JPH01279408A - 薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法に関し、
特にホトレジストを利用してコイル導体膜のバターニン
グを行う薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法に関するもの
である。

［従来の技術］ 第５図（ａ）〜（ｆ）は従来の薄膜磁気ヘッドのコイル
形成方法の一例を工程順に説明する断面図であり、最終
工程を示す第５図（ｆ）において、絶縁膜（１）上には
、パーマロイからなるめっき下地膜（２）を介して、銅
からなるコイル導体膜（３）が所定のパターンで形成さ
れている。

次に、従来の薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を説明す
る。まず、絶縁膜（１）上にパーマロイのめっき下地膜
（２）を蒸着により約１０００人の厚さに形成する。次
に、めっき下地膜（２）上にポジ形のホトレジスト（４
）を約２〜３μの厚さに塗布する（第５図（ａ）＞、そ
して、第１のマスク（５）を用いて、通常の写真製版と
同様にホトレジスト（４）を露光する。すると、ホトレ
ジスト（４）の露光部（４ａ）が溶剤（アルカリ現像液
）に対して可溶化する（第５図（ｂ））。この後、ホト
レジスト（４ンを溶剤処理（現像ンすると、露光部（４
ａ）のみが溶剤に溶けて除去され、ホトレジスト〈４）
がパターニングされる（第５図（Ｃ））。

その次に、めっき下地膜（２）上にコイル導体膜（３）
を、銅めっきによって２μの厚さに形成する（第５図（
ｄ））。そして、残っているホトレジスト（４）を剥離
液によって除去する（第５図（ｅ））。最後に、めっき
下地膜（２）およびコイル導体膜（３）の不要部分をス
パッタエツチング又は化学エツチングζこよって除去す
れば、薄膜磁気ヘッドのコイルが形成される（第５図（
ｆ））。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような方法により形成された従来の薄膜磁気ヘッ
ドのコイルにおいては、ホトレジスト（４）を露光する
際、ホトレジスト（４）は表面が露光されやすく、めっ
き下地膜（２）側へ行くほど露光されにくいので、露光
部（４ａ）の断面形状は第５図（ｂ）のように逆テーパ
状になる。このため、溶剤処理されたホトレジスト（４
〉の断面形状は第５図（ｃ）のように正テーパ状になる
。これによって、コイル導体膜（３）の断面形状が逆テ
ーパ状になってしまい、コイル導体膜く３）の表面部分
でターン間の距離が近接するので、短絡が生じる虞れが
あるという問題点があった。また、絶縁膜（１）の形状
は微小な起伏を有しているので、通常の写真製版ではホ
トレジスト（４）は約２μｍ厚程度にしかパターニング
できず、また上記のようにコイル導体膜（３）の断面形
状が逆テーバ状になるため、コイル導体膜（３）の膜厚
が小さくなってしまい、コイル断面積を大きくすること
ができないという問題点もあった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、パターニングされたホトレジストの断面形
状のアスペクト比を高くすることができ、これによって
コイル断面積を大きくすることができ、またパターニン
グされたホトレジストの断面形状を整えることができ、
これによってターン間の絶縁を向上させることができる
薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を得ることを目的とす
る。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法は、絶
縁膜上にめっき下地膜を介して塗布されたホトレジスト
に対して、まず−次露光し、次に加熱処理し、それから
二次露光し、その後に現像を行うものである。

［作用］ この発明においては、加熱処理によって、ホトレジスト
の一次露光された部分が現像液に対して不溶化され、こ
の後二次露光を行ってから、現像液で現像することによ
り、加熱処理により不溶化された部分を残して、ホトレ
ジストの二次露光された部分が取り除かれ、レジストパ
ターンが形成される。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図（ａ）〜（ｈ）はこの発明の第１の実施例である
薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を工程順に説明する断
面図であり、最終工程を示す第１図（ｌ〕）において、
従来例と同様に絶縁膜（１）上には、パーマロイからな
るめっき下地膜（２）を介して、銅からなるコイル導体
膜（６）が所定のパターンで形成されているが、このコ
イル導体膜（６）の断面形状は正テーパ状になっている
。

次に、この第１の実施例の薄膜磁気ヘッドのコイル形成
方法を説明する。まず、従来例と同様に絶縁膜（１）上
にパーマロイのめっき下地膜（２）を蒸着により約１０
００人の厚さに形成し、その上にポジ形のホトレジスト
（４）を約２〜３μの厚さに塗布しく第１図（ａ））、
第１のマスク（５）を用いてホトレジスト（４）を露光
（−次露光）する（第１図（ｂ））。

次に、オーブン内で、アンモニア等の塩基性ガス圧約３
００ｍＴｏｒｒ、温度９０℃の条件下で、全体を３０分
加熱する。この結果、ホトレジスト（４）の−次露光に
より露光された部分である露光部（４ａ）は、十分露光
されていない露光境界部（４ｂ）を残して、アルカリ現
像液に対して不溶化され不溶化部（４ｃ）となる（第１
図（Ｃ））。このとき、ホトレジスト（４）の下部など
一次露光量の少ない部分では、一般に不溶化されにくい
ので、−次露光は十分行っておく必要がある。また、こ
の不溶化部（４ｃ）の断面形状は逆テーバ状になってい
る。

このようにして不溶化部（４ｃ）が形成されたら、マス
クレスで全面露光（二次露光）を行い（第１図（ｄ）＞
、アルカリ現像液で現像を行う。すると、めっき下地膜
（２）上には不溶化部（４ｃ）だけが残り、逆テーパ状
の断面形状を有するレジストパターンが得られる（第１
図（ｅ））。また、この不溶化部（４ｃ）の断面のテー
バ角は、−次露光から現像までの工程くイメージリバー
サル処理）の条件によって変化させることができる。

この後、従来例と同様に、銅のコイル導体膜（６）をめ
っきしく第１図（ｆ））、残っているホトレジスト（４
）を剥離液によって除去する（第１図（ｇ））。そして
Ｍ後に、めっき下地膜（２）およびコイル導体Ｍ（３）
の不要部分をスパッタエツチング又は化学エツチングに
よって除去すれば、薄膜磁気ヘッドのコイルが形成され
る。

第２図（ａ）〜（ｇ＞はこの発明の第２の実施例である
ｒｌＩＩ！Ｊ磁気ヘッドのコイル形成方法を工程順に説
明する断面図であり、最終工程を示す第２図（ｇ）にお
いて、絶縁膜（１）上には、銅からなるめっき下地膜（
７）を介して、銅からなるコイル導体１１（８）が所定
のパターンで形成されているが、このコイル導体膜（８
）の断面形状はほぼ正方形になっている。

次に、この第２の実施例の薄膜磁気ヘッドのコイル形成
方法を説明する。まず、絶縁膜（１〉上に銅のめつき下
地膜（７）を蒸着により約１５００人の厚さに形成し、
その上にポジ形のホトレジスト（４）を約４〜６μの厚
さに塗布しく第２図（ａ））、第１のマスク（５）を用
いてホトレジスト（４）を露光（−次露光）する（第２
図（ｂ））。

次に、オーブン内で、アンモニア等の塩基性ガス圧約５
０ｍＴｏｒｒ、温度９０℃の条件下で、全体を３０分加
熱する。この結果、ホトレジスト（４〉の−次露光され
た部分である露光部（４ａ）は、十分露光されていない
露光境界部（４ｅ）を残して、アルカリ現像液に対して
不溶化され不溶化部（４ｆ）となる（第２図（ｃ））、
このようにして不溶化部（４ｆ）が形成されたら、第２
のマスク（９）を用いて露光（二次露光）を行う（第２
［Ｊ（ｄ））。

ここで、この第２の実施例のように銅のめつき下地膜（
７）を用いた場合、二次露光をマスクレスで行うと、銅
は拡散しやすい金属であるため、レジスト（４）の下部
が十分不溶化されず、現像後のレジスト（４）の断面形
状が第３図に示すように極端な逆テーパ状になってしま
い、レジストパターンが形成できなくなったり、第４図
のように、これによって形成されたコイル導体膜（１０
）の下端部がターン間で近接して、短絡しやすくなって
しまう、従って、この第２の実施例では、二次露光に第
２のマスク（９）を用いている。

この後、アルカリ現像液で現像を行うと、めっき下地膜
（２）上には不溶化部（４「〉だけが残り、長方形状の
断面を有するレジストパターンが得られる（第２図（ｅ
　））、それから、銅のコイル導体膜（８）をめっきし
く第２図（ｆ）＞、残っているホトレジスト（４）を剥
離液によって除去する。そして最後に、めっき下地膜（
７）およびコイル導体膜（８）の不要部分をスパッタエ
ツチング又は化学エツチングによって除去すれば、薄膜
磁気ヘッドのコイルが形成される（第２図（ｇ））。

なお、上記第２の実施例ではめっき下地膜（７）が銅か
らなっているものを示したが、例えば第１の実施例のパ
ーマロイからなるめっき下地１１Ａ（２）を用いてもよ
く、二次露光を部分露光とすることによって、めっき下
地膜の材質に関係なく、より高いアスペクト比の断面形
状を有するレジストパターンが得られる。

また、上記各実施例ではそれぞれオーブンによる加熱処
理を塩基性ガス下で行うものを示したが、ホトレジスト
に予めアンモニア等が含まれている場合には、加熱する
だけでよい。また、加熱時間。

加熱温度、ガス圧等は、ホトレジストおよびめっき下地
膜の材質などによって調節し変化させてもよい。

さらにまた、上記各実施例ではそれぞれ第１図（ｈ）お
よび第２図（ｇ）の状態を最終工程としたが、さらにこ
の工程の後、コイル導体膜（３）、（８）の上から絶縁
膜を形成してもよい。

［発明の効果］ 以上説明したように、この発明の薄膜磁気ヘッドのコイ
ル形成方法は、ホトレジストに対して、まず一次露光し
、その後加熱処理することによって、露光部が現像液に
対して不溶化され、次に二次露光し、その後現像するこ
とによって、不溶化部を残してホトレジストが取り除か
れ、レジストパターンが形成されるので、パターニング
されたホトレジストの断面形状のアスペクト比を高くす
ることができ、これによってコイル断面積を大きくする
ことができるという効果がある。また、パターニングさ
れたホトレジストの断面形状を整えることができ、これ
によってターン間の絶縁を向上させることができるとい
う効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｈ）はこの発明の第１の実施例である
薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を工程順に説明する断
面図、第２図（ａ）〜（ｇ）はこの発明の第２の実施例
である３膜磁気ヘツドのコイル形成方法を工程順に説明
する断面図、第３図はめつき下地膜が銅からなり二次露
光を全面露光とした場合のパターニングされたホトレジ
ストを示す断面図、第４図は第３図のレジストパターン
により形成された薄膜磁気ヘッドのコイルを示す断面図
、第５図は従来の薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法を工
程順に説明する断面図である。 図において、（１）は絶縁膜、（２）、（７）はめっき
下地膜、（４）はホトレジスト、（５）は第１のマスク
、（６）、（８）はコイル導体膜、（９）は第２のマス
クである。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 策１図 箒１図 第２図 兜２図 １　ＴＥ件の表示 特願昭６３−１０９１３５号 ２　発明の名称 薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法 ３　補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　　　　東京都千代ＥＥｉ区丸の内二丁目２番
３号名　称　　（６０１）三菱電機株式会社代表者　志
岐守哉 ４代理人 住　所　　　　　東京都千代田区丸の内二丁目４番１号
丸の内ビルディング　４階 電話　０３（２１６）５８１−１［代表１氏名　＜５７
８７）弁理士　曽我道照 ５　補正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の１開方式帛　　　　
−ｍ−−， ６、補正の内容 （１）明細書第９頁第７〜９行 「用いた場合、二次露光・・・・・あるため、レジス１
−（４）Ｊを下記のとおり補正する。 ［用いた場き、銅は拡散しやすい金属であるため塩基性
ガス下での熱処理条件を緩和し、次にマスクレスで二次
露光を行うと、レジスト（４）」（２）同第９頁第１８
〜２０行 ［下地Ｊｉｍ（２）上には不溶化部・・・・・レジスト
パターンが得られる」を下記のとおり補正する［下地膜
（２）上には略長方形状の断面を有するＩ／ジス１〜パ
ターン（４ｇ）が得られる」（３）図面の第２図（ｄ）
〜（ｇ）を別紙のとおり補正する。 市２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 まず、絶縁膜上にめっき下地膜を介して塗布されたポジ
   形のホトレジストに対して、マスクを用いて露光する一
   次露光を行い、 次に、前記ホトレジストの前記一次露光により露光され
   た部分を現像液に対して不溶化するため、前記ホトレジ
   ストを加熱処理し、 その後、前記ホトレジストを露光する二次露光を行い、 それから、前記ホトレジストの前記二次露光により露光
   された部分を取り除きレジストパターンを形成するため
   、前記現像液により現像を行い、そして、めっき下地膜
   上にコイル導体膜をめっきした後、前記レジストパター
   ンを除去し、さらに前記めっき下地膜の不要部分を除去
   することを特徴とする薄膜磁気ヘッドのコイル形成方法
   。