JPH01264219A - プロキシミテイ露光装置 - Google Patents

プロキシミテイ露光装置

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JPH01264219A
JPH01264219A JP63091307A JP9130788A JPH01264219A JP H01264219 A JPH01264219 A JP H01264219A JP 63091307 A JP63091307 A JP 63091307A JP 9130788 A JP9130788 A JP 9130788A JP H01264219 A JPH01264219 A JP H01264219A
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JP
Japan
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substrate
mask
gap
chuck
exposure
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JP63091307A
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English (en)
Inventor
Tsutomu Tanaka
勉 田中
Toshihiko Nakada
俊彦 中田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマスクと基板の間に微小間@をあけた状態でマ
スクパータを基板に転写するプロキシミテイ露光装置に
関する。
〔従来の技術〕
従来のプロキシミテイおるいはコンタクト方式の露光装
置は、基板(あるいはウェハ)を載せるチャックを球面
座で受け、−度マスクに基板を押し付けてマスク面に基
板をなられして双方の相対する面を平行にしたのち、基
板を一定量下降させてプロキシミテイギャップを取#)
I!光する方式である。しかしマスクおよび基板は一般
に厚さむらがらり、またその表面はミクロ的に見るとそ
りやりねシがあるから、したがって両者の間隙を一定に
しようとしても場所により間隙の異なった状態となり、
さらに間隙を狭くして行くと部分的に接触する状帖にな
る。
上記した状態を解消する1つの手段として考えられたの
が基板表面の平坦化である。その第1例として、特開昭
57−87129号に記載のようにウェハ表面の高さを
測定する測定器がウェハ上面に前進して測定し、その測
定結果によりチャック表面に配設されたノズルから空気
を吹き出してウェハ表面の平坦化を図る方式がある。し
かし本例はマスクの平坦度については論じられておらず
、ウェハ表面の平坦化のみに着目したものである。また
第2例として、特開昭57−204547号に記載のよ
うにマスク表面およびウェハ表面をそれぞれ個別の装置
で測定し、マスク表面にならうようにウェハ表面を変形
されるものかあシ、本例はマスクとウェハの双方沈着目
してマスクを基準にギヤツノを均一化する方式である。
さらに第3例として、特開昭60−100005号に記
載のように干渉縞を用いてマスクとウェハのギャップを
オンラインで計測して制御する方式が1、最も高い精度
での間隙設定が期待できる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は、第1例ではウェハ(基板)のみの平坦
化を行なうもので、マスクの平坦度が配慮されておらず
、双方の相対する面を全面にわたシ均−化して極微小な
間隙t−段設定るのが難かしく、高精度のパターン転写
にはなお不十分な点がある。また第2例では上記の問題
点を解決すべく双方の平坦度を測定し、マスク表面に対
して基板表面をならすようKしているので、双方の間隙
の均一度が向上して比較的高精度の間隙設定が可能とな
る。しかしながら第1にマスクと基板を別個の測定器で
測定しているため多少の誤差要因が含まれ、第2に実際
に間隙設定した後の具体的な間隙がどのようKなってい
るかが把めず、第3に測定器あるいは基板が移動しなが
ら測定するため装置構成としてやや大型化しかつスルー
プットが低くなる傾向がある。さらに第3例では上記の
2例よりも高い精度での間隙設定が可能であるが、しか
し高精度で複雑な干渉縞発生器t−設ける心安があるた
め、第1に装置構成が大型化し、第2に装置コストが高
くなる傾向になるなどの問題があった。
本発明の目的は、マスクの微細パターンを均一に基板に
転写するために、マスクと基板に微小間隙をおけた状態
で双方の平行度(間隙のばらつき)を測定して、基板表
面をマスク表面と平行かつ均一間隙になるように変形さ
せることが簡素な構成で低コストに可能となるプロキシ
ミテイ露光装置を提供するKある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、マスクと基板に波長幅の狭い光を照射する
照明手段と、基板を固定してその表面の弾性変形が可能
な基板チャックと、上記照明手段により照射した光の基
板とマスクからの反射光を取り込む撮像手段と、その撮
像結果を画像処理して基板チャックの表面を変形させる
指令を出す演算・制御手段とを有するプロキシミテイ露
光装置であって、また上記照明手段はレジストを感光さ
せる露光波長をも有する露光照明装置の光路の途中にレ
ジストを感光させない波長のみを透過するフィルタを挿
脱可能な構成とすることのできるプロキシミテイ露光装
置により達成される。
〔作用〕
上記プロキシミテイ露光装置では、まず基板とマスクを
一定間隙まで接近させたのち、照明手段として例えば露
光照明装置に単波長透過用のフィルタを挿入することに
よシある波長幅△λの狭い波長λのみをマスクと基板の
全域に照射すると、ここでマスクと基板が平行でなけれ
ばマスクと基板の間隙dくλ2Aλの関係を満足する場
合にマスクを透してマスクのパターン面と基板表面で反
射した光が干渉し合って干渉縞を発生し、この発生した
干渉縞を照明手段たとえば露光照明装置の光路の途中か
ら分岐した撮像手段により取り込み演算・制御手段で画
像処理してマスクと基板間の平行度を求めるが、ここで
干渉縞がλ/2毎に表われて干渉縞の本数から双方の平
行度が分かるが干渉縞1画像のみでは接近している個所
と離れている個所の区分けができないため干渉縞の位相
を変えながら干渉縞の変動方向を見ることで上記判別を
可能セし、このようにしてマスクと基板の平行度を演算
した結果を基に基板チャックに内蔵し九移動装置ft[
動して基板表面をマスクパターン面に平行になるように
変形させることにより、マスクと基板の平行度を双方を
相対させながら測定して制御するため高精度の平行度が
えられ、また照明手段として露光照明装置を用いること
により別個の干渉縞形成器を不要にできる。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を第1図から第8図によ−り説明
する。
第1図は本発明によるプロ中シミティ露光装置の一実施
例を示す露光ステージ四ンの側面図である。第1図のプ
ロ中シミテイ露光装置(II光ステーション)は、基板
11に吸着する基板チャック2と、基板1にパターンを
転写する原版でおるマスク3と、マスク3と基板1に紫
外光を照射する露光照明装置(照明手段)4と、露光照
明装置4から反射光を分岐して干渉縞を映像化(2値化
)するTV右カメラ撮像手段)5とモニタ6と、TV左
カメラの2値化した干渉縞からマスク3と基板1の平行
度(間隙のばらつき)を演算して基板チャック2を制御
する演算・制御装置(演算・制御手段)とから構成され
る。
上記基板チャック2の内部には基板チャック2表面を弾
性変形させるためにピエゾ素子(移動装置)8を複数本
配設し、かつ基板チャック2の下部には基板チャツク2
全体を上下移動させるために少なくとも3点で支持する
ピエゾ素子(移動装置)?t−用いた上下機構(3点支
持移動機構)10が設けられ、ピエゾ素子8.9はそれ
ぞれ駆動回路11.12と接続しておシ、上記演算・制
御装置7からの指令により駆動される。また上記露光照
明装置4は光源の水銀ランプ13と、光源の大きさをあ
る程度大きくしてパターン転写特性をよくするための7
ライアイレンズ14と、マスク3および基板IK照明光
を平行に照射するためのコリメータレンズ15とから構
成され、これに照明光の照射をオンオフする開閉シャッ
タ16と、照明光の波長のうちある設定した波長を透過
する干渉フィルタ17t−備えた測定シャッタ18が設
置される。
第2図は第1図の露光照明装置4に通常用いられる光源
の水銀ラング15の波長(nm)に対する相対強度(%
)を示す特性図である6通常用いられている基板1のレ
ジストは約450nm以下の波長に感光する。従ってマ
スク3と基板1の平行度を測定するために干渉縞を発生
させる波長としては第2図に示すe線の波長546nr
nまたはd線の波長546nmを用いる。第3図は第1
図のマスク3と基板1の間隙と干渉縞が表われるピッチ
を示す概念図である。第3図に示すように干渉縞AI。
A2.A5は波長/2毎に表われるから、第2図のe線
の波長546nm t−用いた場合には約α27μmの
平行度の違い毎に表われることになる。なおマスク3と
基板1の平行度が設定前に比較的精度が出ていない場合
には干渉縞の密度が高くなって画像処理が難しくなるの
で、これに対してはe線とd線の2つの波長を用いると
波長同士の干渉も生じて約五8μmの比較的粗い干渉縞
を得ることができる。tたこれを実現するためには干渉
フィルタ17にe線およびdlst透過するものあるい
はe線板上の波長を透過するものを用いればよい。こう
した単波長を用いるか2波長を用いるかはマスク5と基
板1の当初の平行度と目標とする平行度をどこまでとす
るかによシ使い分けることが考えられるが、一般的には
制御開始時点では2波長を用いて粗平行出しをした後に
単波長を用いて高精度の平行出しをするのがよい。
第4図は第1図の基板1とマスク3の平行出しをして露
光するまでの動作を示すフローチャートである。まずス
テップ4aで基板1を基板チャックlhKローディング
する。つぎにステップ4bでマスク3を下降させて基板
1とマスク30間隙が数10ないし数100μm程度に
なるように設定する。このとき基板チャック2とマスク
3を保持するホルダ(図示せず)はあらかじめ機械的に
平行度を出しておき、上記値程度の間隙に設定しても双
方が片当りしないようにする。なおここで干渉縞を発生
する間隙に設定する必要がらシ、干渉縞を発生するため
にはマスク5と基板1の間@をd、波長をλ、波長幅Δ
λとして次式の関係がある。
dくλ2/Δλ           (1)従って第
2図のe線を用いる場合には波長λが約α55μmであ
って、波長幅Δλが1005μmとすると間@dが約6
0μmで干渉縞が発生する。さらに広い間隙で干渉縞を
発生させるためには透過する波長幅が狭い干渉フィルタ
17を用いればよく、例えば波長幅Δλの0.005μ
mを透過する干渉フィルタ17を用いれは間lidが約
100μmで干渉縞が発生する。つぎにステップ40で
露光照明装置4内の干渉フィルタ17を取り付けた測定
シャッタ18を光路に挿入したのち、ステップ4dで開
閉シャッタ16を開いて上記単波長あるいは2波長をマ
スク3および基板1に照射する。このマスク3のパター
ン面と基板1の表面から反射した反射光が干渉縞(第5
図)ft生じる。っぎのステップ4eでこの干渉縞を測
定シャッタ18の前から光路を分岐してTV左カメラに
取り込む、ここで上記の干渉縞(第3図)からは間11
dが狭い方向か広い方向が判別できない。そこで第5図
のようKして間隙の大小を判別可能くする。
第5図は第1図のマスク3と基板1の間隙の大小を干渉
縞の位相を変えて判別検定する方法を示す概念図である
。なおここでは説明上からマスク3は全くの平面であっ
て基板1に凹凸があるものとする。上記ステップ4eで
取り込んだ干渉縞は第5図の実線で示す干渉縞1.A2
.A3として表われ、この高さの差は上記2波長のe線
とdiを用いると五8μのである。ここで基板1の表面
の凹凸を判別するためには位相を変化させればよい。
そのためつぎのステップ4fで例えば干渉縞取込み回数
3回をチエツクし、ステップ4gで基板チャック2を移
動して基板1とマスク3の間it変える。このようにし
て本実施例では基板チャック2を上下機構10のピエゾ
素子9を微動させて行くと、取り込んだ3回の干渉縞の
実線の干渉縞AI、A2.A5と破線の干渉縞B1.B
2と1点鎖線の干渉縞CI 、C2から、図示のように
干渉縞がA1→B1→C1と広がって行く所が凸でおる
ことがわかる。このようにしてりぎのステップ4hでマ
スク3と基板1の全面にわたって平行度(間隙のばらつ
き)を演算・制御手段7で演算する。つぎにステップ4
iでこの演算結果を基に基板チャック2に内蔵したピエ
ゾ素子8f:駆動回路11で駆動させてマスク3の表面
に対して基板1の表面をなられせるように平行出しをす
る。第6図は第1図のマスク表面にならうように基板表
面を変形させて双方の間St一定にした平行出しの結果
の状態を示す側面図である0本実施例では第6図に示す
ようにマスク3がうねっていても、そのマスク3を基準
にして基板10表面をなられすことが可能となって高精
度の平行出しができる6以上の動作でマスク5と基板1
の表面の平行出しが完了したが、この時点での双方の間
隙は始めの設定値の例えば60〜100μm程度である
。従って本実施例でパターンの解像力を上げるためには
マスク3と基板1表面をさらに近づけなければならない
。この課題を解決する方策の一つとして、本出願人がさ
きに出願した特開昭62−63426号に記載の露光装
置における2個の薄片状物体の具体的にはマスクとウェ
ハの非接触の間隙設定技術を応用できる。
そこで第7図のアライメント検出系を用いて第8図(a
) 、 (b) 、 (o)のようKして次のステップ
4jで基板チャック2を上昇してプロキシミティギャッ
プの設定を行ない、つぎのステップ4にでマスク3と基
板1の相対合せ(アライメント)を行なう。
第7図は第1図にアライメント検出系を挿入した状相の
プロキシミティ露光装置を示す露光ステーションの斜視
図である。第7図(第1図)のマスク5と露光照明系(
露光照明装置)4の間にマスク3と基板1の位置合せを
行なうアライメント検出系20が挿脱可能に構成される
。このアライメント検出系20は対物レンズ21と、検
出器22と、検出照明系23とから構成される。アライ
メント検出系20はマスク3のターゲットマーク3り3
と基板1の微小間隙(プロキシミテイギャップ)を設定
する方法を示す原理図である。上記ステップ41で双方
の面の平行出しは終了しているため、つぎのステップ4
jでアライメント検出系20のどちらか1軸を用いて微
小間隙の設定を行なう。まず第8図(a)・舎書に側面
図で示すようにアライメント検出系20の対物レンズ2
1を移動出器22の画素に対する出力の特性図で示すよ
うに検出器22の出力が最大となった点をみつければよ
い、ついで第8図(b)のように設定したい微小間隙の
量だけ対物レンズ21を下降させる。つぎに第8図(c
)のようKこの対物レンズ21の合焦点位置に基板1の
表面(ターゲットマーク1−1)f:合わせるべく基板
チャック2を上下機構10のピエゾ素子9で上昇させる
。以上の動作でマスク3と基板1の高精度の微小間隙(
プロキシミテイギャップ)の設定が可能となる。そこで
次にステップ4にで上記アライメント検出系20でマス
ク5と基板1の相対合せ(アライメント)を行なつたの
ち、つぎのステップ41で測定シャッタ18を開き基板
1のレジストが感光する第2図の450nm以下の紫外
光をマスク3および基板に照射して露光を行ない、ステ
ップ4mで開閉シャッタ16を閉じて露光を完了する。
以上のように本実施例によれば、上記構成および制御動
作からマスク3と基板1の平行出しを双方を相対させて
測定および制御することで実行可能となり、また干渉縞
を用いることによυマスク3と基板1の全面にわたる高
精度の平行出しができ、かつ測定系として露光照明装置
4に干渉フィルタ17とTV左カメラの撮像手段金膜け
るだけで別個の干渉縞形成器を設ける必要がないため装
置構成も簡素化できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、基板とマスクを互いに整合して露光す
るプロキシミテイ露光装置において、マスクと基板に波
長幅の狭い光を照射する照明手段と、基板を固定してそ
の表面の弾性変形が可能な基板チャックと、上記照明手
段により照明した光の基板およびマスクからの反射光を
取り込む撮像手段と、その像を画像処理してマスクと基
板の平行度を演算するとともに該演算結果を基に基板チ
ャック表面を変形させる演算・制御手段とを備えたプロ
キシミテイ露光装置が提供される。また上記照明手段は
レジストを感光する波長をもつ露光照明装置であって、
その光路の途中にレジストを感光させない波長のみを通
過するフィルタを挿脱可能な構成としている。
上記構成のため、第1にマスクと基板の平行度を双方を
相対させながら測定および制御することが可能となり、
第2に光の干渉を利用することにより高精度の測定が可
能となシ、第3に基板チャック表面の弾性変形手段とし
てピエゾ素子を用いることによシ基板表面の微小変更が
可能であることからマスクと基板の高精度な平行出しと
間隙設定が可能となる。こうして高精度の平行出しが可
能になったことによシ、マスクと基板を極微小な間隙ま
で接近させることが可能になるから、マスクのパターン
を解像力および均一度よく転写しうる効果がアシ、さら
にマスクと基板を接触させないことが可能になったこと
により、マスクの寿命を長くしうる効果があシ、また基
板に塗布し之レジストの損傷もなくて高い歩留りの製品
がえられる効果がある。このように従来のプロキシミテ
イ方式の露光装置では実現が難かしかった高精度で高歩
留りの製品がえられて本方式の露光装置の適用範囲の拡
大ができ、かつ平行度の測定系として従来の露光照明装
置の一部を改造するだけでよく、別の測定系を用いない
ため装置全体の簡素化が可能となって装置コストの低減
もできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明によるプロキ7ミテイ露光装置の一実施
例を示す露光ステージ璽ンの側面図、第2図は第1図の
露光照明装置の光源の水鋏ランプの波長に対する相対強
度を示す特性図、第3図は第1図のマスクと基板の間隙
と干渉縞が表われるピッチを示す概念図、第4図は第1
図の基板とマスクの平行出しをして露光するまでの動作
を示すフローチャート、第5図は第1図のマスクと基板
の間隙の大小を干渉縞の位相を変えて検定する方法を示
す概念図、第6図は第1図のマスク表面にならうように
基板表面を変形させて平行出しした状態を示す側面図、
第7図は第1図にアライメント検出系を挿入した状態を
示す露光ステーションの斜視図、第8図→〒(転)〒榊
は第7図のマスクと基板の微小間隙を設定する方法を示
す原理図である。 1・・・基板、2・・・基板チャック、5・・・マスク
、4・・・露光照明装置t(照明手段)、5・・・l/
カメラ(撮像手段)、7・・・演算・制御装置(演算制
御手段)、8,9・・・ピエゾ素子(移動装置)、10
・・・上下機構(5点支持移動機構)、13・・・水銀
ランプ(光源)、17・・・干渉フィルタ。 第2図 第3図 第4図 第5図 1・・づ[板 j・−マス7 第7図 第3図 杉l器画東 料濾S画業 雑卸昏画業

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基板とマスクを互いに整合して露光するプロキシミ
    テイ露光装置において、マスクと基板に波長幅の狭い光
    を照射する照明手段と、基板を固定してその表面の弾性
    変形が可能な基板チャックと、上記照明手段により照射
    した光の基板とマスクからの反射光を取り込む撮像手段
    と、その撮像結果を基に基板チャック表面を変形させる
    演算・制御手段とを有することを特徴とするプロキシミ
    テイ露光装置。 2、特許請求の範囲第1項記載のプロキシミテイ露光装
    置において、上記基板チャックは内部に複数個の移動装
    置を備えて基板チャック表面の弾性変形が可能に構成さ
    れ、かつ基板チャックの下部を少なくとも3点で支持さ
    れると共に各支持点が移動装置に支承されて独立または
    同時に移動可能に構成されることを特徴とするプロキシ
    ミテイ露光装置。 3、特許請求の範囲第1項記載のプロキシミテイ露光装
    置において、上記照明手段はレジストを感光させる露光
    波長をも有するものであって、その光路の途中にレジス
    トを感光させない波長のみを透過するフィルタを挿脱可
    能に構成されることを特徴とするプロキシミテイ露光装
    置。
JP63091307A 1988-04-15 1988-04-15 プロキシミテイ露光装置 Pending JPH01264219A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0466949A (ja) * 1990-07-04 1992-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び画像形成方法
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