JPH01281428A - 強誘電性液晶表示素子 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子Info
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- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 21
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 abstract 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
強誘電性液晶表示素子に関し、
配向むらのない液晶表示素子を作ることを目的とし、
ガラス基板の上に透明電極からなる電極パターンを設け
、この電極パターンの上に配向膜を形成した二枚のガラ
ス基板を配向膜形成面を内側とし、スペーサにより二枚
の基板を一定の間隔に保ち乍ら電極の間隙に強誘電性液
晶を充填した構造をとる液晶表示素子において、配向膜
としてポリエーテルサルファイドを用いて強誘電性液晶
表示素子を構成する。
、この電極パターンの上に配向膜を形成した二枚のガラ
ス基板を配向膜形成面を内側とし、スペーサにより二枚
の基板を一定の間隔に保ち乍ら電極の間隙に強誘電性液
晶を充填した構造をとる液晶表示素子において、配向膜
としてポリエーテルサルファイドを用いて強誘電性液晶
表示素子を構成する。
本発明は強誘電性液晶表示素子に使用する配向膜に関す
る。
る。
液晶表示素子はTN (Twisted Nemati
c)型表示が主流となっている。
c)型表示が主流となっている。
然し、電卓や腕時計のように小面積表示の場合には問題
はないが、画面の縦の画素数が100以上の面積表示に
使用するには次のような問題がある。
はないが、画面の縦の画素数が100以上の面積表示に
使用するには次のような問題がある。
■ コントラストが低下して見にく\なる。
■ 視野角が狭い。
こ\で、■はTN型結晶の印加電圧に対する通過率変化
特性における閾値特性が急峻でないために非表示部が半
表示状態になってしまうためであ仏 また、■は液晶分子が一方向に配列しているために、見
る方向によりコントラストが著しく変化するのである。
特性における閾値特性が急峻でないために非表示部が半
表示状態になってしまうためであ仏 また、■は液晶分子が一方向に配列しているために、見
る方向によりコントラストが著しく変化するのである。
そこで、この改良法として液晶の捩れ角を大きくしてコ
ントラストを上げるS T N (Super Twi
sLed Nematic)型液晶の開発とアクティブ
マトリックス方式の開発などが行われている。
ントラストを上げるS T N (Super Twi
sLed Nematic)型液晶の開発とアクティブ
マトリックス方式の開発などが行われている。
一方、か−るTN表示に代わって大面積表示が可能な強
誘電性液晶(Ferroelectric Liqui
d ’Crystal略称FLC”)を用いた液晶表示
が注目されている。
誘電性液晶(Ferroelectric Liqui
d ’Crystal略称FLC”)を用いた液晶表示
が注目されている。
強誘電性液晶はカイラル・スメクテイックC相(Chi
ral Smectfc C略称Ss C” )を用い
て表示を行うものである。
ral Smectfc C略称Ss C” )を用い
て表示を行うものである。
すなわち、液体のように流動性がありながら規則的な分
子配列をもつ液晶は構造によってネマティック(NeI
Ia t ic)相、コレステリック(Cholest
eric)相、スメクティック(Smeetic)相の
3種類に分類されるが、スメクテインクIg(略称51
1)の特徴は液晶が層構造を示すことで、このS11相
は更にSea A”〜Sm G相の7つの種類に細分さ
れ、強誘電性液晶として表示に利用されるものはSla
C”相と云われるものである。
子配列をもつ液晶は構造によってネマティック(NeI
Ia t ic)相、コレステリック(Cholest
eric)相、スメクティック(Smeetic)相の
3種類に分類されるが、スメクテインクIg(略称51
1)の特徴は液晶が層構造を示すことで、このS11相
は更にSea A”〜Sm G相の7つの種類に細分さ
れ、強誘電性液晶として表示に利用されるものはSla
C”相と云われるものである。
このSm C”相は各層毎に少しづつずれながら傾く構
造をしており、傾き角をチルト角、螺旋が一周する長さ
を螺旋ピッチと云われている。
造をしており、傾き角をチルト角、螺旋が一周する長さ
を螺旋ピッチと云われている。
また、Sea C”の1は不斉炭素の存在を示している
。
。
さて、FLCは分子の長軸方向に対して垂直方向に自発
分極をもっており、これが電界に反応するためにIS以
下の高速応答性を示し、また、電界が無くなってもその
ま\の状態を保持すると云う特徴をもっている。
分極をもっており、これが電界に反応するためにIS以
下の高速応答性を示し、また、電界が無くなってもその
ま\の状態を保持すると云う特徴をもっている。
これらのことから、電圧変化に対する光透過率の変化が
急峻であり、そのために半表示taを示すクロストーク
の問題はなく、またTN型表示のような視野角依存性が
ないために大面積表示が可能になる。
急峻であり、そのために半表示taを示すクロストーク
の問題はなく、またTN型表示のような視野角依存性が
ないために大面積表示が可能になる。
然し、FLC表示はN構造をもつSs C”相を用いる
ためにラビングによる配向膜表面での局所的な配向の乱
れにより欠陥が発生し易い。
ためにラビングによる配向膜表面での局所的な配向の乱
れにより欠陥が発生し易い。
すなわち、TN液晶を用いた従来の表示素子とSs C
“相を用いるFLC表示素子とでは配向膜の役割りが異
なっており、従来の表示素子では電界の印加により液晶
分子は基板に対して垂直に並び、不印加の状態では配向
膜の作用によって液晶分子は基板に対して平行に並ばせ
る作用である。
“相を用いるFLC表示素子とでは配向膜の役割りが異
なっており、従来の表示素子では電界の印加により液晶
分子は基板に対して垂直に並び、不印加の状態では配向
膜の作用によって液晶分子は基板に対して平行に並ばせ
る作用である。
然し、FLC表示素子では 配向膜はSla”相の層構
造を損なずに均一に配向させることが任務である。
造を損なずに均一に配向させることが任務である。
FLC表示素子における配向膜の形成法としては厚さが
約1nのガラス基板の上に酸化インジウム(I(1!0
りと酸化6!(Snug)の固溶体よりなる透明導電膜
よりなる電極パターンを形成した後、この−Lに従来は
ポリイミド或いはポリビニルアルコール(略称PVA)
をスピンコード法などにより被覆し、この上にラビング
することにより配向膜が作られている。
約1nのガラス基板の上に酸化インジウム(I(1!0
りと酸化6!(Snug)の固溶体よりなる透明導電膜
よりなる電極パターンを形成した後、この−Lに従来は
ポリイミド或いはポリビニルアルコール(略称PVA)
をスピンコード法などにより被覆し、この上にラビング
することにより配向膜が作られている。
こ\で、ポリイミドを被覆するには溶剤として沸点が2
02℃のN−メチルピロリドンを用いるためにスピンコ
ード後の焼成処理温度が200℃以上の高温となる。
02℃のN−メチルピロリドンを用いるためにスピンコ
ード後の焼成処理温度が200℃以上の高温となる。
そのために透明導電膜の酸化が生じて抵抗値が増し、液
晶の応答が部分的に異なってしまうと云う問題がある。
晶の応答が部分的に異なってしまうと云う問題がある。
また、PVAを配向膜として用いる場合はFLCに含ま
れている水分によって配向膜が部分的に溶解し、そのた
めにS、Cm相の層構造を撰なずに均一に配向させるこ
とができなくなると云う問題がある。
れている水分によって配向膜が部分的に溶解し、そのた
めにS、Cm相の層構造を撰なずに均一に配向させるこ
とができなくなると云う問題がある。
上記の問題は、ガラス基板の上に透明電極からなる電極
パターンを設け、この電極パターンの上に配向膜を形成
した二枚のガラス基板を配向膜形成面を内側とし、スペ
ーサにより二枚の基板を一定の間隔に保ち乍ら電極の間
隙に強誘電性液晶を充填した構造をとる液晶表示素子に
おいて、配向膜としてポリエーテルサルファイドを用い
て強誘電性液晶表示素子を構成することにより解決する
ことができる。
パターンを設け、この電極パターンの上に配向膜を形成
した二枚のガラス基板を配向膜形成面を内側とし、スペ
ーサにより二枚の基板を一定の間隔に保ち乍ら電極の間
隙に強誘電性液晶を充填した構造をとる液晶表示素子に
おいて、配向膜としてポリエーテルサルファイドを用い
て強誘電性液晶表示素子を構成することにより解決する
ことができる。
FLC表示素子用の配向膜としては酸化硅素(Sin)
の斜め蒸着膜やポリイミド或いはPVAをラビングした
ものが使用されているが、ラビングして使用する有機配
向膜の必要条件は結晶性が良く、且つ極性をもっている
ことである。
の斜め蒸着膜やポリイミド或いはPVAをラビングした
ものが使用されているが、ラビングして使用する有機配
向膜の必要条件は結晶性が良く、且つ極性をもっている
ことである。
こ\で透明導電膜の抵抗が増加する熱処理温度は約17
0℃であることから発明者等はこれらの条件を満す材料
であって、沸点が170℃以下の溶媒を使用できる材料
を調査した結果、第1図に分子式を示すポリエーテルサ
ルファイドを選んだ。
0℃であることから発明者等はこれらの条件を満す材料
であって、沸点が170℃以下の溶媒を使用できる材料
を調査した結果、第1図に分子式を示すポリエーテルサ
ルファイドを選んだ。
このポリエーテルサルファイドの溶剤としては沸点が1
56℃のシクロヘキサノンや沸点が153℃のジメチル
ホルムアミドを使用することができ、また水に不溶であ
るので従来のような問題点をなくすることができる。
56℃のシクロヘキサノンや沸点が153℃のジメチル
ホルムアミドを使用することができ、また水に不溶であ
るので従来のような問題点をなくすることができる。
第2図は強誘電性液晶表示素子の断面構造を示すもので
あるが、構成は従来の液晶表示素子と変わるところはな
い。
あるが、構成は従来の液晶表示素子と変わるところはな
い。
すなわち、TnzO=とSnO,の固溶体よりなる厚さ
がt>1000人の透明導電膜をパターン形成したガラ
ス基板1を洗暮した後、この上に5重量%のポリエーテ
ルサルファイドをスピンコードし、厚さがtooo人の
配向膜2を形成した。
がt>1000人の透明導電膜をパターン形成したガラ
ス基板1を洗暮した後、この上に5重量%のポリエーテ
ルサルファイドをスピンコードし、厚さがtooo人の
配向膜2を形成した。
こ\で、液組成と処理条件は、
ポリエーテルサルファイド(ICI−品名500−3P
)をジメチルホルムアミド20部、シクロヘキサン80
部、メチルエチルケトン25部からなる混合溶液に溶解
して5重量%の塗液を作り、これをガラス基板上にスピ
ンコードした後、130℃で5分。
)をジメチルホルムアミド20部、シクロヘキサン80
部、メチルエチルケトン25部からなる混合溶液に溶解
して5重量%の塗液を作り、これをガラス基板上にスピ
ンコードした後、130℃で5分。
140℃でio分、150℃で10分、160℃で10
分間と順次に加熱して乾燥し、ピンホールがなく均一な
厚さの配向膜2を形成した。
分間と順次に加熱して乾燥し、ピンホールがなく均一な
厚さの配向膜2を形成した。
そして、ガラス!Fi1のラビング方向が平行になるよ
うにラビングを施した。
うにラビングを施した。
次に、スペーサ3としては平均粒径が0.975μIの
ポリスチレン粉末(品名エスタボールLCS−5194
4)を使用し、また封止剤4としてエポキシ系ボンド(
チッソ@ Lixon Bond 1002Aと10
02B)を使用して液晶表示パネルを形成した。
ポリスチレン粉末(品名エスタボールLCS−5194
4)を使用し、また封止剤4としてエポキシ系ボンド(
チッソ@ Lixon Bond 1002Aと10
02B)を使用して液晶表示パネルを形成した。
これに液晶としては第3図に分子式を示す2種類の強誘
電性液晶5を混合して封入し、上下に偏光板6を貼りつ
けて表示素子を形成した。
電性液晶5を混合して封入し、上下に偏光板6を貼りつ
けて表示素子を形成した。
次に、この液晶表示素子を使用して大面積表示を行った
ところ従来のように透明電極の抵抗増加による液晶の不
完全応答は認められなかった。
ところ従来のように透明電極の抵抗増加による液晶の不
完全応答は認められなかった。
また、クロスニコルの許で応答時間とコントラスト比を
24℃で測定した結果は応答時間は78μsまたコント
ラスト比は11:1で正常であった。
24℃で測定した結果は応答時間は78μsまたコント
ラスト比は11:1で正常であった。
本発明の実施により透明電極の抵抗増加を生ずることな
く配向膜を形成することができ、これにより特性の劣化
を生ずることなく大面積表示が可能となる。
く配向膜を形成することができ、これにより特性の劣化
を生ずることなく大面積表示が可能となる。
第1図ポリエーテルサルファイドの分子式、第2図は強
誘電性液晶表示素子の断面構造、第3図は実施例に使用
した強誘電性液晶の分子式と組成、 である。 図において、 ■はガラス基板、 2は配向膜、3はスペーサ
、 4は封止剤、5は強誘電性液晶、 である。
誘電性液晶表示素子の断面構造、第3図は実施例に使用
した強誘電性液晶の分子式と組成、 である。 図において、 ■はガラス基板、 2は配向膜、3はスペーサ
、 4は封止剤、5は強誘電性液晶、 である。
Claims (1)
- ガラス基板の上に透明電極からなる電極パターンを設け
、該電極パターンの上に配向膜を形成した二枚のガラス
基板を、該配向膜形成面を内側とし、スペーサにより二
枚の基板を一定の間隔に保ち乍ら、該電極の間隙間に強
誘電性液晶を充填した構造をとる液晶表示素子において
、前記の配向膜としてポリエーテルサルファイドを用い
ることを特徴とする強誘電性液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11187288A JPH01281428A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 強誘電性液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11187288A JPH01281428A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 強誘電性液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01281428A true JPH01281428A (ja) | 1989-11-13 |
Family
ID=14572275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11187288A Pending JPH01281428A (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | 強誘電性液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01281428A (ja) |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP11187288A patent/JPH01281428A/ja active Pending
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