JPH01257210A - ケイ光ｘ線膜厚計 - Google Patents
ケイ光ｘ線膜厚計Info
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- JPH01257210A JPH01257210A JP8493988A JP8493988A JPH01257210A JP H01257210 A JPH01257210 A JP H01257210A JP 8493988 A JP8493988 A JP 8493988A JP 8493988 A JP8493988 A JP 8493988A JP H01257210 A JPH01257210 A JP H01257210A
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- Japan
- Prior art keywords
- sample
- thin film
- film thickness
- fluorescent
- diamond
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- Pending
Links
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Landscapes
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
エレクトロニクス技術と表面処理技術の発展に伴い、電
子部品への表面処理も微細化した局所になされるよう番
どなってきており、その局部メツキの膜厚管理に、一次
Ｘ線を細く絞ったケイ光Ｘ線膜厚計が利用されている。
子部品への表面処理も微細化した局所になされるよう番
どなってきており、その局部メツキの膜厚管理に、一次
Ｘ線を細く絞ったケイ光Ｘ線膜厚計が利用されている。
軽元素膜厚測定を可能とするケイ光Ｘ線微小部膜厚計に
おいて、ダイヤモンド、ハーフミラ−を採用し、リアル
タイムで試料画像を得る。
おいて、ダイヤモンド、ハーフミラ−を採用し、リアル
タイムで試料画像を得る。
試料画像をリアルモニターしながら、膜厚測定するため
には、一次Ｘ線のコリメータ系と画像モニター光学系中
心を一致させる必要があり、従来は、コリメータブロッ
クに光学系中心を一致させた穴あきミラーを設けるか、
ある程度の一次Ｘ＆１強度を犠牲にして、ハーフミラ−
を使用していた。
には、一次Ｘ線のコリメータ系と画像モニター光学系中
心を一致させる必要があり、従来は、コリメータブロッ
クに光学系中心を一致させた穴あきミラーを設けるか、
ある程度の一次Ｘ＆１強度を犠牲にして、ハーフミラ−
を使用していた。
穴あきミラーを使用する場合、一次Ｘ線の吸収による低
下がないため、Ｘ線側からは好条件ではあるが、画像モ
ニタＴＶに映し出される画像中心（実際にＸＮＩＡが照
射されている位置）が暗くなり、見えなくなるという致
命的問題があった。
下がないため、Ｘ線側からは好条件ではあるが、画像モ
ニタＴＶに映し出される画像中心（実際にＸＮＩＡが照
射されている位置）が暗くなり、見えなくなるという致
命的問題があった。
また、ハーフミラ−に対しては、従来の重元素測定にお
いては問題がないが、アルミニウムやシリコンなどの軽
元素を測定しようとする場合、べリジウム窓のロジウム
ターゲットＸ線管球を使用し、ロジウムのＬＸ線によっ
て励起する方式を採用しているが、ガラスミラーなどの
場合、歪み等のない厚みで貼り合わせようとする厚みで
は、厚すぎて、ロジウムのＬＸ線が透過できないという
問題があった。
いては問題がないが、アルミニウムやシリコンなどの軽
元素を測定しようとする場合、べリジウム窓のロジウム
ターゲットＸ線管球を使用し、ロジウムのＬＸ線によっ
て励起する方式を採用しているが、ガラスミラーなどの
場合、歪み等のない厚みで貼り合わせようとする厚みで
は、厚すぎて、ロジウムのＬＸ線が透過できないという
問題があった。
近年、シリコン基盤上にダイヤモンド薄膜を結晶成長さ
せ、その後、目的の大きさにシリコン基盤をエツチング
する技術がも１立されてきており、本発明は、このダイ
ヤモンド薄膜の表面にアルミニウム蒸着し、ミラーを形
成し、ハーフミラ−として採用する。
せ、その後、目的の大きさにシリコン基盤をエツチング
する技術がも１立されてきており、本発明は、このダイ
ヤモンド薄膜の表面にアルミニウム蒸着し、ミラーを形
成し、ハーフミラ−として採用する。
第１図は、従来の穴あきミラーを採用した場合の光学モ
デルであり、１はＸ線源、２はコリメータ・ブロック、
３は試料と試料ステージ、４は穴あきミラー、５は光学
顕微鏡とＣＣＤカメラ、６は試料モニタＴＶで示し、従
って、前記ミラーの穴あきにより試料モニタＴＶ６の画
像中心に黒い影が現れてしまう。
デルであり、１はＸ線源、２はコリメータ・ブロック、
３は試料と試料ステージ、４は穴あきミラー、５は光学
顕微鏡とＣＣＤカメラ、６は試料モニタＴＶで示し、従
って、前記ミラーの穴あきにより試料モニタＴＶ６の画
像中心に黒い影が現れてしまう。
第２図は、本発明で採用するダイヤモンド薄膜のハーフ
ミラ−であり、構造としては、シリコン１１１０が、コ
リメータ径より大きい径で工、チングされており、その
上のダイヤモンド薄膜１１は５μｍ以下の厚みとし、そ
の上に数千オングストローム囚のアルミニウム、銀ある
いはロジウム１２を蒸着して３層とする。
ミラ−であり、構造としては、シリコン１１１０が、コ
リメータ径より大きい径で工、チングされており、その
上のダイヤモンド薄膜１１は５μｍ以下の厚みとし、そ
の上に数千オングストローム囚のアルミニウム、銀ある
いはロジウム１２を蒸着して３層とする。
従来のハーフミラ−は石英ガラス（Ｓｉ（ｈ）にアルミ
ニウムをア着していたが、石英ガラスの厚みが５４とし
ても、ロジウムのＬＸ線（Ｅ ＝ ２．７ｋｅＶ）は４
３％しか透過せず、石英ガラスの機械的強度を確保する
為には５０−以上は必要であり、５０−の厚みでは、ロ
ジウムのＬＸ＆Ｉｌの透過は０．０２％と、はぼ０％と
なり、軽元素励起が不可能となる。
ニウムをア着していたが、石英ガラスの厚みが５４とし
ても、ロジウムのＬＸ線（Ｅ ＝ ２．７ｋｅＶ）は４
３％しか透過せず、石英ガラスの機械的強度を確保する
為には５０−以上は必要であり、５０−の厚みでは、ロ
ジウムのＬＸ＆Ｉｌの透過は０．０２％と、はぼ０％と
なり、軽元素励起が不可能となる。
本発明のダイヤモンド薄膜を採用するハーフミラ−は、
ダイヤモンドの厚みが５−の場合、ロジウムのＬＸ線が
８８％透過する為、軽元素励起に対し充分な強度が得ら
れる。
ダイヤモンドの厚みが５−の場合、ロジウムのＬＸ線が
８８％透過する為、軽元素励起に対し充分な強度が得ら
れる。
両者の違いは、ダイヤモンドの構成元素Ｃと、石英ガラ
スの構成元素Ｓｉ及びＯの原子番号の差である。）ｌは
原子番号の小さい物質はど良く透過する為、極薄膜でも
機械的強度を得ることがでへる物質で、原子番号の小さ
い物質としては、ダイヤモンドが最適である。
スの構成元素Ｓｉ及びＯの原子番号の差である。）ｌは
原子番号の小さい物質はど良く透過する為、極薄膜でも
機械的強度を得ることがでへる物質で、原子番号の小さ
い物質としては、ダイヤモンドが最適である。
本発明のダイヤモンド、ハーフミラ−を採用することに
より、軽元素の励起効率を低下させることもなく、リア
ルタイムで微小部分の試料画像を歪みのない、きれいな
画像として得ることができ、試料の位置合わせを、正確
、迅速に処理することが実現できる。
より、軽元素の励起効率を低下させることもなく、リア
ルタイムで微小部分の試料画像を歪みのない、きれいな
画像として得ることができ、試料の位置合わせを、正確
、迅速に処理することが実現できる。
第１図は従来の穴あきミラーを用いた試料モニターの光
学モデル説明図、第２図は本発明で用いるダイヤモンド
、ハーフミラ−の断面図である。 ｌ・・・Ｘ線発生源 ２・・・コリメータ ３・・・ピンコネクター等の試料 ４・・・穴あきミラー ５・・・ＣＣＤカメラ ６・・・試料モニターＴＶ １０・・・シリコン基板 １１・・・ダイヤモンド薄膜 １２・・・金属薄着面 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
学モデル説明図、第２図は本発明で用いるダイヤモンド
、ハーフミラ−の断面図である。 ｌ・・・Ｘ線発生源 ２・・・コリメータ ３・・・ピンコネクター等の試料 ４・・・穴あきミラー ５・・・ＣＣＤカメラ ６・・・試料モニターＴＶ １０・・・シリコン基板 １１・・・ダイヤモンド薄膜 １２・・・金属薄着面 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社
Claims (1)
- 試料を保持する試料ステージと、Ｘ線発生部、Ｘ線検出
から構成されるケイ光Ｘ線膜厚計において、一次Ｘ線を
細く絞るためのコリメータと常時試料画像をモニターす
るための光学系を配置する場合、コリメータ部にダイヤ
モンド薄膜に金属蒸着したミラーを用いたことを特徴と
するケイ光Ｘ線膜厚計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8493988A JPH01257210A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | ケイ光ｘ線膜厚計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8493988A JPH01257210A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | ケイ光ｘ線膜厚計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257210A true JPH01257210A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13844627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8493988A Pending JPH01257210A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | ケイ光ｘ線膜厚計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257210A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103048346A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 株式会社理学 | 校正试样和荧光x射线分析装置与荧光x射线分析方法 |
| KR20150128721A (ko) * | 2013-03-07 | 2015-11-18 | 헬무트 휘셔 게엠베하 인스티투트 휘어 엘렉트로닉 운트 메쓰테크닉 | 광학 미러, 엑스선 형광 분석 장치 및 엑스선 형광 분석 방법 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP8493988A patent/JPH01257210A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103048346A (zh) * | 2011-10-17 | 2013-04-17 | 株式会社理学 | 校正试样和荧光x射线分析装置与荧光x射线分析方法 |
| KR20150128721A (ko) * | 2013-03-07 | 2015-11-18 | 헬무트 휘셔 게엠베하 인스티투트 휘어 엘렉트로닉 운트 메쓰테크닉 | 광학 미러, 엑스선 형광 분석 장치 및 엑스선 형광 분석 방법 |
| JP2016509231A (ja) * | 2013-03-07 | 2016-03-24 | ヘルムート・フィッシャー・ゲーエムベーハー・インスティテュート・フューア・エレクトロニク・ウント・メステクニク | 光学ミラー、ｘ線蛍光分析デバイス及びｘ線蛍光分析のための方法 |
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