JPH01286999A - 砒化ガリウムエピタキシャル成長方法 - Google Patents
砒化ガリウムエピタキシャル成長方法Info
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- JPH01286999A JPH01286999A JP11647888A JP11647888A JPH01286999A JP H01286999 A JPH01286999 A JP H01286999A JP 11647888 A JP11647888 A JP 11647888A JP 11647888 A JP11647888 A JP 11647888A JP H01286999 A JPH01286999 A JP H01286999A
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Landscapes
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＧ ａ 、Ａ ｓを用いた化合物半導体装置の
製作に有用なＧａＡｓエビクキシャルウエハをＭ ＯＭ
Ｂ Ｅ法により製造する方法に関する。
製作に有用なＧａＡｓエビクキシャルウエハをＭ ＯＭ
Ｂ Ｅ法により製造する方法に関する。
従来ＧａＡｓのエピタキシャル成長に有用な方法として
分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法や有機金属化学
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法が用いられている。両者とも
一長一短がある。たとえばＭ Ｂ Ｅ法では高真空中で
の成長であるため電子線回折測定や質量分析等が成長中
に行なえる長所があるが、金属ガリウムを原料として使
用しているためにエピタキシャル膜に欠陥が生ずるなど
の欠点を有する。ＭＯＣＶＤでは前記欠陥を生じない、
選択成長が可能であるなどの長所があるが、前記の成長
中の電子線回折測定等が困難であるなどの短所を持って
いる。
分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）法や有機金属化学
気相成長（ＭＯＣＶＤ）法が用いられている。両者とも
一長一短がある。たとえばＭ Ｂ Ｅ法では高真空中で
の成長であるため電子線回折測定や質量分析等が成長中
に行なえる長所があるが、金属ガリウムを原料として使
用しているためにエピタキシャル膜に欠陥が生ずるなど
の欠点を有する。ＭＯＣＶＤでは前記欠陥を生じない、
選択成長が可能であるなどの長所があるが、前記の成長
中の電子線回折測定等が困難であるなどの短所を持って
いる。
また、ＭＢＥ法における該金属ガリウムの代わりに有機
金属ガスをもちいた新しいエピタキシャル成長（ＭＯＭ
ＢＥ）法を用いてＧａＡｓの単結晶薄膜の製造が試みら
れている（応用物理 第５４巻第２号 １９８５）。砒
素原料として該金属砒素または該Ａ ｓ Ｈｓが用いら
れる。Ｍ ＯＳｉ Ｂ ＥはＭ Ｂ ＥとＭ ＯＣＶ
Ｄ両者の長所を兼ね備えた有力なＧ ａ Ａｓエピタキ
シャル成長技術として確立されつつある。
金属ガスをもちいた新しいエピタキシャル成長（ＭＯＭ
ＢＥ）法を用いてＧａＡｓの単結晶薄膜の製造が試みら
れている（応用物理 第５４巻第２号 １９８５）。砒
素原料として該金属砒素または該Ａ ｓ Ｈｓが用いら
れる。Ｍ ＯＳｉ Ｂ ＥはＭ Ｂ ＥとＭ ＯＣＶ
Ｄ両者の長所を兼ね備えた有力なＧ ａ Ａｓエピタキ
シャル成長技術として確立されつつある。
前記ＭＯＭＢＥ法で製作したＧａＡｓ単結晶薄膜には意
識的に不純物を添加しない場合でもドナーおよびアクセ
プターとなる不純物が存在する。ドナーおよびアクセプ
ター両者の存在は例えば、ｐ型半導体の場合正孔移動度
を低下させる。このため高品質のｐ型ＧａＡｓ単結晶を
得るにはドナー不純物濃度を低下させ正孔移動度を増大
させる必要がある。
識的に不純物を添加しない場合でもドナーおよびアクセ
プターとなる不純物が存在する。ドナーおよびアクセプ
ター両者の存在は例えば、ｐ型半導体の場合正孔移動度
を低下させる。このため高品質のｐ型ＧａＡｓ単結晶を
得るにはドナー不純物濃度を低下させ正孔移動度を増大
させる必要がある。
従って、本発明は上記課題を解決し、不純物の少ないＧ
ａＡｓウェハを製造する方法を提供することを目的とす
る。
ａＡｓウェハを製造する方法を提供することを目的とす
る。
本発明は５ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上の高真空におい
て、ＴＥＧと金属砒素またはＡＳＨ３を用いてＧ ａ
、４ ｓをエピタキシャル成長させる方法において、原
料：ご該金属砒゛素を用いた場合、分圧が１〜５ Ｘ
１０−４Ｔｏｒｒの水素を導入してＧａＡｓを成長させ
、Ａ Ｓ Ｈｓを用いた場合、該、ｈ、ｓＨｓから生成
される水素分圧を１〜５ Ｘ １０”４Ｔｏｒｒに保つ
ようＡｓＨ３ガス導入量を制御してＧａＡｓを成長させ
ることを特徴とする。
て、ＴＥＧと金属砒素またはＡＳＨ３を用いてＧ ａ
、４ ｓをエピタキシャル成長させる方法において、原
料：ご該金属砒゛素を用いた場合、分圧が１〜５ Ｘ
１０−４Ｔｏｒｒの水素を導入してＧａＡｓを成長させ
、Ａ Ｓ Ｈｓを用いた場合、該、ｈ、ｓＨｓから生成
される水素分圧を１〜５ Ｘ １０”４Ｔｏｒｒに保つ
ようＡｓＨ３ガス導入量を制御してＧａＡｓを成長させ
ることを特徴とする。
本発明ではＭＯＭＢＥ法における水素導入効果によって
低ドナー濃度、高移動度を持つ高品質ｐ型ＧａＡｓ単結
晶薄膜を得ることができる。以下、本発明を図面を用い
て詳細に説明する。
低ドナー濃度、高移動度を持つ高品質ｐ型ＧａＡｓ単結
晶薄膜を得ることができる。以下、本発明を図面を用い
て詳細に説明する。
第３図にＭＯＭＢＥ装置の概念図を示す。高真空に保た
れた真空容器５内にＧａＡｓ基板６を置く。
れた真空容器５内にＧａＡｓ基板６を置く。
該基板６の温度は室温から８００℃まで設定可能である
。ＭＯＭＢＥ法では多くの場合、Ｇａの原料としてＴＥ
Ｇを用いる。ＴＥＧ９のボンベは記載されていない恒温
溝内で１２°〜４０℃の温度に保たれており、該温度と
ニードルバルブ８でその流量を調節する。通常、エピタ
キシャル成長は成長速度が基板表面近傍のＴＥＧ分圧に
比例する基板温度領域で成長させる。本発明の場合、Ｔ
ＥＧ９の供給量は成長速度が０．５〜１．０μｍ／時に
なるようにその分圧を１〜２ ×１０−５Ｔｏｒｒにし
ている。
。ＭＯＭＢＥ法では多くの場合、Ｇａの原料としてＴＥ
Ｇを用いる。ＴＥＧ９のボンベは記載されていない恒温
溝内で１２°〜４０℃の温度に保たれており、該温度と
ニードルバルブ８でその流量を調節する。通常、エピタ
キシャル成長は成長速度が基板表面近傍のＴＥＧ分圧に
比例する基板温度領域で成長させる。本発明の場合、Ｔ
ＥＧ９の供給量は成長速度が０．５〜１．０μｍ／時に
なるようにその分圧を１〜２ ×１０−５Ｔｏｒｒにし
ている。
砒素原料として金属砒素を用いる場合には、通常の〜ｉ
ＢＥ法と同じようにクヌードセンセルに砒素７を入れ加
熱蒸発させる。
ＢＥ法と同じようにクヌードセンセルに砒素７を入れ加
熱蒸発させる。
このような通常のＭＯＭＢＥ、に対し、本発明では更に
別途ノズルから水素１１を導入しその効果を調べた。第
１図に水素分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ。
別途ノズルから水素１１を導入しその効果を調べた。第
１図に水素分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ。
砒素分圧がＴＥＧ分圧の１０倍の条件下でエピタキシャ
ル成長したＧａＡｓのフォトルミネッセンススペクトル
を示す。水素を導入しない場合を第１図上部に、水素を
導入した場合を第１図下部に示す。
ル成長したＧａＡｓのフォトルミネッセンススペクトル
を示す。水素を導入しない場合を第１図上部に、水素を
導入した場合を第１図下部に示す。
第１図におけるピーク１はドナーに捕らえられたエキシ
トン発光、ピーク２はアクセプターに捕らえられたエキ
シトン発光、ピーク３は伝導帯−アクセブタ−発光、ピ
ーク４はドナーアクセプター発光に対応している。第１
図から水素を導入した場合、ドナー不純物に対応した信
号Ｌ４の強度が減少している事がわかる。即ち、ドナー
不純物濃度が明らかに減少している。また、絶対温度７
７ｃＫにおけるホール効果の測定から該試料の正孔移動
度は水素導入のない場合２８００ｃｉ／Ｖｓｅｃ、水素
を導入した場合３７００ ｃｆｆｌ／Ｖｓｅｃとなり、
水素導入によって大幅に向上することがわかった。これ
らの効果は水素導入量がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上
で顕著にあられれるようになる。しかし水素分圧が５
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上になると、成長速度の低下や
電子線回折測定が困難になりＭ ＯＭＢＥ法の長所を失
する。従って、水素分圧の最適範囲は１〜５ Ｘ １０
−４Ｔｏｒｒとなる。
トン発光、ピーク２はアクセプターに捕らえられたエキ
シトン発光、ピーク３は伝導帯−アクセブタ−発光、ピ
ーク４はドナーアクセプター発光に対応している。第１
図から水素を導入した場合、ドナー不純物に対応した信
号Ｌ４の強度が減少している事がわかる。即ち、ドナー
不純物濃度が明らかに減少している。また、絶対温度７
７ｃＫにおけるホール効果の測定から該試料の正孔移動
度は水素導入のない場合２８００ｃｉ／Ｖｓｅｃ、水素
を導入した場合３７００ ｃｆｆｌ／Ｖｓｅｃとなり、
水素導入によって大幅に向上することがわかった。これ
らの効果は水素導入量がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上
で顕著にあられれるようになる。しかし水素分圧が５
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上になると、成長速度の低下や
電子線回折測定が困難になりＭ ＯＭＢＥ法の長所を失
する。従って、水素分圧の最適範囲は１〜５ Ｘ １０
−４Ｔｏｒｒとなる。
一方、砒素原料に第３図ＡＳＨ３１０を使用した場合、
該ＡＳＨ３は真空中９００℃でＡＳＨｆｆを加熱分解さ
れ砒素分子ビームと水素分子ビームに分けられる。この
場合には第３図水素１１は導入しない。
該ＡＳＨ３は真空中９００℃でＡＳＨｆｆを加熱分解さ
れ砒素分子ビームと水素分子ビームに分けられる。この
場合には第３図水素１１は導入しない。
該ＡｓＨ３による水素分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ
以上になるとドナー不純物密度が減少し、かつ正孔移動
度が増大する。第２図にドナーに関与したフォトルミネ
ッセンス強度とアクセプターに関与したそれとの比Ｉｌ
／Ｉ２の該水素分圧依存性を示す。該水素分圧が１×１
０−４Ｔｏｒｒ以上になるとドナー不純物密度が減少す
ることがわかる。一方、該水素分圧が５ Ｘ １０−４
Ｔｏｒｒ以上になるとＡｓ分圧の増大によるものと思わ
れる欠陥が増加し始めることおよび電子線回折測定が困
難になるなどのＭ ＯＭ ＢＥの長所を失する。従って
、該水素分圧１〜５×１０−４Ｔｏｒｒが成長の最適範
囲を与える。
以上になるとドナー不純物密度が減少し、かつ正孔移動
度が増大する。第２図にドナーに関与したフォトルミネ
ッセンス強度とアクセプターに関与したそれとの比Ｉｌ
／Ｉ２の該水素分圧依存性を示す。該水素分圧が１×１
０−４Ｔｏｒｒ以上になるとドナー不純物密度が減少す
ることがわかる。一方、該水素分圧が５ Ｘ １０−４
Ｔｏｒｒ以上になるとＡｓ分圧の増大によるものと思わ
れる欠陥が増加し始めることおよび電子線回折測定が困
難になるなどのＭ ＯＭ ＢＥの長所を失する。従って
、該水素分圧１〜５×１０−４Ｔｏｒｒが成長の最適範
囲を与える。
〔実施例１〕
ＭＯＭＢＥ装置における成長容器内の真空度を５ Ｘ
１０−１１Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した後、前
記真空容器５内に前記ＧａＡｓ基板６を設置する。
１０−１１Ｔｏｒｒ以下になるまで真空排気した後、前
記真空容器５内に前記ＧａＡｓ基板６を設置する。
該基板は有機洗浄後、硫酸系のエツチング液で表面処理
が施されている。砒素原料として前記金属砒素７を用い
、これを加熱して砒素分子ビームの分圧が基板表面近傍
で２ Ｘ ｌ Ｏ−４Ｔｏｒｒになるようにする。該ビ
ームを基板に照射しながら基板温度５００℃まで上昇さ
せた後、前記ＴＥＧ９をその分圧が基板表面近傍で２
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒになる量だけ前記真空容器５内に
導入し、Ｇ ａ Ａ Ｓのエピタキシャル成長を行なう
。この場合の成長速度はほぼ１μｍ７時である。
が施されている。砒素原料として前記金属砒素７を用い
、これを加熱して砒素分子ビームの分圧が基板表面近傍
で２ Ｘ ｌ Ｏ−４Ｔｏｒｒになるようにする。該ビ
ームを基板に照射しながら基板温度５００℃まで上昇さ
せた後、前記ＴＥＧ９をその分圧が基板表面近傍で２
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒになる量だけ前記真空容器５内に
導入し、Ｇ ａ Ａ Ｓのエピタキシャル成長を行なう
。この場合の成長速度はほぼ１μｍ７時である。
第１図はこのようにして製作したｐ型ＧａＡｓの絶対温
度２０ ｅｌＫにおけるフォトルミネッセンススペクト
ルである。図上部に水素を導入していない場合、図下部
に水素をその分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒとなるよ
うに制御して成長した場合に得られるＧａＡｓのスペク
トルを示している。両スペクトルの比較からドナー不純
物に関与した信号１．４０強度が水素の導入によって減
少していることがわかる。また、両者試料について絶対
温度７７°にで測定したキャリヤー濃度と移動度は水素
を導入しない場合にはそれぞれ１．２ Ｘ １０ ”ａ
ｍ−”、２８００ｃａｔ ／ Ｖ ｓ、水素を・導入し
た場合には、それぞれ２．ＩＸ １０ ”ｃｍ””、３
７００ｃｒｌ／ｖＳとなり、水素導入によって移動度の
大幅な改善が認められた。これはドナー不純物濃度の低
下によって、ドナーとアクセプターの補償度が小さくな
り不純物によるキャリヤーの散乱が減少したためである
。
度２０ ｅｌＫにおけるフォトルミネッセンススペクト
ルである。図上部に水素を導入していない場合、図下部
に水素をその分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒとなるよ
うに制御して成長した場合に得られるＧａＡｓのスペク
トルを示している。両スペクトルの比較からドナー不純
物に関与した信号１．４０強度が水素の導入によって減
少していることがわかる。また、両者試料について絶対
温度７７°にで測定したキャリヤー濃度と移動度は水素
を導入しない場合にはそれぞれ１．２ Ｘ １０ ”ａ
ｍ−”、２８００ｃａｔ ／ Ｖ ｓ、水素を・導入し
た場合には、それぞれ２．ＩＸ １０ ”ｃｍ””、３
７００ｃｒｌ／ｖＳとなり、水素導入によって移動度の
大幅な改善が認められた。これはドナー不純物濃度の低
下によって、ドナーとアクセプターの補償度が小さくな
り不純物によるキャリヤーの散乱が減少したためである
。
〔実施例２〕
実施例１において前記金属砒素７の代わり：こＡｓＨ３
１０を導入した。導入直後に該、へｓ Ｈ３を９００℃
で熱分解させ砒素と水素の水素のビームに分解する。従
って、この場合には水素は自動的に成長チャンバー内に
導入されていることになる。
１０を導入した。導入直後に該、へｓ Ｈ３を９００℃
で熱分解させ砒素と水素の水素のビームに分解する。従
って、この場合には水素は自動的に成長チャンバー内に
導入されていることになる。
第２図にこのようにしてエピタキシャル成長したＧ ａ
Ａ Ｓのドナーとアクセプタに関与したフォトルミネ
ッセンス強度比１．／Ｉ２の水素分圧依存性を示す。該
強度比はＡｓ Ｈ３導入量すなわち水素分圧の増加とと
もに減少し、ドナー不純物濃度が該水素分圧の増加にと
もなって減少していることを示している。本効果は水素
分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上で顕著に現われて
いる。また、水素分圧を２×１０−４Ｔｏｒｒにおいて
製作した試料で室温における正孔移動度が４００ ｃ！
Ｉｌ／Ｖｓという高い値が得られた。
Ａ Ｓのドナーとアクセプタに関与したフォトルミネ
ッセンス強度比１．／Ｉ２の水素分圧依存性を示す。該
強度比はＡｓ Ｈ３導入量すなわち水素分圧の増加とと
もに減少し、ドナー不純物濃度が該水素分圧の増加にと
もなって減少していることを示している。本効果は水素
分圧がＩ Ｘ １０−４Ｔｏｒｒ以上で顕著に現われて
いる。また、水素分圧を２×１０−４Ｔｏｒｒにおいて
製作した試料で室温における正孔移動度が４００ ｃ！
Ｉｌ／Ｖｓという高い値が得られた。
以上説明したようにＭＯＭＢＥを用いてＧａＡｓをエピ
タキシャル成長させる場合において、水素分圧が１〜５
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒの範囲で成長させると高品質の
Ｇ ａ 、Ａ ｓ単結晶が得られることがわかった。従
って、該Ｇ ａ 、Ａ Ｓを用いた化合物半導体装置の
スイッチング速度や周波数特性および信号／雑音特性等
の特性向上が期待できる。
タキシャル成長させる場合において、水素分圧が１〜５
Ｘ １０−４Ｔｏｒｒの範囲で成長させると高品質の
Ｇ ａ 、Ａ ｓ単結晶が得られることがわかった。従
って、該Ｇ ａ 、Ａ Ｓを用いた化合物半導体装置の
スイッチング速度や周波数特性および信号／雑音特性等
の特性向上が期待できる。
第１図は波長領域が８１５〜８３５ｎｍにおけるＧａＡ
ｓのフォトルミネッセンススペクトルである。 上部に水素を導入しない場合、下部に水素を導入した場
合を示している。第２図はドナーとアクセプターに関与
したフォトルミネッセンス強度の水素分圧依存性を示す
。１．、Ｉ２はそれぞれ第１図における１、２のピーク
の大きさに対応している。 第３図：よＭＯＭＢＥ装置の概略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１） ドナーに捕らえられたエキシトン発光（２）
アクセプターに捕らえられたエキシトン発光（３）伝導
帯−アクセブタ−発光（４）ドナー−アクセプター発光
（５）真空容器（６） ＧａＡｓ基板（７）金属砒素（
８）ニードルバルブ（９）ＴＥＧ（１０）ＡＳＨ３（１
１）水素。 図面の浄書（内容に変更なし） 笛 １ 図 第 ３ 図 第 ２ 図 水素分圧（ｘｌ○−４Ｔｏｒｒ） 手続補正書（方式） ６３．９．２７ １、事件の表示 昭和６３年特許願第１１６４７８号
２、発明の名称 砒化ガリウムエピタキシャル成長方
法３、補正をする者 事件との関係 出願人 名称 （６７９）理化学研究所 同 （６６５）新日本製鐵株式会社４、代理人
ｓのフォトルミネッセンススペクトルである。 上部に水素を導入しない場合、下部に水素を導入した場
合を示している。第２図はドナーとアクセプターに関与
したフォトルミネッセンス強度の水素分圧依存性を示す
。１．、Ｉ２はそれぞれ第１図における１、２のピーク
の大きさに対応している。 第３図：よＭＯＭＢＥ装置の概略図である。 図中の記号は以下の通りである。 （１） ドナーに捕らえられたエキシトン発光（２）
アクセプターに捕らえられたエキシトン発光（３）伝導
帯−アクセブタ−発光（４）ドナー−アクセプター発光
（５）真空容器（６） ＧａＡｓ基板（７）金属砒素（
８）ニードルバルブ（９）ＴＥＧ（１０）ＡＳＨ３（１
１）水素。 図面の浄書（内容に変更なし） 笛 １ 図 第 ３ 図 第 ２ 図 水素分圧（ｘｌ○−４Ｔｏｒｒ） 手続補正書（方式） ６３．９．２７ １、事件の表示 昭和６３年特許願第１１６４７８号
２、発明の名称 砒化ガリウムエピタキシャル成長方
法３、補正をする者 事件との関係 出願人 名称 （６７９）理化学研究所 同 （６６５）新日本製鐵株式会社４、代理人
Claims (2)
- （１）反応容器中の真空度を５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒ
以上となし、該反応容器中にトリエチルガリウム（（Ｃ
＿２Ｈ＿５）＿３Ｇａ、以下ＴＥＧ）と金属砒素を用い
て砒化ガリウム（以下、ＧａＡｓ）をエピタキシャル成
長させるＭＯＭＢＥ法において、前記反応容器中に水素
ガスを導入し、該水素ガスの分圧が１〜５×１０＾−＾
４Ｔｏｒｒとなるように制御することを特徴とする砒化
ガリウムエピタキシャル成長方法。 - （２）反応容器中の真空度を５×１０＾−＾４Ｔｏｒｒ
以上となし、該反応容器中にトリエチルガリウム（（Ｃ
＿２Ｈ＿３）＿３Ｇａ、以下ＴＥＧ）とアルシン（Ａｓ
Ｈ＿３）を用いて砒化ガリウム（ＧａＡｓ）をエピタキ
シャル成長させるＭＯＭＢＥ法において、前記反応容器
中の前記ＡｓＨ＿３から生成される水素分圧を１〜５×
１０＾−＾４Ｔｏｒｒに保つようにＡＳＨ＿３ガス導入
量を制御することを特徴とする砒化ガリウムエピタキシ
ャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11647888A JPH01286999A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 砒化ガリウムエピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11647888A JPH01286999A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 砒化ガリウムエピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286999A true JPH01286999A (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14688101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11647888A Pending JPH01286999A (ja) | 1988-05-13 | 1988-05-13 | 砒化ガリウムエピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01286999A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0870170A2 (en) * | 1995-12-24 | 1998-10-14 | Dan Haronian | Micro-electro-mechanics systems (mems) |
| WO2004069923A1 (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-19 | Kaneka Corporation | 重合体及び貯蔵安定性が改善された硬化性組成物 |
-
1988
- 1988-05-13 JP JP11647888A patent/JPH01286999A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0870170A2 (en) * | 1995-12-24 | 1998-10-14 | Dan Haronian | Micro-electro-mechanics systems (mems) |
| EP0870170A4 (en) * | 1995-12-24 | 2000-01-12 | Dan Haronian | MICRO-ELECTROMECHANICAL SYSTEMS (MEMS) |
| WO2004069923A1 (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-19 | Kaneka Corporation | 重合体及び貯蔵安定性が改善された硬化性組成物 |
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