JPH01263243A - 電子機器用銅合金 - Google Patents
電子機器用銅合金Info
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- JPH01263243A JPH01263243A JP63089383A JP8938388A JPH01263243A JP H01263243 A JPH01263243 A JP H01263243A JP 63089383 A JP63089383 A JP 63089383A JP 8938388 A JP8938388 A JP 8938388A JP H01263243 A JPH01263243 A JP H01263243A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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-
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- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
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- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路のリードフレーム材やコネクタ等の
電子機器用鋼合金に関するものである。
電子機器用鋼合金に関するものである。
電子機器に使用される材料は、部品の小型化や高信頼性
の要求に伴い、高強度、高1!導材に加え。
の要求に伴い、高強度、高1!導材に加え。
耐食性や耐熱性のより優れたものが望まれている。
集積回路のリードフレーム材の例では、従来鉄系の42
アロイ(Fe−42%Ni)と銅系に大別されるが、近
年は高集積度化による発熱から熱を逃がすため、銅系材
への変更が進みつつある。しかしながら、一方では小型
化の進行に伴って、材料自体も薄板化が進み、従来の銅
合金の強度水準では不十分で、QFP(クラオード・フ
ラット・パッケージ)タイプのICパッケージにおいて
は、4270イが依然として使用されている。これらの
動向の中で、広範囲のニーズに応えられる水準の目安と
して、42アロイと同等の強度、即ち引張強さで70k
gf/mm” l・目当の強度、電気伝導率としては3
0%lAC3以上をあわせもつ材料が望まれている。
アロイ(Fe−42%Ni)と銅系に大別されるが、近
年は高集積度化による発熱から熱を逃がすため、銅系材
への変更が進みつつある。しかしながら、一方では小型
化の進行に伴って、材料自体も薄板化が進み、従来の銅
合金の強度水準では不十分で、QFP(クラオード・フ
ラット・パッケージ)タイプのICパッケージにおいて
は、4270イが依然として使用されている。これらの
動向の中で、広範囲のニーズに応えられる水準の目安と
して、42アロイと同等の強度、即ち引張強さで70k
gf/mm” l・目当の強度、電気伝導率としては3
0%lAC3以上をあわせもつ材料が望まれている。
また一方で、コネクタ等の一部には、小型化による素材
の薄肉化に対して、よりばね特性の高いものが望まれて
おり、りん青銅と同等以上の電気伝導率を有し、強度水
準はより高いものも望まれている。
の薄肉化に対して、よりばね特性の高いものが望まれて
おり、りん青銅と同等以上の電気伝導率を有し、強度水
準はより高いものも望まれている。
従来の電子機器用銅合金としてはCDA (Coppe
rDevelopment As5ociation)
CI9400合金やCu−0,1%Sn、 Cu−0,
1%Feなどの高伝導型(引張強さでは約50kgf/
mm′程度以下であるが、電気伝導率は60%lAC3
以上)や、りん青銅のような高強度型(強度は4270
イ水準であるが、電気伝導率は20%lAC3以下)が
主に使われてきており、さらに高強度材としては、高価
なベリリウム銅合金等がある。
rDevelopment As5ociation)
CI9400合金やCu−0,1%Sn、 Cu−0,
1%Feなどの高伝導型(引張強さでは約50kgf/
mm′程度以下であるが、電気伝導率は60%lAC3
以上)や、りん青銅のような高強度型(強度は4270
イ水準であるが、電気伝導率は20%lAC3以下)が
主に使われてきており、さらに高強度材としては、高価
なベリリウム銅合金等がある。
しかしながら、リードフレームやコネクタ等の分野で要
求される電気伝導率、強度水準および価格の点でそれぞ
れ一長一短があり、十分満足できる状況ではない。
求される電気伝導率、強度水準および価格の点でそれぞ
れ一長一短があり、十分満足できる状況ではない。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもの
で、強度と電気伝導率の両方に優れた特性をもつ電子機
器用銅合金を提供することを目的とするものである。
で、強度と電気伝導率の両方に優れた特性をもつ電子機
器用銅合金を提供することを目的とするものである。
本発明は次の電子機器用鋼合金である。
(1)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8% およびシリコン0.06〜1%を含有し、残
部が銅および不可避の不純物から成る電子機器用鋼合金
。
0.8% およびシリコン0.06〜1%を含有し、残
部が銅および不可避の不純物から成る電子機器用鋼合金
。
(2)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%およびシリコン0.06〜1%を含有し、残部
が銅および不可避の不純物から成り、酸素含有量が20
ppm以下である電子機器用銅合金。
0.8%およびシリコン0.06〜1%を含有し、残部
が銅および不可避の不純物から成り、酸素含有量が20
ppm以下である電子機器用銅合金。
(3)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%、シリコン0.06〜1%および亜鉛0.03
〜0.5%を含有し、残部が銅および不可避の不純物か
ら成る電子機器用銅合金。
0.8%、シリコン0.06〜1%および亜鉛0.03
〜0.5%を含有し、残部が銅および不可避の不純物か
ら成る電子機器用銅合金。
(4)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%、シリコン0.06〜1%および亜鉛0゜03
〜0.5%をぎ有し、残部が銅および不可避の不純物か
ら成り、酸素含有量が20ρρm以下である電子機器用
銅合金。
0.8%、シリコン0.06〜1%および亜鉛0゜03
〜0.5%をぎ有し、残部が銅および不可避の不純物か
ら成り、酸素含有量が20ρρm以下である電子機器用
銅合金。
以下、本発明の電子機器用銅合金を構成する合金成分の
添加理由と、その組成範囲の限定理由について説明する
。
添加理由と、その組成範囲の限定理由について説明する
。
ニッケル、燐およびシリコンは、これらの元素が金属間
化合物を効率よく生成し、強度の向上と導′1π率の低
下の少ない範囲とし、ニッケルの下限1.0%は、これ
未満では金属間化合物が少なく、強度の向上が少ないた
めであり、8%を超えると強度水準の向上が、配合量に
比して効果が少なくなり、また、電気伝導率の低下とは
んだめっきの耐熱性が劣化する傾向にあるためである。
化合物を効率よく生成し、強度の向上と導′1π率の低
下の少ない範囲とし、ニッケルの下限1.0%は、これ
未満では金属間化合物が少なく、強度の向上が少ないた
めであり、8%を超えると強度水準の向上が、配合量に
比して効果が少なくなり、また、電気伝導率の低下とは
んだめっきの耐熱性が劣化する傾向にあるためである。
ニッケル、燐およびシリコンの量の範囲の関係は、重b
t比的にNi: Pが約5 : 1 、Ni:Siが約
4=1にあるときに、強度、電気伝導率の水準が最も優
れており、これは金属間化合物として、Ni、 P2や
Ni2Siにほぼ相当している。従って燐、シリコンの
景は、この重量比より範囲を定めた。
t比的にNi: Pが約5 : 1 、Ni:Siが約
4=1にあるときに、強度、電気伝導率の水準が最も優
れており、これは金属間化合物として、Ni、 P2や
Ni2Siにほぼ相当している。従って燐、シリコンの
景は、この重量比より範囲を定めた。
添加元素の亜鉛については、亜鉛ははんだ付けあるいは
はんだめっき後の高温環境におけるはんだ層の剥離等の
信頼性劣化を抑える効果が認められ、その最少必要址の
0.03%を下限とし、上限については応力腐食性の点
で0.5%とした。
はんだめっき後の高温環境におけるはんだ層の剥離等の
信頼性劣化を抑える効果が認められ、その最少必要址の
0.03%を下限とし、上限については応力腐食性の点
で0.5%とした。
酸素含有量については、素材へのAgめっき密着性の評
価より、Agめっき後、加熱テスト(450°C×5
m1n)によりめっきフクレの発生が認められない範囲
として上限を20ppmとした。
価より、Agめっき後、加熱テスト(450°C×5
m1n)によりめっきフクレの発生が認められない範囲
として上限を20ppmとした。
以下、この発明の一実施例について説明する。
試料の作成は、高周波電気炉にて溶解後、厚さ20 m
mの鋳型に鋳込み、表面を固剤後、冷間圧延と熱処理
をくり返し、最終50%の冷間加工をして厚さ0.25
mmの板状に仕上げた。最終仕上圧延前の熱処理は80
0℃で、30分加熱後水中に焼入れし、さらにその後、
450°Cで2時間の焼戻し処理を施した。
mの鋳型に鋳込み、表面を固剤後、冷間圧延と熱処理
をくり返し、最終50%の冷間加工をして厚さ0.25
mmの板状に仕上げた。最終仕上圧延前の熱処理は80
0℃で、30分加熱後水中に焼入れし、さらにその後、
450°Cで2時間の焼戻し処理を施した。
表1に本発明材と比較材の諸特性の例を示す。
表1の結果より、Cu−Ni−Pのみの組成のものと比
較して、さらにSlを添加したものの方がより高い強度
水準が得られており、N1、P、Siの配合量が多いほ
ど強度の向上が顕著である。しかし、−方で配合量が増
大するにつれ電気伝導率の低下が認められる。このため
これらの強度と電気伝導率の関係より、前記の範囲にN
i、 P、Siの址を定めた。
較して、さらにSlを添加したものの方がより高い強度
水準が得られており、N1、P、Siの配合量が多いほ
ど強度の向上が顕著である。しかし、−方で配合量が増
大するにつれ電気伝導率の低下が認められる。このため
これらの強度と電気伝導率の関係より、前記の範囲にN
i、 P、Siの址を定めた。
02含有量に関しては、20ppmを超えた試料N00
7、lOについて、Agめっき後加熱試験においてめっ
きのフクレが認められるため、上限を20ppmとした
。
7、lOについて、Agめっき後加熱試験においてめっ
きのフクレが認められるため、上限を20ppmとした
。
はんだの耐熱性については、Nj、 P、 Siの含有
−電が増すにつれて劣化する傾向が認められるが、試料
No、5とNo、11の比較において、Znを0.15
%含有するNo、11の方が、はんだ耐熱性が向上して
おり、Znによる改善効果が認められる。一方、Zn含
有量の多い試料No、 9 においては、応力腐食感
受性が高くなるため、Znの含有量としては0.03〜
0.5%に制限した。
−電が増すにつれて劣化する傾向が認められるが、試料
No、5とNo、11の比較において、Znを0.15
%含有するNo、11の方が、はんだ耐熱性が向上して
おり、Znによる改善効果が認められる。一方、Zn含
有量の多い試料No、 9 においては、応力腐食感
受性が高くなるため、Znの含有量としては0.03〜
0.5%に制限した。
本発明の銅合金はニッケル、燐、シリコンを含有するた
め、強度水準が高く、電気伝導率も優れ、電子機器用部
品の小型化に非常に有用な特性を有しており、集積回路
のリードフレーム材に限らず、コネクター、リレー、ス
イッチ等広範な用途に適用できるだけでなく、安価な銅
合金として有用である。
め、強度水準が高く、電気伝導率も優れ、電子機器用部
品の小型化に非常に有用な特性を有しており、集積回路
のリードフレーム材に限らず、コネクター、リレー、ス
イッチ等広範な用途に適用できるだけでなく、安価な銅
合金として有用である。
さらに亜鉛を含有する銅合金は、耐熱性の低下が小さい
ため、強度水準をさらに上げることができる。
ため、強度水準をさらに上げることができる。
Claims (4)
- (1)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%およびシリコン0.06〜1%を含有し、残部
が銅および不可避の不純物から成ることを特徴とする電
子機器用銅合金。 - (2)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%およびシリコン0.06〜1%を含有し、残部
が銅および不可避の不純物から成り、酸素含有量が20
ppm以下であることを特徴とする電子機器用銅合金。 - (3)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%、シリコン0.06〜1%および亜鉛0.03
〜0.5%を含有し、残部が銅および不可避の不純物か
ら成ることを特徴とする電子機器用銅合金。 - (4)重量%にて、ニッケル1.0〜8%、燐0.1〜
0.8%、シリコン0.06〜1%および亜鉛0.03
〜0.5%を含有し、残部が銅および不可避の不純物か
ら成り、酸素含有量が20ppm以下であることを特徴
とする電子機器用銅合金。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63089383A JPH01263243A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 電子機器用銅合金 |
KR1019890004455A KR930006292B1 (ko) | 1988-04-12 | 1989-04-04 | 전자기기용 동합금 및 그의 제조방법 |
DE3911874A DE3911874C2 (de) | 1988-04-12 | 1989-04-11 | Kupferlegierung für elektronische Einrichtungen |
US07/835,082 US5248351A (en) | 1988-04-12 | 1992-02-18 | Copper Ni-Si-P alloy for an electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63089383A JPH01263243A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 電子機器用銅合金 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01263243A true JPH01263243A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=13969150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63089383A Pending JPH01263243A (ja) | 1988-04-12 | 1988-04-12 | 電子機器用銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01263243A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58123862A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
JPS59136439A (ja) * | 1983-01-26 | 1984-08-06 | Sanpo Shindo Kogyo Kk | 銅基合金 |
JPS61119660A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-06 | Nippon Mining Co Ltd | 高力高導電性銅基合金の製造方法 |
JPS62120451A (ja) * | 1985-11-21 | 1987-06-01 | Nippon Mining Co Ltd | プレスフイツトピン用銅合金 |
-
1988
- 1988-04-12 JP JP63089383A patent/JPH01263243A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58123862A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
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