JPH01253924A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH01253924A JPH01253924A JP8202088A JP8202088A JPH01253924A JP H01253924 A JPH01253924 A JP H01253924A JP 8202088 A JP8202088 A JP 8202088A JP 8202088 A JP8202088 A JP 8202088A JP H01253924 A JPH01253924 A JP H01253924A
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- JP
- Japan
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- parameters
- etching
- semiconductor manufacturing
- spectrum waveform
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 10
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置に関し、特にプラズマエツチ
ング装置の終点判定装置の改良に関するものである。
ング装置の終点判定装置の改良に関するものである。
第８図は従来の半導体製造装置の説明図であり、図にお
いて、１１１はエツチングチャンバー、＋！＋ １３１
はそれぞれ上部電極および下部電極、（５）は上部電極
）２！の接地線、１４１Ｖｉウエハ、ｊ６１はプラズマ
を発生させるＲ７発振１．ｆ８１はエツチング圧力をモ
ニターする圧力計、１９１はエツチングガス［１ｅ制ａ
ｆるマスフローコントローラ、 ＋１０１はエツチング
圧力−」御用のバリアプルコンダクタンスバルブ、Ｇυ
は真空ポンプ、１？ｌｉプラズマからの発光スペクトル
を測定するプラズマセンサ、Ｑ４１＃−ｔプラズマセン
サ（〕１からの信号ｔ＋けてエツチングの終点判定を行
う終点判定装置である。
いて、１１１はエツチングチャンバー、＋！＋ １３１
はそれぞれ上部電極および下部電極、（５）は上部電極
）２！の接地線、１４１Ｖｉウエハ、ｊ６１はプラズマ
を発生させるＲ７発振１．ｆ８１はエツチング圧力をモ
ニターする圧力計、１９１はエツチングガス［１ｅ制ａ
ｆるマスフローコントローラ、 ＋１０１はエツチング
圧力−」御用のバリアプルコンダクタンスバルブ、Ｇυ
は真空ポンプ、１？ｌｉプラズマからの発光スペクトル
を測定するプラズマセンサ、Ｑ４１＃−ｔプラズマセン
サ（〕１からの信号ｔ＋けてエツチングの終点判定を行
う終点判定装置である。
また第４図のＯ５はプラズマセンサ（７）からの出力１
ｇ号である＠光スペクトル波形、 ＋１２１は発光スペ
クトル波形ｔ１３１ＫＱ生するノイズである。
ｇ号である＠光スペクトル波形、 ＋１２１は発光スペ
クトル波形ｔ１３１ＫＱ生するノイズである。
次ＶＣ動作について説明する。下部電極１３：にウェハ
１４１が置かれた状態にて、マスフローコントローラー
）９１にてエツチングガスが導入され、真空ポンプＵυ
にてエツチングガスを排気しつつエツチングチャンバー
ＩＩＩ内の圧力値を圧力計（８）にてモニターシ、バリ
アプルコンダクタンスパルプ（１０）にて所望の真空度
に設定する。
１４１が置かれた状態にて、マスフローコントローラー
）９１にてエツチングガスが導入され、真空ポンプＵυ
にてエツチングガスを排気しつつエツチングチャンバー
ＩＩＩ内の圧力値を圧力計（８）にてモニターシ、バリ
アプルコンダクタンスパルプ（１０）にて所望の真空度
に設定する。
次に、ＲＦ発振券（６）により、高周波が下部１惨（３
１に印加されガスプラズマが発生する。
１に印加されガスプラズマが発生する。
エツチング開始と同時にエツチングチャンバーＩｌｌ内
のプラズマ光のスペクトル変化をプラズマセンサ（７）
全通して終点判定装置α４が受は取り。
のプラズマ光のスペクトル変化をプラズマセンサ（７）
全通して終点判定装置α４が受は取り。
変化ｔｋ計算して、エツチングの終点判定２行なう。
この時、発光スペクトル波形０３には半導体製造装置パ
ラメーターであるエツチングガス流酸や圧力などの父重
力によりノイズ１２１が発生する。
ラメーターであるエツチングガス流酸や圧力などの父重
力によりノイズ１２１が発生する。
従来の終点判定装置は以上のように構成されていたので
１発光スペクトル波形に、半導体製造装置のパラメータ
であるガスｉ量や圧力などの変動によるノイズ波形が表
われ、終点判定装置により正確なエツチングの終点判定
が行なえないなどの課題があった。
１発光スペクトル波形に、半導体製造装置のパラメータ
であるガスｉ量や圧力などの変動によるノイズ波形が表
われ、終点判定装置により正確なエツチングの終点判定
が行なえないなどの課題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので１発元スペクトル波形のノイズケ収り去るととも
に、安定性のある終点判定装置を得ることを目的とする
。
もので１発元スペクトル波形のノイズケ収り去るととも
に、安定性のある終点判定装置を得ることを目的とする
。
この発明に係る半導体製造装置は変化の微少す発光スペ
クトルを用いてエツチングの終点判定２行う際に、プラ
ズマ状態の変動の要因となる半導体製造装置のパラメー
タをリアルタイムでモニタリンクし、発光スペクトル波
形より半導体製造装置のパラメータの変動によるノイズ
成分？取り除くようにしたものである。
クトルを用いてエツチングの終点判定２行う際に、プラ
ズマ状態の変動の要因となる半導体製造装置のパラメー
タをリアルタイムでモニタリンクし、発光スペクトル波
形より半導体製造装置のパラメータの変動によるノイズ
成分？取り除くようにしたものである。
この発明における半嬶体製造装ｆｊｊＬは発光スペクト
ル波形より、半導体製造装置パラメータの９ｊ″蛸によ
るノイズ成分を取り除くことにより、安定性のある終点
判定が行える。
ル波形より、半導体製造装置パラメータの９ｊ″蛸によ
るノイズ成分を取り除くことにより、安定性のある終点
判定が行える。
以下、この発明の一実施例？図について説明する。
第１図において、前記従来のものと同一符号は同一のも
の金示し１図中、（ＩＦＡはＲＦ発振滲（６）のｆ＃’
に示す信号、■はバリアプルコンダクタンス／（ルプｔ
１０１の父前ヲ示す信号を、Ｈけマスフローコントロー
ラー（９）の変＃を承す信号、）壇は圧力計（８）の変
動を示す信号、翰はプラズマセンサ（７１からの発光ス
ペクトル波形１Ｊ３１より、半導体製造装置のパラメー
タの変動によるノイズ？取り去ったノイズ波形のない発
光スペクトル波形である。
の金示し１図中、（ＩＦＡはＲＦ発振滲（６）のｆ＃’
に示す信号、■はバリアプルコンダクタンス／（ルプｔ
１０１の父前ヲ示す信号を、Ｈけマスフローコントロー
ラー（９）の変＃を承す信号、）壇は圧力計（８）の変
動を示す信号、翰はプラズマセンサ（７１からの発光ス
ペクトル波形１Ｊ３１より、半導体製造装置のパラメー
タの変動によるノイズ？取り去ったノイズ波形のない発
光スペクトル波形である。
次Ｖ（制作について説明する。下部電極（３１にウェハ
）４１が宵かれた状態にて、マスフローコントローラー
（９１にてエツチングガスが導入され、真空ボンプリυ
にてエツチングガスを排気しつつ、バリアプルコンダク
タンスバルブ１１０１にて所望の真仝度に設定する。
）４１が宵かれた状態にて、マスフローコントローラー
（９１にてエツチングガスが導入され、真空ボンプリυ
にてエツチングガスを排気しつつ、バリアプルコンダク
タンスバルブ１１０１にて所望の真仝度に設定する。
次に、Ｒ７発振４１６１により高周波が下部電極・３１
に印加され、ガスプラズマが発生する。
に印加され、ガスプラズマが発生する。
エツチング開始と同時に、エツチングチャンバーＩｌｌ
ｊ１７’（のプラズマ光のスペクトル変化ヲフラズマ
センサ（７）全通して終点判定装置が受は取る。
ｊ１７’（のプラズマ光のスペクトル変化ヲフラズマ
センサ（７）全通して終点判定装置が受は取る。
この時の発光スペクトル波形１Ｉ３１上には半導体製造
装置ｇのパラメーターのｆ蛸によるノイズａ４が見られ
る。
装置ｇのパラメーターのｆ蛸によるノイズａ４が見られ
る。
このノイズ波形（１２１を打ち消す為に、終点判定装置
Ｑ４１には、リアルタイムで半導体製造装置のパラメー
タが伝えられる。
Ｑ４１には、リアルタイムで半導体製造装置のパラメー
タが伝えられる。
この半導体製造装置のパラメーターの変動量は例えばＲ
Ｆ発儀奉信号αＧ、バリアプルコンダクタンスパルプ信
号Ｏｆ１ 、マスフローコントローラー信号（１η、圧
力計１ぎ号１８１などであり、終点判定公電ｔ１４内で
発光スペクトル波形α濁と同期させられ、発光スペクト
ル波形ｔ１３１のノイズ（１２Ｉを取り除く。
Ｆ発儀奉信号αＧ、バリアプルコンダクタンスパルプ信
号Ｏｆ１ 、マスフローコントローラー信号（１η、圧
力計１ぎ号１８１などであり、終点判定公電ｔ１４内で
発光スペクトル波形α濁と同期させられ、発光スペクト
ル波形ｔ１３１のノイズ（１２Ｉを取り除く。
この時得られるのが、■であるノイズ波形のない発光ス
ペクトル波形であり、このスペクトル波ｔｖａ’ａ＊＋
とに、安定性のあるエツチングの終点判定が行なわれる
。
ペクトル波形であり、このスペクトル波ｔｖａ’ａ＊＋
とに、安定性のあるエツチングの終点判定が行なわれる
。
なお、上記実施例では平行平板型のドライエツチャーに
ついて述べたが、ヘキソード型などすべてのタイプのド
ライエツチャーに適用が出来る。
ついて述べたが、ヘキソード型などすべてのタイプのド
ライエツチャーに適用が出来る。
″また、半導体製造装置のパラメータも上記害流側だけ
でなく、自己バイアス電圧（ＶＣＤ）など使用装置特有
の装置パラメータを用いることにより、より精度が向上
する。
でなく、自己バイアス電圧（ＶＣＤ）など使用装置特有
の装置パラメータを用いることにより、より精度が向上
する。
以上のようにこの発明によれば％変化の微少す発光スペ
クトルを用いてエツチングの終点判定４行う商に、プラ
ズマ状態の変動の要因となる半導体装置のパラメーター
？リアルタイムでモニタリンクし、発光スペクトル波形
より、半導体ｆＭ造装置パラメータの父切によるノイズ
成分？取り除くように構成したので、８度が高く安ご性
のあるエツチングの終点判定が行なえる。
クトルを用いてエツチングの終点判定４行う商に、プラ
ズマ状態の変動の要因となる半導体装置のパラメーター
？リアルタイムでモニタリンクし、発光スペクトル波形
より、半導体ｆＭ造装置パラメータの父切によるノイズ
成分？取り除くように構成したので、８度が高く安ご性
のあるエツチングの終点判定が行なえる。
第１図は、この発明の一実施例による半導体製造装置の
説明図、 第２図は第１図ＶＣおける１を号波形図％第
３図は従来の半導体裏造装置の説明図、第４図は第３図
における１百号波形図である。 図において、１１；はエツチングチャンバー、（２］は
下部電極、１３）は下部電極、（４）はウェハ、＋５１
は接地線、・６１はＲＦ発損器、１７）けプラズマセン
サ、（８）は圧力計、１９１はマスフローコントローラ
、＋＋０１ｔｄ バリアプルコンダクタンスパルプ、ｆ
１２１Ｈノイズ、［１４１汀終点判定装置、αＧはＲＦ
矩振４信号、卵ハバリアブルコンダクタンスパルプ信号
、ａηはマスフローコントローラー信号、 ａＳ＋は圧
力計信号、（ｌαはノイズ波形のない発光スペクトル波
形を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分？示す。
説明図、 第２図は第１図ＶＣおける１を号波形図％第
３図は従来の半導体裏造装置の説明図、第４図は第３図
における１百号波形図である。 図において、１１；はエツチングチャンバー、（２］は
下部電極、１３）は下部電極、（４）はウェハ、＋５１
は接地線、・６１はＲＦ発損器、１７）けプラズマセン
サ、（８）は圧力計、１９１はマスフローコントローラ
、＋＋０１ｔｄ バリアプルコンダクタンスパルプ、ｆ
１２１Ｈノイズ、［１４１汀終点判定装置、αＧはＲＦ
矩振４信号、卵ハバリアブルコンダクタンスパルプ信号
、ａηはマスフローコントローラー信号、 ａＳ＋は圧
力計信号、（ｌαはノイズ波形のない発光スペクトル波
形を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分？示す。
Claims (1)
- 半導体製造装置で変化の微少な発光スペクトルを用い
てエッチングの終点判定を行う際に、プラズマ状態の変
動の要因となる半導体製造装置のパラメータをリアルタ
イムでモニタリンクし、発光スペクトル波形より半導体
製造装置のパラメータの変動によるノイズ成分を取り除
くことにより、安定性のある終点判定を行うことを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8202088A JPH01253924A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8202088A JPH01253924A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253924A true JPH01253924A (ja) | 1989-10-11 |
Family
ID=13762840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8202088A Pending JPH01253924A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004291A1 (en) * | 1990-09-05 | 1992-03-19 | Luxtron Corporation | Method of endpoint detection and structure therefor |
| JPH07130708A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | エッチング終点検出機構 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP8202088A patent/JPH01253924A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992004291A1 (en) * | 1990-09-05 | 1992-03-19 | Luxtron Corporation | Method of endpoint detection and structure therefor |
| US5190614A (en) * | 1990-09-05 | 1993-03-02 | Luxtron Corporation | Method of endpoint detection and structure therefor |
| JPH07130708A (ja) * | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Nec Corp | エッチング終点検出機構 |
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