JPH01243351A - 分析装置 - Google Patents
分析装置Info
- Publication number
- JPH01243351A JPH01243351A JP63070272A JP7027288A JPH01243351A JP H01243351 A JPH01243351 A JP H01243351A JP 63070272 A JP63070272 A JP 63070272A JP 7027288 A JP7027288 A JP 7027288A JP H01243351 A JPH01243351 A JP H01243351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- energy beam
- depth
- analysis
- point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 abstract description 31
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 19
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ピ】 産業上の利用分野
本発明は二次イオン質重分析法、オージェ電子分光法な
どを利用した分析装置に関し、更に詳しくは被分析位置
の深さの算出を行なう分析装置に関する。
どを利用した分析装置に関し、更に詳しくは被分析位置
の深さの算出を行なう分析装置に関する。
（ロ）従来の技術
二次イオン質量分析装置を例にとって説明すると、こｎ
は一般にセシクムイ万ン等一次イオンの発生、加速、調
整等が行わｎる一久イオン系。
は一般にセシクムイ万ン等一次イオンの発生、加速、調
整等が行わｎる一久イオン系。
及び試料より発生した二次イオンの質量分離、検出等が
行わｎる二次イオン系により構成さｎ１試料は一久イオ
ン系と二次イオン系の接点に置かｎる。
行わｎる二次イオン系により構成さｎ１試料は一久イオ
ン系と二次イオン系の接点に置かｎる。
試料に一次イオンが照射さｎると、試料表面でおこるス
パッタリングの結果、試料を４成している粒子が放出さ
れるが、その一部はイオン化さｎ。
パッタリングの結果、試料を４成している粒子が放出さ
れるが、その一部はイオン化さｎ。
二次イオンとなる。二次イオンは質量分離されて、特定
の質ａｔをもつ二次イオンの強度ｆｔ測定することにエ
フ、所望の元素の濃度を知ることができる。
の質ａｔをもつ二次イオンの強度ｆｔ測定することにエ
フ、所望の元素の濃度を知ることができる。
この二次イオン質は分析法に、−矢イオンによるスパッ
タリングという試料表面の破壊を伴っている友め、連続
してスパッタリングを行、て二次イオン強度の経時変化
を測定することにより％深さ方向の濃度分布分析を行う
ことができる。即ち、試料表面の一久イオンが照射され
ｔ部分にはクレータが形成さｎるため、スパッタリング
（分析ン終了後にこのクレータ深さ（全スパッタリング
栗さ〕を触針式段差計などにより測定し、二次イオンの
経時変化測定結果と全スパッタリング時間とを比例関係
で対応させることにエフ、深さ方向に関する＃度分布が
得らｎる。
タリングという試料表面の破壊を伴っている友め、連続
してスパッタリングを行、て二次イオン強度の経時変化
を測定することにより％深さ方向の濃度分布分析を行う
ことができる。即ち、試料表面の一久イオンが照射され
ｔ部分にはクレータが形成さｎるため、スパッタリング
（分析ン終了後にこのクレータ深さ（全スパッタリング
栗さ〕を触針式段差計などにより測定し、二次イオンの
経時変化測定結果と全スパッタリング時間とを比例関係
で対応させることにエフ、深さ方向に関する＃度分布が
得らｎる。
この様な深さ方向の分析においてに、スパッタリング速
度が一定であること、すなわち、スパッタリング時間と
スパッタリング深さが比例関係にあることがＩＷ提条件
となっている。しかしながら、スパッタリング（分析ン
中におけるスパッタリング速度は必ずしも一定でになく
、特に複数種の薄膜を積層し九多層膜においては、各層
間でスパッタリング速度が大きく異なる場合がある。こ
の場合には、測定し次深さ方向の分析結果に大きな誤差
が生じるｒＲｎがある。ま九、分析中に随時現在のスパ
ッタリング深さを知ることはできない。さらに試料を装
置外に取り出して触針式段追討等によりクレータ深さを
測定するという作業を要するため１分析の迅還注や正確
さにおいても問題がある。
度が一定であること、すなわち、スパッタリング時間と
スパッタリング深さが比例関係にあることがＩＷ提条件
となっている。しかしながら、スパッタリング（分析ン
中におけるスパッタリング速度は必ずしも一定でになく
、特に複数種の薄膜を積層し九多層膜においては、各層
間でスパッタリング速度が大きく異なる場合がある。こ
の場合には、測定し次深さ方向の分析結果に大きな誤差
が生じるｒＲｎがある。ま九、分析中に随時現在のスパ
ッタリング深さを知ることはできない。さらに試料を装
置外に取り出して触針式段追討等によりクレータ深さを
測定するという作業を要するため１分析の迅還注や正確
さにおいても問題がある。
（、Ｊ 発明が解決しようとする課題本発明はスパッ
タリング中もしくは分析中に随時、正ｏｉｉなスパッタ
リング深さ、即ち被分析位置の深さを知ることができ、
ま九多層膜の分析等においても深さ方向の分析結果に誤
差が生じることのない分析装置の提供を目的とする。
タリング中もしくは分析中に随時、正ｏｉｉなスパッタ
リング深さ、即ち被分析位置の深さを知ることができ、
ま九多層膜の分析等においても深さ方向の分析結果に誤
差が生じることのない分析装置の提供を目的とする。
に）課題を解決する友めの手段
本発明の分析装置は、一次エネルギビームの照射により
発生し九二次エネルギビームの、前記試料表面方向の発
生位置を検出する手段、もしくは二次エネルギビームの
検出までの時間を測定する手段を設け、斯かる発生位置
もしぐは検出までの時間から試料の被分析位置の深さを
算出する手段を備えたことを特徴とする。
発生し九二次エネルギビームの、前記試料表面方向の発
生位置を検出する手段、もしくは二次エネルギビームの
検出までの時間を測定する手段を設け、斯かる発生位置
もしぐは検出までの時間から試料の被分析位置の深さを
算出する手段を備えたことを特徴とする。
（ホ）作用
二次エネルギビームの、試料表面方向の発生団＠を検出
する手段、もしくに二次エネルギビームの検出までの時
間全測定する手段によシ、二次エネルギビームがＭする
４さ方向のｌ＃報が察知され、−！１分析ｔｚｉの閉さ
が算出さ几る。
する手段、もしくに二次エネルギビームの検出までの時
間全測定する手段によシ、二次エネルギビームがＭする
４さ方向のｌ＃報が察知され、−！１分析ｔｚｉの閉さ
が算出さ几る。
（へ）窩 ＊ 偶
本発明の第１ｃ）実施例を第１図を用いて詳述する。
（１）は分析実行則には破ｄビ】で示す表面を有し。
ある元素ＸＫついて次ＤＩＩ（１）ρ為らの深さ方向の
祷度分４が測定さｎる試料、（２Ｊぼ一久工卆ルギビー
ムｔＣ相当するセシクム尋の一久イオンビーへ１３７
ｔ−試料（１）に対し入射１４度θ（０”くθ（９０”
）で照射するイオン発生手段、（４）は試料（１）と対
向して配設され且つ試料（１＋との電に４．５ Ｋ Ｖ
程（の１３：が印加さｆＬ次引き出し電極、（５Ｊは後
、ｄする二次エネルギビームの、試料（１；表面方向の
発生位置を検出する検出手段、（６）は二次エネルギビ
ームの通過経路中に磁界（力を発生させる磁界発生手段
、（８１は前６８イズン見王手段（２）、磁界発生手段
（６）を制御すると共に、前記検出手段（５）からの検
出結果を分析する制御手段である。
祷度分４が測定さｎる試料、（２Ｊぼ一久工卆ルギビー
ムｔＣ相当するセシクム尋の一久イオンビーへ１３７
ｔ−試料（１）に対し入射１４度θ（０”くθ（９０”
）で照射するイオン発生手段、（４）は試料（１）と対
向して配設され且つ試料（１＋との電に４．５ Ｋ Ｖ
程（の１３：が印加さｆＬ次引き出し電極、（５Ｊは後
、ｄする二次エネルギビームの、試料（１；表面方向の
発生位置を検出する検出手段、（６）は二次エネルギビ
ームの通過経路中に磁界（力を発生させる磁界発生手段
、（８１は前６８イズン見王手段（２）、磁界発生手段
（６）を制御すると共に、前記検出手段（５）からの検
出結果を分析する制御手段である。
而して、一次イオンビーム（３）を試料に対して照射し
分析を開始すると、試料（１）表面でおこるスパッタリ
ングの結果、試料ｉｌｌを構成している粒子が放出され
てイオン化さｎ、二次イオンとなる。この二次イオンは
引き出し電極（４）が乍り出丁電場により、検出手段（
５）に向かって試料［１）から垂直に加速さｎ、二次エ
ネルギビームに相当する二次イオンビーム（９）トなる
。二次イオンビーム（９）ハ検出手段（５）への到達前
に磁場（７）を通過する。二次イオンビーム（９）は試
料（１）を４収する様々な元素を含んでいるが、この磁
場（力は分析したい所望元素Ｘのみを検出手段（５）に
入射せしめるよう形成さ几、池の元素にその質量に応じ
て第１図の紙面と垂直な方向に分離さｎる。分析開始崩
初の試料（１表面（イ）のＡ点から生じた二次イオンビ
ーム（９ａ）については、その中の元素Ｘは検出手段（
５）の０点に到達して、そのＳ度（入射通）及び到達位
置が検出さｎる。ｄ」両手段［８３は、検出手段（５）
への元素Ｘの入対量から試料ＩｌｌのＡ点でのａ度を算
出し、ま比到達位置Ｃ点からＡ点の試料（１１表面方向
の位置を算出する。
分析を開始すると、試料（１）表面でおこるスパッタリ
ングの結果、試料ｉｌｌを構成している粒子が放出され
てイオン化さｎ、二次イオンとなる。この二次イオンは
引き出し電極（４）が乍り出丁電場により、検出手段（
５）に向かって試料［１）から垂直に加速さｎ、二次エ
ネルギビームに相当する二次イオンビーム（９）トなる
。二次イオンビーム（９）ハ検出手段（５）への到達前
に磁場（７）を通過する。二次イオンビーム（９）は試
料（１）を４収する様々な元素を含んでいるが、この磁
場（力は分析したい所望元素Ｘのみを検出手段（５）に
入射せしめるよう形成さ几、池の元素にその質量に応じ
て第１図の紙面と垂直な方向に分離さｎる。分析開始崩
初の試料（１表面（イ）のＡ点から生じた二次イオンビ
ーム（９ａ）については、その中の元素Ｘは検出手段（
５）の０点に到達して、そのＳ度（入射通）及び到達位
置が検出さｎる。ｄ」両手段［８３は、検出手段（５）
への元素Ｘの入対量から試料ＩｌｌのＡ点でのａ度を算
出し、ま比到達位置Ｃ点からＡ点の試料（１１表面方向
の位置を算出する。
分析を続けると、一次イオンビーム（３）の照射による
スパッタリングの結果、試料（１）の表面が破壊さｎて
そこに段差を生じる。分析開始時から少し分析が進み、
試料１１１表面が第１図四の位置までスパッタリングさ
れ九とする（第１図は誇張して描いである）。このとき
−久イオンビーム（３）は試料のＢ点に照射さＡ、Ｂ点
から生じた二次イオンビーム（９ｂ）は検出手段（５）
のＤ点に到達、検出さｎる。制御手段（８）は、元素Ｘ
の入射量から試料１１）のＢ点でのａ度を算出すると共
に、その到達位置（Ｄ点）からＢ点の試料（１）表面方
向の位ｔＩｆを算出し、その算出結果と、先に算出した
Ａ点の表面方向の位置、及び照射角度θから試料ｉｌ＋
の被分析位置（Ｂ点〕の表Ｏｎ）からの栗さ（ｄ）を算
出する。即ち、ここでぼ ｄ＝ｃＤ／ｌａｎθ −−−−・（１）にエフ深さ（ｄ
Ｊが算出できる。但し、ＣＤは０点とＤ点の距離である
。
スパッタリングの結果、試料（１）の表面が破壊さｎて
そこに段差を生じる。分析開始時から少し分析が進み、
試料１１１表面が第１図四の位置までスパッタリングさ
れ九とする（第１図は誇張して描いである）。このとき
−久イオンビーム（３）は試料のＢ点に照射さＡ、Ｂ点
から生じた二次イオンビーム（９ｂ）は検出手段（５）
のＤ点に到達、検出さｎる。制御手段（８）は、元素Ｘ
の入射量から試料１１）のＢ点でのａ度を算出すると共
に、その到達位置（Ｄ点）からＢ点の試料（１）表面方
向の位ｔＩｆを算出し、その算出結果と、先に算出した
Ａ点の表面方向の位置、及び照射角度θから試料ｉｌ＋
の被分析位置（Ｂ点〕の表Ｏｎ）からの栗さ（ｄ）を算
出する。即ち、ここでぼ ｄ＝ｃＤ／ｌａｎθ −−−−・（１）にエフ深さ（ｄ
Ｊが算出できる。但し、ＣＤは０点とＤ点の距離である
。
以上の様なスパッタリングの分析を継続することにより
、試＃（１１の栗さ（山に対応した元素Ｘの濃度分布の
分析が行なえる。被分析位置の深さ（ｄＪの算出は分析
と同時に随時性なえるため、９度と位置との対応が正確
であり、分析結果として得らｎ次深さ方向のＩＩｋ度分
布も正確なものである。スパッタリング終了後に触針式
段羨計などを用いて全スパッタリング深さを測定する必
要もなく、ま之多層膜等の試料の分析にｐいて各層間の
スパッタリング速度の差による誤差も生じない。
、試＃（１１の栗さ（山に対応した元素Ｘの濃度分布の
分析が行なえる。被分析位置の深さ（ｄＪの算出は分析
と同時に随時性なえるため、９度と位置との対応が正確
であり、分析結果として得らｎ次深さ方向のＩＩｋ度分
布も正確なものである。スパッタリング終了後に触針式
段羨計などを用いて全スパッタリング深さを測定する必
要もなく、ま之多層膜等の試料の分析にｐいて各層間の
スパッタリング速度の差による誤差も生じない。
ま几、被分析位置の深さの算出は、二次エネルギビーム
の検出までの時間を測定することによっても可能であり
、窮２の実施例として以下に説明する。
の検出までの時間を測定することによっても可能であり
、窮２の実施例として以下に説明する。
いま第１図と同様の信成において、一次エネルギビーム
である一部イオンビーム（３）が試料（１）表面に衝突
して、第１の実施例における二次イオンビーム（９）の
経路に反射し比ものを二次エネルギビームとみなす。即
ち、試料（１１と衝突してその４勤エネルギを失、７？
ニ一次イオンビーム（３）のイオンは引き出し電！：ｆ
ｉ（４）が作り出す近場により加速さｎて二次イオンビ
ーム（９）となる。
である一部イオンビーム（３）が試料（１）表面に衝突
して、第１の実施例における二次イオンビーム（９）の
経路に反射し比ものを二次エネルギビームとみなす。即
ち、試料（１１と衝突してその４勤エネルギを失、７？
ニ一次イオンビーム（３）のイオンは引き出し電！：ｆ
ｉ（４）が作り出す近場により加速さｎて二次イオンビ
ーム（９）となる。
この場合、第１（２）口】に示す深さ（山のＢ点で反射
したイオンは１表面げ］のＡ点で反射しｔイオンと比べ
１反射回にＡＢ、反射後にｄだけ長い経路を通る（ＡＢ
＝ｄ／ｃｏｓθ〕。従うて、Ｂ点で反射する場合におい
ては、イオン発生手段（２）における−久イオンビーム
（３１の元工から、検出手段（５）における二次イオン
ビーム（９）の検出までの時間ぼ、Ａ点で反射する場合
と比べて、４さ（ｄＪによって決まる時闇邊Δｔだけ長
くなる。このΔｔはに工！７４えらｔＬる。ここで、ｍ
及びｑにイオンの４通及び電荷、ｖｌ＆エイ万ン発生手
族（２〕・試料１１）間の電−ムＶ２に引き出し一極（
４）−試料（１３間の嵯１へｌａその間の距離であり、
深さｄにイオン発生手段（２）・試料（１）間の距離及
びｌと比べて非常に小さ（、ｄが変化しても電荷ぼ変化
しないこと、さらに入射する一部イオンは試料（１）表
面との衝突においてその全運動エネルギを失うと仮定し
ている。
したイオンは１表面げ］のＡ点で反射しｔイオンと比べ
１反射回にＡＢ、反射後にｄだけ長い経路を通る（ＡＢ
＝ｄ／ｃｏｓθ〕。従うて、Ｂ点で反射する場合におい
ては、イオン発生手段（２）における−久イオンビーム
（３１の元工から、検出手段（５）における二次イオン
ビーム（９）の検出までの時間ぼ、Ａ点で反射する場合
と比べて、４さ（ｄＪによって決まる時闇邊Δｔだけ長
くなる。このΔｔはに工！７４えらｔＬる。ここで、ｍ
及びｑにイオンの４通及び電荷、ｖｌ＆エイ万ン発生手
族（２〕・試料１１）間の電−ムＶ２に引き出し一極（
４）−試料（１３間の嵯１へｌａその間の距離であり、
深さｄにイオン発生手段（２）・試料（１）間の距離及
びｌと比べて非常に小さ（、ｄが変化しても電荷ぼ変化
しないこと、さらに入射する一部イオンは試料（１）表
面との衝突においてその全運動エネルギを失うと仮定し
ている。
従、て、イオンビームの検出までの時間をスパッタリン
グ中随時制呻手段（８）にＪ：り測定し、スパッタリン
グ４Ｈの表面ば】で反射し友場合との時間差Δｔを求め
ｎば、上記（２）式を用いて被測定位−の深さの算出が
正確に行なえる。水め几Δｔから上記（２）式にエフ深
さｄを求める演４は、制御手段（８）ｆｅｗａ−ｒるマ
イクロコンピュータ等により行なうことができる。
グ中随時制呻手段（８）にＪ：り測定し、スパッタリン
グ４Ｈの表面ば】で反射し友場合との時間差Δｔを求め
ｎば、上記（２）式を用いて被測定位−の深さの算出が
正確に行なえる。水め几Δｔから上記（２）式にエフ深
さｄを求める演４は、制御手段（８）ｆｅｗａ−ｒるマ
イクロコンピュータ等により行なうことができる。
尚１本発明に工ｎば、第２図に示す様に試料ｔｌ）の表
面全体がスパッタリングさｎる場合においてもそのスパ
ッタリング深さを測定できる。従来の触針式段差計等を
用いてスパッタリング深さを測定する分析方法では、第
３図に示す様に試料の一部のみがスパッタリングされて
クレータとなり％他の部分にはスパッタリング前の部分
が残っている場合は測定可能であったが、第２図の家に
試料全面がスパッタリングされる場合には、深さの測定
は不可能であった。
面全体がスパッタリングさｎる場合においてもそのスパ
ッタリング深さを測定できる。従来の触針式段差計等を
用いてスパッタリング深さを測定する分析方法では、第
３図に示す様に試料の一部のみがスパッタリングされて
クレータとなり％他の部分にはスパッタリング前の部分
が残っている場合は測定可能であったが、第２図の家に
試料全面がスパッタリングされる場合には、深さの測定
は不可能であった。
以上の実施物においては、エネルギビームとして一次、
二次共にイオンビーム全相いたが１例えば中性粒子や電
子を用いることもでき、ま九スパッタリングはイオンで
、分析は電子で、という様にスパッタリングと分析とで
異なるエネルギビームを用いることもできる。さらに本
発明は二次イオン質量分析法、オージェ電子分光法、Ｘ
ｓ光光電子分床法ど様々な分析法において利用すること
ができる。。
二次共にイオンビーム全相いたが１例えば中性粒子や電
子を用いることもでき、ま九スパッタリングはイオンで
、分析は電子で、という様にスパッタリングと分析とで
異なるエネルギビームを用いることもできる。さらに本
発明は二次イオン質量分析法、オージェ電子分光法、Ｘ
ｓ光光電子分床法ど様々な分析法において利用すること
ができる。。
（ト）発明の効果
本発明に工れば、スパッタリング中モジくは分析中に随
時正確な被分析位置の深さを算出することができ、また
多・−膜の分析寺においても正確な分析不吉来を得るこ
とができる３゜
時正確な被分析位置の深さを算出することができ、また
多・−膜の分析寺においても正確な分析不吉来を得るこ
とができる３゜
第１図に本発明の分析装置を示す模式図、第２図及び第
３図は試料の状態を示す＃Ｔ面図である。 （１１・・・試料、（２）・・・イオン発生手段、（３
）・・・−久イオンビーム、（５ｊ・・・検出手段、（
８）・・・制」手段、（９）・・・二次イ才ンビ・−ム
。
３図は試料の状態を示す＃Ｔ面図である。 （１１・・・試料、（２）・・・イオン発生手段、（３
）・・・−久イオンビーム、（５ｊ・・・検出手段、（
８）・・・制」手段、（９）・・・二次イ才ンビ・−ム
。
Claims (2)
- （１）一次エネルギビームを試料に所定角度で照射する
手段と、斯かる一次エネルギビームの照射励起によって
前記試料から放出された試料粒子等の二次エネルギビー
ムの前記試料表面方向の発生位置を検出する手段と、斯
かる検出された発生位置及び前記角度から試料の被分析
位置の深さを算出する手段とを備えたことを特徴とする
分析装置。 - （２）一次エネルギビームを試料に照射する手段と、斯
かる一次エネルギビームの照射励起によって前記試料か
ら放出された試料粒子等の二次エネルギビームを検出す
る手段と、斯かる検出までの時間を測定する手段と、測
定された時間から試料の被分析位置の深さを算出する手
段とを備えたことを特徴とする分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070272A JPH01243351A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63070272A JPH01243351A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01243351A true JPH01243351A (ja) | 1989-09-28 |
Family
ID=13426720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63070272A Pending JPH01243351A (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01243351A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07174546A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-07-14 | Nec Corp | 膜厚測定方法 |
| WO2004079771A2 (de) * | 2003-03-09 | 2004-09-16 | Justus-Liebig-Universität Giessen | Dreidimensionale abbildung der chemischen oberflächenzusammensetzung von objekten |
| JP2010175249A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料高さ測定方法及び試料高さ測定装置 |
| JP2013076705A (ja) * | 2012-11-30 | 2013-04-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
-
1988
- 1988-03-24 JP JP63070272A patent/JPH01243351A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07174546A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-07-14 | Nec Corp | 膜厚測定方法 |
| WO2004079771A2 (de) * | 2003-03-09 | 2004-09-16 | Justus-Liebig-Universität Giessen | Dreidimensionale abbildung der chemischen oberflächenzusammensetzung von objekten |
| WO2004079771A3 (de) * | 2003-03-09 | 2005-02-24 | Univ Giessen Justus Liebig | Dreidimensionale abbildung der chemischen oberflächenzusammensetzung von objekten |
| JP2010175249A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料高さ測定方法及び試料高さ測定装置 |
| JP2013076705A (ja) * | 2012-11-30 | 2013-04-25 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Hubele et al. | Fragmentation of gold projectiles: From evaporation to total disassembly | |
| Vincze et al. | A general Monte Carlo simulation of energy-dispersive X-ray fluorescence spectrometers. Part 3. Polarized polychromatic radiation, homogeneous samples | |
| JP2023154072A (ja) | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 | |
| JPH01243351A (ja) | 分析装置 | |
| Goppelt et al. | High energy ERDA with very heavy ions using mass and energy dispersive spectrometry | |
| Lindgren et al. | Search for fractional charges produced in heavy-ion collisions at 1.9 GeV/nucleon | |
| Bocquet et al. | Prompt fission induced by antiproton annihilation at rest on heavy nuclei | |
| Van der Peyl et al. | Kinetic energy distributions of organic ions sputtered from solids and liquids | |
| US8803087B2 (en) | Spectrum analyzer and method of spectrum analysis | |
| JP2574792B2 (ja) | 深さ方向の元素分布分析法 | |
| RU2522667C2 (ru) | Способ определения элементного состава и толщины поверхностной пленки твердого тела при внешнем воздействии на поверхность | |
| JP4368698B2 (ja) | 試料分析装置及びその方法 | |
| JPH08220030A (ja) | 表面分析方法およびその表面分析装置 | |
| Peisach, M.* & Poole | The determination of gold coating thicknesses by proton scattering | |
| JP3140557B2 (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置及びこれを用いる分析法 | |
| JPH08136481A (ja) | 試料分析装置 | |
| JP2003068245A (ja) | 定量的なエネルギー補正機能を持つ飛行時間型質量分析器 | |
| Verma | Elastic Recoil Detection | |
| JPH08153484A (ja) | イオン散乱表面分析装置 | |
| JPS62232849A (ja) | イオン検出装置 | |
| Shafiei et al. | Design and Development of a Chopper for Ion Beam Current Measurement and Monitoring | |
| Boriskin et al. | Effect of laser erosion on the copper and zinc concentrations in the surface layer of brass | |
| KR100485389B1 (ko) | 이차이온 질량분석기 및 이를 이용한 이차이온 일드측정방법 | |
| JP2003344319A (ja) | イオン散乱分析装置 | |
| Afanasyev et al. | A method for monitoring the parameters of a stripping target in neutral particle analyzers for the ITER |