JPH01262625A - 電子ビーム露光方法 - Google Patents
電子ビーム露光方法Info
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- JPH01262625A JPH01262625A JP9092988A JP9092988A JPH01262625A JP H01262625 A JPH01262625 A JP H01262625A JP 9092988 A JP9092988 A JP 9092988A JP 9092988 A JP9092988 A JP 9092988A JP H01262625 A JPH01262625 A JP H01262625A
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
基板上にパターンを形成する際のバターニングの電子ビ
ーム露光方法に関し、 微細パターン形成時の特性向上を目的とし、基板を被覆
したレジスト表面に、形状を変えることのできる矩形状
の電子ビームを移動させながら照射して所定のパターン
を形成する電子ビーム露光方法であって、所定のパター
ンを微細なパターン領域と粗のパターン領域とに分割し
、微細なパターン領域では、該パターンの幅に合致する
一辺を持つ矩形状に固定した上記の電子ビームを該パタ
ーンの長手方向に移動させながら連続照射し、粗のパタ
ーン領域では、該領域を上記の微細なパターン領域にお
ける固定形状より大きい矩形に等分割した後、該分割形
状に合致する矩形状の電子ビームを移動させながら間欠
照射して構成する。
ーム露光方法に関し、 微細パターン形成時の特性向上を目的とし、基板を被覆
したレジスト表面に、形状を変えることのできる矩形状
の電子ビームを移動させながら照射して所定のパターン
を形成する電子ビーム露光方法であって、所定のパター
ンを微細なパターン領域と粗のパターン領域とに分割し
、微細なパターン領域では、該パターンの幅に合致する
一辺を持つ矩形状に固定した上記の電子ビームを該パタ
ーンの長手方向に移動させながら連続照射し、粗のパタ
ーン領域では、該領域を上記の微細なパターン領域にお
ける固定形状より大きい矩形に等分割した後、該分割形
状に合致する矩形状の電子ビームを移動させながら間欠
照射して構成する。
本発明は基板上にパターンを形成する際のバターニング
の電子ビーム露光装置に係り、特に微細パターン形成時
の特性向上を図った電子ビーム露光方法に関する。
の電子ビーム露光装置に係り、特に微細パターン形成時
の特性向上を図った電子ビーム露光方法に関する。
近年の半導体デバイスの超微細化要求に伴い、電子ビー
ムの直接露光方法によるバターニングでは１／４μｍの
パターン幅が要求されるようになっている。
ムの直接露光方法によるバターニングでは１／４μｍの
パターン幅が要求されるようになっている。
一般に基板上にパターンを形成するには、基板を被覆し
たレジスト面に電子ビームを照射して露光し、化学処理
等によって所定パターンを形成する方法がとられている
。
たレジスト面に電子ビームを照射して露光し、化学処理
等によって所定パターンを形成する方法がとられている
。
この際特に微細なパターンを形成するバターニングでは
、矩形状のビーム照射が可能な可変面積型露光装置を使
用し所定パターンを矩形状に分割して照射位置を順次移
動させながら間欠照射して全体のパターンを露光してい
るが、この場合レジスト内部における電子散乱に起因す
る近接効果によって矩形状のパターンの四隅に丸みが生
ずる。
、矩形状のビーム照射が可能な可変面積型露光装置を使
用し所定パターンを矩形状に分割して照射位置を順次移
動させながら間欠照射して全体のパターンを露光してい
るが、この場合レジスト内部における電子散乱に起因す
る近接効果によって矩形状のパターンの四隅に丸みが生
ずる。
特に１μｍ以下程度の微細幅のライン状パターンをかか
る方法で露光して形成すると、該パターンの分割された
照射位置ごとに生ずるくびれだ節目が半導体デバイスと
しての機能を阻害したりパターンの切断を誘起する等の
ことからその解決が望まれている。
る方法で露光して形成すると、該パターンの分割された
照射位置ごとに生ずるくびれだ節目が半導体デバイスと
しての機能を阻害したりパターンの切断を誘起する等の
ことからその解決が望まれている。
第２図は従来の露光方法を説明する図であり、（Ａ）は
露光所定パターン形状を、（Ｂ）はパターンの分割状況
と電子ビーム照射順序をそれぞれ示し、（Ｃ）は最終的
なパターン形状を示した図である。
露光所定パターン形状を、（Ｂ）はパターンの分割状況
と電子ビーム照射順序をそれぞれ示し、（Ｃ）は最終的
なパターン形状を示した図である。
例えば図（Ａ）で示す如き形状の所定パターン１を露光
する場合には、通常露光効率を高めるためａＸｂで示さ
れる領域■には比較的大きい照射面積を持つ矩形の電子
ビームを順次移動させながら間欠照射し、またｃＸｄで
示される領域■には小さい照射面積を持つ矩形の電子ビ
ームを順次移動させながら間欠的に照射している。
する場合には、通常露光効率を高めるためａＸｂで示さ
れる領域■には比較的大きい照射面積を持つ矩形の電子
ビームを順次移動させながら間欠照射し、またｃＸｄで
示される領域■には小さい照射面積を持つ矩形の電子ビ
ームを順次移動させながら間欠的に照射している。
なお、図中の・で示すＰ点は電子ビームの照射時点を示
している。
している。
例えば仮にａを９μｍ、ｂを１２μ情、Ｃを０．５μ情
。
。
ｄを６μ精としたとき、図（Ｂ）の如く■の領域でａを
３分割、ｂを４分割したサブフィールド■１を照射単位
として３μ鋼×３μ園の正方形ビームを矢印Ｒの如く順
次移動させて各Ｐ点で間欠的に露光し、また■の領域で
はｄのみを６分割したサブフィールド■°を照射単位と
して１μＩ Ｘ Ｏ，５μ蒙の長方形ビームを矢印Ｒ°
の方向に移動させながら各Ｐ点で間欠的に露光して全体
の所定パターン１を露光している。
３分割、ｂを４分割したサブフィールド■１を照射単位
として３μ鋼×３μ園の正方形ビームを矢印Ｒの如く順
次移動させて各Ｐ点で間欠的に露光し、また■の領域で
はｄのみを６分割したサブフィールド■°を照射単位と
して１μＩ Ｘ Ｏ，５μ蒙の長方形ビームを矢印Ｒ°
の方向に移動させながら各Ｐ点で間欠的に露光して全体
の所定パターン１を露光している。
この際各サブフィールド毎の露光によって得られるパタ
ーンは円内（Ｂ＋）図の如（近接効果によってそれぞれ
の四隅に丸みを生ずるため、最終的に得られるパターン
端辺のサブフィールド境界部にはくびれた節目が生ずる
。
ーンは円内（Ｂ＋）図の如（近接効果によってそれぞれ
の四隅に丸みを生ずるため、最終的に得られるパターン
端辺のサブフィールド境界部にはくびれた節目が生ずる
。
図（Ｃ）はこの状態を示したもので、１′は上記の節目
を表わしている。
を表わしている。
この場合、領域０部分では全体の面積に対して節目１１
部分が小さいため導体パターンとしての特性を阻害する
ことはないが、領域■の部分ではＣで示す幅を横断する
形に該節目１“が発生するためＣが小さい場合には節目
１“が電流密度の部分的集中をもたらして半導体デバイ
スとしての機能を低下させたり、場合によってはパター
ン切断等を誘起することがある。特にＣ寸法が１７４μ
ｍ程度になると特性的な面から該節目１°の存在を許容
することができない。
部分が小さいため導体パターンとしての特性を阻害する
ことはないが、領域■の部分ではＣで示す幅を横断する
形に該節目１“が発生するためＣが小さい場合には節目
１“が電流密度の部分的集中をもたらして半導体デバイ
スとしての機能を低下させたり、場合によってはパター
ン切断等を誘起することがある。特にＣ寸法が１７４μ
ｍ程度になると特性的な面から該節目１°の存在を許容
することができない。
従来の電子ビーム露光方法では、近接効果によって発生
するくびれた節目がパターンの微細化につれて半導体デ
バイスの特性劣化を招き、またパターン切れを誘起する
と云う問題があった。
するくびれた節目がパターンの微細化につれて半導体デ
バイスの特性劣化を招き、またパターン切れを誘起する
と云う問題があった。
上記問題点は、基板を被覆したレジスト表面に、形状を
変えることのできる矩形状の電子ビームを移動させなが
ら照射して所定のパターンを形成する電子ビーム露光方
法であって、 所定のパターンを微細なパターン領域と粗のパターン領
域とに分割し、 微細なパターン領域では、該パターンの幅に合致する一
辺を持つ矩形状に固定した上記の電子ビームを該パター
ンの長手方向に移動させながら連続照射し、 粗のパターン領域では、該領域を上記の微細なパターン
領域における固定形状より大きい矩形に等分割した後、
該分割形状に合致する矩形状の電子ビームを移動させな
がら間欠照射して、所定のパターン全領域を露光する電
子ビーム露光方法によって解決される。
変えることのできる矩形状の電子ビームを移動させなが
ら照射して所定のパターンを形成する電子ビーム露光方
法であって、 所定のパターンを微細なパターン領域と粗のパターン領
域とに分割し、 微細なパターン領域では、該パターンの幅に合致する一
辺を持つ矩形状に固定した上記の電子ビームを該パター
ンの長手方向に移動させながら連続照射し、 粗のパターン領域では、該領域を上記の微細なパターン
領域における固定形状より大きい矩形に等分割した後、
該分割形状に合致する矩形状の電子ビームを移動させな
がら間欠照射して、所定のパターン全領域を露光する電
子ビーム露光方法によって解決される。
半導体デバイスの特性を落とすことなくまたパターン切
れのない微細なパターンを形成するには、前述のくびれ
た節目をなくすことである。
れのない微細なパターンを形成するには、前述のくびれ
た節目をなくすことである。
本発明では、発生するくびれた節目がデバイスの特性に
影響を与えない粗の領域では従来どおり効率のよい照射
面積が大きいサブフィールドを照射単位とする電子ビー
ムの間欠的露光を行い、上記節目が半導体デバイスの特
性を阻害する微細なパターン領域では照射面積の小さい
サブフィールドを照射単位とする電子ビームを連続して
スキャンニング露光することによって上記節目の発生を
防止している。
影響を与えない粗の領域では従来どおり効率のよい照射
面積が大きいサブフィールドを照射単位とする電子ビー
ムの間欠的露光を行い、上記節目が半導体デバイスの特
性を阻害する微細なパターン領域では照射面積の小さい
サブフィールドを照射単位とする電子ビームを連続して
スキャンニング露光することによって上記節目の発生を
防止している。
従って、微細で且つ半導体デバイスの特性を阻害するこ
とのないパターンを効率よく形成することができる。
とのないパターンを効率よく形成することができる。
第１図は本発明になる露光方法を説明する図であり、（
Ａ）は露光所定パターン形状を、（Ｂ）はパターンの分
割状況と電子ビーム照射順序をそれぞれ示し、（Ｃ）は
最終的な導体パターン形状を示した図である。
Ａ）は露光所定パターン形状を、（Ｂ）はパターンの分
割状況と電子ビーム照射順序をそれぞれ示し、（Ｃ）は
最終的な導体パターン形状を示した図である。
例えば図（Ａ）で示す如き形状の所定パターン２を露光
する場合には、露光効率を高めるため第２図同様にａＸ
ｂで示される粗のパターン領域■には比較的大きい照射
面積を持つ矩形の電子ビームを順次移動させながら間欠
的に照射し、一方Ｃ×ｄで示される微細なパターン領域
■には小さい照射面積を持つ矩形の電子ビームをスキャ
ンニングさせながら連続照射する。
する場合には、露光効率を高めるため第２図同様にａＸ
ｂで示される粗のパターン領域■には比較的大きい照射
面積を持つ矩形の電子ビームを順次移動させながら間欠
的に照射し、一方Ｃ×ｄで示される微細なパターン領域
■には小さい照射面積を持つ矩形の電子ビームをスキャ
ンニングさせながら連続照射する。
例えばａ、ｂ、ｃ、ｄの各寸法が第２図と同様の場合、
図（Ｂ）の如く■の領域を１２等分したサブフィールド
■°を照射単位として３８ｍＸ３μｍの正方形ビームを
矢印Ｒの如く順次移動させながら各Ｐ点で間欠的に露光
し、他方■の領域ではｄのみを６分割したサブフィール
ド■“を照射単位として工μｍ Ｘ ０．５μｍの矩形
ビームを矢印Ｒ１の方向にスキャンニングさせながら連
続露光して全体の所定パターン２を露光する。
図（Ｂ）の如く■の領域を１２等分したサブフィールド
■°を照射単位として３８ｍＸ３μｍの正方形ビームを
矢印Ｒの如く順次移動させながら各Ｐ点で間欠的に露光
し、他方■の領域ではｄのみを６分割したサブフィール
ド■“を照射単位として工μｍ Ｘ ０．５μｍの矩形
ビームを矢印Ｒ１の方向にスキャンニングさせながら連
続露光して全体の所定パターン２を露光する。
なお、・で示すＰ点および−で示すＰ′は電子ビームの
照射時点を示している。
照射時点を示している。
この際、■の領域では第２図の場合と同様にその端辺部
に近接効果によるくびれた節目１°が生ずるが、■の領
域では上記節目は最終端に発生するのみである。
に近接効果によるくびれた節目１°が生ずるが、■の領
域では上記節目は最終端に発生するのみである。
図（Ｃ）はこの状態を示したものである。
そこで、矩形状のビーム照射が可能な可変面積型露光装
置で露光するに際して、■の粗のパターン領域を露光す
るときには所定のサブフィールド■“に合致する正方形
の電子ビームを所定ルートＲで移動させながら各Ｐ点で
間欠的に照射し、■の微細パターン領域を露光するとき
には所定のサブフィールド■°に合致する矩形状の電子
ビームを所定ルートＲ１に沿ってスキャンしながら連続
照射させて所定のパターンを形成している。
置で露光するに際して、■の粗のパターン領域を露光す
るときには所定のサブフィールド■“に合致する正方形
の電子ビームを所定ルートＲで移動させながら各Ｐ点で
間欠的に照射し、■の微細パターン領域を露光するとき
には所定のサブフィールド■°に合致する矩形状の電子
ビームを所定ルートＲ１に沿ってスキャンしながら連続
照射させて所定のパターンを形成している。
なおこの場合には、■で示す微細パターン領域でＣで表
わしている幅は節目１′を形成することなく１７４μｍ
まで形成可能なることを確認している。
わしている幅は節目１′を形成することなく１７４μｍ
まで形成可能なることを確認している。
上述の如く本発明により、微細寸法を含むパターンが効
率的に且つ生産性よく形成できる電子ビーム露光方法を
提供することができる。
率的に且つ生産性よく形成できる電子ビーム露光方法を
提供することができる。
第１図は本発明になる露光方法を説明する図、第２図は
従来の露光方法を説明する図、である。図において、 々 をそれぞれ表わす。 α （，４） （Ｃ） 、４又幣Ｂ月１″−１Ｊろ電ｇ欠一方法シ名荒日月する
ロコ第 １２
従来の露光方法を説明する図、である。図において、 々 をそれぞれ表わす。 α （，４） （Ｃ） 、４又幣Ｂ月１″−１Ｊろ電ｇ欠一方法シ名荒日月する
ロコ第 １２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板を被覆したレジスト表面に、形状を変えることの
できる矩形状の電子ビームを移動させながら照射して所
定のパターンを形成する電子ビーム露光方法であって、 所定のパターンを微細なパターン領域と粗のパターン領
域とに分割し、 微細なパターン領域では、該パターンの幅に合致する一
辺を持つ矩形状に固定した上記の電子ビームを該パター
ンの長手方向に移動させながら連続照射し、 粗のパターン領域では、該領域を上記の微細なパターン
領域における固定形状より大きい矩形に等分割した後、
該分割形状に合致する矩形状の電子ビームを移動させな
がら間欠照射して、所定のパターン全領域を露光するこ
とを特徴とする電子ビーム露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9092988A JPH01262625A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 電子ビーム露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9092988A JPH01262625A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 電子ビーム露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01262625A true JPH01262625A (ja) | 1989-10-19 |
Family
ID=14012132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9092988A Pending JPH01262625A (ja) | 1988-04-13 | 1988-04-13 | 電子ビーム露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01262625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035766A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン描画方法 |
-
1988
- 1988-04-13 JP JP9092988A patent/JPH01262625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001035766A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Toshiba Corp | パターン描画方法 |
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