダクタンスをLl−L2・
L、伝送周波数をω/2π、該第1及び第2のマイクロ
ストリップ線路のインピーダンスを20とした時、  
ω=(L  −C)−””、 Zo□(L/c)I/!
となる様にする。
Furthermore, L2 is an inductive line that connects the capacitive stub and the second microstrip conductor and has the same inductance as the first connecting conductor, and the capacitance of the capacitive stub is connected to the inductive line C9. The inductance of Ll−L2・
When L, the transmission frequency is ω/2π, and the impedance of the first and second microstrip lines is 20,
ω=(L −C)−””, Zo□(L/c)I/!
Make it so that

〔作用〕[Effect]

本発明は第1の誘電体基板31と、この基板表面の接続
端部に形成した第1のマイクロストリップ導体32とで
構成される第1のマイクロストリップ線路3と、第2の
誘電体基板33とこの基板表面に形成した第2のマイク
ロストリップ導体34とで構成される第2のマイクロス
トリップ線路31とを隙間16を介して接続する際、第
2の誘電体基板33の接続端部に容量性スタブCfc該
第2のマイクロストリップ導体34との間に隙間を設け
て形成する。
The present invention provides a first microstrip line 3 composed of a first dielectric substrate 31 and a first microstrip conductor 32 formed at a connecting end on the surface of this substrate, and a second dielectric substrate 33. When connecting the second microstrip line 31 formed by the second microstrip conductor 34 formed on the surface of this substrate through the gap 16, a capacitor is added to the connection end of the second dielectric substrate 33. The magnetic stub Cfc is formed with a gap provided between it and the second microstrip conductor 34.

そして、第1のマイクロストリップ導体32と容量性ス
タブCとを十分な撓みを持つ第1の接に’4体L1で接
続し、該容量性スタブと第2のマイクロストリップ導体
34とを十分な撓みを持つ第2の接>’A R体L2+
 又は第2のマイクロストリップ導体の幅よりも狭い幅
の第3のマイクロストリップ導体L2  で接続する。
Then, the first microstrip conductor 32 and the capacitive stub C are connected to the first contact having sufficient deflection using a four-body L1, and the capacitive stub and the second microstrip conductor 34 are connected to each other with sufficient deflection. Second contact with deflection>'A R body L2+
Alternatively, a third microstrip conductor L2 having a width narrower than that of the second microstrip conductor is used for connection.

これにより、周囲温度が変化しても接続部分が破断、又
は亀裂が生じない様になると共に、一方のマイクロスト
リップ線路の接続端部に容量性スタブが形成されていな
くても、後述する様にマイクロ波特性インピーダンスの
不連続補償が行える。
This prevents the connection from breaking or cracking even if the ambient temperature changes, and even if a capacitive stub is not formed at the connection end of one microstrip line, as will be described later. Can perform discontinuous compensation for microwave characteristic impedance.

〔実施例〕 第2図は本発明の実施例の構成図、第3図は本発明の別
の実施例の構成図を示す。
[Embodiment] FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention.

ここで、導体リボン511.521は撓みのある第1゜
第2の接M”J一体り、 、 L2の構成部分、マイク
ロストリップ導体5211は第3のマイクロストリップ
導体L2  の構成部分、容量性スタブ61は容量性ス
タブCの構成部分である。又、全図を通じて同一符号は
同一対象物を示す。
Here, the conductor ribbons 511 and 521 are integral with the flexible first and second contacts M"J, L2, the microstrip conductor 5211 is a component of the third microstrip conductor L2, and the capacitive stub. 61 is a component of the capacitive stub C. Also, the same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.

先ず、第2図のマイクロストリップ線路3は誘電体基板
31及びその上に形成されたマイクロス1−リップ導体
32から構成され、マイクロストリップ線路3°は誘電
体基板33及びその上に形成された容量性スタブ61と
マイクロストリップ導体34とから構成されているが、
容量性スタブ61とマイクロストリップ導体34とは隙
間62を介して近接している。
First, the microstrip line 3 in FIG. 2 is composed of a dielectric substrate 31 and a microstrip conductor 32 formed on it, and the microstrip line 3 is composed of a dielectric substrate 33 and a microstrip conductor 32 formed on it. It is composed of a capacitive stub 61 and a microstrip conductor 34,
The capacitive stub 61 and the microstrip conductor 34 are close to each other with a gap 62 interposed therebetween.

そして、このマイクロストリップ線路3,39は金属ケ
ース11の上に隙間16を介して配置されているが、例
えば一体構成で1幅の等しい導体リボン511、521
によって、マイクロストリップ導体32と容量性スタブ
61.容量性スタブ61とマイクロストリップ導体34
とがそれぞれブリッヂされる。
The microstrip lines 3 and 39 are arranged on the metal case 11 with a gap 16 in between, and for example, conductor ribbons 511 and 521 having the same width are integrally formed.
microstrip conductor 32 and capacitive stub 61. Capacitive stub 61 and microstrip conductor 34
and are each bridged.

ここで、導体リボン511が隙間16を横切る部分は、
隙間が誘電体基板31.33の誘電率よりも小さい空気
で満たされているので第1図に示す様に等測的にMM 
”J性インピーダンス(インダクタンス)L、で表すこ
とができる。また、導体リボン521が隙間62を横切
る部分も誘電体基板33と導体リボン521との間が空
気で満たされているので、上記と同様に等測的に2M 
m性インピーダンス(インダクタンス)L2で表すこと
ができる。
Here, the portion where the conductor ribbon 511 crosses the gap 16 is
Since the gap is filled with air whose dielectric constant is smaller than the dielectric constant of the dielectric substrate 31, 33, MM is measured isometrically as shown in Figure 1.
``J-type impedance (inductance) L. Also, since the space between the dielectric substrate 33 and the conductor ribbon 521 is filled with air in the portion where the conductor ribbon 521 crosses the gap 62, it is the same as above. isometrically 2M
It can be expressed as m-type impedance (inductance) L2.

又、容量性スタブ61は容量インピーダンス(キャパシ
タンス)Cで等価的に表すことができる。
Further, the capacitive stub 61 can be equivalently represented by capacitive impedance (capacitance) C.

そして、容量性スタブ61の寸法、隙間62の寸法及び
導体リボン511 、521の幅を適当に選んでり、=
L、=L、  ω=(L、C)−1” 、 zo、 (
L/C)””が成立する様にすればZoに等しい抵抗分
のみとなり、隙間16によるマイクロ波特性インピーダ
ンスの不連続を補償することができる。ここで、ωは角
周波数+ 20はマイクロストリップ線路3,3′の特
性インピーダンスを示す。
Then, the dimensions of the capacitive stub 61, the dimensions of the gap 62, and the widths of the conductor ribbons 511 and 521 are appropriately selected.
L, =L, ω=(L,C)-1”, zo, (
If L/C)'' is established, only the resistance equal to Zo will be present, and the discontinuity of the microwave characteristic impedance due to the gap 16 can be compensated for. Here, ω represents the angular frequency +20 represents the characteristic impedance of the microstrip lines 3 and 3'.

尚、第1図の等価回路は移相器を含んでいないので、第
2図を厳密に表示していないが、定性的な説明には十分
意味を持つものとなっている。
Incidentally, since the equivalent circuit of FIG. 1 does not include a phase shifter, FIG. 2 is not strictly shown, but it is sufficiently meaningful for qualitative explanation.

次に、第3図は第2図の容量性スタブ16とマイクロス
トリップ導体34との間の隙間62の部分をマイクロス
トリップ導体34よりも幅の狭いマイクロストリップ導
体521°に置き換えたものであり。
Next, in FIG. 3, the gap 62 between the capacitive stub 16 and the microstrip conductor 34 in FIG. 2 is replaced with a microstrip conductor 521° narrower in width than the microstrip conductor 34.

これも等価的に誘導性インピーダンス(インダクタンス
)tz  で表すことができるので、第1図の等価回路
で表される。
Since this can also be equivalently expressed by inductive impedance (inductance) tz, it is expressed by the equivalent circuit shown in FIG.

即ち、周囲温度が変化しても接続部分が破断。In other words, the connection will break even if the ambient temperature changes.

又は亀裂が生じない様になると共に、一方のマイクロス
トリップ線路の接続端部に容量性スタブが形成されてい
な(でも、接続部分のマイクロ波特性インピーダンスの
不連続補償が行える。
Alternatively, cracks do not occur, and a capacitive stub is not formed at the connection end of one microstrip line (although discontinuity compensation for the microwave characteristic impedance of the connection part can be performed).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上詳細に説明した様に本発明によれば1周囲温度が変
化しても接続部分が破断、又は亀裂が生じない様になる
と共に、一方のマイクロストリッ・プ線路の接続端部に
容量性スタブが形成されていなくても、接続部分のマイ
クロ波特性インピーダンスの不連続補償が行えると云う
効果がある。
As explained in detail above, according to the present invention, the connection part does not break or crack even if the ambient temperature changes, and a capacitive stub is provided at the connection end of one microstrip line. There is an effect that discontinuity compensation of the microwave characteristic impedance of the connecting portion can be performed even if the connecting portion is not formed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理ブロック図(等価回路)、第2図
は本発明の実施例の構成図、 第3図は本発明の別の実施例の構成図、第4図は従来例
の構成図、 第5図は別の従来例の構成図を示す。 図において、 3は第1のマイクロストリップ線路、 3°は第2のマイクロス!・リップ線路、11は金属ケ
ース、 16は隙間、 31、33は誘電体基牟反、 32は第1のマイクロストリップ導体、34は第2のマ
イクロストリップ導体、Cは容量性スタブ、 Llは第1の接続導体、 L2は第2の接続導体、 ?          +4      +会木・イご
8月の々ヂ里 フ゛口、、、yM(等イ凸回路)第 1
 囚 3′ 水金  日月n実方也イクj/1オf、h文圧り第 2
 層 本号【 日月/1δ“Jn実方ヒ4り・j/)構ガ(I
2]第 3 図 /b イ2白、来 イクリ tつ 、イ14.ノヘ’ttm第
 4 図 別/7徒釆脅・jのオ肴仄図 第 5 図
Fig. 1 is a principle block diagram (equivalent circuit) of the present invention, Fig. 2 is a block diagram of an embodiment of the present invention, Fig. 3 is a block diagram of another embodiment of the present invention, and Fig. 4 is a block diagram of a conventional example. Block diagram: FIG. 5 shows a block diagram of another conventional example. In the figure, 3 is the first microstrip line, and 3° is the second microstrip line!・Rip line, 11 is a metal case, 16 is a gap, 31 and 33 are dielectric substrates, 32 is a first microstrip conductor, 34 is a second microstrip conductor, C is a capacitive stub, Ll is the first 1 connection conductor, L2 is the 2nd connection conductor, ? +4 +Aiki/Igo August Nojiri Fukuchi,,,yM (equal convex circuit) 1st
Prisoner 3' Wednesday/Friday Sun Moon n Mikataya Iku j/1 off, h sentence pressure 2nd
layer issue
2] Figure 3/b A2 white, come Ikuri ttsu, A14. Nohe'ttm Part 4 Figure 5 / 7 Maneuver Threat/J's Serving Figure 5

Claims (1)

【特許請求の範囲】  裏面に第1及び第2の接地導体が形成され,同一の金
属ケース(11)に隙間(16)を介して配置された第
1及び第2の誘電体基板(31,33)と,該第1及び
第2の誘電体基板表面に形成された第1及び第2のマイ
クロストリップ導体(32,34)とで構成される第1
及び第2のマイクロストリップ線路(3,3′)を相互
に接続する際に, 該第2の誘電体基板表面の接続端部に容量性スタブ(C
)を形成し,該第1のマイクロストリップ導体と該容量
スタブとを撓みのある第1の接続導体(L_1)で接続
し,該容量性スタブと該第2のマイクロストリップ導体
とを第1の接続導体(L_1)と同じインダクタンスの
誘導性線路(L_2)で接続し,該容量性スタブの容量
をC,該誘導性線路のインダクタンスをL_1=L_2
=L,伝送周波数をω/2π,該第1及び第2のマイク
ロストリップ線路のインピーダンスをZ_0とした時 ω=(L・C)^−^1^/^2,Z_0=(L/C)
^1^/^2となる様にしたことを特徴とするマイクロ
ストリップ線路の接続構造。
[Claims] First and second dielectric substrates (31, 33) and first and second microstrip conductors (32, 34) formed on the surfaces of the first and second dielectric substrates.
and the second microstrip line (3, 3'), a capacitive stub (C
), connect the first microstrip conductor and the capacitive stub with a flexible first connection conductor (L_1), and connect the capacitive stub and the second microstrip conductor with the first It is connected with an inductive line (L_2) having the same inductance as the connecting conductor (L_1), the capacitance of the capacitive stub is C, and the inductance of the inductive line is L_1=L_2.
=L, when the transmission frequency is ω/2π, and the impedance of the first and second microstrip lines is Z_0, ω=(L・C)^-^1^/^2, Z_0=(L/C)
A microstrip line connection structure characterized in that it is ^1^/^2.
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JP63124102A Pending JPH01293001A (en) 1988-05-20 1988-05-20 Connecting structure for micro-strip line

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JP (1) JPH01293001A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6307446B1 (en) * 1999-09-14 2001-10-23 Raytheon Company Planar interconnects using compressible wire bundle contacts
US6331806B1 (en) * 1996-04-24 2001-12-18 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Microwave circuit package and edge conductor structure

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