JPH01246136A - 超伝導セラミックスペースト - Google Patents
超伝導セラミックスペーストInfo
- Publication number
- JPH01246136A JPH01246136A JP63074161A JP7416188A JPH01246136A JP H01246136 A JPH01246136 A JP H01246136A JP 63074161 A JP63074161 A JP 63074161A JP 7416188 A JP7416188 A JP 7416188A JP H01246136 A JPH01246136 A JP H01246136A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- paste
- wiring
- powder
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 34
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- MYLBTCQBKAKUTJ-UHFFFAOYSA-N 7-methyl-6,8-bis(methylsulfanyl)pyrrolo[1,2-a]pyrazine Chemical compound C1=CN=CC2=C(SC)C(C)=C(SC)N21 MYLBTCQBKAKUTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 6
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- -1 salt compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910002282 La2CuO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010024229 Leprosy Diseases 0.000 description 1
- 235000004443 Ricinus communis Nutrition 0.000 description 1
- 240000000528 Ricinus communis Species 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004013 groin Anatomy 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は超伝導相の密度が高い超伝導配線を回路基板に
形成するのに好適な超伝導セラミンクペーストに関し、
基板上に超伝導セラミックペーストをスクリーン印刷し
て、その後焼成して超伝導配線パターンを形成する際安
定な超伝導配線パターンを作成することが困難であると
云う問題を解決し、超伝導セラミックス配線の歩留りが
良好で超伝導相の密度が高い配線を作製できる超伝導セ
ラミックペーストを提供することを目的とし、（１）
液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す、下記〔１〕
式 ％式％（１） ［ （０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミンクス超伝導体材料の粉末
が有機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合され
てなることを特徴とする超伝導セラミックスペースト、
及び、 （２）焼成後、液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す
、下記（１）式 ％式％（１） （０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミックス超伝導体となる構成
成分の出発原料としてＭＵ、Ｍｌｌｌ及びＣｕの酸化物
もしくは金属塩化合物を用い、該出発原料の粉末が有機
バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合されてなる
ことを特徴とする超伝導セラミックペーストを提供する
。
形成するのに好適な超伝導セラミンクペーストに関し、
基板上に超伝導セラミックペーストをスクリーン印刷し
て、その後焼成して超伝導配線パターンを形成する際安
定な超伝導配線パターンを作成することが困難であると
云う問題を解決し、超伝導セラミックス配線の歩留りが
良好で超伝導相の密度が高い配線を作製できる超伝導セ
ラミックペーストを提供することを目的とし、（１）
液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す、下記〔１〕
式 ％式％（１） ［ （０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミンクス超伝導体材料の粉末
が有機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合され
てなることを特徴とする超伝導セラミックスペースト、
及び、 （２）焼成後、液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す
、下記（１）式 ％式％（１） （０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミックス超伝導体となる構成
成分の出発原料としてＭＵ、Ｍｌｌｌ及びＣｕの酸化物
もしくは金属塩化合物を用い、該出発原料の粉末が有機
バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合されてなる
ことを特徴とする超伝導セラミックペーストを提供する
。
〔産業上の利用分野］
本発明は超伝導ペーストに関し、アルミナ基板等の焼成
基板にスクリーン印刷・焼成することによって、超伝導
相の密度が高い超伝導配線を作製でき、大型コンピュー
タ等のＣＰＵを搭載するに好適な回路基板用の超伝導ペ
ーストに関する。
基板にスクリーン印刷・焼成することによって、超伝導
相の密度が高い超伝導配線を作製でき、大型コンピュー
タ等のＣＰＵを搭載するに好適な回路基板用の超伝導ペ
ーストに関する。
スーパーコンピュータなどの高速電算機用の高速処理用
の回路基板は信号を効率よ（伝送させるため、回路基板
に使用する絶縁材料の比誘電率が低いことと共に、導体
材料の電気抵抗も低いことが要求されている。液体窒素
温度（７７Ｋ）で電気抵抗が０となるセラミックス系超
伝導体材料の研究・開発が進められつつある。
の回路基板は信号を効率よ（伝送させるため、回路基板
に使用する絶縁材料の比誘電率が低いことと共に、導体
材料の電気抵抗も低いことが要求されている。液体窒素
温度（７７Ｋ）で電気抵抗が０となるセラミックス系超
伝導体材料の研究・開発が進められつつある。
超伝導セラミックスをペーストとして、ハイブリッドＩ
Ｃなどに使用しているアルミナ基板等の上にスクリーン
印刷し、これを焼成して超伝導体の配線材料とすること
が、超伝導セラミックスの応用技術に不可欠である。
Ｃなどに使用しているアルミナ基板等の上にスクリーン
印刷し、これを焼成して超伝導体の配線材料とすること
が、超伝導セラミックスの応用技術に不可欠である。
（従来の技術〕
スパッタリング法、スクリーン印刷法等で超伝導膜の形
成がなされている。（Ｊ、Ｊ、Ａ、Ｐ、ｖｏ１２６．Ｎ
ｏ４．Ａｐｒｉｌ、１９８７゜ｐｐＬ３９９−Ｌ４０１
； Ｊ、 Ｊ、Ａ、 Ｐ、 ｖｏ１２６． Ｎｏ５
．Ｍａｙ。
成がなされている。（Ｊ、Ｊ、Ａ、Ｐ、ｖｏ１２６．Ｎ
ｏ４．Ａｐｒｉｌ、１９８７゜ｐｐＬ３９９−Ｌ４０１
； Ｊ、 Ｊ、Ａ、 Ｐ、 ｖｏ１２６． Ｎｏ５
．Ｍａｙ。
１９８７、ｐｐＬ７６１−Ｌ７６２）には（Ｌａｏ、ｗ
Ｓｒ、１ ）ｚ Ｃｕ０４−ｙ （Ｌｓｃｏ）
超伝導膜がスクリーン印刷により形成され、スクリーン
印刷形成された膜の抵抗率が基板物質、膜と基板の熱膨
張係数の差、に依存することを示す。ＬａｚＣｕＯ＝基
板上のＬＳＣＯ膜にはクラックが観察されず、安定化ジ
ルコニア（ＹＳＺ）基板上のＬＳＣＯ膜はポーラスであ
るがクラックが生じない。アルミナ基板上に形成された
ＬＳＣＯ膜にはクラックが観察され帯磁率からは超伝導
相の存在を示すが、抵抗率はゼロにならないことを示す
。
Ｓｒ、１ ）ｚ Ｃｕ０４−ｙ （Ｌｓｃｏ）
超伝導膜がスクリーン印刷により形成され、スクリーン
印刷形成された膜の抵抗率が基板物質、膜と基板の熱膨
張係数の差、に依存することを示す。ＬａｚＣｕＯ＝基
板上のＬＳＣＯ膜にはクラックが観察されず、安定化ジ
ルコニア（ＹＳＺ）基板上のＬＳＣＯ膜はポーラスであ
るがクラックが生じない。アルミナ基板上に形成された
ＬＳＣＯ膜にはクラックが観察され帯磁率からは超伝導
相の存在を示すが、抵抗率はゼロにならないことを示す
。
又Ｙｂ−Ｂａ−Ｃｕ−０ペーストのスクリーン印刷によ
り超伝導膜がＹＳＺ基板上に形成できることを示す。し
かしながら、石英、アルミナ、Ｌａ２ＣｕＯ４基板上に
は （Ｙｂｏ、ｚｓＢａｏ、７ｓ） ３ Ｃｕ、ｏｆｌ−δ
と基板物質との反応により超伝導膜が形成できないこと
を示し、ＹＳＺ基板上の超伝導膜の表面状態は密でない
ことを示す。
り超伝導膜がＹＳＺ基板上に形成できることを示す。し
かしながら、石英、アルミナ、Ｌａ２ＣｕＯ４基板上に
は （Ｙｂｏ、ｚｓＢａｏ、７ｓ） ３ Ｃｕ、ｏｆｌ−δ
と基板物質との反応により超伝導膜が形成できないこと
を示し、ＹＳＺ基板上の超伝導膜の表面状態は密でない
ことを示す。
一方、セラミック絶縁基板−トにセラミックス系の超伝
導物質で電気回路の配線を形成した超伝導材利用のプリ
ント基板の開発も行なわれている。
導物質で電気回路の配線を形成した超伝導材利用のプリ
ント基板の開発も行なわれている。
ところで、超伝導体セラミックスの圧粉成形体では超伝
導を示すものが、ペース１−化して低純度アルミナ基板
上に形成した超伝導セラミックスは超伝導を示さないと
云う問題点が生じたりする。
導を示すものが、ペース１−化して低純度アルミナ基板
上に形成した超伝導セラミックスは超伝導を示さないと
云う問題点が生じたりする。
又本発明者は特願昭６２−１１４３２７号に超伝導セラ
ミックスのペーストを高純度アルミナ基板上に塗布焼成
することにより超伝導セラミツクスを配線材料とした回
路基板を提案している。
ミックスのペーストを高純度アルミナ基板上に塗布焼成
することにより超伝導セラミツクスを配線材料とした回
路基板を提案している。
超伝導セラミックスのペース１−を用いてパターン形成
する場合、高純度アルミナ基板（ＦＧＡ基板）上にスク
リーン印刷を行う。その後焼成して超伝導配線パターン
が作製される。この際の課題として、超伝導相の密度が
低いため、安定な配線パターンを作製することが困難で
あると云う問題点がある。
する場合、高純度アルミナ基板（ＦＧＡ基板）上にスク
リーン印刷を行う。その後焼成して超伝導配線パターン
が作製される。この際の課題として、超伝導相の密度が
低いため、安定な配線パターンを作製することが困難で
あると云う問題点がある。
前述した通り、従来の超伝導セラミックスを配線材料と
した回路基板の製造には解決されるべき種々の課題があ
ったが、本発明は基板上に超伝導セラミックペースト壱
スクリーン印刷して、その後焼成して超伝導配線パター
ンを形成する際安定な超伝導配線パターンを作成するこ
とが困難であると云う問題を解決し、超伝導セラミック
ス配線の歩留りが良好で超伝導相の密度が高い配線を作
製できる超伝導セラミックペーストを提供することを目
的とする。
した回路基板の製造には解決されるべき種々の課題があ
ったが、本発明は基板上に超伝導セラミックペースト壱
スクリーン印刷して、その後焼成して超伝導配線パター
ンを形成する際安定な超伝導配線パターンを作成するこ
とが困難であると云う問題を解決し、超伝導セラミック
ス配線の歩留りが良好で超伝導相の密度が高い配線を作
製できる超伝導セラミックペーストを提供することを目
的とする。
本発明に従えば
（１）液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す、下記〔
１〕弐 （（ＭＩＩＯ）ｘ（ＭＩＩＩｚ（ｈＬ−ｘ） ｖ ・（
Ｃｔ＋Ｏ）ｚ ・（０） ６−（１）ＭＩＩ ：Ｂａ、
Ｓｒ＋Ｃａ＋Ｍｇ 旧ＩＩ ：Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ＋Ｅｒ。
１〕弐 （（ＭＩＩＯ）ｘ（ＭＩＩＩｚ（ｈＬ−ｘ） ｖ ・（
Ｃｔ＋Ｏ）ｚ ・（０） ６−（１）ＭＩＩ ：Ｂａ、
Ｓｒ＋Ｃａ＋Ｍｇ 旧ＩＩ ：Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ＋Ｅｒ。
Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ。
０．５ ≦Ｘ≦０．９
■ ≦Ｙ≦２
■ ≦Ｚ≦２
（０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミ・ンクス超伝導体材料の粉
末が有機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合さ
れてなることを特徴とする超伝導セラミックスペースト
、及び、 （２）焼成後、液体窒素温度（７７Ｋ ）で超伝導を示
す、下記〔１］式 ％式％（１） ［ （０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミックス超伝導体となる構成
成分の出発原料としてＭＩＩ、ＭＩ［Ｉ及びＣｕの酸化
物もしくは金属塩化合物を用い、該出発原料の粉末が有
機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合されてな
ることを特徴とする超伝導セラミックペーストにより解
決される。
化学式を有する酸化物セラミ・ンクス超伝導体材料の粉
末が有機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合さ
れてなることを特徴とする超伝導セラミックスペースト
、及び、 （２）焼成後、液体窒素温度（７７Ｋ ）で超伝導を示
す、下記〔１］式 ％式％（１） ［ （０）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミックス超伝導体となる構成
成分の出発原料としてＭＩＩ、ＭＩ［Ｉ及びＣｕの酸化
物もしくは金属塩化合物を用い、該出発原料の粉末が有
機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合されてな
ることを特徴とする超伝導セラミックペーストにより解
決される。
本発明の超伝導セラミックペースト、特に酸化物超伝導
体（ＳｒＸＢａｒ−ｘ ）ｓ Ｙｚ ＣＩＪ＋ｏＯ７−
δにおいてｘ＝０．４〜０．６の組成の物質を用いペー
ストを形成し、配線薄膜を作製することにより、（Ｓｒ
ｘ Ｂａ＋−ｘ ）ｓ Ｙ２ Ｃｕ、ｏ０７−δにおい
てｘ＝ｏ、４〜０．６の範囲の物質が密度。
体（ＳｒＸＢａｒ−ｘ ）ｓ Ｙｚ ＣＩＪ＋ｏＯ７−
δにおいてｘ＝０．４〜０．６の組成の物質を用いペー
ストを形成し、配線薄膜を作製することにより、（Ｓｒ
ｘ Ｂａ＋−ｘ ）ｓ Ｙ２ Ｃｕ、ｏ０７−δにおい
てｘ＝ｏ、４〜０．６の範囲の物質が密度。
Ｔｃｏとも高いので、超伝導相の密度が高く安定した配
線を作製することができる。そして超伝導配線の臨界電
流密度を高めうる。
線を作製することができる。そして超伝導配線の臨界電
流密度を高めうる。
（実施例１〕
粒子径１μｍのＢａＣ０＋ ０．６ ｍｏｌと粒子径１
μｍのＹ２Ｏ３０，４ｍｏ （ｌおよび粒子径２μｍの
ＣｕＯｌｍｏＡをポールミリングで４８部混合したもの
を原料粉末とした。この原料粉末１００部、エチルセル
ロース１部、テルピネオール１０部およびチクソトロピ
ー剤（ヒマ硬）０．６部、さらにメチルエチルケトン２
０部を加えてポールミリングで７２部混合した。この後
らいかい機（メノウ乳鉢）で１．５ｈ混練し、さらに三
本ロールミルで混練した。これにより超伝導セラミック
スペーストができた。
μｍのＹ２Ｏ３０，４ｍｏ （ｌおよび粒子径２μｍの
ＣｕＯｌｍｏＡをポールミリングで４８部混合したもの
を原料粉末とした。この原料粉末１００部、エチルセル
ロース１部、テルピネオール１０部およびチクソトロピ
ー剤（ヒマ硬）０．６部、さらにメチルエチルケトン２
０部を加えてポールミリングで７２部混合した。この後
らいかい機（メノウ乳鉢）で１．５ｈ混練し、さらに三
本ロールミルで混練した。これにより超伝導セラミック
スペーストができた。
このペーストを９９．７％アルミナ基＋反（Ａｆｆｉｚ
Ｏ：＋−ＭｇＯ−Ｃｒ２０３系、ＦＧＡ基板）にスクリ
ーン印刷して配線パターンとした。そして大気中で１０
２０’Ｃ、４１＋焼成した。
Ｏ：＋−ＭｇＯ−Ｃｒ２０３系、ＦＧＡ基板）にスクリ
ーン印刷して配線パターンとした。そして大気中で１０
２０’Ｃ、４１＋焼成した。
この厚さ２５μｌのパターンを形成した基板を液体窒素
に浸漬して、配線パターンの電気的特性を調べた結果、
超伝導を示した。
に浸漬して、配線パターンの電気的特性を調べた結果、
超伝導を示した。
高純度アルミナ基板で、しかもガラス質を含まない基板
を用いることにより、超伝導セラミックスペーストはパ
ターン厚さが薄くても超伝導の性質を示す。
を用いることにより、超伝導セラミックスペーストはパ
ターン厚さが薄くても超伝導の性質を示す。
また、高純度でガラス相を含む基板では、パターン厚さ
を厚くすれば超伝導の性質を示す。
を厚くすれば超伝導の性質を示す。
［実施例２〕
９９．７％アルミナ基板（ＦＧＡ基板）に超伝導セラミ
ックスペーストで配線パターンを形成した。
ックスペーストで配線パターンを形成した。
その後８５０°Ｃで１ｈ焼成した。このパターンを液体
窒素中で電気的性質を調べた結果、超伝導を示した。
窒素中で電気的性質を調べた結果、超伝導を示した。
〔実施例３〕
超伝導体ペーストは昭和６２年４月２７日出願の特願昭
６２−１０５６２４第２図（ａ）（ｂ） （Ｃ）及びそ
の関連説明に記載されるように、ＢａＣＯ３，Ｙ２Ｏ３
，ＣｕＯ等の各粉末を酸化物超伝導体組成となるように
調合し、８００〜１１００°Ｃ程度の温度で大気中もし
くは酸素雰囲気中等の酸化性雰囲気中焼成して上記〔１
部式で示される酸化物超伝導体を形成し、しかる後これ
を粉砕し超伝導体の原料粉末とし、有機バインダ、難揮
発性溶剤、揮発性溶剤、ＴｉまたはＳｔ等を含むカップ
リング剤、界面活性剤等と混合し、混線形成する方法で
も、ＢａＣＯ３，Ｙ２Ｏ，、ＣｕＯ等の各粉末を酸化物
超伝導体組成となるように調合し、これに有機バインダ
、溶剤等と混合し、混線形成する方法でも適用可能であ
る。
６２−１０５６２４第２図（ａ）（ｂ） （Ｃ）及びそ
の関連説明に記載されるように、ＢａＣＯ３，Ｙ２Ｏ３
，ＣｕＯ等の各粉末を酸化物超伝導体組成となるように
調合し、８００〜１１００°Ｃ程度の温度で大気中もし
くは酸素雰囲気中等の酸化性雰囲気中焼成して上記〔１
部式で示される酸化物超伝導体を形成し、しかる後これ
を粉砕し超伝導体の原料粉末とし、有機バインダ、難揮
発性溶剤、揮発性溶剤、ＴｉまたはＳｔ等を含むカップ
リング剤、界面活性剤等と混合し、混線形成する方法で
も、ＢａＣＯ３，Ｙ２Ｏ，、ＣｕＯ等の各粉末を酸化物
超伝導体組成となるように調合し、これに有機バインダ
、溶剤等と混合し、混線形成する方法でも適用可能であ
る。
（超伝導厚膜の作製〕
（１）超伝導ペースト
スクリーン印刷法により超伝導回路配線を得るため、超
伝導体のペーストの作製工程の概略を第１図に示す。
伝導体のペーストの作製工程の概略を第１図に示す。
ペーストはＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０のバルクの超伝導体から
作製するのが好ましい、バルクはイツトリア（Ｙ２Ｏ３
）。
作製するのが好ましい、バルクはイツトリア（Ｙ２Ｏ３
）。
酸化バリウム（Ｂａｄ） 、酸化ストロンチウム（Ｓｒ
Ｏ） 。
Ｏ） 。
酸化銅（Ｃｕｂ）等の粉末を用いる。これらの粉末をボ
ールミルを用いてよく混合した後、圧粉成形する。次に
この圧粉体を大気中で８００−１１００°Ｃで焼成し、
バルクの超伝導体を作製する９ 次にこのバルクを粉砕した粉末を、有機バインダーおよ
び有機溶剤に均一に分散し、伸びのよいペーストを作製
する。ペーストに使用する有機バインダーは、焼成によ
り分解飛散するものでなければならない。熱解重合分解
するＰＭＭ八を用いることにより焼成後の有機バインダ
ーの残留を極力低くおさえることができる。また、粉末
に対するビヒクルの量はペーストの粘性および印刷性に
大きな影響を及ぼす。このためビヒクル量の最適化を行
い、ペーストにはおよそ、超伝導セラミックス成分粉末
１００重量部に対しバインダ、ｌｉｔ揮発性溶剤等５．
５〜４０重量部（らいのビヒクルが含まれるようにする
。これにより微細なパターンの形成が可能となる。
ールミルを用いてよく混合した後、圧粉成形する。次に
この圧粉体を大気中で８００−１１００°Ｃで焼成し、
バルクの超伝導体を作製する９ 次にこのバルクを粉砕した粉末を、有機バインダーおよ
び有機溶剤に均一に分散し、伸びのよいペーストを作製
する。ペーストに使用する有機バインダーは、焼成によ
り分解飛散するものでなければならない。熱解重合分解
するＰＭＭ八を用いることにより焼成後の有機バインダ
ーの残留を極力低くおさえることができる。また、粉末
に対するビヒクルの量はペーストの粘性および印刷性に
大きな影響を及ぼす。このためビヒクル量の最適化を行
い、ペーストにはおよそ、超伝導セラミックス成分粉末
１００重量部に対しバインダ、ｌｉｔ揮発性溶剤等５．
５〜４０重量部（らいのビヒクルが含まれるようにする
。これにより微細なパターンの形成が可能となる。
（２）回路パターンの形成
上記の超伝導ペーストを用い、各種のセラミック基板に
スクリーン法でパターンを印刷し、基板を大気中８ｏｏ
−ｉｏｏｏｏＣで数〜数十時間焼成する。
スクリーン法でパターンを印刷し、基板を大気中８ｏｏ
−ｉｏｏｏｏＣで数〜数十時間焼成する。
高純度のアルミナ基板（ＦＧＡ基板：Ｆｉｎｅ Ｇｒａ
ｉｎｅｄした厚膜の電気抵抗の温度変化を第２図に示す
。
ｉｎｅｄした厚膜の電気抵抗の温度変化を第２図に示す
。
Ｔｅｅｎｄは８９にであり、バルクの特性と大きな違い
はない。 また、振動試料型磁力形（νＳＭ）を用いて
試料の磁化を測定してみると、厚膜試料はパルり試料に
比べて反磁化の割合は小さいものの、マ〔実施例４〕 超伝導ペーストとして昭和６３年１月１１日特願昭６２
−１１４３２８号優先権主張に基いて出願され記載され
る、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミツクスのＢａをＳｒで
置換し、Ｙ−（Ｂａ−５ｒ） −Ｃｕ−０系のペースト
を作製し、ＦＧＡ基板に印刷することによって超伝導相
の密度が高い配線を作製する。
はない。 また、振動試料型磁力形（νＳＭ）を用いて
試料の磁化を測定してみると、厚膜試料はパルり試料に
比べて反磁化の割合は小さいものの、マ〔実施例４〕 超伝導ペーストとして昭和６３年１月１１日特願昭６２
−１１４３２８号優先権主張に基いて出願され記載され
る、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミツクスのＢａをＳｒで
置換し、Ｙ−（Ｂａ−５ｒ） −Ｃｕ−０系のペースト
を作製し、ＦＧＡ基板に印刷することによって超伝導相
の密度が高い配線を作製する。
バルクに対して、Ｓｒ置換量に対するＴｃｏ （オンセ
ット温度）の測定とＳ聞によって、微構造を観察した。
ット温度）の測定とＳ聞によって、微構造を観察した。
微細構造の観察からＳｒ濃度が増すにつれて、グレイン
サイズが小さくなり、密度が増すことがわかる。
サイズが小さくなり、密度が増すことがわかる。
ｘ ＜ ０．５の試料の室温における比抵抗はこの影響
を強く受けて徐りに減少する。Ｘ線回折から求めた格子
定数の組成変化からＳｒで置換することば、その濃度が
増すにつれて酸素が抜は出す、すなわち、還元効果のよ
うに作用することがわかった。
を強く受けて徐りに減少する。Ｘ線回折から求めた格子
定数の組成変化からＳｒで置換することば、その濃度が
増すにつれて酸素が抜は出す、すなわち、還元効果のよ
うに作用することがわかった。
また、ｘ ＝ ０．５で斜方晶系から正方品系へ転移す
るにもかかわらず超伝導性を示すことから、超伝導はＣ
ｕ−０の一次元鎖ではなく Ｃｕｏの二次元平面が支配
している可能性が強い。室温の比抵抗の組成変化が最小
値を持ち、Ｔｃｏ（ｏｎｓｅｔ温度）の組成変化がｘ
＝ ０．５以上で減少が大きくなるのは、ｘ−０，５を
境界にして酸素の抜けるサイトが異なっていると考えら
れる。
るにもかかわらず超伝導性を示すことから、超伝導はＣ
ｕ−０の一次元鎖ではなく Ｃｕｏの二次元平面が支配
している可能性が強い。室温の比抵抗の組成変化が最小
値を持ち、Ｔｃｏ（ｏｎｓｅｔ温度）の組成変化がｘ
＝ ０．５以上で減少が大きくなるのは、ｘ−０，５を
境界にして酸素の抜けるサイトが異なっていると考えら
れる。
（ＳｒＸＢａ＋−ｘ＋）ａＹｚｃｕ＋ｏｏ７−ｄ系酸化
物超伝導酸化物はＢａとＳｒの比が１対１であるｘ ＝
０．５の組成を境に物性が変化する。
物超伝導酸化物はＢａとＳｒの比が１対１であるｘ ＝
０．５の組成を境に物性が変化する。
ｘ ＝ ０．５で結晶構造は斜方晶系から正方品系−・
転移し、Ｔｃｏは約８３にと高くなる。
転移し、Ｔｃｏは約８３にと高くなる。
［試料作製］
出発原料にはＹ２Ｏ：ｌ （９９，９Ｌ ２−３ μｍ
） 、 ＢａＣ０：＋ （９９，９χ。
） 、 ＢａＣ０：＋ （９９，９χ。
２ μｍ）、Ｓｉ２（９９χ、２８０μｍ）、Ｃｕ０（
９９，９χ、２μｍ）を用いた。各粉末を（ＳｒＸＢａ
Ｉ −Ｘ） ａＹｚＣｕ Ｉ ００？−ｄ （Ｘ＝０
．０．１２５１０．２５，０．３７５，０．５，０．７
５）の組成になるように秤呈した。これらの粉末を２４
時間ボールミルを行い混合した。ボールミルにはアルミ
ナポールを使用した。次に、２００ ＭＰａ／ｃｌＩＮ
で加圧して粉末を成形し、半径１５ｍｍ、厚さ約３柵の
ベレットを作製した。
９９，９χ、２μｍ）を用いた。各粉末を（ＳｒＸＢａ
Ｉ −Ｘ） ａＹｚＣｕ Ｉ ００？−ｄ （Ｘ＝０
．０．１２５１０．２５，０．３７５，０．５，０．７
５）の組成になるように秤呈した。これらの粉末を２４
時間ボールミルを行い混合した。ボールミルにはアルミ
ナポールを使用した。次に、２００ ＭＰａ／ｃｌＩＮ
で加圧して粉末を成形し、半径１５ｍｍ、厚さ約３柵の
ベレットを作製した。
最後にアルミナ基板の上で９５０°Ｃ９１２時間、大気
中で焼成した。
中で焼成した。
電気抵抗測定
Ｔｃｏ （オンセット温度）のＳｒ濃度依存性を第４
図に示す。
図に示す。
Ｓｒ′ａ度が増すにつれて、Ｔｃｏは減少するが、Ｓｒ
。
。
Ｂａの比が１対ｌのときＴｃｏは突然回復する。
微構造
Ｘ＝０．１２５． Ｘ・０．５における試料のＳＥＨに
よる微構造の観察結果から、Ｓｒ濃度が増すにつれグレ
インサイズが小さくなり、密度が増加していることが判
明した。
よる微構造の観察結果から、Ｓｒ濃度が増すにつれグレ
インサイズが小さくなり、密度が増加していることが判
明した。
Ｔｃｏ、密度のＳｒ濃度依存性の定性的な図を第５図に
示す。これから（ＳｒＸＢａ＋−ｘ ）ａＹｚｃＬｌ＋
ｏｏｔ−ａにおいて、Ｘ・０．４〜０．６の範囲の物質
が、密度、 Ｔｃｏとも高いことがわかる。よって、こ
の組成範囲で、ペーストを作製すれば超伝導相の密度が
高いため、安定した配線を作製することができる。
示す。これから（ＳｒＸＢａ＋−ｘ ）ａＹｚｃＬｌ＋
ｏｏｔ−ａにおいて、Ｘ・０．４〜０．６の範囲の物質
が、密度、 Ｔｃｏとも高いことがわかる。よって、こ
の組成範囲で、ペーストを作製すれば超伝導相の密度が
高いため、安定した配線を作製することができる。
酸化物超伝導体
（ＳｒＸＢａｌ−ｘ ）ａＹｚｃｕ＋ｏｏ７−ｄにおい
て、ｘ＝０．４〜０．６の組成の物質を用いて、ペース
ト線材、薄膜を作製することにより超伝導相密度の高い
超伝導セラミックスを配線材料に用いた回路基板を形成
できる。
て、ｘ＝０．４〜０．６の組成の物質を用いて、ペース
ト線材、薄膜を作製することにより超伝導相密度の高い
超伝導セラミックスを配線材料に用いた回路基板を形成
できる。
超伝導セラミックスペーストの配線化が可能となった。
・超伝導セラミックスペーストをハイブリッドＩＣなど
の配線材料に使用できた。
の配線材料に使用できた。
第１図は超伝導ペーストを作製する１実施例工程図、
第２図は超伝導バルク（０−０）及び厚膜法により回路
基板上に形成された超伝導配線（ロー口）の電気抵抗の
温度変化を示す図、 第３図は厚膜法により回路基板」二に形成された超伝導
配線のＸ線回折パターンを示す図、第４図は（ＳｒｘＢ
ａ＋−ｘ）ａＹｚｃｕ＋ｏ０７−ｄ系超伝導材料の電気
的特性、電気抵抗及びＴｃｏ （オンセット温度）のＳ
ｒ濃度依存性を示す図、 第５図は（ＳｒｘＢａ＋−ｘ）ｅＹｚｃｕ＋ｏｏｔ−ｄ
系超伝導材料のＴｃｏ （オンセット温度）及び密度の
Ｓｒ濃度依存性を示す図である。 ＦＣｙＡ ： Ｆ；ｙｔｃ Ｃｒｒ＝ｉ；＊ｅｃｔ Ａ
／ｕｍｉｎ−ｑ第 １ 囚 Ｘ 第４図 Ｔｃｏど室度のＳｒ濃度依存・は 第 ５目
基板上に形成された超伝導配線（ロー口）の電気抵抗の
温度変化を示す図、 第３図は厚膜法により回路基板」二に形成された超伝導
配線のＸ線回折パターンを示す図、第４図は（ＳｒｘＢ
ａ＋−ｘ）ａＹｚｃｕ＋ｏ０７−ｄ系超伝導材料の電気
的特性、電気抵抗及びＴｃｏ （オンセット温度）のＳ
ｒ濃度依存性を示す図、 第５図は（ＳｒｘＢａ＋−ｘ）ｅＹｚｃｕ＋ｏｏｔ−ｄ
系超伝導材料のＴｃｏ （オンセット温度）及び密度の
Ｓｒ濃度依存性を示す図である。 ＦＣｙＡ ： Ｆ；ｙｔｃ Ｃｒｒ＝ｉ；＊ｅｃｔ Ａ
／ｕｍｉｎ−ｑ第 １ 囚 Ｘ 第４図 Ｔｃｏど室度のＳｒ濃度依存・は 第 ５目
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す、下記〔
１〕式 （（ＭＩＩＯ）＿Ｘ（ＭＩＩＩ＿２、Ｏ＿３）＿１＿−
＿Ｘ）＿Ｙ・（ＣｕＯ）＿２・（Ｏ）σ・・・〔１〕Ｍ
ＩＩ：Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ ＭＩＩＩ：Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、 ０、５≦Ｘ≦０．９ １≦Ｙ≦２ １≦Ｚ≦２ （Ｏ）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミックス超伝導体材料の粉末
が有機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合され
てなることを特徴とする超伝導セラミックスペースト （２）焼成後、液体窒素温度（７７Ｋ）で超伝導を示す
、下記〔１〕式 ｛（ＭＩＩＯ）＿Ｘ、（ＭＩＩＩ＿２Ｏ＿３）＿１＿−
＿Ｘ）＿Ｙ・（ＣｕＯ）＿２・（Ｏ）＿σ・・・・・〔
１〕ＭＩＩ：Ｂａ、Ｂｒ、Ｃａ、Ｍｇ ＭＩＩＩ：Ｙ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、
Ｅｕ、Ｇｄ、Υｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌ
ｕ、 ０．５≦Ｘ≦０．９ １≦Ｙ≦２ １≦Ｚ≦２ （３）σ：化学量論組成からの酸素のズレ量で示される
化学式を有する酸化物セラミックス超伝導体となる構成
成分の出発原料としてＭＩＩ、ＭＩＩＩ及びＣｕの酸化
物もしくは金属塩化合物を用い、該出発原料の粉末が有
機バインダと溶剤からなるビヒクルに分散混合されてな
ることを特徴とする超伝導セラミックペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074161A JPH01246136A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 超伝導セラミックスペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63074161A JPH01246136A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 超伝導セラミックスペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246136A true JPH01246136A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13539151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63074161A Pending JPH01246136A (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 超伝導セラミックスペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246136A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240971A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nec Corp | 超伝導量子干渉素子の製造方法 |
| JPH02152109A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-12 | Tsuaitowan Fuaaren Koniejishuien Jiouyuen | アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法 |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP63074161A patent/JPH01246136A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0240971A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-09 | Nec Corp | 超伝導量子干渉素子の製造方法 |
| JPH02152109A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-12 | Tsuaitowan Fuaaren Koniejishuien Jiouyuen | アルミナ基材上に形成したＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導体膜およびその形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE3855371T2 (de) | Auf neuen supraleitenden Materialien basierende Anordnungen und Systeme | |
| EP0356722B1 (en) | Oxide superconductor and method of producing the same | |
| US5081070A (en) | Superconducting circuit board and paste adopted therefor | |
| KR910001346B1 (ko) | 초전도 세라믹스 | |
| US5019554A (en) | Structure of superconductive wiring having SiAlON buffer layer thereunder | |
| DE69221727T2 (de) | Verfahren zum herstellen supraleitender tl-pb-sr-ca-cu oxid filme und einrichtungen | |
| EP0367571B1 (en) | Superconducting thick film circuit board, production thereof, thick film superconductor and production thereof | |
| Sacchi et al. | High Tc superconductivity in Y‐Ba‐Cu‐O screen‐printed films | |
| EP0290271B1 (en) | Superconducting circuit board and process of manufacturing it | |
| JPH01246136A (ja) | 超伝導セラミックスペースト | |
| EP0299796A2 (en) | Silver additives for ceramic superconductors | |
| US5286713A (en) | Method for manufacturing an oxide superconducting circuit board by printing | |
| JP2817048B2 (ja) | スクリーン印刷によるＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系超伝導膜の製造方法 | |
| EP0341312B1 (en) | Paste for forming superconductive ceramic film | |
| Dou et al. | Diffusion grown superconducting thick films of Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-O with zero resistance at 103 K | |
| Tabuchi et al. | Fabrication of screen-printed high-Tc superconducting oxide thick films on various substrates | |
| JP3219563B2 (ja) | 金属酸化物とその製造方法 | |
| Kirschner et al. | High-Tc Superconductivity in La-Ba-Cu-O and Y-Ba-Cu-O Compounds | |
| EP0284088A2 (en) | Process for producing superconducting thick film | |
| US5552370A (en) | Silver additives for ceramic superconductors | |
| KR930002579B1 (ko) | 후막초전도체와 그 제조방법 | |
| JPH0573358B2 (ja) | ||
| Kokkomäki et al. | Screen‐Printed Superconducting Y‐Ba‐Cu‐O Thick Films on Various Substrates | |
| JPH0199279A (ja) | 超電導セラミツク基板の製造方法 | |
| JP2523687B2 (ja) | 超伝導膜パタ―ンの形成方法 |