JPH01282801A - 薄膜感温体 - Google Patents
薄膜感温体Info
- Publication number
- JPH01282801A JPH01282801A JP11192288A JP11192288A JPH01282801A JP H01282801 A JPH01282801 A JP H01282801A JP 11192288 A JP11192288 A JP 11192288A JP 11192288 A JP11192288 A JP 11192288A JP H01282801 A JPH01282801 A JP H01282801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- temperature
- liquid crystal
- thin
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- -1 etc. Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 49
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[産業上の利用分野]
本発明は、基板上に形成された薄膜感温体に関する。
〔従来の技術]
従来、基板上に形成された薄膜感温体としては、第2図
に示されるような構造のものが知られていた。第2図に
おいて、3は下ガラス基板であり、その下側の面に透明
薄膜感温体2がメツキ、スパッタ、蒸着等の方法で形成
しである。透明薄膜感温体は、極く薄い金属又は、金属
酸化物あるいはそれらの合金が一般的である。下ガラス
基板3のもう片側には遮光膜4が画素以外の部分に形成
されている。この上に絶縁膜5が形成され、さらにその
上に画素駆動用の透明電極4が形成され、さらに配向膜
7が形成されている。8は液晶であり、さらに下ガラス
基板に対向して配向膜7、透明電極6が9の上ガラス基
板9上に形成されている。11はパネルシールであって
液晶8が基板外に漏れるのを防止すると同時に、上下ガ
ラス基板間の間隔を一定にする働きをしている。10は
上偏光板、1は下偏光板であり、液晶8が通常のTN液
晶の場合は、偏光方向が90°ずらして設置されている
。このように、薄膜感温体は、通常の液晶表示装置の液
晶設置面とは逆の基板上に透明な金属が被着されている
ような構造が知られていた。 [発明が解決しようとする課題] しかし、従来の薄膜感温体は、ガラス基板上に形成され
た他の目的回路、例えば液晶駆動回路とは逆の面に形成
されていたので、基板上への薄膜形成という一つの工程
をわざわざ行なわねばならず、そのため製造コストが上
昇し、結果的に従来の薄膜感温体を用いたシステム全体
のコストが上昇してしまうという問題点を有していた。 このような問題点を解決するため、本発明の薄膜感温体
では、ガラス基板上へ薄膜感温体を形成する専用の工程
を廃止し、製造コストを低減し、ひいては、安価な薄膜
感温体を用いたシステムを得られるような薄膜感温体を
得ることを目的としている。 〔課題を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため、本発明の薄膜感温体では、
基板と、前記基板上に被着せしめた金属薄膜とから成る
薄膜感温体において、前記金属薄膜は前記基板上に形成
された遮光膜であることを特徴としている。
に示されるような構造のものが知られていた。第2図に
おいて、3は下ガラス基板であり、その下側の面に透明
薄膜感温体2がメツキ、スパッタ、蒸着等の方法で形成
しである。透明薄膜感温体は、極く薄い金属又は、金属
酸化物あるいはそれらの合金が一般的である。下ガラス
基板3のもう片側には遮光膜4が画素以外の部分に形成
されている。この上に絶縁膜5が形成され、さらにその
上に画素駆動用の透明電極4が形成され、さらに配向膜
7が形成されている。8は液晶であり、さらに下ガラス
基板に対向して配向膜7、透明電極6が9の上ガラス基
板9上に形成されている。11はパネルシールであって
液晶8が基板外に漏れるのを防止すると同時に、上下ガ
ラス基板間の間隔を一定にする働きをしている。10は
上偏光板、1は下偏光板であり、液晶8が通常のTN液
晶の場合は、偏光方向が90°ずらして設置されている
。このように、薄膜感温体は、通常の液晶表示装置の液
晶設置面とは逆の基板上に透明な金属が被着されている
ような構造が知られていた。 [発明が解決しようとする課題] しかし、従来の薄膜感温体は、ガラス基板上に形成され
た他の目的回路、例えば液晶駆動回路とは逆の面に形成
されていたので、基板上への薄膜形成という一つの工程
をわざわざ行なわねばならず、そのため製造コストが上
昇し、結果的に従来の薄膜感温体を用いたシステム全体
のコストが上昇してしまうという問題点を有していた。 このような問題点を解決するため、本発明の薄膜感温体
では、ガラス基板上へ薄膜感温体を形成する専用の工程
を廃止し、製造コストを低減し、ひいては、安価な薄膜
感温体を用いたシステムを得られるような薄膜感温体を
得ることを目的としている。 〔課題を解決するための手段〕 上記問題点を解決するため、本発明の薄膜感温体では、
基板と、前記基板上に被着せしめた金属薄膜とから成る
薄膜感温体において、前記金属薄膜は前記基板上に形成
された遮光膜であることを特徴としている。
基板上に形成された遮光膜は金属薄膜である。
金属薄膜は一般的に温度変化に対してそれ自身の持つ抵
抗値が単調に変化する。従って、事前に温度と遮光膜の
抵抗値の関係を測定しておけば、基板が放置されている
環境の温度は、その時の遮光膜の抵抗値を測定すれば、
先の温度〜抵抗の関係から逆算して測定することができ
る。 〔実 施 例〕 以下に本発明の実施例を図面に基き、詳細に説明する。 第1図は、本発明の薄膜感温体を用いた液晶表示装置の
断面図である。第1図において、3は下ガラス基板であ
り、その上面に遮光膜兼薄膜感温体12がメツキ、スパ
ッタ、蒸着、CVD、塗布等の方法で形成している。薄
膜の材料としては、Ni、Cr、Ta、AJ2等の金属
や、ITO等のような金属酸化物が一般的であるが、そ
れらを多層に重ねて形成したり、あるいは、有機系の導
電性膜でも良い、遮光膜として機能するように、光を透
過しない程度には厚く形成する必要がある。 この遮光膜兼薄膜感温体は、画素以外の部分に形成され
ているが、この遮光膜を形成する理由は画素に関係ない
部分の光を遮断し、光を画素部分のみに透過させること
により迷光を無くし、見かけ上の画面のコントラストを
上げるためである。この上に、ポリイミド、アクリル系
樹脂、シラン系化合物等で絶縁1l15が形成され、さ
らにその上にITO等で画素駆動用の透明電極6が形成
され、さらに配向膜7がポリイミド等で形成されている
。8は液晶であり、さらに下ガラス基板3に対向して配
向膜7、透明電極6が9の上ガラス基板上に形成されて
いる。11はパネルシールであり、液晶8が基板外に漏
れるのを防止すると同時に、上下ガラス基板間の間隔を
一定にする働きをしている。10は上偏光板、lは下偏
光板であり、液晶6が通常のTN液晶の場合は偏光方向
が90°ずれるように設置しである。このように本発明
の薄膜感温体は、通常の液晶表示装置の基板上に形成さ
れた遮光膜な兼ねるような構造となっているのである。 第3図は、第1図の液晶表示装置の偏光板を取りはずし
、下ガラス基板側から液晶表示装置を見た平面図である
。3は、下ガラス基板であり、その上に遮光膜兼薄膜感
温体12が形成されている。これは、薄膜被着後、フォ
トリングラフ法によって画素13の薄膜のみを部分的に
エツチングして、ガラス基板表面を露出させてあり、画
素部分のみに光が透過するようになっている。 さて、実際の温度の測定は5次の手順で行われる。第1
図又は第3図の■、0間の抵抗と温度の関係を測定する
6次に、液晶表示装置を測定したい雰囲気中に放置し、
■、0間の抵抗を測定し、先に測定した抵抗と温度の関
係を用いて、抵抗値を温度−に換算すれば良い。 ■、0間の抵抗と温度の関係は、用いる薄膜感温体の材
質、厚さ、面積、長さ、形状など、様々な影響を受ける
が、実際の装置ではこれらの諸量は一定となり第10図
に示されるように、温度と抵抗値は、一対一対応の関係
となるから、その時の抵抗値を温度に変換することが可
能になるのである。第10図は、薄膜感温体をNiで形
成した際に得られた、温度と薄膜感温体の抵抗の関係を
示す図の一例である。 次に、この測定された温度情報の応用例について述べる
。第4図は、先に述べた本発明の薄膜感温体を用いた液
晶表示装置の駆動回路を示すブロック図である。入力信
号は、時分割駆動回路23によって、縦側の信号と横倒
の信号に時系列的に分離整形され、各々縦側液晶駆動回
路21、及び横側液晶駆動回路22に送られ、それらに
よって、液晶表示板20が駆動され、表示したい画像情
報として表示される。液晶表示板20の温度情報は、遮
光膜兼薄膜感温体12によって抵抗値、すなわち電気的
情報に変換される。この電気的情報は温度検出回路24
によって可変電源回路25の制御情報となり、結局、縦
側液晶駆動回路21と横側液晶駆動回路22の液晶駆動
電圧が可変する。 これは、温度によって液晶表示装置のコントラスト比と
液晶駆動電圧との関係が第6図で示されるように変化す
るので、常にコン・トラスト比を最大に保って液晶表示
装置を駆動するためには、その時の温度に応じた液晶駆
動電圧で液晶表示板を駆動する必要があるためである。 一般に高温になれば、最大コントラスト比を得るための
液晶駆動電圧は低下することが知られている。 このように、液晶表示板の駆動電圧を変化させるために
は、第5図で示されるような回路を用いれば良い、すな
わち、遮光膜兼薄膜感温体12で電圧に変換された温度
情報信号は、温度検出回路24で増幅され、可変電源回
路25を駆動し、最終的に液晶表示板の駆動電圧となる
。この場合、遮光膜兼薄膜感温体12は、第10図とは
逆に温度が上がると抵抗が下がる特性を持つ物を用いる
。ここで、液晶表示体の温度が下がった場合について考
える。遮光膜兼薄膜感温体12の抵抗は上がるので、a
点の電位は降下する。すると温度検出回路24のトラン
ジスターのベース電流は減少し、エミッタ〜コレクタ間
に流れる電流も減少する。すると可変電源回路25中の
トランジスターのベース電流が減少しエミッタ〜コレク
タ間に流れる電流も減少する。それにつれて、b点の電
位は上昇し、液晶表示板の駆動電圧も上昇する。 このようにして、結局、液晶表示装置が低温になれば、
液晶表示板の駆動電圧は上昇し、第6図に示されるコン
トラスト比を最大に得られるように液晶駆動電圧は自動
的に制御されるのである。遮光膜兼薄膜感温体にNiの
ように、温度が上昇すれば抵抗も上昇する物を用いた場
合は、第5図中の温度検出回路にインバーターを付加す
れば良い。 次に、本発明の薄膜感温体をイメージセンサに応用した
例について述べる。第7図は、本発明の薄膜感温体を用
いたイメージセンサの断面図である。30はガラス基板
であり、その上面の両端に遮光膜兼薄膜感温体12が形
成され、中心には形成されておらず、ガラス基板側から
の入射光はここだけを通って、さらに上部に形成されて
いる、フォトダイオードへ到達する。遮光膜兼薄膜感温
体12上には、ITOif極32、n−aSi層33、
i−αS1層34、p−αSi層35、ITO1l極3
2の順で膜が形成されており、これらの膜によってα−
3iのpinフォトダイオードが形成されている。不要
な入射光は、遮光膜兼薄膜感温体12によって遮光され
、必要な入射光のみがフォトダイオードで光電変換され
る。迷光すなわちノイズは、カットされるためフォトダ
イオードのS/N比は向上する。36は絶縁樹脂であり
、イメージセンサの耐湿性を向上するために、イメージ
センサの最外部を覆っている。遮光膜兼薄膜感温体12
の■、0間の抵抗値を測定することにより、イメージセ
ンサが放置されている環境の温度を測定することができ
る。遮光膜兼薄膜感温体12の材料、形成方法、測定原
理等は前述の液晶表示体装置の実施例中で述べた内容と
同一である。 さて、このイメージセンサ中に形成された薄膜感温体に
よって測定された温度情報を用いた応用例について述べ
る。−射的に、フォトダイオードの曙光電変換出力電流
と温度の関係は第9図のようになることが知られている
。すなわち、温度が上昇すれば、それにつれて暗光電出
力電流も増加するのである。従って、イメージセンサへ
の入射光量があたかも変化しているかのような出力とな
るのである。これを防止するためには、第8図で示され
るような方法が考^られる。第8図は本発明による薄膜
感温体を用いたイメージセンサのブロック図である。入
射光は39の光電変換素子で光電変換される。この信号
は、駆動信号により駆動される時分割駆動回路23によ
って得られる目的の時系列パルスで駆動される光電変換
素子駆動回路37により、順次光電変換情報として増幅
回路38で増幅され、光電変換出力信号となり出力され
る。遮光膜兼薄膜感温体12は温度検出回路24に接続
されている。さらにその出力は、増幅回路38中のゲイ
ン可変回路へ接続されている。 一般に、イメージセンサは温度が上昇すれば光電変換出
力信号も増加するため、遮光膜兼薄膜感温体12による
温度上昇信号に対して温度検出回路24により増幅回路
38のゲイン、あるいはオフセットを低下させるような
回路構成とする。温度検出回路は、前述の液晶表示装置
の実施例中で用いたものと同様のものを用いればよく、
ゲインを可変できる増幅器は、オペアンプの帰還抵抗値
を変化させる等、オフセットを可変できる増幅器はオペ
アンプの差動入力端子へ加える電圧を変化させる等、公
知の技術を用いれば良い、このようにして、温度が変化
しても出力が変動しないイメージセンサを形成すること
ができる。 以上、薄膜感温体の実施例として、これを制御に応用す
る例を中心に述べてきたが、薄膜感温体による温度情報
を制御に用いるだけでなく、例えばそのまま、温度情報
を液晶表示板に表示させるものとしても良い。 〔発明の効果〕 以上述べてきたように、本発明の薄膜感温体では、薄膜
感温体を遮光膜と兼ねる構造としたので以下の効果を持
つ。 (1)、薄膜感温体は、遮光膜を形成する時、同時に形
成されてしまうため、薄膜感温体を形成するプロセスが
別に必要なく、安価に薄膜感温体を形成することができ
、ひいては、本発明の薄膜感温体を用いたシステムのコ
ストが安価になる。 (2)、薄膜感温体は、基板の機能素子側の面に形成で
きるため、機能素子の温度を直接、リアルタイムで検出
することができるため、機能素子のより精細で正確な温
度情報を得ることができる。 (3)、薄膜感温体は、基板の内面、すなわち外部の雰
囲気にさらされない面に形成できるために、外部雰囲気
の影響を受けない、高耐環境性を賦与することができる
。 (4)、薄膜感温体は、遮光膜であるから、透明性等は
必要ないため、形成しやすい金属物質を用いることがで
き、用いる金属物質の選択の幅が広がる。
抗値が単調に変化する。従って、事前に温度と遮光膜の
抵抗値の関係を測定しておけば、基板が放置されている
環境の温度は、その時の遮光膜の抵抗値を測定すれば、
先の温度〜抵抗の関係から逆算して測定することができ
る。 〔実 施 例〕 以下に本発明の実施例を図面に基き、詳細に説明する。 第1図は、本発明の薄膜感温体を用いた液晶表示装置の
断面図である。第1図において、3は下ガラス基板であ
り、その上面に遮光膜兼薄膜感温体12がメツキ、スパ
ッタ、蒸着、CVD、塗布等の方法で形成している。薄
膜の材料としては、Ni、Cr、Ta、AJ2等の金属
や、ITO等のような金属酸化物が一般的であるが、そ
れらを多層に重ねて形成したり、あるいは、有機系の導
電性膜でも良い、遮光膜として機能するように、光を透
過しない程度には厚く形成する必要がある。 この遮光膜兼薄膜感温体は、画素以外の部分に形成され
ているが、この遮光膜を形成する理由は画素に関係ない
部分の光を遮断し、光を画素部分のみに透過させること
により迷光を無くし、見かけ上の画面のコントラストを
上げるためである。この上に、ポリイミド、アクリル系
樹脂、シラン系化合物等で絶縁1l15が形成され、さ
らにその上にITO等で画素駆動用の透明電極6が形成
され、さらに配向膜7がポリイミド等で形成されている
。8は液晶であり、さらに下ガラス基板3に対向して配
向膜7、透明電極6が9の上ガラス基板上に形成されて
いる。11はパネルシールであり、液晶8が基板外に漏
れるのを防止すると同時に、上下ガラス基板間の間隔を
一定にする働きをしている。10は上偏光板、lは下偏
光板であり、液晶6が通常のTN液晶の場合は偏光方向
が90°ずれるように設置しである。このように本発明
の薄膜感温体は、通常の液晶表示装置の基板上に形成さ
れた遮光膜な兼ねるような構造となっているのである。 第3図は、第1図の液晶表示装置の偏光板を取りはずし
、下ガラス基板側から液晶表示装置を見た平面図である
。3は、下ガラス基板であり、その上に遮光膜兼薄膜感
温体12が形成されている。これは、薄膜被着後、フォ
トリングラフ法によって画素13の薄膜のみを部分的に
エツチングして、ガラス基板表面を露出させてあり、画
素部分のみに光が透過するようになっている。 さて、実際の温度の測定は5次の手順で行われる。第1
図又は第3図の■、0間の抵抗と温度の関係を測定する
6次に、液晶表示装置を測定したい雰囲気中に放置し、
■、0間の抵抗を測定し、先に測定した抵抗と温度の関
係を用いて、抵抗値を温度−に換算すれば良い。 ■、0間の抵抗と温度の関係は、用いる薄膜感温体の材
質、厚さ、面積、長さ、形状など、様々な影響を受ける
が、実際の装置ではこれらの諸量は一定となり第10図
に示されるように、温度と抵抗値は、一対一対応の関係
となるから、その時の抵抗値を温度に変換することが可
能になるのである。第10図は、薄膜感温体をNiで形
成した際に得られた、温度と薄膜感温体の抵抗の関係を
示す図の一例である。 次に、この測定された温度情報の応用例について述べる
。第4図は、先に述べた本発明の薄膜感温体を用いた液
晶表示装置の駆動回路を示すブロック図である。入力信
号は、時分割駆動回路23によって、縦側の信号と横倒
の信号に時系列的に分離整形され、各々縦側液晶駆動回
路21、及び横側液晶駆動回路22に送られ、それらに
よって、液晶表示板20が駆動され、表示したい画像情
報として表示される。液晶表示板20の温度情報は、遮
光膜兼薄膜感温体12によって抵抗値、すなわち電気的
情報に変換される。この電気的情報は温度検出回路24
によって可変電源回路25の制御情報となり、結局、縦
側液晶駆動回路21と横側液晶駆動回路22の液晶駆動
電圧が可変する。 これは、温度によって液晶表示装置のコントラスト比と
液晶駆動電圧との関係が第6図で示されるように変化す
るので、常にコン・トラスト比を最大に保って液晶表示
装置を駆動するためには、その時の温度に応じた液晶駆
動電圧で液晶表示板を駆動する必要があるためである。 一般に高温になれば、最大コントラスト比を得るための
液晶駆動電圧は低下することが知られている。 このように、液晶表示板の駆動電圧を変化させるために
は、第5図で示されるような回路を用いれば良い、すな
わち、遮光膜兼薄膜感温体12で電圧に変換された温度
情報信号は、温度検出回路24で増幅され、可変電源回
路25を駆動し、最終的に液晶表示板の駆動電圧となる
。この場合、遮光膜兼薄膜感温体12は、第10図とは
逆に温度が上がると抵抗が下がる特性を持つ物を用いる
。ここで、液晶表示体の温度が下がった場合について考
える。遮光膜兼薄膜感温体12の抵抗は上がるので、a
点の電位は降下する。すると温度検出回路24のトラン
ジスターのベース電流は減少し、エミッタ〜コレクタ間
に流れる電流も減少する。すると可変電源回路25中の
トランジスターのベース電流が減少しエミッタ〜コレク
タ間に流れる電流も減少する。それにつれて、b点の電
位は上昇し、液晶表示板の駆動電圧も上昇する。 このようにして、結局、液晶表示装置が低温になれば、
液晶表示板の駆動電圧は上昇し、第6図に示されるコン
トラスト比を最大に得られるように液晶駆動電圧は自動
的に制御されるのである。遮光膜兼薄膜感温体にNiの
ように、温度が上昇すれば抵抗も上昇する物を用いた場
合は、第5図中の温度検出回路にインバーターを付加す
れば良い。 次に、本発明の薄膜感温体をイメージセンサに応用した
例について述べる。第7図は、本発明の薄膜感温体を用
いたイメージセンサの断面図である。30はガラス基板
であり、その上面の両端に遮光膜兼薄膜感温体12が形
成され、中心には形成されておらず、ガラス基板側から
の入射光はここだけを通って、さらに上部に形成されて
いる、フォトダイオードへ到達する。遮光膜兼薄膜感温
体12上には、ITOif極32、n−aSi層33、
i−αS1層34、p−αSi層35、ITO1l極3
2の順で膜が形成されており、これらの膜によってα−
3iのpinフォトダイオードが形成されている。不要
な入射光は、遮光膜兼薄膜感温体12によって遮光され
、必要な入射光のみがフォトダイオードで光電変換され
る。迷光すなわちノイズは、カットされるためフォトダ
イオードのS/N比は向上する。36は絶縁樹脂であり
、イメージセンサの耐湿性を向上するために、イメージ
センサの最外部を覆っている。遮光膜兼薄膜感温体12
の■、0間の抵抗値を測定することにより、イメージセ
ンサが放置されている環境の温度を測定することができ
る。遮光膜兼薄膜感温体12の材料、形成方法、測定原
理等は前述の液晶表示体装置の実施例中で述べた内容と
同一である。 さて、このイメージセンサ中に形成された薄膜感温体に
よって測定された温度情報を用いた応用例について述べ
る。−射的に、フォトダイオードの曙光電変換出力電流
と温度の関係は第9図のようになることが知られている
。すなわち、温度が上昇すれば、それにつれて暗光電出
力電流も増加するのである。従って、イメージセンサへ
の入射光量があたかも変化しているかのような出力とな
るのである。これを防止するためには、第8図で示され
るような方法が考^られる。第8図は本発明による薄膜
感温体を用いたイメージセンサのブロック図である。入
射光は39の光電変換素子で光電変換される。この信号
は、駆動信号により駆動される時分割駆動回路23によ
って得られる目的の時系列パルスで駆動される光電変換
素子駆動回路37により、順次光電変換情報として増幅
回路38で増幅され、光電変換出力信号となり出力され
る。遮光膜兼薄膜感温体12は温度検出回路24に接続
されている。さらにその出力は、増幅回路38中のゲイ
ン可変回路へ接続されている。 一般に、イメージセンサは温度が上昇すれば光電変換出
力信号も増加するため、遮光膜兼薄膜感温体12による
温度上昇信号に対して温度検出回路24により増幅回路
38のゲイン、あるいはオフセットを低下させるような
回路構成とする。温度検出回路は、前述の液晶表示装置
の実施例中で用いたものと同様のものを用いればよく、
ゲインを可変できる増幅器は、オペアンプの帰還抵抗値
を変化させる等、オフセットを可変できる増幅器はオペ
アンプの差動入力端子へ加える電圧を変化させる等、公
知の技術を用いれば良い、このようにして、温度が変化
しても出力が変動しないイメージセンサを形成すること
ができる。 以上、薄膜感温体の実施例として、これを制御に応用す
る例を中心に述べてきたが、薄膜感温体による温度情報
を制御に用いるだけでなく、例えばそのまま、温度情報
を液晶表示板に表示させるものとしても良い。 〔発明の効果〕 以上述べてきたように、本発明の薄膜感温体では、薄膜
感温体を遮光膜と兼ねる構造としたので以下の効果を持
つ。 (1)、薄膜感温体は、遮光膜を形成する時、同時に形
成されてしまうため、薄膜感温体を形成するプロセスが
別に必要なく、安価に薄膜感温体を形成することができ
、ひいては、本発明の薄膜感温体を用いたシステムのコ
ストが安価になる。 (2)、薄膜感温体は、基板の機能素子側の面に形成で
きるため、機能素子の温度を直接、リアルタイムで検出
することができるため、機能素子のより精細で正確な温
度情報を得ることができる。 (3)、薄膜感温体は、基板の内面、すなわち外部の雰
囲気にさらされない面に形成できるために、外部雰囲気
の影響を受けない、高耐環境性を賦与することができる
。 (4)、薄膜感温体は、遮光膜であるから、透明性等は
必要ないため、形成しやすい金属物質を用いることがで
き、用いる金属物質の選択の幅が広がる。
第1図は、本発明による薄膜感温体を用いた液晶表示装
置の断面構造図であり、第2図は従来の薄膜感温体を用
いた液晶表示装置の断面構造図である。第3図は、本発
明による薄膜感温体を下ガラス基板側から見た平面図で
あり、第4図は、本発明の薄膜感温体を用いた液晶表示
装置のブロック図であり、第5図は本発明の薄膜感温体
を用いた液晶表示板駆動電圧の可変回路の回路図であり
、第6図は、液晶表示装置の液晶駆動電圧とコントラス
ト比の関係を示す図である。第7図は、本発明の薄膜感
温体を用いたイメージセンサの断面構造図であり、第8
図は、本発明による薄1llI感温体を用いたイメージ
センサのブロック図である。第9図は、イメージセンサ
の温度と照光電変換出力電流の関係を示す図であり、第
1O図は、Niで形成された薄膜感温体の温度と電気抵
抗の関係を示す図である。 1・・・下偏光板 2・・・透明薄膜感温体 3・・・下ガラス基板 4・・・遮光膜 5・・・絶縁膜 6・・・透明電極 7・・・配向膜 8・・・液晶 9・・・上ガラス基板 IO・・・上偏光板 11・・・パネルシール 12・・・遮光膜兼薄膜感温体 13・・・画素 20・・・液晶表示板 21・・・縦側液晶駆動回路 22・・・横側液晶駆動回路 23・・・時分割駆動回路 24・・・温度検出回路 25・・・可変電源回路 30・・・ガラス基板 32・・・ITO電極 33・・・n−aSi層 34・・・1−aSi層 35・・・p−αS1層 36・・・絶縁樹脂 37・・・光電変換素子駆動回路 38・・・増幅回路 39・・・光電変換素子 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(他1名)第2図 指希慇爆廣 第6図 第7図 第8図 第?図 阜10図
置の断面構造図であり、第2図は従来の薄膜感温体を用
いた液晶表示装置の断面構造図である。第3図は、本発
明による薄膜感温体を下ガラス基板側から見た平面図で
あり、第4図は、本発明の薄膜感温体を用いた液晶表示
装置のブロック図であり、第5図は本発明の薄膜感温体
を用いた液晶表示板駆動電圧の可変回路の回路図であり
、第6図は、液晶表示装置の液晶駆動電圧とコントラス
ト比の関係を示す図である。第7図は、本発明の薄膜感
温体を用いたイメージセンサの断面構造図であり、第8
図は、本発明による薄1llI感温体を用いたイメージ
センサのブロック図である。第9図は、イメージセンサ
の温度と照光電変換出力電流の関係を示す図であり、第
1O図は、Niで形成された薄膜感温体の温度と電気抵
抗の関係を示す図である。 1・・・下偏光板 2・・・透明薄膜感温体 3・・・下ガラス基板 4・・・遮光膜 5・・・絶縁膜 6・・・透明電極 7・・・配向膜 8・・・液晶 9・・・上ガラス基板 IO・・・上偏光板 11・・・パネルシール 12・・・遮光膜兼薄膜感温体 13・・・画素 20・・・液晶表示板 21・・・縦側液晶駆動回路 22・・・横側液晶駆動回路 23・・・時分割駆動回路 24・・・温度検出回路 25・・・可変電源回路 30・・・ガラス基板 32・・・ITO電極 33・・・n−aSi層 34・・・1−aSi層 35・・・p−αS1層 36・・・絶縁樹脂 37・・・光電変換素子駆動回路 38・・・増幅回路 39・・・光電変換素子 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上 柳 雅 誉(他1名)第2図 指希慇爆廣 第6図 第7図 第8図 第?図 阜10図
Claims (1)
- 基板と、前記基板上に被着せしめた金属薄膜とから成る
薄膜感温体において、前記金属薄膜は、前記基板上に形
成された遮光膜であることを特徴とする薄膜感温体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11192288A JPH01282801A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 薄膜感温体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11192288A JPH01282801A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 薄膜感温体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01282801A true JPH01282801A (ja) | 1989-11-14 |
Family
ID=14573482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11192288A Pending JPH01282801A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 薄膜感温体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01282801A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7510553B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-03-31 | Terumo Kabushiki Kaisha | Medical energy irradiating apparatus |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11192288A patent/JPH01282801A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7510553B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-03-31 | Terumo Kabushiki Kaisha | Medical energy irradiating apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5719033A (en) | Thin film transistor bio/chemical sensor | |
US3896309A (en) | Radiation detecting device | |
CN101281916B (zh) | 光感测器和显示装置 | |
KR20060084193A (ko) | 센서 및 이를 구비한 박막 트랜지스터 표시판 | |
JPH0429086B2 (ja) | ||
US10684175B2 (en) | Substrate and display device | |
US10558286B2 (en) | Array substrate, touch display panel, and touch display device thereof | |
JPS6337673A (ja) | 半導体圧力センサ | |
US20190004634A1 (en) | Display substrate, display panel and display device | |
KR20010053317A (ko) | 액정 디스플레이 온도 감지 | |
JPH0425764A (ja) | 半導体加速度センサ | |
CN112130357B (zh) | 显示面板、显示面板温度检测方法及显示装置 | |
JPH01282801A (ja) | 薄膜感温体 | |
US5465103A (en) | Display device with coordinate input function | |
JP3998772B2 (ja) | 電気光学装置およびそれが組み込まれた装置 | |
CN107506085B (zh) | 显示基板、显示面板、显示装置及其控制方法 | |
JPH01262679A (ja) | 薄膜感温体 | |
JPS628951B2 (ja) | ||
JP2599354B2 (ja) | 赤外線検出素子 | |
JPH01143257A (ja) | 静電遮蔽膜 | |
JPS59197020A (ja) | 液晶表示装置 | |
Middelhoek et al. | Silicon and Hybrid Micro‐Electronic Sensors | |
CN110307777B (zh) | 一种压感面板及显示装置 | |
JPS63309930A (ja) | 液晶装置 | |
JPH04131829A (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |