TW201820053A - 用於檢測裝置之照明源、檢測裝置及檢測方法 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種照明源裝置，其包含一高階諧波產生媒體、一泵浦輻射源及一空間濾光器。該泵浦輻射源發射一泵浦輻射光束，該泵浦輻射光束具有在該光束之一中心區中不包含泵浦輻射的一剖面且激發該高階諧波產生媒體以便產生高階諧波輻射。該泵浦輻射及該所產生的高階諧波輻射在該泵浦輻射光束之焦平面之外在空間上分離。該空間濾光器位於該泵浦輻射光束之一焦平面之外，且阻擋該泵浦輻射。亦揭示一種產生高階諧波量測輻射之方法，該高階諧波量測輻射經最佳化以用於將泵浦輻射自其進行濾光。

Description

用於檢測裝置之照明源、檢測裝置及檢測方法
本發明係關於一種用於執行量測之檢測裝置及一種方法。詳言之，本發明係關於一種用於檢測裝置之照明源。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。施加多個層(其各自具有特定圖案及材料組合物)以界定成品之功能器件及互連件。 在微影程序中，理想的是，頻繁地對經產生(例如)以用於程序控制及驗證之結構進行量測。用於進行此等量測之各種工具為吾人所知，包括常常用以量測臨界尺寸(CD)之掃描電子顯微鏡，及用以量測疊對(量測器件中之兩個層的對準準確度)之特殊化工具。最近，已開發供微影領域中使用的各種形式之散射計。 已知散射計之實例常常依賴於專用度量衡目標之佈建。舉例而言，一方法可需要呈簡單光柵之形式之目標，該光柵足夠大以使得量測光束產生小於該光柵之光點(亦即，該光柵填充不足)。在所謂重建構方法中，可藉由模擬經散射輻射與目標結構之數學模型的相互作用來計算光柵之屬性。調整該模型之參數直至經模擬相互作用產生與自真實目標所觀測之繞射圖案相似的繞射圖案為止。 除了藉由重建構進行特徵形狀之量測以外，亦可使用此裝置來量測基於繞射之疊對，如公開專利申請案US2006066855A1中所描述。使用繞射階之暗場成像的基於繞射之疊對度量衡實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由晶圓上之產品結構環繞。在諸如US2011102753A1及US20120044470A之眾多公開專利申請案中可找到暗場成像度量衡之實例。可使用一複合光柵目標而在一個影像中量測多個光柵。已知散射計趨向於使用在可見或近IR波範圍內之光，此要求光柵之間距比屬性實際上受到關注之實際產品結構粗略得多。可使用具有短得多之波長之深紫外線(DUV)或極紫外線(EUV)輻射來界定此等產品特徵。不幸地，此等波長通常不可用於或不能用於度量衡。 另一方面，現代產品結構之尺寸如此小使得其不可藉由光學度量衡技術而成像。舉例而言，小特徵包括藉由多重圖案化程序及/或間距倍增而形成之特徵。因此，用於大容量度量衡之目標常常使用比疊對誤差或臨界尺寸為所關注屬性之產品大得多的特徵。量測結果僅與真實產品結構之尺寸間接地相關，且可不準確，此係因為度量衡目標不遭受微影裝置中之光學投影下的相同失真及/或製造程序之其他步驟中的不同處理。雖然掃描電子顯微法(SEM)能夠直接地解析此等現代產品結構，但SEM比光學量測耗時多得多。此外，電子不能夠穿透厚程序層，此使得電子較不適合於度量衡應用。諸如使用接觸墊來量測電性質之其他技術亦為吾人所知，但其僅提供真實產品結構之間接跡象。 藉由減小在度量衡期間使用之輻射的波長(亦即，朝向「軟X射線」波長光譜移動)，有可能解析較小結構以增大對結構之結構變化的敏感度及/或進一步穿透產品結構。一種產生合適的高頻率輻射之此類方法係藉由使用高階諧波產生(HHG)輻射源。此HHG輻射源使用雷射輻射(例如，紅外線輻射)來激發HHG產生媒體，藉此產生包含高頻率輻射之高階諧波。 當將HHG輻射用於在檢測裝置中量測時，移除雷射輻射係重要的。為IR輻射之此雷射輻射可使光束遞送或投影系統光學件變熱及失真，從而產生量測誤差及不準確度。用於將IR輻射自HHG輻射進行濾光的當前技術可包含使用超薄金屬濾膜。然而，隨著雷射功率增大，此等超薄金屬濾膜變得不能夠在無損害的情況下處置雷射輻射。
將需要改良對來自高階諧波產生源之輸出的泵浦雷射輻射進行濾光。 根據本發明之一第一態樣，提供一種照明源裝置，其包含：一高階諧波產生媒體；一泵浦輻射源，其可操作以發射一泵浦輻射光束，該泵浦輻射光束具有在該光束之一中心區中不包含泵浦輻射的一剖面，以用於激發該高階諧波產生媒體以便產生高階諧波輻射；及一空間濾光器，其位於該泵浦輻射光束之一焦平面之外，該空間濾光器可操作以阻擋該泵浦輻射；其中該泵浦輻射及該所產生的高階諧波輻射在該泵浦輻射光束之該焦平面之外在空間上分離。 根據本發明之一第二態樣，提供一種產生高階諧波量測輻射之方法，該高階諧波量測輻射經最佳化以用於將泵浦輻射自其進行濾光，該泵浦輻射之一光束用以產生該高階諧波量測輻射，其中該高階諧波量測輻射及該泵浦輻射在該泵浦輻射光束之一焦平面之外在空間上分離；該方法包含：使用一平鋪孔徑幾何形狀來以相干方式組合複數個泵浦輻射子光束，其中該平鋪孔徑幾何形狀之一中心區沒有該等子光束。 下文參考隨附圖式來詳細地描述本發明之另外態樣、特徵及優點，以及本發明之各種實施例的結構及操作。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的而呈現此等實施例。基於本文中所含有之教示，額外實施例對於熟習相關技術者而言將為顯而易見的。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例之實例環境。 圖1示意性地描繪微影裝置LA。裝置包括：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，UV輻射或DUV或EUV輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台) MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩) MA且連接至經組態以根據特定參數準確地定位圖案化器件之第一定位器PM；兩個基板台(例如，晶圓台) WTa及WTb，其各自經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且各自連接至經組態以根據特定參數準確地定位基板之第二定位器PW；及投影系統(例如，折射投影透鏡系統) PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C (例如，包括一或多個晶粒)上。參考框架RF連接各種組件，且充當用於設定及量測圖案化器件及基板之位置以及圖案化器件及基板上之特徵之位置的參考。 照明光學系統可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。 圖案化器件支撐件以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否被固持於真空環境中)之方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件MT可為(例如)框架或台，其可視需要而固定或可移動。圖案化器件支撐件可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統處於所要位置。 本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可能不精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。一般而言，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如，積體電路)中之特定功能層。 如此處所描繪，該裝置屬於透射類型(例如，使用透射圖案化器件)。替代地，該裝置可屬於反射類型(例如，使用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。術語「圖案化器件」亦可被解譯為係指以數位形式儲存用於控制此可程式化圖案化器件之圖案資訊的器件。 本文中所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。 微影裝置亦可屬於如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加於微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增大投影系統之數值孔徑。 在操作中，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源為準分子雷射時，源與微影裝置可為分離實體。在此等狀況下，不認為源形成微影裝置之部件，且輻射光束係憑藉包括(例如)合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，舉例而言，當源為水銀燈時，源可為微影裝置之整體部件。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。 照明器IL可(例如)包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD、積光器IN及聚光器CO。照明器可被用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件MT上之圖案化器件MA上，且係藉由該圖案化器件而圖案化。在已橫穿圖案化器件(例如，光罩) MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WTa或WTb，例如以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其在圖1中未明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。 圖案化器件(例如，光罩) MA及基板W可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準。儘管如所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在將多於一個晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩) MA上的情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。小對準標記亦可在器件特徵當中包括於晶粒內，在此狀況下，需要使該等標記儘可能地小且相比於鄰近特徵無需任何不同成像或程序條件。下文中進一步描述偵測對準標記之對準系統。 可在多種模式中使用所描繪裝置。在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上的同時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT及基板台WT (亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性而判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台) MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制目標部分在單次動態曝光中之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。如在此項技術中為吾人所熟知，其他類型之微影裝置及操作模式係可能的。舉例而言，步進模式為吾人所知。在所謂「無光罩」微影中，使可程式化圖案化器件保持靜止，但具有改變之圖案，且移動或掃描基板台WT。 亦可使用對上文所描述之使用模式的組合及/或變化或完全不同的使用模式。 微影裝置LA屬於所謂的雙載物台類型，其具有兩個基板台WTa、WTb以及兩個站-曝光站EXP及量測站MEA-在該兩個站之間可交換該等基板台。在曝光站處曝光一個基板台上之一個基板的同時，可在量測站處將另一基板裝載至另一基板台上且進行各種預備步驟。此實現裝置之產出率之相當大的增加。該等預備步驟可包括使用位階感測器LS來映射基板之表面高度輪廓，及使用對準感測器AS來量測基板上之對準標記之位置。若位置感測器IF在其處於量測站以及處於曝光站時不能夠量測基板台之位置，則可提供第二位置感測器以使得能夠在兩個站處追蹤基板台相對於參考框架RF之位置。代替所展示之雙載物台配置，其他配置為吾人所知且可用。舉例而言，提供基板台及量測台之其他微影裝置為吾人所知。此等基板台及量測台在執行預備量測時銜接在一起，且接著在基板台經歷曝光時不銜接。 如圖2中所展示，微影裝置LA形成微影製造單元LC (有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同程序裝置之間移動基板，且將基板遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等器件係在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。 接著將由塗佈顯影系統處理之基板轉移至其他處理工具以用於在器件製造程序內進行蝕刻及其他化學或物理處理。在一些情況下，可在此類蝕刻或化學/物理處理步驟之後對基板執行度量衡。 微影裝置控制單元LACU控制所描述之各種致動器及感測器之所有移動及量測。LACU亦包括用以實施與裝置之操作相關之所要計算的信號處理及資料處理能力。在序言及申請專利範圍之術語中，此等處理及控制功能之組合被簡單地稱作「控制器」。實務上，控制單元LACU將被實現為許多子單元之系統，該等子單元各自處置裝置內之子系統或組件的即時資料獲取、處理及控制。舉例而言，一個處理子系統可專用於基板定位器PW之伺服控制。分離單元甚至可處置粗略致動器及精細致動器，或不同軸線。另一單元可能專用於位置感測器IF之讀出。裝置之總控制可受到中央處理單元控制，中央處理單元與此等子系統處理單元通信、與操作者通信，且與微影製造程序中涉及之其他裝置通信。 圖3之(a)示意性地展示實施所謂的暗場成像度量衡之檢測裝置的關鍵元件。裝置可為單機器件，或併入於(例如)量測站處之微影裝置LA中抑或微影製造單元LC中。在整個裝置中具有若干分支之光軸係由點線O表示。圖3之(b)中更詳細地說明目標光柵結構T及繞射射線。 如在介紹中引用之先前申請案中所描述，圖3之(a)之暗場成像裝置可為多用途角度解析散射計之部分，可代替光譜散射計使用多用途角度解析散射計或除了光譜散射計以外亦使用多用途角度解析散射計。在此類型之檢測裝置中，由輻射源11 (在本發明中為HHG輻射源)發射之輻射係由照明系統12調節。舉例而言，照明系統12可包括準直透鏡系統、彩色濾光器、偏振器及孔徑器件。經調節輻射遵循照明路徑，在照明路徑中，經調節輻射由部分反射表面15反射且經由顯微鏡物鏡16聚焦至基板W上之光點S中。度量衡目標T可形成於基板W上。透鏡16具有高數值孔徑(NA)，其較佳為至少0.9且更佳為至少0.95。可視需要使用浸潤流體以獲得大於1的數值孔徑。多用途散射計可具有兩個或多於兩個量測分支。另外，實際裝置中將包括另外光學系統及分支，例如，以收集參考輻射以用於強度歸一化、俘獲目標之粗略成像、聚焦等等。可在上文所提及之先前公開案中發現此等操作之細節。出於本發明之目的，僅詳細說明及描述暗場成像度量衡之所關注量測分支。 在用於暗場成像之收集路徑中，成像光學系統21將基板W上之目標的影像形成於感測器23 (例如，CCD或CMOS感測器)上。在收集路徑之平面P'中提供孔徑光闌20。平面P'為與物鏡16之光瞳平面P''共軛的平面。孔徑光闌20亦可被稱作光瞳光闌。孔徑光闌20可採取不同形式，正如照明孔徑可採取不同形式一樣。孔徑光闌20與透鏡16之有效孔徑組合判定散射輻射之何種部分係用以在感測器23上產生影像。通常，孔徑光闌20用以阻擋零階繞射光束，使得形成於感測器23上之目標之影像僅自一階光束形成。在一階光束兩者經組合以形成影像之實例中，此影像將為所謂的暗場影像，其等效於暗場顯微法。然而，在本申請案中，一次僅成像一階中之一者，如下文所解釋。將由感測器23俘獲之影像輸出至影像處理器及控制器40，影像處理器及控制器40之功能將取決於所執行之量測的特定類型。出於本發明之目的，執行對目標結構之不對稱性的量測。不對稱性量測可與目標結構之知識組合以獲得用於形成量測之微影程序之效能參數的量測。可以此方式量測之效能參數包括(例如)疊對、聚焦及劑量。 在度量衡目標T提供於基板W上的情況下，此可為1-D光柵，其經印刷使得在顯影之後，長條係由固體抗蝕劑線形成。目標可為2-D光柵，其經印刷以使得在顯影之後，光柵係由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。長條、導柱或通孔可替代地被蝕刻至基板中。此等光柵中之每一者係目標結構之實例，其屬性可使用檢測裝置進行探究。 照明系統12之各種組件可調整以實施同一裝置內之不同度量衡「變因」(recipe)。除了選擇波長(顏色)及偏振作為特定者之特性以外，照明系統12亦可經調整以實施不同照明剖面。因為平面P''與物鏡16之光瞳平面P及偵測器19之平面共軛，所以平面P''中之照明剖面界定入射於上基板W上之光在光點S中的角度分佈。為了實施不同照明剖面，可在照明路徑中提供孔徑器件。孔徑器件可包含安裝於可移動滑件或輪上之不同孔徑。其可替代地包含可程式化空間光調變器。作為另外替代例，光纖可安置於平面P''中之不同位置處且選擇性地用於在其各別部位處遞送光或不遞送光。此等變化形式皆在上文所引用之文件中予以論述及例示。 在第一實例照明模式中，提供射線30a，使得入射角如在「I」處所展示，且由目標T反射之零階射線之路徑被標註為「0」(不應與光軸「O」混淆)。在第二照明模式中，可提供射線30b，在此情況下將調換入射角與反射角。此等照明模式兩者皆將被辨識為離軸照明模式。可出於不同目的實施許多不同照明模式。 如圖3之(b)中更詳細地展示，作為目標結構之實例的目標光柵T經置放成使得基板W垂直於物鏡16之光軸O。在離軸照明剖面之狀況下，與軸線O成一角度而照射於光柵T上的照明射線I引起一零階射線(實線0)及兩個一階射線(點鏈線+1及雙點鏈線-1)。應記住，在運用填充過度之小目標光柵的情況下，此等射線僅僅為覆蓋包括度量衡目標光柵T及其他特徵之基板區域的許多平行射線中之一者。因為照明射線30a之光束具有有限寬度(為接納有用量之光所必要)，所以入射射線I事實上將佔據一角度範圍，且繞射射線0及+1/-1將稍微散開。根據小目標之點散佈函數，每一階+1及-1將跨越角度範圍進一步散佈，而非如所展示之單一理想射線。 亦參看圖3之(a)，在射線30a之第一照明模式下，來自目標光柵之+1階繞射射線將進入物鏡16且促成記錄於感測器23處之影像。當使用第二照明模式時，射線30b以與射線30b相反之角度入射，且因此-1階繞射射線進入接物鏡且促成影像。當使用離軸照明時，孔徑光闌20阻擋零階輻射。如先前公開案中所描述，可在X方向及Y方向上用離軸照明界定照明模式。 藉由比較在此等不同照明模式下之目標光柵之影像，可獲得不對稱性量測。替代地，可藉由保持同一照明模式但旋轉目標來獲得不對稱性量測。雖然展示離軸照明，但可替代地使用目標之同軸照明，且可使用經修改之離軸孔徑20將繞射光之實質上僅一個一階傳遞至感測器。在另一實例中，使用稜鏡來代替孔徑光闌20，稜鏡具有將+1及-1階轉向至感測器23上之不同部位以使得其可被偵測及比較而無需兩個依序影像俘獲步驟的效應。上文所提及之已公開專利申請案US2011102753A1中揭示此技術，該專利申請案之內容據此以引用方式併入。代替一階光束或除了一階光束以外，二階、三階及高階光束(圖3中未展示)亦可用於量測中。作為另一變體，離軸照明模式可保持恆定，而目標自身在物鏡16之下旋轉180度以使用相反繞射階來俘獲影像。 以上技術通常使用具有可見波長之輻射來執行。因而，散射量測目標具有大於基板上之產品結構之間距的間距。作為一實例，散射量測目標可具有以微米(µm)為單位而量測之目標光柵間距，而同一基板上之產品結構可具有以奈米(nm)為單位而量測之間距。 此間距差誘發產品結構上之經量測疊對與實際疊對之間的偏移。偏移至少部分地歸因於微影裝置之光學投影失真及/或製造程序之其他步驟中的不同處理。目前，偏移包含對總經量測疊對之顯著貢獻。減少或消除偏移將因此改良總疊對效能。 可開發如下度量衡工具：其使用發射在「軟X射線」或EUV範圍內之輻射(例如，波長在2奈米與50奈米之間)的源。此類源之實例包括放電產生電漿源、雷射產生電漿源或高階諧波產生(HHG)源。HHG源為吾人所知能夠提供準直光子在經發射光中之較大通量(高亮度)。 歐洲專利申請案EP152020301、EP16168237、EP16167512中說明且進一步描述用於度量衡應用中之HHG源，該等歐洲專利申請案之全文特此以引用之方式併入。在度量衡應用中，可(例如)以正入射之形式、非常接近於正入射之形式(例如，在與正入射成10度內)、以掠入射形式(例如，在與表面成20度內)、以任意角度或以多種角度(以在單一俘獲中獲得較多量測資訊)使用此類HHG源。 圖4更詳細地說明展示輻射源430之度量衡配置。輻射源430為用於基於高階諧波產生(HHG)技術產生EUV輻射之HHG源。輻射源430之主要組件係泵浦雷射431及諸如HHG氣胞432之HHG媒體(亦可使用HHG固體表面媒體)。氣體供應件434將合適氣體供應至氣胞，在該氣胞中，該合適氣體視情況由電源(圖中未繪示)離子化。泵浦雷射431可(例如)為具有光學放大器之以光纖為基礎之雷射，從而產生每脈衝持續小於1奈秒(1 ns)的紅外線輻射之脈衝，其中脈衝重複率視需要達至幾兆赫茲。波長可為例如大約1微米(1 μm)。雷射脈衝作為泵浦輻射光束440被遞送至HHG氣胞432，其中輻射之部分被轉換成較高頻率。自HHG氣胞432產生量測輻射442之光束，其包括具有所要波長之相干輻射。 量測輻射442可含有多個波長。若該輻射亦為單色的，則可簡化量測計算(重建構)，但運用HHG較易於產生具有若干波長之輻射。此等情形為設計選擇問題，且甚至可為在同一裝置內可選擇的選項。不同波長將例如在使不同材料之結構成像時提供不同等級之對比度。舉例而言，為了檢測金屬結構或矽結構，可將不同波長選擇為用於使(碳基)抗蝕劑之特徵成像或用於偵測此等不同材料之污染的波長。 可提供一或多個濾光器件444。舉例而言，諸如鋁(Al)薄膜之濾光器可用以切斷基諧IR輻射以免進一步傳遞至檢測裝置中。可提供光柵以自氣胞432中產生之波長當中選擇一或多個特定諧波波長。在真空環境內可含有光束路徑中之一些或全部，應記住，EUV輻射在空氣中行進時會被吸收。輻射源430及照明光學件之各種組件可調整以在同一裝置內實施不同度量衡「變因」。舉例而言，可使不同波長及/或偏振為可選擇的。 經濾光之光束自輻射源430進入檢測腔室，其中包括所關注結構或目標結構之基板W被固持以供基板支撐件414檢測。目標結構被標註為T。檢測腔室內之氛圍係由真空泵452維持為接近真空，使得軟X射線輻射可在無不當衰減的情況下傳遞通過該氛圍。照明系統包括用於將輻射聚焦成聚焦光束456之一或多個光學元件454，且可包含例如二維彎曲鏡面或一系列一維彎曲鏡面，如上文所提及之先前申請案中所描述。可視需要將諸如光譜光柵之繞射光柵與此等鏡面組合。執行聚焦以在投影至所關注結構上時達成直徑低於10微米之圓形或橢圓形光點。基板支撐件414包含例如X-Y平移載物台及旋轉載物台，藉由X-Y平移載物台及旋轉載物台，可使基板W之任何部分在所要定向上到達光束之焦點。因此，輻射光點S形成於所關注結構上。接著藉由偵測器460偵測自所關注結構散射之輻射408。 如上文所提及，用以濾出非想要IR輻射之濾光元件可包含(例如)鋁薄膜。圖5示意性地展示說明需要此濾光器之所產生的HHG輻射的細節。展示聚焦於HHG氣胞432 (或其他HHG產生媒體)上之入射IR輻射440。所產生的HHG輻射442及剩餘的IR輻射500經展示為在HHG氣胞432之外，需要將剩餘的IR輻射500自所產生的HHG輻射442濾出。因為存在所產生的HHG輻射442與剩餘的IR輻射500之重疊區，所以需要很大程度上對HHG輻射442透明但會阻擋IR輻射500之濾光器。可在目前使用之驅動雷射功率下使用諸如前述鋁濾光器之超薄金屬膜濾光器，但是HHG輻射會發生一些損耗。然而，隨著驅動雷射功率增加，會變得不再有可能使用此類超薄金屬膜濾光器。因此，需要使用諸如孔徑或氣孔之空間濾光器510。然而，如可見，在不具有空間分離之HHG輻射442及IR輻射500的情況下，傳遞通過空間濾光器510之經濾光輻射530將包含一些IR輻射500。 在不久的未來，預見驅動雷射功率的增加會滿足EUV/軟X射線輻射用於CD及疊對應用之通量要求。一種按比例縮放驅動雷射功率(尤其適用於光纖雷射)之方式為以相干方式將來自若干分離放大器之子光束合併成單一光束。已運用相干組合技術示範1千瓦飛秒雷射，但尚未提出在此等功率位準下針對IR阻擋之解決方案。 舉例而言，自Marc Hanna等人的公開案「超速光纖放大器之相干組合(Coherent combination of ultrafast fiber amplifiers)」(J. Phys. B: At. Mol. Opt. Phys. 49 (2016) 062004) (以引用的方式併入本文中)得知：可以兩種廣義類別將相干光束組合幾何形狀分級，該兩種類別被標示為填充孔徑及平鋪孔徑。平鋪孔徑幾何形狀最適用於本文中所描述之概念。在平鋪孔徑幾何形狀中，簡單地在近場中將待組合之子光束定位成彼此緊接。相干組合僅在遠場中有效，其中在控制子光束之光學相位的情況下合成單一空間瓣(lobe)。在此狀況下，組合器元件可為簡單透鏡或甚至僅為遍及某距離之繞射。組合光束之空間屬性取決於精確的幾何配置。詳言之，複合光束之填充因子判定中心組合瓣中含有的功率部分。 圖6示意性地說明用於產生適用於泵浦HHG源中之HHG媒體之雷射泵浦輻射的平鋪孔徑相干光束組合配置。其展示包含複數個光纖605之光纖束600，每一光纖發射雷射輻射610之子光束。雷射輻射610之子光束各自可來源於經鎖模之放大器。光瞳平面PP係由微透鏡陣列615界定，且透鏡620將雷射輻射聚焦於焦平面FP處。微透鏡陣列615之焦距被標註為f1 且透鏡620之焦距被標註為f2 。圖6中亦展示光瞳平面PP橫截面625，其展示來自7個雷射光纖605之雷射輻射610之7個子光束的實例平鋪配置。此六角形配置最大化光瞳平面PP (近場)處之填充因子。此最大化焦平面FP處之中央瓣內的功率。亦展示焦平面FP橫截面630，可自焦平面FP橫截面630看出中央瓣635及具有較小強度之數個側瓣640 (具有較大強度之區展示為較暗)。應注意，光纖/子光束之實際數目及精確的平鋪配置不重要。相關的是，通常最大化光瞳平面處之填充因子，且平鋪配置在孔徑/光瞳內均勻地分佈。舉例而言，雷射輻射610之一或多個子光束可在光瞳平面PP之中心區中，且雷射輻射610之剩餘子光束可圍繞中心區均勻地分佈。 圖7展示在遠場處得到的輻射橫截面，其係自圖6中所說明之配置獲得。IR (雷射)輻射700具有與光瞳平面PP處相似的強度剖面圖案(但是實際強度值可不同)。亦展示所產生的HHG輻射710。雖然有可能借助於阻擋孔徑(其僅允許中心區內之輻射穿過)將IR濾出中心區，但可清楚地看到此操作將不會濾出所有IR輻射。中心區包含所產生的HHG輻射之光束及不在空間上分離的IR輻射之光束，藉此需要超薄金屬膜濾光器如所描述濾出IR輻射。 因此，提出在光瞳平面處之中心區中(在近場中)使用沒有任何子光束之平鋪幾何形狀以產生HHG輻射。此平鋪幾何形狀可包含環形平鋪幾何形狀。此幾何形狀在焦平面中之效應較小，且如同先前所描述的(最大限度地填充之光瞳)平鋪幾何形狀一樣，將僅產生單一HHG輻射光束。 圖8說明此配置。圖8之(a)展示在特定實例中光瞳平面處之平鋪幾何形狀805。應注意，實際配置及組合的子光束之數目係可變的，且為設計選擇之事情。最相關地，具有平鋪幾何形狀之中心區不具有雷射子光束。在一較佳實施例中，平鋪幾何形狀使得組合的子光束圍繞空中心區均勻地分佈於周邊。 圖8之(b)展示焦平面處之強度分佈810。如可見，此強度分佈與圖6之實例中的強度分佈630極相似。作為實例，雖然最大限度地填充之平鋪配置(諸如圖6之7個子光束配置625)會最大化焦點對準之中央瓣635的功率，但相比較，使用等效的6個子光束環形平鋪幾何形狀805之中央瓣815處的功率僅略低。僅僅焦平面處之極高IR強度(亦即僅僅中央瓣815)會促成HHG程序。焦平面處之強度加上相位判定所產生的HHG光束之屬性。因為焦平面強度分佈與兩個所說明之平鋪幾何形狀幾乎相同，所以所產生的HHG光束亦將幾乎相同。 圖8之(c)展示遠場處之IR輻射強度分佈820，及所產生的HHG輻射光束825之部位。如前所述，遠場處之IR輻射強度分佈圖案與近場(光瞳平面)強度分佈圖案相似，且因此對應於平鋪幾何形狀805。因而，IR輻射具有環形剖面，其中中心區內不具有IR輻射。因此，在遠場中，IR輻射與所產生的HHG輻射光束825在空間上分離。此意謂可藉由使用簡單的孔徑濾光器或氣孔來阻擋IR輻射進入檢測裝置。氣孔將使得中心區中之所有輻射(亦即，HHG輻射)能夠傳遞通過其孔徑而不受阻，同時將所有輻射(亦即，IR泵浦輻射)阻擋在此中心區之外。 圖9示意性地說明根據一實施例之濾光器配置。其展示環形IR輻射900 (來自泵浦雷射)激發HHG產生媒體/氣胞910。所產生的HHG輻射光束920傳遞通過空間濾光器940之孔徑930。遠場中之IR輻射950具有環形剖面，且由空間濾光器940阻擋。孔隙930經大小設定以(實質上)僅傳遞所產生的HHG輻射光束920及阻擋IR輻射950。可將如圖8之(a)中所說明之平鋪幾何形狀(或任何其他環形幾何形狀)與此處所說明之孔徑濾光器配置的組合用於圖3或圖4之檢測配置中。在圖4之實例中，該配置大體上將與所說明之配置相同，除了泵浦雷射431經組態以產生具有剖面之泵浦輻射光束440之外，光束之中心區中不包含泵浦輻射(例如，如圖8之(a)中所說明)；且空間濾光器940(或相似的空間濾光器)將會替換超薄金屬膜濾光器444。因而，泵浦雷射431可具有呈平鋪配置之形式的多個子光束，該泵浦雷射431在平鋪配置之中心區中不具有子光束。 應注意，HHG輻射光束之傳播取決於泵浦雷射光束在焦平面中之瞬時的局域傳播方向(亦即，相前)。當多個泵浦雷射子光束組合成單一焦點時，該等子光束將會干涉，且由該等光束之組合形成的電場將具有判定HHG輻射光束將去向何處之某相前。若驅動場不對稱，則HHG光束亦將不對稱。HHG轉換程序會保存動量，亦即，HHG輻射之N階諧波會攜載N個IR光子之動量。此等光子不必來自同一光束(此係因為在焦點處，不再存在多個光束，僅為電場之事情)。因此，HHG輻射不可發散較多IR光束。 此情形之另一後果為，若多個泵浦雷射子光束聚焦於同一光點處但成不同角度，則HHG輻射亦將在子光束之間散開。在欲使用光子的情況下，此極不便利。因此，較佳地，多個子光束共同接近(例如，最小化呈平鋪幾何形狀之形式的子光束之間的距離)。 當使用多個子光束時，每一光束之相位對焦點處之總電場產生影響。在兩種顏色之HHG的狀況下(亦即，具有不同色彩之兩個驅動雷射子光束)，此HHG有效地用以調諧相位匹配。對於相干組合，可較佳的是，儘可能地將子光束保持同相以最大化焦點對準之中央瓣的強度(相干組合中之困難部分係使所有子光束之相位維持同步)。然而，在一替代實施例中，可能有益的是變更相對相位(例如，變更少量)以最佳化相位匹配。 在後續經編號條項中揭示另外實施例： 1. 一種照明源裝置，其包含： 一高階諧波產生媒體； 一泵浦輻射源，其可操作以發射一泵浦輻射光束，該泵浦輻射光束具有在該光束之一中心區中不包含泵浦輻射的一剖面，以用於激發該高階諧波產生媒體以便產生高階諧波輻射；及 一空間濾光器，其位於該泵浦輻射光束之一焦平面之外，該空間濾光器可操作以阻擋該泵浦輻射； 其中該泵浦輻射及該所產生的高階諧波輻射在該泵浦輻射光束之該焦平面之外在空間上分離。 2. 如技術方案1之照明源裝置，其中該泵浦輻射光束具有一實質上對稱剖面。 3. 如技術方案2之照明源裝置，其中該泵浦輻射光束具有一實質上環形剖面。 4. 如前述技術方案中任一項之任何照明源裝置，其中該空間濾光器位於該泵浦輻射光束之遠場中。 5. 如技術方案4之照明源裝置，其中該遠場中之該泵浦輻射光束具有與在該泵浦輻射光束之一近場中之泵浦輻射光束相似的一剖面。 6. 如技術方案4或5之照明源裝置，其可操作以使得該泵浦輻射與該所產生的高階諧波輻射之該空間分離會導致該所產生的高階諧波輻射包含於該遠場中之該泵浦輻射剖面的該中心區內。 7. 如前述技術方案中任一項之照明源裝置，其中該空間濾光器包含經大小設定以將輻射阻擋在該泵浦輻射剖面之該中心區之外的一孔徑。 8. 如前述技術方案中任一項之照明源裝置，其中泵浦輻射源包含複數個子光束源，該複數個子光束源可操作以提供複數個以相干方式組合之泵浦輻射子光束。 9. 如技術方案8之照明源裝置，其中該複數個子光束源來源於複數個鎖模放大器。 10. 如技術方案8或9之照明源裝置，其中該複數個子光束源係以一平鋪孔徑幾何形狀進行配置，且其中該平鋪孔徑幾何形狀之一中心區沒有該等子光束。 11. 如技術方案10之照明源裝置，其中該平鋪孔徑幾何形狀包含圍繞該中心區均勻地分佈之該等子光束。 12. 如技術方案10或11之照明源裝置，其中該平鋪孔徑幾何形狀包含於由一光學系統界定之一光瞳平面內，該光學系統包含具有用於每一子光束之一微透鏡及將該等子光束聚焦於該焦平面處之一透鏡的一微透鏡陣列。 13. 如技術方案8至12中任一項之照明源裝置，其包含介於3個與10個之間的該等子光束源。 14. 如技術方案8至12中任一項之照明源裝置，其包含介於5個與8個之間的該等子光束源。 15. 如技術方案8至14中任一項之照明源裝置，其中最小化該等子光束源之間的距離。 16. 一種用於量測一基板上之一目標結構之檢測裝置，其包含： 如前述技術方案中任一項的用於產生量測輻射之一照明源，該量測輻射包含該高階諧波輻射。 17. 一種產生高階諧波量測輻射之方法，該高階諧波量測輻射經最佳化以用於將泵浦輻射自其進行濾光，該泵浦輻射之一光束用以產生該高階諧波量測輻射，其中該高階諧波量測輻射及該泵浦輻射在該泵浦輻射光束之一焦平面之外在空間上分離；該方法包含： 使用一平鋪孔徑幾何形狀來以相干方式組合複數個泵浦輻射子光束，其中該平鋪孔徑幾何形狀之一中心區沒有該等子光束。 18. 如技術方案17之方法，其包含使用一孔徑來在空間上對該高階諧波量測輻射進行濾光，該孔徑經大小設定以僅允許該高階諧波量測輻射穿過該孔徑。 19. 如技術方案18之方法，其中在該泵浦輻射光束之一遠場中執行該空間濾光。 20. 如技術方案18或19之方法，其中該泵浦輻射與該所產生的高階諧波輻射之該空間分離使得該所產生的高階諧波輻射包含於該泵浦輻射剖面之一中心區內； 且該孔徑經大小設定以將輻射阻擋在該泵浦輻射剖面之該中心區之外。 21. 如技術方案17至20中任一項之方法，其中該平鋪孔徑幾何形狀包含圍繞該平鋪孔徑幾何形狀之該中心區均勻地分佈之該等子光束。 22. 如技術方案17至21中任一項之方法，其中該平鋪孔徑幾何形狀包含於由一光學系統界定之一光瞳平面內，該光學系統包含具有用於每一子光束之一微透鏡及將該等子光束聚焦於該焦平面處之一透鏡的一微透鏡陣列。 23. 如技術方案17至22中任一項之方法，其包含介於3個與10個之間的該等子光束。 24. 如技術方案17至22中任一項之方法，其包含介於5個與8個之間的該等子光束。 25. 如技術方案17至24中任一項之方法，其中最小化該等子光束之間的距離。 26. 一種用於量測與藉由一微影程序而形成之一結構有關之一參數的檢測方法，其包含： 執行如技術方案17至25中任一項之方法以產生高階諧波量測輻射；及 使用該高階諧波量測輻射來量測該結構。 儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。 儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化器件中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。 關於微影裝置使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，波長為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米)及極紫外線(EUV)輻射(例如，波長介於5至20奈米的範圍內)以及諸如離子束或電子束之粒子束。 術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。 對特定實施例之前述說明將因此充分地揭露本發明之一般性質：在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識、根據各種應用而容易修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的涵義及範圍內。應理解，本文中之措辭或術語係出於(例如)描述而非限制之目的，以使得本說明書之術語或措辭待由熟習此項技術者按照該等教示及該指導進行解譯。 本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者進行界定。
0‧‧‧零階射線/繞射射線
+1‧‧‧一階射線/繞射射線
-1‧‧‧一階射線/繞射射線
11‧‧‧輻射源
12‧‧‧照明系統
15‧‧‧部分反射表面
16‧‧‧顯微鏡物鏡/透鏡
19‧‧‧偵測器
20‧‧‧孔徑光闌/離軸孔徑
21‧‧‧成像光學系統
23‧‧‧感測器
30a‧‧‧射線
30b‧‧‧射線
40‧‧‧影像處理器及控制器
408‧‧‧輻射
414‧‧‧基板支撐件
430‧‧‧輻射源
431‧‧‧泵浦雷射
432‧‧‧高階諧波產生(HHG)氣胞
434‧‧‧氣體供應件
440‧‧‧泵浦輻射光束/入射紅外線(IR)輻射
442‧‧‧量測輻射/高階諧波產生(HHG)輻射
444‧‧‧濾光器件/超薄金屬膜濾光器
452‧‧‧真空泵
454‧‧‧光學元件
456‧‧‧光束
460‧‧‧偵測器
500‧‧‧紅外線(IR)輻射
510‧‧‧空間濾光器
530‧‧‧輻射
600‧‧‧光纖束
605‧‧‧光纖
610‧‧‧雷射輻射
615‧‧‧微透鏡陣列
620‧‧‧透鏡
625‧‧‧光瞳平面橫截面/子光束配置
630‧‧‧焦平面橫截面/強度分佈
635‧‧‧中央瓣
700‧‧‧紅外線(IR) (雷射)輻射
710‧‧‧高階諧波產生(HHG)輻射
805‧‧‧平鋪幾何形狀
810‧‧‧強度分佈
815‧‧‧中央瓣
820‧‧‧紅外線(IR)輻射強度分佈
825‧‧‧高階諧波產生(HHG)輻射光束
900‧‧‧紅外線(IR)輻射
910‧‧‧高階諧波產生(HHG)產生媒體/氣胞
920‧‧‧高階諧波產生(HHG)輻射光束
930‧‧‧孔徑
940‧‧‧空間濾光器
950‧‧‧紅外線(IR)輻射
AD‧‧‧調整器
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
EXP‧‧‧曝光站
FP‧‧‧焦平面
f1‧‧‧焦距
f2‧‧‧焦距
I‧‧‧照明射線
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元/微影裝置控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
MA‧‧‧圖案化器件
MEA‧‧‧量測站
MT‧‧‧圖案化器件支撐件或支撐結構
M1‧‧‧光罩對準標記
M2‧‧‧光罩對準標記
O‧‧‧光軸
P'‧‧‧平面
P''‧‧‧光瞳平面
PM‧‧‧第一定位器
PP‧‧‧光瞳平面
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器/基板定位器
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
S‧‧‧光點/輻射光點
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源/源
T‧‧‧目標光柵結構/度量衡目標/目標光柵
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參考隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分，且在該等圖式中： 圖1描繪微影裝置； 圖2描繪可供使用根據本發明之檢測裝置的微影製造單元(cell)或叢集(cluster)； 圖3，包含圖3之(a)及圖3之(b)，示意性地說明根據本發明之實施例的檢測裝置被調適成執行已知的暗場成像檢測方法； 圖4示意性地說明使用根據本發明之實施例可調適之HHG源的度量衡裝置； 圖5示意性地展示根據說明紅外線濾光器元件之要求的已知方法產生之HHG輻射的細節； 圖6示意性地說明用於產生雷射泵浦輻射之已知的平鋪孔徑相干光束組合配置； 圖7展示自圖6中所說明之配置獲得的在遠場處產生的輻射強度剖面及所產生的HHG剖面； 圖8展示(a)根據本發明之實施例之用於產生雷射泵浦輻射的平鋪孔徑相干光束組合配置，(b)所得的光瞳平面強度剖面及(c)所得的遠場IR強度剖面及所產生的HHG剖面；且 圖9示意性地說明根據本發明之實施例的濾光器配置。

Claims (15)

  1. 一種照明源裝置，其包含： 一高階諧波產生媒體； 一泵浦輻射源，其可操作以發射一泵浦輻射光束，該泵浦輻射光束具有在該光束之一中心區中不包含泵浦輻射的一剖面，以用於激發該高階諧波產生媒體以便產生高階諧波輻射；及 一空間濾光器，其位於該泵浦輻射光束之一焦平面之外，該空間濾光器可操作以阻擋該泵浦輻射； 其中該泵浦輻射及該所產生的高階諧波輻射在該泵浦輻射光束之該焦平面之外在空間上分離。
  2. 如請求項1之照明源裝置，其中該泵浦輻射光束具有一實質上對稱剖面。
  3. 如請求項2之照明源裝置，其中該泵浦輻射光束具有一實質上環形剖面。
  4. 如請求項1至3中任一項之照明源裝置，其中該空間濾光器位於該泵浦輻射光束之遠場中。
  5. 如請求項4之照明源裝置，其中該遠場中之該泵浦輻射光束具有與在該泵浦輻射光束之一近場中之泵浦輻射光束相似的一剖面。
  6. 如請求項4之照明源裝置，其可操作以使得該泵浦輻射與該所產生的高階諧波輻射之該空間分離會導致該所產生的高階諧波輻射包含於該遠場中之該泵浦輻射剖面的該中心區內。
  7. 如請求項1至3中任一項之照明源裝置，其中該空間濾光器包含經大小設定以將輻射阻擋在該泵浦輻射剖面之該中心區之外的一孔徑。
  8. 如請求項1至3中任一項之照明源裝置，其中泵浦輻射源包含複數個子光束源，該複數個子光束源可操作以提供複數個以相干方式組合之泵浦輻射子光束。
  9. 如請求項8之照明源裝置，其中該複數個子光束源來源於複數個鎖模放大器。
  10. 如請求項8之照明源裝置，其中該複數個子光束源係以一平鋪孔徑幾何形狀進行配置，且其中該平鋪孔徑幾何形狀之一中心區沒有該等子光束。
  11. 如請求項10之照明源裝置，其中該平鋪孔徑幾何形狀包含於由一光學系統界定之一光瞳平面內，該光學系統包含具有用於每一子光束之一微透鏡及將該等子光束聚焦於該焦平面處之一透鏡的一微透鏡陣列。
  12. 如請求項8之照明源裝置，其包含介於3個與10個之間的該等子光束源，或者視情況，包含介於5個與8個之間的該等子光束源。
  13. 一種用於量測一基板上之一目標結構之檢測裝置，其包含： 一如前述請求項中任一項的用於產生量測輻射之照明源，該量測輻射包含該高階諧波輻射。
  14. 一種產生高階諧波量測輻射之方法，該高階諧波量測輻射經最佳化以用於將泵浦輻射自其進行濾光，該泵浦輻射之一光束用以產生該高階諧波量測輻射，其中該高階諧波量測輻射及該泵浦輻射在超出該泵浦輻射光束之一焦平面之外在空間上分離；該方法包含： 使用一平鋪孔徑幾何形狀來以相干方式組合複數個泵浦輻射子光束，其中該平鋪孔徑幾何形狀之一中心區沒有該等子光束。
  15. 一種用於量測與藉由一微影程序而形成之一結構有關之一參數的檢測方法，其包含： 執行如請求項14之方法以產生高階諧波量測輻射；及 使用該高階諧波量測輻射來量測該結構。
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