JPH01252775A

JPH01252775A - 薄膜製造装置

Info

Publication number: JPH01252775A
Application number: JP7898888A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Iwata; 寛岩田
Original assignee: NEC Home Electronics Ltd; Nippon Electric Co Ltd
Current assignee: NEC Home Electronics Ltd; NEC Corp
Priority date: 1988-03-31
Filing date: 1988-03-31
Publication date: 1989-10-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野この発明は、光磁気ディスク、追記可能型光ディスクの
記録媒体、その他の薄膜デバイス等の作製に適した薄膜
製造装置に関する。

従来の技術光磁気ディスクは、透明基板上に保護膜／磁性膜／保護
膜の三層構造より成る光磁気記録媒体を成膜したものを
基本構成としている。このような光磁気ディスクを作製
する場合、光磁気記録媒体はスパッタ法、真空蒸着法等
によって透明基板上に成膜される。スパッタ法による場
合、次のようなスパッタリング装置が用いられている。

この装置は、真空槽内に回転駆動可能に支持された治具
バレントと、この治具パレットのターゲットとの対向面
に中心から同一半径上を公転するように装着された基板
ホルダーとを有し、ディスク基板が装着された基板ホル
ダーを治具パレットの回転でその中心回りに公転させな
がらスパッタリングするものである。これによって、タ
ーゲットから飛来したターゲット物質がディスク基板上
に蒸着し、保護膜／磁性膜／保護膜が順次成膜される。

その場合、保護膜と磁性膜との成膜工程に応じてターゲ
ットを換える必要がある。そこで、従来は、例えば２つ
の真空槽を隣接して配置し、治具パレ。

トを２つの真空槽の間で順次移し替えてターゲットを切
り換え、一方の真空槽で保護膜の成膜、他方の真空槽で
磁性膜の成膜を順次行うようにしていた。

発明が解決しようとする課題」二記のようなスパッタ装置によって光磁気記録媒体を
作製する場合、ターゲット物質の特性上、保護膜の成膜
レートは磁性膜の成膜レートに比べて数段低いので、例
え磁性膜の成膜レートが高くその成膜に要する時間が短
くても、保護膜の成膜段階で時間がかかることになる。

しかも、三層構造の場合は保護膜の成膜工程を２回行う
必要があるので、２倍の時間をとられることになる。そ
のため、保護膜の成膜工程に要する時間がネックとなり
、光磁気ディスク生産時のトータルのタクトタイムが余
分に長くかかり過ぎるといった問題が生じていた。した
がって、光磁気ディスクの量産化を図る上で、成膜工程
におけるトータルのタクトタイムを短縮することが重要
な課題となっていた。

また、このような光磁気記録媒体の成膜にあたっては、
スパッタリングの特性上、磁性膜の成膜時はターゲット
中心に対して基板ホルダーの公転半径を少し大きくした
方が良好な結果が得られる。

一方、保護膜の成膜時はターゲットに対して基板ホルダ
ーの公転半径を公転中心寄りに小さくした方が成膜レー
トが向上することが知られている。

これは、保護膜のターゲットがセラミックスであり、磁
性膜のターゲットが強磁性体であって、スパッタリング
の際の両者のエロージョンの生じ方が異なることによる
。そのため、保ｊｌ膜と磁性膜との成膜段階に応じて基
板ホルダーのターゲットに対する位置、すなわち、公転
半径を可変する必要がある。しかし、現状では、基板ホ
ルダーの公転半径は一定で固定されたものであり、また
、例え可変できたとしても、真空槽内の真空状態を破る
ことなく公転半径を変えることは現状では不可能に近い
。そのため、現状では保護膜の成膜レートを犠牲にして
成膜工程を行わなければならず、上述したタクトタイム
の問題が必然的に生じることになっていた。

この発明は以上の点に鑑み提案されたもので、薄膜製造
装置において、基板ホルダーの公転半径を真空槽内にお
いて真空状態で可変できるようにし、薄膜の成膜に応じ
た最適公転半径で成膜工程を行えるようにすることを目
的とするものである。

課題を解決するための手段以上の目的を達成するために、本発明は、基板ホルダー
の公転半径を真空槽内において可変させる切り換え手段
を設けた。

基板ホルダーは、治具パレットの径方向に移動可能に支
持されている。治具パレットには、基板ホルダーを径方
向中心に向う様に付勢するバネか装着されている。治具
パレットの回転数を換え、基板ホルダーの公転の角速度
を変化させることにより、公転による遠心力とバネによ
る向心力との釣り合いによって公転半径が可変される。

この場合基板ホルダーを治具パレットの径方向中心側と
外周側との夫々に位置決めするストッパー手段を設ける
ことが好ましい。

さらに、本発明は、開閉可能なゲートで仕切られた第１
の真空槽と第２の真空槽との間を往復移動可能、かつ各
々の槽内で回転駆動可能に支持された治具パレットと、
この治具パレットのターゲ、トとの対向面に中心から同
−半径上で径方向にスライド可能に支持された複数の基
板ホルダーと、前記第１と第２の真空槽の夫々に配設さ
れた治具パレットの回転駆動系と、第１と第２の真空槽
の夫々の回転駆動系に装着された径の異なる略円環状の
案内レール手段と、治具パレットを支持して第１と第２
の真空槽の間を往復移動させる移送手段とを備えた薄膜
製造装置に特徴ををする。そして、第１又は第２の真空
槽内に送り込まれた治具パレットが当該槽内の回転駆動
系に接続されると共に、該送り込み動作と共に基板ホル
ダーが案内レール手段に引き込まれ、そのレール径の変
化に応じて公転半径が可変される構成とした。この装置
において、回転駆動系と案内レール手段とは上記送り込
まれた治具パレットに対して接離方向に移動可能に支持
されている。この案内レール手段には、基板ホルダーを
本体レール部へ導入する引き込みレール部が設けられる
。

作用切り換え手段の半径切り換え動作に応動して基板ホルダ
ーの公転半径が最適半径に可変する。すなわち、本発明
の第１の構成によると、治具パレットの回転数変化によ
り基板ホルダーの公転の角速度を変化させると、基板ホ
ルダーが角速度の大小に応じて治具パレットの径方向内
外へ移動し、その移動位置で公転の遠心力とバネによる
向心力とが釣り合う。これによって、基板ホルダーの公
転半径が可変される。

また、本発明の第２の構成によると、治具パレットが第
１の真空槽から第２の真空槽へ、又はその逆に送り込ま
れた際、当該槽内の回転駆動系に接続されると同時に、
その送り込みと共に基板ホルダーがその槽内の案内レー
ル手段に引き込まれ、そのレール径の大小に応じて基板
ホルダーが径方向の内外へスライドし、レール手段に嵌
合接続される。そして、レール径に応じて公転半径が可
変される。

実施例以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は本発明に係る薄膜製造装置、いわゆるスパッタ
装置の概略構成を示すもので、真空槽１０と、この真空
槽１０の壁面上部から槽内に釣り下げられ、回転軸１２
によって回転可能に支持された治具パレット１１と、こ
の治具パレット１１のターゲ・ソトとの対向面に中心か
ら同一半径で周方向に複数装着された基板ホルダー１３
・・・と、真空槽１０の下部に、真空槽１０を着脱自在
に支持する基部１４とを備えている。基部１４の一部に
は図示しない排気系に通じる排気口１４ａと、バルブ１
４ｂ、１４ｃ１１４ｄを介してガス供給源１５に接続さ
れたガス供給管１６とが接続されている。このガス供給
源１５からガス供給管１６を通して真空槽１０内へＡｒ
（アルゴン）ガス等のスパッタガスが供給される。

治具パレット１１は、回転軸１２を介してモータ、減速
系等より成る回転駆動系２０に接続されており、その駆
動力を受けて回転駆動される。

その回転数は、光磁気記録媒体の成膜の場合、保護膜成
膜時と磁性膜成膜時とに応じて切り換えられるようにな
っている。

基部１４の上部には、磁性膜用ターゲット１００Ａと保
護膜用ターゲット１００Ｂとを載せるターゲットホルダ
ー１７が配置されている。スパッタリングの際、治具パ
レット１１とターゲットホルダー１７との間に高周波高
電圧を印加すると、自己バイアスにより回転軸１２に支
持された治具パレット１１側は陽極となり、ターゲット
ホルダー１７は排気系や真空槽１０と共に、負の高電圧
がかかるようになっている。

次に、第２図、第３図は本装置の要部を示すもので、上
述した治具バレント１１は円形平盤状に形成され、その
中心に開けられた取付穴１１１に回転軸１２の軸端が嵌
合接続されている。その中心から半径Ｒの円周上に円板
状の基板ホルダー１３・・・が周方向に等間隔で支持さ
れている。基板ホルダー１３は、治具パレットの径方向
の内外へ一定の範囲でスライド可能に支持されている。

すなわち、治具パレット１１の円周上の複数個所に径方
向に沿う長方形状のスライド溝１１２・・・が形成され
ており、このスライド溝１１２に基板ホルダー１３の支
持軸１３１が径方向にスライド可能に嵌合されている。

支持軸１３１は断面矩形状に形成され、スライド溝１１
２の両側に設けた軸受２１によって位置規制され、治具
パレット１１の径方向にのみスライドし得るように支持
されている。スライド溝１１２の長手方向両端はストッ
パー２２．２２になっていて、支持軸１３１との当接に
より基板ホルダー１３を径方向の中心側と外周側とのス
ライド位置へ位置規制するようになっている。

基板ホルダー１３はバネ２３によって治具パレット１１
の径方向中心側へ常時付勢されている。

このバネ２３の一端は、治具パレット１１の中心側に取
り付けられ、他端は支持軸１３１を介して基板ホルダー
１３に取り付けられ、基板ホルダー１３の公転半径の中
心方向に付勢力が与えられている。

以上の構成において、光磁気記録媒体の成膜にあたり、
ディスク基板りは基板ホルダー１３上に保持される。タ
ーゲット１００Ａ１１００Ｂは治具パレット１１と対向
するターゲットホルダー１７上に載せられる。夫々のホ
ルダー１３．１７にディスク基板りとターゲット１００
Ａ１１００Ｂを取り付けた後、真空槽１０内が密閉状態
にされる。この状態で、排気系を作動し、真空槽１０内
を所定の真空度に排気する。そののち、バルブ１４ｂ１
１４ｄを開け、ガス供給源１５のＡｒガスを真空槽１０
内に導入し、槽内を所定ガス圧のＡｒガス雰囲気にした
後、バルブ１４ｃを徐々に開き、槽１０内のＡｒガス雰
囲気を一定に調節する。

その後、ディスク基板りのホルダー１３側を陽極、ター
ゲットホルダー１７側が陰極となるような自己バイアス
電圧をディスク基板りのホルダー１３とターゲットホル
ダー１７側との間に印加する高周波高電圧を調整するこ
とによって調節する。

同時に、回転駆動系２０を駆動制御し、治具パレット１
１を所定の回転速度で回転駆動し基板ホルダー１３・・
・をパレット中心口りに公転させながらスパッタリング
を行う。これにより、ターゲット１００Ａ１又は１００
Ｂから飛来するターゲット粒子によってディスク基板り
上に保ｍｌｉ／磁性膜／保護膜の三層の薄膜が順次ター
ゲットを換えながら成膜される。

その成膜工程をより詳しく説明すると、基板ホルダー１
３の公転の角速度をωとした場合、磁性膜の成膜時は、 ω＝　ωｆａｎ−ン　−ＸＯ菖Ｒ１・・・■保護膜の成
膜時は、 ω：ωｓ　＜　　　　−１２−ＸＯｍＲ２・・・■の式
で表わされるように、角速度ωが可変制御される。この
角速度ω＝ωｒ又はωＳは、回転駆動系２０の駆動制御
により治具パレット１１の回転速度を制御することによ
って可変される。

ここで、ｋ：バネ２３のバネ定数、ｍ：ディスク基板り
と基板ホルダー１３の質ｆｊ（、ＪＩ　Ｎ　　ｈ＝基板
ホルダーの公転中心（治具パレットの回転中心と一致す
る）０、ディスク基板（＝基板ホルダー）の中心Ｐから
バネのコイル端までの夫々の距離、ＸＯ：外力＝０のと
きのバネ２３の長さ（自由長）で、その外力が加わった
ときの伸び量を△Ｘとすると、バネ長Ｘ＝ＸＯ＋△Ｘで
表わされる。

基板ホルダー１３の公転半径Ｒは、公転の角速度ωの可
変制御によりＲ＝Ｒ１−Ｒ２（Ｒ１＞Ｒ２）に調整され
る。すなわち、磁性膜の成膜時はＲ＝Ｒ１に、また、保
護膜の成膜時にはＲ＝Ｒ２に可変される。

光磁気記録媒体の成膜は、例えばマグネトロンスパッタ
法によって行われる。このマグネトロンスパッタ法によ
ってターゲットを順次替えながら保護膜／磁性ＩＩ！：
／保護摸の順に成膜される。

先ず、磁性膜の成膜時は、治具パレット１１の回転数制
御により基板ホルダー１３の公転の角速度ωが上記式■
で表わされるように、 ω＝　ωｆ　　＞　　　ｋ　　　ｉ　　ｌ−２−ＸＯ鵬
Ｒ１に調整される。これにより、基板ホルダー１３の公
転半径Ｒが磁性膜の成膜に適した最適公転半径Ｒ１に可
変され、この最適公転半径Ｒ１で磁性膜の成膜工程がな
される。

一方、保護膜の成膜時は、治具パレット１１の回転数制
御により、基板ホルダー１３の公転の角速度ωが上記式
■で表わされるように、ω：　ωｓ　＜　ｋ　　−ＬＬ
−ＸＯｍＲ２に調整される。これによって、基板ホルダ
ー１３の公転半径Ｒが保護膜の成膜に適した最適公転半
径Ｒ２（＜Ｒ１）に可変され、この最適公転半径Ｒ２で
保護膜の成膜がなされる。この保護膜の成膜時は、Ｒ２
＜Ｒ１で表わされるように磁性膜の成膜時に比べて公転
半径Ｒが小に設定される。これによって保ｆｆ１ｌｌｉ
の成膜レートが向上する。その原理を第４図を用いて説
明する。

第４図において、基板ホルダー１３の公転の円周軌跡Ｒ
の法線と公転による重力加速度の方向は平行とする。マ
グネトロンスパッタ法による場合、ターゲットのエロー
ジョン領域からスパッタ２ｉ子がディスク基板に向かっ
て飛来するのであるが、ここでは、ターゲット粒子は見
掛は上ターゲット１００Ａ、１００Ｂの中心Ｐから飛来
しているものと近似的に考える。そのように見なしても
結果的には差支えない。また、ターゲット粒子の飛来強
度は、ターゲット中心Ｐからディスク基１ｉＥＤ上強度
は、ターゲ７）中心Ｐからディスク基板り上の任意の点
までの距離をｒとすると、その有効範囲において、１／
ｒ　に比例するものと考えて差支えない。

ディスク基［Ｄの公転中心の移動軌跡をＰＩ、Ｐ２、Ｐ
３、夫々の位置における公転中心の円周軌跡に対する法
線ＯＰＩ　、ＯＦ２　、ＯＦ２とディスク基板りの外円
との交点をＣＤ、ＡＢ、ＥＦとすると、第４図より明ら
かなとおり、ＥＦ２　＜ＦＰ２　、ＣＦ２　＜ＯＦ２と
なり、１／ｒ　より交点平径Ｒの内側、すなわち公転中
心Ｏ側の方がターゲット粒子の飛来強度が強くなる。い
いかえると、公転半径Ｒの内側の方が成膜レートが高く
なる。そこで、成膜レートの低い保護膜の成膜時、基板
ホルダー１３の公転半径をＲ＝Ｒ２＜Ｒ１に調整し、そ
の中心の軌跡が公転半径Ｒの内側で、公転中心０寄りの
位置を通るようにすると、保護膜用ターゲフトから飛来
するターゲット粒子を短させることができる。

そして、治具パレット１１の回転数制御により基板ホル
ダー１３の公転の角速度をω＝ωｆ又はωＳに可変制御
すると、公転半径がＲ＝Ｒ１又はＲ２に可変され、その
状態で公転による遠心力とバネ２３による向心力とが釣
り合い、公転半径がＲ＝Ｒ１又はＲ２に保持される。そ
の際、スライド溝１１２の一端又は他端に基板ホルダー
１３の支持軸１３１が当接し、径方向に位置規制される
。

以上のように、保護膜の成膜時には、公転半径をそれに
適した最適値Ｒ２でスパッタリングを行うことにより保
護膜の成膜レートが向上する。また、磁性膜の成膜時は
、その最適公転半径Ｒ１（〉Ｒ２）でスパッタリングを
行うことにより効率良く光磁気記録媒体を作製すること
ができる。

［実　施　例］上述した装置を用いて実際に光磁気記録媒体を成膜して
見た。この場合、上記式■、■中の各物理定数は下記の
ように設定された。

これらの数値を上記式■、■へ代入すると、基板ホルダ
ー１３の公転の角速度ωが次式■、■のように算出され
る。

この数値の範囲に角速度ωｆ１ωＳを調整すると、角速
度ωｆの場合は公転半径Ｒ１に、また、角速度ωＳの場
合は公転半径Ｒ２に可変される。

そこで、ωｆ＝８０ｒｐｍｖ　ω＝３０ｒｐｒｎとして
保護膜／磁性膜／保護膜の三層構造より成る光磁気記録
媒体を作製して見た。その結果、第５図（ａ）、（ｂ）
に示すように、磁性膜の成膜レートが規格化（無次元化
）値で表わされたとおり、従来と同等以上の値になるこ
とは勿論のこと、保護膜の成膜レートが公転半径Ｒ＝Ｒ
Ｉ　　（一定）に固定されたものに比べて、規格化値で
０．７７から０．８５に向上した。すなわち、上述した
装置構成により、保護膜成膜時、基板ホルダー１３の公
転半径をＲ＝Ｒ１からＲ＝Ｒ２（Ｒｔ　＞Ｒ２）に可変
させると、ターゲット中心に対して公転中心Ｏ寄りの位
置を基板ホルダー１３が公転することになり、ディスク
基板がターゲットに対してより近接して通過することに
なる。これにより、ディスク基板上に堆積する保護膜用
ターゲット粒子の時間当りの堆積密度が高くなり、上記
規格化値０゜７７→０．８５より明らかなように、保護
膜の成膜レートが従来比で１０．４％向上した。

以上のような実施例装置によると、同一の真空槽内にお
いて、順次ターゲットを替えながら、真空状態を破るこ
となく、保護膜成膜時と磁性膜成膜時とに応じて基板ホ
ルダー１３の公転半径をＲ＝ＲＩ　とＲ＝Ｒ２との間で
可変させることができる。

次に、第６図、第７図は、本発明の他の実施例を示すも
ので、上記実施例と同一部材には同一符号を付し説明を
省略する。

本実施例に係る装置は、第１の真空槽３１と第２の真空
槽３２とを隣接して並設している。２つの真空槽３Ｌ３
２の間はゲートバルブ３３によって開閉可能に仕切られ
ており、ゲートバルブ３３を開けることにより、２つの
真空槽３Ｌ３２の間を真空状態を保ったままで連通させ
ることができるようになっている。

上記の基板ホルダー１３＋１・・を支持した治具パレッ
ト１１は、支持部材３４によって立型で中心０回りに回
転可能に支持されている。治具パレット１１は、移送機
構４０によって第１の真空槽３１から第２の真空槽３２
へ、又はその逆に往復移動される。

移送機構４０は、ギア列より成る減速系４２を備えた回
転駆動系４１と、第１、第２の真空槽３１．３２内に夫
々配設され、回転駆動系４１によって正逆回転駆動され
るピニオン列４３・・・と、これらのピニオン列４３・
・・と噛み合ってラック・ピニオン機構を構成する支持
部材３４に形成されたラック噛４４とから成っている。

治具パレット１１は、移送機構４０の回転駆動系４１の
正逆方向への駆動により、支持部材３４を介して第１の
真空槽３１から第２の真空槽３２へ、かつその逆に往復
移送される。その際、第１、第２の真空槽３Ｌ３２の各
槽内へ配設した位置検出器４５．４５によって支持部材
３４の移動位置が検出され、その検出信号により治具パ
レット１１が２つの槽３Ｌ３２内で夫々位置決め制御さ
れる。

第１、第２の真空槽３Ｌ３２内において、ターゲットホ
ルダー１７は第７図に示すように、治具パレット１１に
対して右方に配置されている。

その上に、上述したターゲット１００Ａ１１００Ｂが立
型に取り付けられている。ターゲット１００Ａは、磁性
膜用ターゲットであって、第１の真空槽３１のホルダー
１７上に保持されている。他方、ターゲット１００Ｂは
、保護膜用のものであって、第２の真空槽３２のホルダ
ー１７上に取り付けられている。光磁気記録媒体の成膜
にあたっては、第１の真空槽３１内で磁性膜の成膜がな
され、第２の真空槽３２内で保護膜の成膜が行われる。

（但し、その逆であっても差支えない。）したがって、
治具パレット１１は、第２の真空槽３２→第１の真空槽
３１→第２の真空槽３２の順に移送される。

一方、第１、第２の真空槽３１．３２内において、治具
パレット１１に対してターゲットホルダー１７の反対側
には、治具パレット１１を回転駆動する回転駆動系５０
と、基板ホルダー１３・・・を公転方向に案内する円環
状の案内レール５１とが同一中心で配設されている。回
転駆動系５０と案内レール５１とは、槽内に送り込まれ
た治具パレット１１に対して進退動し、治具パレット１
１と接続され、又は接続を解除されるようになっている
。すなわち、治具パレット１１の送り込み動作に連動し
てスライド機構５２が作動し、回転駆動系５０が前進動
じてその回転軸５０１が治具パレット１１の中心取付穴
１１１に嵌合接続される。そして、治具パレット１１の
送り出し動作に連動してスライド機構５２が逆作動し、
回転駆動系５０が後退勤して治具パレット１１から離脱
する。

案内レール５１は、引き込みレール５１１と、この引き
込みレール５１１から本体レール部へ基板ホルダー１３
の支持軸１３１に突設したピン１３２を案内導入する入
口レール部５１２とを備えている。入口レール部５１２
はヒンジ機構５１３により、引き込みレール５１１から
本体レール部に至る入口でピン１３２の導入方向に開き
、かつ元へ閉じるようになっている。案内レール５１の
レール径は、基板ホルダー１３・・・の公転半径Ｒと等
しく設定されている。第１の真空槽３１内に配置される
案内レール５１Ａは、磁性膜の成膜時に設定される公転
半径Ｒ＝Ｒ１に応じてレール径がＲ１に設定されている
。その引き込みレール５１１Ａおよび入口レール部５１
２Ａは、基板ホルダー１３・・・の導入方向に対応し、
本体レール部の内周側に設けられている。一方、第２の
真空槽３２内に配置される案内レール５１Ｂは、保護膜
の成膜時に設定される公転半径Ｒ＝Ｒ２（＜Ｒ＋）に応
じてレール径Ｒ２に設定されている。

その引き込みレール５１１Ｂおよび入口レール部５１２
Ｂは、本体レール部の外周側で、基板ホルダー１３・舎
・の導入方向に沿って設けられている。

第１および第２の真空槽３１．３２の案内レール５１Ａ
および５１Ｂは、治具パレット１１が夫々の槽内へ送り
込まれる際、基板ホルダー１３１１・・の導入時期位置
に前進動し、かつ、一方の槽から他方の槽へ又はその逆
に送り出される際、後退勤し、治具パレットから離脱さ
れる。

光磁気記録媒体の作製にあたっては、上記のように、第
２の真空槽３２、第１の真空槽３１、第２の真空槽３２
の順に治具パレット１１が２つの検量を移送され、その
過程でスパッタリングにより基板ホルダー１３・−・に
保持されたディスク基板り上に保護膜／＆１１性膜／保
護較が順次成膜される。その際、第１の真空槽３１内で
は、基板ホルダー１３・φ−のピン１３２が引きこみレ
ール５１１Ａを介して案内レール５１Ａに嵌入接続され
、治具パレット１１の回転と共に案内レール５１Ａのレ
ール径Ｒ１に応じた公転半径Ｒ＝Ｒ１で基板ホルダー１
３・・番が公転することになり、その公転動作と共にス
パッタリングが行われる。

したかって、磁性膜の成膜に応じた最適公転半径Ｒ＝Ｒ
Ｉでスパッタリングが行われることになる。

次に、保護膜の成膜の際は、治具パレット１１が第１の
真空槽３１から第２の真空槽３２へ移送される。その際
、先ず第１の真空槽３１内で回転駆動系４１と案内レー
ル５１Ａとが治具パレットから後退勤し、離脱される。

次に、移送機構４０の駆動により、治具パレット１１が
支持部材３４を介して第１の真空槽３１から第２の真空
槽３２内へ送り込まれる。その際、治具パレット１１の
送り動作開始に応動してゲートバルブ３３が開かれる。

これによって、治具パレット１１は真空状態を保ったま
まで第１の真空槽３１から第２の真空槽３２へ送られる
。

治具パレット１１が第２の真空槽３２内へ送り込まれる
と、その基板ホルダー１３・・・のピン１３２が、引き
込み時期位置におかれている案内レール５１Ｂの引き込
みレール５１１Ｂに沿って案内され、この引き込みレー
ル５１１Ｂかう入口レール部５１２Ｂを通して本体レー
ル部５１に順次導入される。治具パレット１１が所定の
位置まで送られ、位置決め停止されると、全ての基板ホ
ルダー１３・・・のピン１３２が案内レール５１Ｂ内へ
導入され、基板ホルダー１３・・・がピン１３２を介し
て案内レール５１Ｂに、レール径に沿って公転可能に接
続される。そして、基板ホルダー１３・・・がピン１３
２を介して案内レール５１Ｂに導入ガイドされると、そ
の公転半径Ｒがレール径Ｒ２に応じてＲ＝Ｒ２＜Ｒ１’
）に縮小される。これによって、基板ホルダー１３・・
・の公転半径Ｒが保護膜の成膜に適した最適公転半径Ｒ
２に縮小可変される。したがって、この状態でスパッタ
リングを行うと、上記第１の実施例と同様に保護膜の成
膜レートが従来比で１０％程度向上し、保護膜の成膜工
程が迅速に効率良く行える。

そして、基板ホルダー１３・・・が案内レール５１Ｂに
導入接続されると略々同時に、回転駆動系５０の回転軸
５０１が治具パレット１１の中心に嵌合接続され、治具
パレット１１が回転駆動可能になる。そののち、治具パ
レット１１の回転で基板ホルダー１３・・・が半径Ｒ２
で公転し、上記同様に保護膜の成膜がなされる。

上記実施例では、本発明に係る装置を光磁気記録媒体の
保護膜と磁性膜の成膜に適用した例を示したが、本発明
装置はこれに限らず、追記可能型光ディスクの光記録媒
体、あるいはその他の薄膜デバイスであって、ターゲッ
トの種類に応じ、あるいは成膜しようとする薄膜の種類
に応じて基板ホルダーの公転半径を可変調整し、しかも
真空状態を保ったままで可変したい場合に広く適用可で
ある。

発明の効果以上の説明で明らかなとおり、本発明によれば、基板ホ
ルダーが治具パレットの中心回りに公転する形式の薄膜
製造装置において、その公転半径の切り替え手段を設け
、成膜しようとする薄膜の種類、又は用いるターゲット
等に応じて公転半径を最適値に可変できるようにしたか
ら、成膜に最も時間を要する薄膜形成工程を最適条件で
行うことができ、その成膜レートを向上させ、薄膜成膜
工程におけるタクトタイムを短縮することができる。

特に、本発明を光磁気記録媒体の作製に適用した場合、
保護膜の成膜レートが従来比で１０％以上向上するので
、成膜工程におけるタクトタイムを大幅に低減短縮する
ことができ、量産化の際、１日当りの生産量を増加させ
ることができる。また、成膜工程間における工程内在庫
も低減し、ランニングコストの削減が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例に係る装置の模式図、第２
図は第１図の装置の要部平面図、第３図は同じ（要部断
面図、第４図は本発明装置の動作原理図、第５図（ａ）
、（ｂ）は本発明装置による磁性膜と保護膜の成膜レー
トの分布曲線を示すグラフ図、第６図は本発明の第２の
実施例を示す正面図、第７図はその側面図である。１０１３１．３２・・・真空槽、１１０−・治具パレット、１００Ａ、１００Ｂ・・・ターゲット、１３・拳・基板
ホルダー、１３１・・・支持軸、１１２・豐・スライド溝、２３・・・バネ、２２．２３拳・・ストッパー、２０．５０・ＩＩ拳パレット回転駆動系、５１・・・案
内レール（手段）、５１１・・拳引き込みレール、４ｏ・・・移送機構（手段）、Ｒ１、Ｒ２・０・公転半径、Ｄ・・・ディスク基板。特許出願人　日本電気ホームエレクトロニクス第４図第２図＋１２ノ２第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空槽内に回転可能に支持された治具パレットと
、この治具パレットのターゲットとの対向面に中心から
同一半径で同心に装着された複数の基板ホルダーとを備
え、前記治具パレットの回転により前記基板ホルダーが
前記ターゲットと対向する同一半径上を公転するように
支持された薄膜製造装置において、前記基板ホルダーの公転半径を前記真空槽内において可
変させる切り換え手段を設けたことを特徴とする薄膜製
造装置。
（２）前記公転半径をターゲットの切り換えに応じて可
変させることを特徴とする請求項（１）記載の薄膜製造
装置。
（３）基板ホルダーを治具パレットの径方向に所定範囲
で移動可能に支持すると共に、該基板ホルダーを前記径
方向の中心に向う様に付勢するバネを設け、前記基板ホ
ルダーの公転の角速度を変化させることにより、該公転
による遠心力と前記バネによる向心力との釣り合いによ
って前記公転半径を可変させる様にしたことを特徴とす
る請求項（１）記載の薄膜製造装置。
（４）基板ホルダーを治具パレットの径方向内周側と外
周側とに夫々位置決めするストッパー手段を配設したこ
とを特徴とする請求項（３）記載の薄膜製造装置。
（５）治具パレットの周方向複数箇所に径方向に沿うス
ライド溝を形成し、このスライド溝に基板ホルダーをス
ライド可能に嵌合支持すると共に、該基板ホルダーをバ
ネによって前記パレットの径方向中心側に付勢して成る
ことを特徴とする請求項（３）又は（４）記載の薄膜製
造装置。
（６）前記公転半径の切り換え手段が、隣接する真空槽
内の夫々の治具パレット回転駆動系に装着された径の異
なる略円環状の案内レール手段と、基板ホルダーを前記
治具パレットの径方向にスライド可能に支持する支持手
段と、前記基板ホルダーを前記支持手段を介して前記案
内レール手段のレール溝に嵌合接続させる接続手段とか
ら成り、前記案内レール手段のレール径の変化に応じて
基板ホルダーの公転半径を可変させる様にしたことを特
徴とする請求項（１）記載の薄膜製造装置。
（７）開閉可能なゲートで仕切られた第１の真空槽と第
２の真空槽との間を往復移動可能、かつ各々の槽内で回
転駆動可能に支持された治具パレットと、この治具パレ
ットのターゲットとの対向面に中心から同一半径上で、
径方向にスライド可能に支持された複数の基板ホルダー
と、前記第１と第２の真空槽の夫々に配設された前記治
具パレットの回転駆動系と、前記第１と第２の真空槽の
前記夫々の回転駆動系に装着された径の異なる略円環状
の案内レール手段と、前記治具パレットを支持して前記
第１の真空槽と第２の真空槽との間を往復移動させる移
送手段とを備え、前記第１又は第２の槽内に送り込まれた前記治具パレッ
トが当該槽内の前記回転駆動系に接離可能に接続される
と共に、該送り込み動作と共に前記基板ホルダーが前記
案内レール手段に引き込まれレール径の変化に応じて公
転半径が可変される様に構成して成ることを特徴とする
薄膜製造装置。
（８）前記回転駆動系と案内レール手段とが前記送り込
まれた治具パレットに対して接離方向に移動可能に装着
されていることを特徴とする請求項（７）記載の薄膜製
造装置。
（９）前記基板ホルダーを本体レール部へ導入する引き
込みレール部を前記案内レール手段が有することを特徴
とする請求項（７）記載の薄膜製造装置。
（１０）前記移送手段が、前記第１と第２の真空槽に配
設された駆動モータと、この駆動モータに接続された減
速系と、前記治具パレットを回転可能に支持する支持部
材と、前記駆動モータの駆動力を減速系を介して前記支
持部材に伝えるラック・ピニオンとから成ることを特徴
とする請求項（７）記載の薄膜製造装置。