JPH01252930A - 像形成方法およびその装置 - Google Patents
像形成方法およびその装置Info
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- JPH01252930A JPH01252930A JP7808288A JP7808288A JPH01252930A JP H01252930 A JPH01252930 A JP H01252930A JP 7808288 A JP7808288 A JP 7808288A JP 7808288 A JP7808288 A JP 7808288A JP H01252930 A JPH01252930 A JP H01252930A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、熱的に像を形成し、表示、記録、メモリー等
として、または他の画像形成への中間媒体として使用す
ることに適する像形成方法およびその装置に関するもの
である。
として、または他の画像形成への中間媒体として使用す
ることに適する像形成方法およびその装置に関するもの
である。
[従来の技術]
従来より、テレビやVTRによる動画出力やコンピュー
ターとの対話作業における出力はCRT (ブラウン
管)やTN(ツィステッド・ネマティック)液晶のデイ
スプレィモニターに出力表示され、またwP(ワードプ
ロセッサー)やファクシミリ等による文書9図形等の高
精細画像はプリントアウトされたハードコピーとしてペ
ーパーに出力表示されてきた。
ターとの対話作業における出力はCRT (ブラウン
管)やTN(ツィステッド・ネマティック)液晶のデイ
スプレィモニターに出力表示され、またwP(ワードプ
ロセッサー)やファクシミリ等による文書9図形等の高
精細画像はプリントアウトされたハードコピーとしてペ
ーパーに出力表示されてきた。
[発明か解決しようとする課題]
しかしながら、 CRTは上記動画出力に対しては美し
い画像を出力するか、長詩間静止した画像に対してはフ
リッカや解像度不足による走査線等が視認性を低下させ
る欠点がある。
い画像を出力するか、長詩間静止した画像に対してはフ
リッカや解像度不足による走査線等が視認性を低下させ
る欠点がある。
また、上記のTN液晶等の従来の液晶デイスプレィにお
いては、フラットさを実現してはいるが、一対のガラス
基板間に液晶をサンドイッチする等の作製上の手間や、
また画面が暗い等の問題点があった。また、CRTやT
N液晶では、上記した静止画像の出力中においても、安
定した画像メモリーがないために、常にビームや画素電
圧をアクセスしていなければならない等の欠点がある。
いては、フラットさを実現してはいるが、一対のガラス
基板間に液晶をサンドイッチする等の作製上の手間や、
また画面が暗い等の問題点があった。また、CRTやT
N液晶では、上記した静止画像の出力中においても、安
定した画像メモリーがないために、常にビームや画素電
圧をアクセスしていなければならない等の欠点がある。
これに対して、ベーパーに出力された画像は高精細に、
また安定したメモリー画像として得られるが、これを多
く使用すると整理にスペースを要し、また大量に廃棄す
ることになると資源を浪費する欠点がある。
また安定したメモリー画像として得られるが、これを多
く使用すると整理にスペースを要し、また大量に廃棄す
ることになると資源を浪費する欠点がある。
前記の様な欠点を解決する要°求から、高分子組成物を
用いて可逆的変化を生じた記録表示が行なえる像形成媒
体の検討が行なわれている。この高分子組成物としては
、相分離ポリマーまたは高分子液晶等が用いられている
が、具体的には、相分離ポリマーでは21m以上のボリ
イマーが特定の温度域では相溶状態で、また他の温度域
では相分離状態を生じ、その屈折率変化から光学変化を
生じるものであり、また高分子液晶では熱と電界、磁界
の少なくとも一種の物理的手段で、分子の配列、形状を
変化させることで光学変化を生じさせるものである。
用いて可逆的変化を生じた記録表示が行なえる像形成媒
体の検討が行なわれている。この高分子組成物としては
、相分離ポリマーまたは高分子液晶等が用いられている
が、具体的には、相分離ポリマーでは21m以上のボリ
イマーが特定の温度域では相溶状態で、また他の温度域
では相分離状態を生じ、その屈折率変化から光学変化を
生じるものであり、また高分子液晶では熱と電界、磁界
の少なくとも一種の物理的手段で、分子の配列、形状を
変化させることで光学変化を生じさせるものである。
このような高分子組成物は、溶液塗布等によりJ&膜化
することが可能であり、また像形成媒体の大面積化が実
現できる上に薄膜化、膜厚制御が容易であるために注目
され、この高分子組成物を用いて記録表示を行なうため
に、光の透過あるいは反射量を制御する方法1手段及び
装置等が望まれている現況である。
することが可能であり、また像形成媒体の大面積化が実
現できる上に薄膜化、膜厚制御が容易であるために注目
され、この高分子組成物を用いて記録表示を行なうため
に、光の透過あるいは反射量を制御する方法1手段及び
装置等が望まれている現況である。
本発明は、この様な現況に鑑みてなされたものであり、
高分子組成物を用いた像形成媒体に熱により像を形成す
る方法において、光学的変化量を制御することができ、
また表示においては階調表示を行なうことがてき、また
高品位な画像表示を行なうことができる像形成方法およ
びその装置を提供することを目的とするものである。
高分子組成物を用いた像形成媒体に熱により像を形成す
る方法において、光学的変化量を制御することができ、
また表示においては階調表示を行なうことがてき、また
高品位な画像表示を行なうことができる像形成方法およ
びその装置を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]および[作用]即ち、本
発明の第一の発明は、透明状態あるいは不透明状態とな
る高分子層を少なくとも有する像担持体に像を形成する
方法であって、加熱制御手段により高分子層の透明状態
あるいは不透明状態領域の面積変調を行ない中間調を記
録表示することを特徴とする像形成方法である。
発明の第一の発明は、透明状態あるいは不透明状態とな
る高分子層を少なくとも有する像担持体に像を形成する
方法であって、加熱制御手段により高分子層の透明状態
あるいは不透明状態領域の面積変調を行ない中間調を記
録表示することを特徴とする像形成方法である。
また、第二の発明は、透明状態あるいは不透明状態とな
ることが可能な高分子層を有する像担持体と、前記高分
子層を加熱して透明状態あるいは不透明状態領域の面積
変調を行ない中間調の像を記録する加熱制御手段とから
なることを特徴とする像形成装置である。
ることが可能な高分子層を有する像担持体と、前記高分
子層を加熱して透明状態あるいは不透明状態領域の面積
変調を行ない中間調の像を記録する加熱制御手段とから
なることを特徴とする像形成装置である。
以下、本発明の詳細な説明する。
まず1図面に基づき本発明の構成と原理について説明す
る。
る。
第1図(a)、 (c)、 (e)は、本発明の像形成
方法の原理を説明するための模式断面図、第1図(b)
。
方法の原理を説明するための模式断面図、第1図(b)
。
(d)、 (f)は第1図(a)、 (c)、 (e)
の模式平面図である。
の模式平面図である。
まず、第1図(a)、 (c)、 (e)において、本
発明の像形成方法は、基体2の上に高分子層lを設けて
なる像担持体11に、発熱手段3により前記像担持体1
1の像形成領域1aに熱印加により像の形成を行うもの
である0発熱手段3は像担持体itに対し接触していて
も良いし、または非接触でも良い。
発明の像形成方法は、基体2の上に高分子層lを設けて
なる像担持体11に、発熱手段3により前記像担持体1
1の像形成領域1aに熱印加により像の形成を行うもの
である0発熱手段3は像担持体itに対し接触していて
も良いし、または非接触でも良い。
次に、像形成における各状態を説明すると、第1図(a
)、 (b)においては1発熱手段3の発熱がなく、高
分子層lへの熱印加がない状態である。この時、高分子
Rtは常温での固定状態を示している。この状態におい
ては、前記の如く透明状態または散乱状態の前状態をと
り得るか、ここては散乱状態として説明する。
)、 (b)においては1発熱手段3の発熱がなく、高
分子層lへの熱印加がない状態である。この時、高分子
Rtは常温での固定状態を示している。この状態におい
ては、前記の如く透明状態または散乱状態の前状態をと
り得るか、ここては散乱状態として説明する。
また、第2図に基づき、高分子層として高分子液晶材を
含有する高分子液晶層を透明基体上に設けて像形成を行
なう場合についての原理的プロセスを説明する。高分子
液晶層においては、前記高分子液晶か安定したメモリー
状態を維持するガラス転移点以下におけるフィルム状態
、実質的に光学的散乱状態に維持することのできる液晶
フィルム状態およびこれより高温で等方的分子配列とな
る等方性フィルム状態の少なくとも3状態をとり得るこ
とに起因して制御することができる。
含有する高分子液晶層を透明基体上に設けて像形成を行
なう場合についての原理的プロセスを説明する。高分子
液晶層においては、前記高分子液晶か安定したメモリー
状態を維持するガラス転移点以下におけるフィルム状態
、実質的に光学的散乱状態に維持することのできる液晶
フィルム状態およびこれより高温で等方的分子配列とな
る等方性フィルム状態の少なくとも3状態をとり得るこ
とに起因して制御することができる。
第1図における初期状態が散乱状態の場合は、第2図中
■の状態に相当する。これを、たとえば感熱ヘラ1(あ
るいはレーザー等の加熱手段によりT2(T、、。−等
方状態移行温度)以上に加熱(■aの状態)シた後、急
冷すると、図中■の様にほぼ等方状態と同様の光透過状
態が固定される。この急冷状態は、特に冷却手段を用い
ることもなく、基体を空気中に自然放熱することで充分
である。
■の状態に相当する。これを、たとえば感熱ヘラ1(あ
るいはレーザー等の加熱手段によりT2(T、、。−等
方状態移行温度)以上に加熱(■aの状態)シた後、急
冷すると、図中■の様にほぼ等方状態と同様の光透過状
態が固定される。この急冷状態は、特に冷却手段を用い
ることもなく、基体を空気中に自然放熱することで充分
である。
この等方状態は、TI(rg=ガラス転移温度)以下に
おける室温または常温状態においては安定であり、すな
わち画像メモリーとして安定な状態である。
おける室温または常温状態においては安定であり、すな
わち画像メモリーとして安定な状態である。
一方1図中■aのごと<T2以−Eに加熱した後、液晶
温度T、〜T2間に、−例として1秒ないし数秒間保持
すると、■bのごとく、この保持時間において散乱強度
を再び増し、常温においては再び元の散乱状態■に復帰
し、この状態はT、以下において安定に保持される。
温度T、〜T2間に、−例として1秒ないし数秒間保持
すると、■bのごとく、この保持時間において散乱強度
を再び増し、常温においては再び元の散乱状態■に復帰
し、この状態はT、以下において安定に保持される。
第1図(e)、 (r)は、上記の様な性状を有する高
分子液晶層を発熱手段3により加熱し、像形成領域1a
が散乱から透明状態へと変化した状態を示す、像形成領
域1aか散乱から透明状態に変化するためには、この領
域において、前記の如<Ta(T1.。)以上の温度が
必要である。
分子液晶層を発熱手段3により加熱し、像形成領域1a
が散乱から透明状態へと変化した状態を示す、像形成領
域1aか散乱から透明状態に変化するためには、この領
域において、前記の如<Ta(T1.。)以上の温度が
必要である。
第1図(C)、 (d)は前記第1図(c)、 (f)
と同様の発熱手段3により加熱された状態を示すが、像
形成領域1aにおいて、高分子層面積に対し1/3の領
域が、散乱から透明状態へと変化したものである。すな
わち、発熱手段3の発熱量を制御することにより、高分
子層l中の像形成領域1aにおいて、T3以上の温度領
域を制御し、透明、散乱状態領域を形成固定することか
できる。この状態においては、光学的には第1図(a)
、 (b)の散乱状態、または第1図(e)、 (f)
の透明状態との中間状態を形成することができる。
と同様の発熱手段3により加熱された状態を示すが、像
形成領域1aにおいて、高分子層面積に対し1/3の領
域が、散乱から透明状態へと変化したものである。すな
わち、発熱手段3の発熱量を制御することにより、高分
子層l中の像形成領域1aにおいて、T3以上の温度領
域を制御し、透明、散乱状態領域を形成固定することか
できる。この状態においては、光学的には第1図(a)
、 (b)の散乱状態、または第1図(e)、 (f)
の透明状態との中間状態を形成することができる。
従って、前記の如く、制御を行うことにより光学的変化
量(透過あるいは反射量)を選択することができる。
量(透過あるいは反射量)を選択することができる。
次に、前記方法を用いた応用例として1表示装置を使用
した場合について説明する。
した場合について説明する。
第3図は本発明の像形成方法に使用する表示装置を示す
斜視図、第4図は書き込み読み取り部を示す部分断面図
である。
斜視図、第4図は書き込み読み取り部を示す部分断面図
である。
第3図は、不図示の駆動部より第4図に示すサーマルヘ
ッド4及び読み取りセンサー5を備えた占き込み読み取
り部6を可動し、像担持体1】上に像を形成し、また読
み取ることが可能な表示装置である。読み取りセンサー
5に読み取られた像は、外部記録装置に出力される。7
は書き込まれた像を消去するための面状発熱体、8は光
源である。
ッド4及び読み取りセンサー5を備えた占き込み読み取
り部6を可動し、像担持体1】上に像を形成し、また読
み取ることが可能な表示装置である。読み取りセンサー
5に読み取られた像は、外部記録装置に出力される。7
は書き込まれた像を消去するための面状発熱体、8は光
源である。
次に、前記表示装置に使用される像担持体11の一例を
第6図を用いて説明すると、ポリエチレンテレフタレー
ト等の透明樹脂あるいはガラス、セラミウクス等からな
る基体2(例えば、厚さ1007ha)上に高分子液晶
層1b (例えば、厚さ10鉢■)を塗布して積層す
る。 10は保護層であり、キズ、はこり、あるいは熱
印加手段による熱やキズから高分子液晶層1bを保護し
、フッ素系樹脂(例えば、商品名:ルミフロン、旭ガラ
ス製)、シリコン樹脂等をコーティング或いはラミネー
トしたもの、あるいは高分子液晶で形成されるが。
第6図を用いて説明すると、ポリエチレンテレフタレー
ト等の透明樹脂あるいはガラス、セラミウクス等からな
る基体2(例えば、厚さ1007ha)上に高分子液晶
層1b (例えば、厚さ10鉢■)を塗布して積層す
る。 10は保護層であり、キズ、はこり、あるいは熱
印加手段による熱やキズから高分子液晶層1bを保護し
、フッ素系樹脂(例えば、商品名:ルミフロン、旭ガラ
ス製)、シリコン樹脂等をコーティング或いはラミネー
トしたもの、あるいは高分子液晶で形成されるが。
該高分子液晶としてはそのガラス転移温度Tgが高いも
の、好ましくは前記高分子液晶層1bのT i m。
の、好ましくは前記高分子液晶層1bのT i m。
(等方状態移行温度)以上であるものが望ましい。
前記表示を行なう時は、初期においては散乱状態を示し
、表示面は白色である。また5像担持体11上に形成さ
れた像は、透明状態あるいは透明状態に近い状態を示す
。
、表示面は白色である。また5像担持体11上に形成さ
れた像は、透明状態あるいは透明状態に近い状態を示す
。
前記基体2、およびITO、酸化スズを用いた面状発熱
体7が透明であれば、背面に黒色あるいは有彩色の背面
板12を配置すれば像のコントラストは良くなる。また
、背面板12のかわりに有彩色の面状光源を有すること
も可能である。尚、背面板と前記像担持体は図の如く非
接触でも良いか、または接触していても良い。
体7が透明であれば、背面に黒色あるいは有彩色の背面
板12を配置すれば像のコントラストは良くなる。また
、背面板12のかわりに有彩色の面状光源を有すること
も可能である。尚、背面板と前記像担持体は図の如く非
接触でも良いか、または接触していても良い。
基体2に顔料及び染料を分散塗布させたものでも良い。
また、基体2を用いず背面板12もしくは面状発熱体7
上に直接高分子液晶層1aを設けても良い。
上に直接高分子液晶層1aを設けても良い。
次に、@記表示装置において1本発明を実施する記録方
法について具体的に説明する。
法について具体的に説明する。
第5図は、像担持体上にサーマルヘッドにより書き込み
が行なわれた状態を示す説明図であり、第6図は第5図
A、A’領域上の書き込み時の状態(記録方法)を表わ
す模式断面図である。第7図は微小発熱体3aにおける
熱分布を表わす説明図て、微小発熱体3aの中心から1
/4の領域を示したものである0図において、4はサー
マルヘッドであって、微小発熱体3a (例えば、
+25 p−*x125#履)をアレイ化してなるマル
チ型記録ヘットである。
が行なわれた状態を示す説明図であり、第6図は第5図
A、A’領域上の書き込み時の状態(記録方法)を表わ
す模式断面図である。第7図は微小発熱体3aにおける
熱分布を表わす説明図て、微小発熱体3aの中心から1
/4の領域を示したものである0図において、4はサー
マルヘッドであって、微小発熱体3a (例えば、
+25 p−*x125#履)をアレイ化してなるマル
チ型記録ヘットである。
前記の如く、高分子液晶の特性によれば、高分子液晶相
転移温度T + w。以上の温度において不透明(散乱
)状態から透明状態へと変化する。これによれば、記録
時に微小発熱体3a全面をTin。以上の温度に昇温す
ることにより、i!!iiが形成される。
転移温度T + w。以上の温度において不透明(散乱
)状態から透明状態へと変化する。これによれば、記録
時に微小発熱体3a全面をTin。以上の温度に昇温す
ることにより、i!!iiが形成される。
また、微小発熱体3aへの印加電圧、パルスITJ等を
変化することにより、第7図に示す様に一画素の部分領
域4aの部分を高分子液晶相転移温度Tie。以−ヒに
昇温することか可能である。
変化することにより、第7図に示す様に一画素の部分領
域4aの部分を高分子液晶相転移温度Tie。以−ヒに
昇温することか可能である。
上記の如く、微小発熱体3aの温度領域を選択すること
により、第5図および第6図の像担持体の一画素の部分
領域4aの部分を不透明から透明状態に変化することが
可能である。これにより。
により、第5図および第6図の像担持体の一画素の部分
領域4aの部分を不透明から透明状態に変化することが
可能である。これにより。
−画素中の透明、不透明状態を形成する領域を微小発熱
体3aの温度域により選択することか可能となり、高分
子層の透明状態あるいは不透明状態領域の面積変調を行
ない、光学変化を制御し中間調を記録表示することかで
きる。
体3aの温度域により選択することか可能となり、高分
子層の透明状態あるいは不透明状態領域の面積変調を行
ない、光学変化を制御し中間調を記録表示することかで
きる。
前記表示装はによれば、中間濃度か表示できるため、特
に高品位な画像を表示することができる特徴を有してい
る。
に高品位な画像を表示することができる特徴を有してい
る。
以上説明した例においては、高分子液晶か初期において
散乱状態であり、加熱制御手段により高分子液晶層Hさ
方向に対して透明状態領域を形成し、光学変化量を制御
するものであるが、初期状態が透明状態であっても良く
、この場合、散乱状態領域を形成するためには、印加熱
量及び冷却時間を制御することにより可能である。
散乱状態であり、加熱制御手段により高分子液晶層Hさ
方向に対して透明状態領域を形成し、光学変化量を制御
するものであるが、初期状態が透明状態であっても良く
、この場合、散乱状態領域を形成するためには、印加熱
量及び冷却時間を制御することにより可能である。
また、高分子層の厚さ、発熱体の大きさ等は特に限定す
ることはなく、使用目的に応じて任意のものを使用する
ことがてきる。
ることはなく、使用目的に応じて任意のものを使用する
ことがてきる。
また、図示した表示装置としては、記録ヘッドか移動す
るものであるか、像担持体がベルト式(たとえばエンド
レスベルト状)であっても良く、像担持体と記録ヘッド
か相対的に移動する表示装置であれば良い。
るものであるか、像担持体がベルト式(たとえばエンド
レスベルト状)であっても良く、像担持体と記録ヘッド
か相対的に移動する表示装置であれば良い。
尚、像担持体11の高分子層内に、アルミニウム、銀等
の金属あるいは各種合金、酸化チタン等の無機物2粒子
あるいはウィスカー(針状物)を添加したものであって
も良い、これによれば1層内の熱伝導率が良好になる。
の金属あるいは各種合金、酸化チタン等の無機物2粒子
あるいはウィスカー(針状物)を添加したものであって
も良い、これによれば1層内の熱伝導率が良好になる。
更に、明確な中間調表示が可能となる。
また、ウィスカーの長軸を面内あるいは厚さ方向に揃え
ることにより、前記効果か更に向」ニする。
ることにより、前記効果か更に向」ニする。
本発明に用いることのできる高分子層として最適には、
サーモトロピック液晶性を示す材料を用いることができ
、この例としては、たとえばメタクリル酸ポリマーやシ
ロキサンポリマー等を主鎖とした低分子液晶をペンダン
ト状に付加した。いわゆる側鎖型高分子液晶、また高強
度高弾性耐熱性繊維や樹脂の分野て用いられているポリ
エステル系又はポリイミド系等の主鎖型高分子液晶等で
ある。
サーモトロピック液晶性を示す材料を用いることができ
、この例としては、たとえばメタクリル酸ポリマーやシ
ロキサンポリマー等を主鎖とした低分子液晶をペンダン
ト状に付加した。いわゆる側鎖型高分子液晶、また高強
度高弾性耐熱性繊維や樹脂の分野て用いられているポリ
エステル系又はポリイミド系等の主鎖型高分子液晶等で
ある。
さらに高分子液晶中に不斉炭素を導入して5IIC″を
示す相を有し、強誘電性を示す高分子液晶あるいはコレ
ステリック液晶高分子も好ましく用いられる。
示す相を有し、強誘電性を示す高分子液晶あるいはコレ
ステリック液晶高分子も好ましく用いられる。
以下にその例として数種挙げるが、これらに限定される
ものではない。
ものではない。
構造式(1)
MW = 18,000
構造式(2)
構造式(3)
CI+。
?
構造式(4)
また、これらを塗布製膜するための溶媒としては、ジク
ロロエタン、 DMF、シクロヘキサン等の他、テトラ
ヒドロフラン(TIIF) 、アセトン、エタノールそ
の他の極性又は非極性溶媒又はこれらの混合溶媒か使用
され、これらは使用する高分子液晶との溶解性並びにこ
れを塗工する基体の材質または基体の表面に設けた表面
層との濡れ性、成膜性等の要因によって選択しうること
は言うまでもない。
ロロエタン、 DMF、シクロヘキサン等の他、テトラ
ヒドロフラン(TIIF) 、アセトン、エタノールそ
の他の極性又は非極性溶媒又はこれらの混合溶媒か使用
され、これらは使用する高分子液晶との溶解性並びにこ
れを塗工する基体の材質または基体の表面に設けた表面
層との濡れ性、成膜性等の要因によって選択しうること
は言うまでもない。
[実施例]
以下、実施例を示し本発明をさらに具体的に説明する。
実施例1
下記の構造式(1)で示される高分子液晶を、構造式(
+) %w = 18,000 ジクロロエタンにより溶解し、これをアルコール洗浄を
施し、た厚さ100終園のポリエステル系透明基体上に
アプリケーターにより塗布した。その後、95°C雰囲
気中に10分間放置したところ、白色の散乱膜が形成さ
れた。この膜厚は塗布前における高分子液晶の濃度wt
%か20wシ%を用いて、lOμ朧強のものが得られた
。
+) %w = 18,000 ジクロロエタンにより溶解し、これをアルコール洗浄を
施し、た厚さ100終園のポリエステル系透明基体上に
アプリケーターにより塗布した。その後、95°C雰囲
気中に10分間放置したところ、白色の散乱膜が形成さ
れた。この膜厚は塗布前における高分子液晶の濃度wt
%か20wシ%を用いて、lOμ朧強のものが得られた
。
上記で得られた白色シート上を、1254m X125
p、mの微小発熱体を約1680個アレイ化し、その
うち600個は50川墨X50p■の部分領域を有する
感熱ヘッドで走査したところ1文字2因形パターンに従
って透明部分が固定された。このシートを光学濃度か1
.2の黒色パックグラウンド上に導くと、透明部分の面
積制御により、中間調の表示が得られた。
p、mの微小発熱体を約1680個アレイ化し、その
うち600個は50川墨X50p■の部分領域を有する
感熱ヘッドで走査したところ1文字2因形パターンに従
って透明部分が固定された。このシートを光学濃度か1
.2の黒色パックグラウンド上に導くと、透明部分の面
積制御により、中間調の表示が得られた。
次に、上記パターンか記録されたシートの全面を約12
0℃にまで加熱し、その後約90℃で数秒保ったところ
、元の白色散乱状態に全面が復帰し、このまま常温に戻
しても安定であり、再度の記録9表示を行なうことかで
きた。
0℃にまで加熱し、その後約90℃で数秒保ったところ
、元の白色散乱状態に全面が復帰し、このまま常温に戻
しても安定であり、再度の記録9表示を行なうことかで
きた。
[発明の効果]
以上説明した様に4本発明の像形成方法およびその装置
によれば、光学的変化量を制御することかでき、表示に
おいては、階調表示を行なうことかでき、また高品位な
画像表示を行なうことができる。
によれば、光学的変化量を制御することかでき、表示に
おいては、階調表示を行なうことかでき、また高品位な
画像表示を行なうことができる。
第1図(a)、 (c)、 (e)は本発明の像形成方
法の原理を説明するための模式断面図、第1図(b)。 (d)、 (f)は第1図(a)、 (c)、 (e)
の模式平面図、第2図は高分子液晶像形成プロセスを説
明するグラフ、第3図は本発明の像形成方法に使用する
表示装置を示す斜視図、第4図は書き込み読み取り部を
示す部分断面図、第5図は、像担持体上にサーマルヘッ
ドにより書き込みか行なわれた状態を示す説明図、第6
図は第5図A、A’ i域上の書き込み時の状態(記録
方法)を表わす模式断面図および第7図はサーマルヘッ
ドの微小発熱体における熱分布を表わす説明図である。 l・・・高分子層 1a・・・像形成領域i b
−・・高分子液晶層 2・・・基体3・・・発熱手段
3a・・・微小発熱体4・・・サーマルヘッド
4a・・・部分領域5・・・読み取りセンサー 6・・・書き込み読み取り部 7・・・面状発熱体 8・・・光源10・・・保護
層 11・・・像担持体12・・・背面板
法の原理を説明するための模式断面図、第1図(b)。 (d)、 (f)は第1図(a)、 (c)、 (e)
の模式平面図、第2図は高分子液晶像形成プロセスを説
明するグラフ、第3図は本発明の像形成方法に使用する
表示装置を示す斜視図、第4図は書き込み読み取り部を
示す部分断面図、第5図は、像担持体上にサーマルヘッ
ドにより書き込みか行なわれた状態を示す説明図、第6
図は第5図A、A’ i域上の書き込み時の状態(記録
方法)を表わす模式断面図および第7図はサーマルヘッ
ドの微小発熱体における熱分布を表わす説明図である。 l・・・高分子層 1a・・・像形成領域i b
−・・高分子液晶層 2・・・基体3・・・発熱手段
3a・・・微小発熱体4・・・サーマルヘッド
4a・・・部分領域5・・・読み取りセンサー 6・・・書き込み読み取り部 7・・・面状発熱体 8・・・光源10・・・保護
層 11・・・像担持体12・・・背面板
Claims (4)
- (1)透明状態あるいは不透明状態となる高分子層を少
なくとも有する像担持体に像を形成する方法であって、
加熱制御手段により高分子層の透明状態あるいは不透明
状態領域の面積変調を行ない中間調を記録表示すること
を特徴とする像形成方法。 - (2)高分子層が高分子液晶材を含有する請求項1記載
の像形成方法。 - (3)透明状態あるいは不透明状態となることが可能な
高分子層を有する像担持体と、前記高分子層を加熱して
透明状態あるいは不透明状態領域の面積変調を行ない中
間調の像を記録する加熱制御手段とからなることを特徴
とする像形成装置。 - (4)前記高分子層を加熱し読み取られた像を消去する
面状発熱体が設けられている請求項3記載の像形成装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7808288A JPH01252930A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 像形成方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7808288A JPH01252930A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 像形成方法およびその装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01252930A true JPH01252930A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13651922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7808288A Pending JPH01252930A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | 像形成方法およびその装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01252930A (ja) |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP7808288A patent/JPH01252930A/ja active Pending
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