JPH01242779A - Device for treating thin film - Google Patents
Device for treating thin filmInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、複数の薄膜処理室を有する薄膜処理装置に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a thin film processing apparatus having a plurality of thin film processing chambers.
従来の技術
複数の処理室を有する薄膜処理装置の一例は、例えば特
開昭62−502846号公報で示されている。この従
来例は、1枚づつ基板を処理するいわゆる枚葉式インラ
イン方式であるが、量産性を向上させるために複数の基
板を1枚のキャリヤに装着して複数の基板をほぼ同時に
処理するいわゆるパレット式インライン方式が用いられ
ている。2. Description of the Related Art An example of a thin film processing apparatus having a plurality of processing chambers is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-502846. This conventional method is a so-called single-wafer in-line method in which substrates are processed one by one, but in order to improve mass productivity, multiple substrates are mounted on a single carrier and processed at almost the same time. A pallet inline method is used.
上記パレット式インライン方式の薄膜形成装置において
例えば第12図に示す光ディスクの情報担体層を形成す
る場合について説明する。A case will be described in which, for example, an information carrier layer of an optical disk shown in FIG. 12 is formed using the pallet type in-line type thin film forming apparatus.
第12図において、光ディスク1は、透光性の基板2.
情報担体層3.接着層4.保護板6から構成された公知
の構造である。情報担体層3は、誘電体層6及び7.記
録層89反射層9より構成されている。In FIG. 12, an optical disc 1 includes a transparent substrate 2.
Information carrier layer 3. Adhesive layer 4. This is a known structure composed of a protection plate 6. The information carrier layer 3 comprises dielectric layers 6 and 7. It is composed of a recording layer 89 and a reflective layer 9.
例えば光ディスク1が相変化型の繰返し記録可能なディ
スクの場合は、記録層8は、例えば5nTeSe等のカ
ルコゲン系の元素を主成分として構成されている。誘電
体層6はZ n S * S 13N4eAtN等よシ
構成されている。反射層9はA t、 Ni等より構成
されている。For example, when the optical disc 1 is a phase change type repeatedly recordable disc, the recording layer 8 is composed of a chalcogen-based element such as 5nTeSe as a main component. The dielectric layer 6 is composed of ZnS*S13N4eAtN or the like. The reflective layer 9 is made of At, Ni, or the like.
誘電体層6及び71反射層9は繰返し記録時に受ける熱
作用に対する組入性向上や、光の干渉により信号出力を
増大させるために形成されている。The dielectric layers 6 and 71 and the reflective layer 9 are formed to improve the incorporation of thermal effects during repeated recording and to increase signal output through optical interference.
第13図に、基板2に順次誘電体層θ、記録層8、誘電
体層72反射層9を形成する成膜装置10を一例として
示す。11は公知の入側ロードロック室、12は誘電体
層6の成膜室で、誘電体層6が、例えばZnSの場合、
成膜室12は例えばZnSターゲット13を取付けだス
パッタ室となる。14は記録層8の成膜室で、記録層8
が、例えば5nTeSeの場合、成膜室14は、例えば
5nTeSeターゲツト15を取付けたスパッタ室とな
る。FIG. 13 shows an example of a film forming apparatus 10 that sequentially forms a dielectric layer θ, a recording layer 8, a dielectric layer 72, and a reflective layer 9 on a substrate 2. Reference numeral 11 indicates a well-known entrance load lock chamber, and 12 indicates a deposition chamber for the dielectric layer 6. When the dielectric layer 6 is, for example, ZnS,
The film forming chamber 12 becomes a sputtering chamber to which a ZnS target 13 is attached, for example. 14 is a film forming chamber for the recording layer 8;
However, in the case of 5nTeSe, for example, the film forming chamber 14 becomes a sputtering chamber equipped with a 5nTeSe target 15, for example.
16は誘電体層7の成膜室で前記と同様にZnSターゲ
ット17を取付けたスバッ、り室である。18は反射層
9の成膜室で、反射層9が例えばMの場合成膜室18は
例えばAtターゲット19を取付けたスパッタ室となる
。20は出側ロードロック室である。21.22,23
,24はそれぞれゲートバルブ、26,26.27はそ
れぞれ基板2を例えば9枚装着できるキャリヤ28が通
過するスキマを有するスリットパルプである。29゜3
0はそれぞれロードロック室11.20と成膜室12.
18間のキャリヤ28の間欠的移送と、キャリヤ28の
成膜室12,14,16.18内での成膜のだめの連続
移送動作の緩衝のだめのバッファスペースである。Reference numeral 16 denotes a film forming chamber for the dielectric layer 7, which is a deposition chamber in which a ZnS target 17 is attached in the same manner as described above. Reference numeral 18 denotes a film forming chamber for the reflective layer 9. When the reflective layer 9 is, for example, M, the film forming chamber 18 becomes a sputtering chamber equipped with, for example, an At target 19. 20 is an exit side load lock chamber. 21.22,23
, 24 are gate valves, and 26, 26, and 27 are slit pulps each having a gap through which a carrier 28 capable of mounting, for example, nine substrates 2, passes. 29°3
0 are the load lock chamber 11.20 and the film forming chamber 12.0, respectively.
This is a buffer space for buffering the intermittent transfer of the carrier 28 between the 18 and 18 and the continuous transfer operation of the film-forming reservoir within the film-forming chambers 12, 14, 16, and 18.
第14図は第13図のA−A’略断面図である。FIG. 14 is a schematic sectional view taken along the line A-A' in FIG. 13.
第14図において31.32,33.34はそれぞれス
パンタ領域規制板、35,38,37.38はそれぞれ
膜厚モニタのための水晶振動子である。In FIG. 14, 31, 32, 33, 34 are spanner area regulating plates, respectively, and 35, 38, 37, 38 are crystal oscillators, respectively, for monitoring film thickness.
第13図、第14図において、キャリヤ28の移送のた
めの案内手段及び駆動手段は省略しである。またターゲ
ットを成膜室の両側に設けて両面成膜をすることは可能
であるがこの例では片側中示しである。また成膜速度の
低い材料の場合はターゲットを複数個用いることもでき
るが1成膜室に1ターゲツトで示しである。In FIGS. 13 and 14, the guide means and drive means for transporting the carrier 28 are omitted. Although it is possible to form a film on both sides by providing targets on both sides of the film forming chamber, in this example one side is shown in the middle. Furthermore, in the case of a material with a low film formation rate, it is possible to use a plurality of targets, but one target is shown in one film formation chamber.
第13図、@14図において、キャリヤ28は1枚のみ
示したが100枚装は必要である。その理由は1枚目の
キャリヤ28が成膜室12 、14゜16.18を通過
して膜が基板2に順次4層成膜された後、出側ロードロ
ック室2oに入った時、2.3,4.6枚目の各々キャ
リヤには成膜室18゜16.14.12で成膜が開始さ
れていなければならず、また6枚目のキャリヤは入側ロ
ードロック室11に入るだめの準備ができていなければ
ならないこと、及び膜形成済基板と膜未形成基板を入れ
かえるための予備キャリヤを4枚前後必要とするからで
ある。In FIGS. 13 and 14, only one carrier 28 is shown, but 100 carriers are required. The reason for this is that after the first carrier 28 passes through the film forming chambers 12 and 14 degrees 16.18 and four layers of film are sequentially formed on the substrate 2, when it enters the output side load lock chamber 2o, .For each of the 3rd, 4th, and 6th carriers, film formation must have started in the film formation chamber 18° 16, 14, and 12, and the 6th carrier must enter the entry side load lock chamber 11. This is because the storage must be ready and about four spare carriers are required for replacing the film-formed substrate with the non-film-formed substrate.
発明が解決しようとする課題
以上の構成において、膜厚は水晶振動子でモニタされて
いるが、水晶振動子を交換した時の振動子間の差、膜が
付着するにつれてのリニアリティの変化、ターゲットの
消耗につれてのスパッタ粒子の飛散方向分布の変化等に
よって水晶振動子の検出膜厚と基板2に実際に形成され
る膜厚に差を生じる。したがって基板2に形成される膜
厚を正確に管理するためには、定期的に基板に形成され
た膜の厚さを光学的あるいは機械的な方法で測定して水
晶振動子の測定値を校正する必要がある。Problems to be Solved by the Invention In the above configuration, the film thickness is monitored by a crystal oscillator, but the difference between the oscillators when the crystal oscillator is replaced, the change in linearity as the film adheres, the target A difference occurs between the film thickness detected by the crystal resonator and the film thickness actually formed on the substrate 2 due to changes in the scattering direction distribution of sputtered particles as the crystal oscillator wears out. Therefore, in order to accurately control the thickness of the film formed on the substrate 2, the thickness of the film formed on the substrate 2 must be periodically measured optically or mechanically and the measured value of the crystal resonator should be calibrated. There is a need to.
基板に形成された膜の厚さを測定するためには基板に膜
を1枚だけ形成することが必要となる。In order to measure the thickness of a film formed on a substrate, it is necessary to form only one film on the substrate.
またプロセスによっては、例えば反応性スパッタの場合
等は反応度合のチエツク等のだめにその膜を1枚だけ形
成することが必要となる。Depending on the process, for example, in the case of reactive sputtering, it may be necessary to form only one film in order to check the degree of reaction.
例えば第13図において、ターゲット13の膜のみを形
成する場合、キャリヤ28がターゲット13を通過する
時のみターゲット13にスパッタパワを印加するかある
いは図示しないがシャッタを開にし、ターゲラ)15,
17.19を通過する時は、それらのターゲットにスパ
ッタパワを印加しないかあるいはシャッタを閉にするこ
とによって可能になる。同様にしてタープ、’) 15
。For example, in FIG. 13, when forming only a film on the target 13, sputter power is applied to the target 13 only when the carrier 28 passes through the target 13, or a shutter (not shown) is opened, and the target film 15,
17.19 can be achieved by not applying sputter power to those targets or by closing the shutter. Similarly, tarp, ') 15
.
17.19各々の膜を単独に基板に形成することが可能
となる。17.19 Each film can be formed independently on the substrate.
しかしながら上記方法では4枚のターゲットの膜をサン
プリングすると1キャリヤ9枚の4回分、すなわち36
枚生産量が減少するという問題があった。However, in the above method, if four target films are sampled, one carrier will be sampled four times, or 36
There was a problem that the production amount decreased.
そこで本発明はサンプリングによる生産量の減少が瞳め
て小さい成膜装置を提供しようとするものである。Therefore, the present invention aims to provide a film forming apparatus in which the decrease in production due to sampling is significantly reduced.
課題を解決するだめの手段
本発明は上記点に鑑み、複数のサンプル基板を保持する
治具本体K、開口を有するシャッタ部材を相対運動自在
に設けたサンプル治具を着脱自在にn枚の未処理基板を
取付けたキャリヤを設け、キャリヤを複数の薄膜処理室
に順次移送しつつ、治具本体あるいはシャッタ部材の少
なくともいずれか一方と係合して両者を相対運動せしめ
て所要のサンプル基板を開口から露出せしめるようサン
プリング駆動を行なう構成となっている。Means for Solving the Problems In view of the above points, the present invention provides a sample jig including a jig main body K that holds a plurality of sample substrates, and a shutter member having an opening that can be moved relative to each other. A carrier with a processing substrate attached is provided, and while the carrier is sequentially transferred to a plurality of thin film processing chambers, it engages with at least one of the jig body or the shutter member to cause relative movement between the two to open the desired sample substrate. The configuration is such that sampling drive is performed so as to expose the image from the beginning.
作 用
本発明は上記Pit:成により、複数の薄膜処理室を通
過する順に選択的に前記サンプル基板へ薄膜処理を行な
うことができる。Operation The present invention allows thin film processing to be selectively performed on the sample substrate in the order in which it passes through a plurality of thin film processing chambers, by the above-mentioned Pit formation.
この結果サンプリングによる生産量の減少は唯の1枚と
なシ、生産量の減少を衝めて小さくすることが可能とな
る。As a result, the reduction in production amount due to sampling is only one piece, and it becomes possible to minimize the reduction in production amount.
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。尚
、従来例と同一構成要素は同一番号を付している。EXAMPLE Hereinafter, an example of the present invention will be described based on the drawings. Note that the same components as those in the conventional example are given the same numbers.
第5図に示すキャリヤ4oには基板2を保持するための
複数の穴41と、溝42が設けられている。A carrier 4o shown in FIG. 5 is provided with a plurality of holes 41 and grooves 42 for holding the substrate 2. As shown in FIG.
ここでキャリヤ40の右下の穴に413なる番号をつけ
る。Now, number 413 in the lower right hole of carrier 40.
穴41Sには第1図に示すサンプル治具43が着脱自在
に第2図に示すように取付られる。A sample jig 43 shown in FIG. 1 is detachably attached to the hole 41S as shown in FIG. 2.
第1図、第2図において治具本体44には4枚のサンプ
ル基板45がはまり込んで保持される保持穴46が形成
されている。In FIGS. 1 and 2, holding holes 46 are formed in the jig main body 44, into which four sample substrates 45 are fitted and held.
保持穴46は、第3図にその詳細を示すように開口47
と、サンプル基板46がその間口47から抜は出さない
ようにするための段部48から形成されている。The holding hole 46 has an opening 47 as shown in detail in FIG.
A stepped portion 48 is formed to prevent the sample substrate 46 from being pulled out from the opening 47.
49はサンプル基板45が保持穴46から脱落しないよ
うにするだめの押え板で、治具本体44に形成されたポ
ス6oにそのセンタ穴61が挿入されて止め輸62で固
定される。押え板49にはサンプル基板45よりも少し
大きい穴53が形成されると共に、第4図にその詳細を
示すように穴53の一辺如は切シ起し部54が形成され
ている。Reference numeral 49 denotes a holding plate for preventing the sample substrate 45 from falling out of the holding hole 46, and its center hole 61 is inserted into a post 6o formed in the jig main body 44 and fixed with a stopper 62. A hole 53 that is slightly larger than the sample substrate 45 is formed in the holding plate 49, and a cut and raised portion 54 is formed on one side of the hole 53, as shown in detail in FIG.
また押え板49は、そのセンタ穴61が第1図において
右側に凸となる皿バネ状に形成されているので止め輸6
2で組立られた時、押え板49の外周は治具本体44を
押圧して適度な回転抵抗を発生させる。In addition, the center hole 61 of the holding plate 49 is formed in the shape of a disc spring convex to the right in FIG.
2, the outer periphery of the holding plate 49 presses the jig main body 44 to generate appropriate rotational resistance.
66はカシメ等により治具本体44に固定された位置決
めピンで、66はキャリヤ40の穴41Sに嵌合する嵌
合円筒部で、その円周のうち角度Cで示す部分は治具本
体44から切り離されて弾力部5γとして形成される。66 is a positioning pin fixed to the jig main body 44 by caulking etc. 66 is a fitting cylindrical part that fits into the hole 41S of the carrier 40, and the part of the circumference indicated by angle C is from the jig main body 44. It is separated and formed as a resilient portion 5γ.
58はシャッタ部材で、開口59と、外周には(狛e
Oが形成されており、センタ穴61が治具本体44のポ
ス62に挿入されて止め4倫63で固定される。58 is a shutter member, which has an opening 59 and an outer periphery.
A center hole 61 is inserted into the post 62 of the jig main body 44 and fixed with a stopper 63.
シャッタ部材58も押え板49と同様に、そのセンタ穴
61が第1図において左側に凸となる皿バネ状に形成さ
れているので、シャッタ部材58の外周部は治具本体4
4を押圧して適度な回転抵抗を発生させる。Like the presser plate 49, the shutter member 58 is also formed in the shape of a disc spring with its center hole 61 convexing to the left in FIG.
4 to generate appropriate rotational resistance.
64はセンタキャップでネジ6Sでポス62に固定され
、止め輪63の近傍へ膜が付着することを防止する。A center cap 64 is fixed to the post 62 with a screw 6S to prevent the film from adhering to the vicinity of the retaining ring 63.
第6図、第7図、第8図において、66は治具本体44
を穴418に固定するためのカムで、両側に軸部67
、6B 、中央部に小径部69と大径部70から成るカ
ム部71から形成される。72は工具(図示せず)を係
合せしめてカム66を回転させるだめのスリワリである
。73は軸部68を支持するだめの板で、ネジ74でキ
ャリヤ40に固定されている。In FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8, 66 is the jig main body 44.
This is a cam for fixing the
, 6B, a cam portion 71 consisting of a small diameter portion 69 and a large diameter portion 70 is formed at the center. 72 is a slot for engaging a tool (not shown) to rotate the cam 66. Reference numeral 73 designates a blank plate that supports the shaft portion 68, and is fixed to the carrier 40 with screws 74.
第1図において、76は歯6oと噛合ってシャック部材
58を回動せしめる歯車で、第9図に示す成膜装置78
のJ、に、Lの位置に配れ、図示しないが公知の手段で
第1図に示す矢印り、E方向に動作させられると共に、
例えば矢印F方向に回転駆動させられる。歯60.歯車
76共に噛合がスムーズになるよう歯先は尖らせである
。In FIG. 1, 76 is a gear that meshes with the teeth 6o to rotate the shack member 58, and is a gear that rotates the film forming apparatus 78 shown in FIG.
1, and is moved in the direction of the arrow E shown in FIG. 1 by known means (not shown).
For example, it is driven to rotate in the direction of arrow F. Teeth 60. The tips of the teeth of the gears 76 are sharpened to ensure smooth meshing.
第5図における切欠76は歯車75のD方向への変位を
さまたげないように設けられている。また穴77は治具
本体44に設けられた位置決めピン55の嵌合穴である
。The notch 76 in FIG. 5 is provided so as not to hinder the displacement of the gear 75 in the D direction. Further, the hole 77 is a fitting hole for the positioning pin 55 provided in the jig main body 44.
次に動作を説明する。Next, the operation will be explained.
第1図において各部品をサンプル治具43として組立て
た後、治具本体44の保持穴46に押え板49の穴53
を一致させる。穴53の方が大きいので穴63を通して
サンプル基板46を保持穴46にはめ込むことができる
。その後押え板49の切り起こし部54に指をかけて押
え板49を450回転させればサンプル基板46は保持
穴46から脱落することはない。In FIG. 1, after assembling each part as a sample jig 43, the hole 53 of the holding plate 49 is inserted into the holding hole 46 of the jig body 44.
Match. Since the hole 53 is larger, the sample substrate 46 can be fitted into the holding hole 46 through the hole 63. Thereafter, by placing a finger on the cut and raised portion 54 of the holding plate 49 and rotating the holding plate 49 by 450 rotations, the sample substrate 46 will not fall out of the holding hole 46 .
次にシャッタ部材68の開口69を保持穴46の例えば
F位置に一致させる。Next, the opening 69 of the shutter member 68 is aligned with, for example, the F position of the holding hole 46.
その状態で例えばセンタキャンプ64を図示しないが例
えば真空吸着治具等で保持して、嵌合円筒部66をキャ
リヤの穴41Sに、ピン66を穴に合わせてはめ込み、
次にカム66を、スリツク72に図示しない工具を差し
込んでカム66の大径部7oが弾力部57を押すように
口伝させ、サンプル治具43をキャリヤ4Qに固定する
。In this state, for example, the center camp 64 is held by a vacuum suction jig (not shown), and the fitting cylindrical part 66 is fitted into the hole 41S of the carrier, and the pin 66 is fitted into the hole.
Next, a tool (not shown) is inserted into the slit 72 of the cam 66 so that the large diameter portion 7o of the cam 66 pushes against the elastic portion 57, thereby fixing the sample jig 43 to the carrier 4Q.
以上において、カムの大径部70は弾力部57を押すの
で双方に加工誤差等があっても弾力部57がそれを吸収
して確実にサンプル治具43を保持することができる。In the above, since the large diameter portion 70 of the cam presses the elastic portion 57, even if there is a machining error or the like on both sides, the elastic portion 57 can absorb it and reliably hold the sample jig 43.
またシャッタ部材68.押え板49共に、前記したよう
に治具本体44に対して適度な回転抵抗を持たせている
のでキャリヤ4oが移送される時の振動等によって回転
して相互の位置関係がずれることはない。Also, the shutter member 68. As described above, both the presser plates 49 have appropriate rotational resistance with respect to the jig main body 44, so that they will not rotate due to vibrations or the like when the carrier 4o is transferred and will not shift their relative positions.
次に通常の基板2を他の穴41にセットする。Next, the normal board 2 is set in the other hole 41.
このキャリヤ40をMとする。Let this carrier 40 be M.
第9図はキャリヤMが成膜装置78にとシ込ま・れてタ
ーゲット13による成膜が終了した状態を示す。この状
態では基板2及び、サンプル治具43の保持穴2泣置に
あるサンプル基板45にターゲット13の膜が形成され
ている。FIG. 9 shows a state in which the carrier M is pushed into the film forming apparatus 78 and film forming by the target 13 is completed. In this state, a film of the target 13 is formed on the substrate 2 and the sample substrate 45 located at the position of the holding hole 2 of the sample jig 43.
この状態でJ位置にある歯車75を図示しない手段によ
りD方向に変位せしめて、シャッタ部材58の開口59
がG位置の保持穴に一致するようF方向に回転駆動した
後、E方向に変位せしめてキャリヤMの移動をさまたげ
ないようにする。In this state, the gear 75 at the J position is displaced in the D direction by means not shown, and the opening 59 of the shutter member 58 is
After rotating in the F direction so that the carrier M matches the holding hole at the G position, the carrier M is displaced in the E direction so as not to obstruct the movement of the carrier M.
この時には後続の基板2のみを穴41Sにもセットした
キャリヤNがターゲット13の直前で待機していること
になる。At this time, the carrier N with only the subsequent substrate 2 set in the hole 41S is waiting just in front of the target 13.
次にキャリヤM、Nはそれぞれターゲット16゜13を
通過して成膜されると共に、さらに後続の基板2のみを
セントしたキャリヤPが入側ロードロック室11にとり
込まれる。以上の動作でキャリヤMの基板2にはすでに
形成されたターゲット13の膜の上にターゲット16の
膜が形成され、サンプル治具43の保持穴G位置にある
サンプル基板45にターゲット15の膜が形成されるこ
とになる。Next, the carriers M and N pass through the targets 16 and 13 to form a film, and the carrier P containing only the subsequent substrate 2 is taken into the entry side load lock chamber 11. With the above operations, the film of the target 16 is formed on the film of the target 13 already formed on the substrate 2 of the carrier M, and the film of the target 15 is formed on the sample substrate 45 at the position of the holding hole G of the sample jig 43. will be formed.
そして次に前記と同様にしてに位置にある歯車75によ
りシャッタ部材58を回転せしめて開口69をH位置の
保持穴46に一致させる。Then, in the same manner as described above, the shutter member 58 is rotated by the gear 75 located at the H position to align the opening 69 with the holding hole 46 at the H position.
以下同様にしてターゲラ)17.19により成膜されて
、出側ロードロック室20により取出されたキャリヤM
のF位置にあるサンプル基板45にはターゲット13の
膜のみが、またG位置のそれにはターゲット16の膜の
みが、以下H位置にはターゲット17の、工位置にはタ
ーゲット19の膜のみが形成されると共に、他のすべて
の基板2にはターゲット13,15,17.19のそれ
ぞれの膜がその順に積層されて形成されていることにな
る。後続のキャリヤN、P及び図示しないがその後のキ
ャリヤにおいても基板2には各ターゲットの膜が順次積
層される。サンプル治具43を用いてのサンプリングは
必要に応じた周期で行なえばよい。The carrier M was deposited in the same way by Targera) 17.19 and taken out from the outlet load lock chamber 20.
Only the film of target 13 is formed on the sample substrate 45 at position F, only the film of target 16 is formed on that at position G, only the film of target 17 is formed at position H, and only the film of target 19 is formed at the processing position. At the same time, all other substrates 2 are formed with respective films of targets 13, 15, 17, and 19 stacked in that order. In the subsequent carriers N, P, and subsequent carriers (not shown), the films of each target are sequentially laminated on the substrate 2. Sampling using the sample jig 43 may be performed at intervals as required.
以上のように本実施例によれば、4枚のターゲットの膜
をサンプリングしても生産量の減少は罹の1枚となシ、
従来に比1較して生産量の減少を(jめて小さくするこ
とができる。この効果は、膜の積層数が多いほど、また
1キャリヤ当り基板の装着数が多いほど大きくなる。As described above, according to this embodiment, even if four target films are sampled, only one film will suffer from a decrease in production.
Compared to the conventional method, the reduction in production can be made much smaller. This effect becomes larger as the number of laminated films increases and as the number of substrates mounted per carrier increases.
以上ターゲットの数は4コについて説明したが、この数
に限るものではなく、またサンプリングしたい数のサン
プリング基板を装着できるサンプル治具としておけばよ
い。また必要に応じて1ターゲット当り複数枚のサンプ
リング基板に成膜できる構成としても、またサンプリン
グ基板の大きさ形状をターゲットに応じて変化させても
よい。Although the number of targets has been described above as four, it is not limited to this number, and the sample jig may be provided to which as many sampling boards as desired for sampling can be mounted. Further, if necessary, a configuration may be adopted in which the film can be formed on a plurality of sampling substrates per target, or the size and shape of the sampling substrate may be changed depending on the target.
次に本発明の他の実施例について説明する。Next, other embodiments of the present invention will be described.
前記例では治具本体44をキャリヤ40に固定してンヤ
ンタ部材58を回転駆動するようにしだが、逆にシャッ
タ部材をギヤリヤに固定して治具本体を回転駆動するよ
うにしてもよい。In the above example, the jig main body 44 is fixed to the carrier 40 and the shutter member 58 is rotationally driven, but the shutter member may be fixed to the gear rear and the jig main body is rotationally driven.
またシャッタ部材58の駆動に歯車76を用いたが、キ
ャリヤが運ばれる時、シャッタ部材68の歯60の辿過
経路にラックを配置しておき、キャリヤが運ばれる動作
でランクと歯車6oを噛合せてシャッタ部材58を所要
角度回転駆動する構成としてもよい。Further, the gear 76 is used to drive the shutter member 58, but when the carrier is carried, a rack is placed in the path of the teeth 60 of the shutter member 68, and the gear 6o is engaged with the rank by the movement of the carrier. In addition, the shutter member 58 may be rotated by a required angle.
以上、ターゲットにキャリアを対向させて通過させなが
ら成膜するいわゆる通過成膜方式において説明したが、
例えば第10図に示すように円形のキャリヤ80を破線
で示す丸いターゲット81に対向せしめた状態で、キャ
リヤ80を軸8〇−1で支持して回転させながら基板8
3を軸84で支持して図示しないが公知の自公転機構で
基板83を自公転させる方式にも適用することができる
。The above explanation was based on the so-called pass-through deposition method in which a film is deposited while passing the carrier facing the target.
For example, as shown in FIG. 10, in a state where a circular carrier 80 is opposed to a round target 81 indicated by a broken line, the substrate 80 is rotated while being supported by a shaft 80-1.
It is also possible to apply a method in which the substrate 83 is supported by a shaft 84 and rotated around its axis by a known rotation and revolution mechanism (not shown).
この場合例えばQ位置の軸84にサンプル治具43に相
当する第11図に概略を示すサンプル治具86を取付け
る。In this case, for example, a sample jig 86 schematically shown in FIG. 11, which corresponds to the sample jig 43, is attached to the shaft 84 at the Q position.
サンプル治具43と異なる点は、詳記しないが、軸84
に治具本体44に相当する治具本体86が着脱自在であ
ることが治具本体86の外周にもシャッタ部材68と同
様に歯87が設けであることである。The difference from the sample jig 43 is that the shaft 84 is not described in detail.
Another reason why the jig body 86 corresponding to the jig body 44 is removable is that teeth 87 are provided on the outer periphery of the jig body 86 as well as the shutter member 68.
次に治具本体86とシャッタ部材68に相対回転運動を
与える機構について説明する。Next, a mechanism for imparting relative rotational movement to the jig main body 86 and the shutter member 68 will be described.
89.90はそれぞれ軸91の両端に固定された歯車、
92は内側で軸91を回転自在に支持する中空軸で一端
に歯車93が固定され、スイングアーム94と一体に形
成されている。89 and 90 are gears fixed to both ends of the shaft 91, respectively;
A hollow shaft 92 rotatably supports the shaft 91 on the inside, a gear 93 is fixed to one end, and the shaft 92 is formed integrally with the swing arm 94 .
95は軸で、一端に前記スイングアーム94が、他端に
モータ96を固定したアーム97がそれぞれ1体的に固
定されている。Reference numeral 95 denotes a shaft, to which the swing arm 94 is integrally fixed at one end, and an arm 97 to which a motor 96 is fixed to the other end.
98は内側に軸96を回動自在に支持する中空軸で両端
にそれぞれ歯車99.100がそれぞれ1体的に固定さ
れている。101は中空軸98を支持する軸受で、この
軸受を境界にして大気側と真空側に分離され、真空シー
ルは磁性流体等を用いて構成される。102はモータ9
6の歯車である。A hollow shaft 98 rotatably supports the shaft 96 inside thereof, and gears 99 and 100 are integrally fixed to both ends thereof, respectively. Reference numeral 101 denotes a bearing that supports the hollow shaft 98, which is separated into an atmosphere side and a vacuum side with this bearing as a boundary, and a vacuum seal is constructed using a magnetic fluid or the like. 102 is motor 9
6 gears.
次に動作を説明する。Next, the operation will be explained.
待機状態においてはアーム97は軸受101を中心に図
示しない手段により反時計方向に回動され、したがって
、歯車93.89はそれぞれ肖87.80から離れた状
態にある。In the standby state, the arm 97 is rotated counterclockwise about the bearing 101 by means not shown, so that the gears 93, 89 are separated from the respective gears 87, 80.
そしてキャリヤ80の回転が、サンプリング治具86が
歯車89.93と噛合可能な位置に来るよう、図示しな
い公知の手段で位置決めされて停止する。Then, the rotation of the carrier 80 is positioned by known means (not shown) so that the sampling jig 86 comes to a position where it can mesh with the gears 89 and 93, and then stopped.
次にアーム97が図示しない手段により時計方向に回動
されると、スイングアーム94は歯車93を歯87に、
歯車89を歯60に噛合させるよう回動する。Next, when the arm 97 is rotated clockwise by means not shown, the swing arm 94 connects the gear 93 to the tooth 87.
The gear 89 is rotated so as to mesh with the teeth 60.
次にモータ96を回転させると、その口伝は歯車102
,100,99,90.89に伝達されシャッタ部材6
8が回転駆動される。この時治具本体86は回転しない
のでシャッタ部材58が治具本体86に対して相対回転
運動することになる。Next, when the motor 96 is rotated, the gear 102
, 100, 99, 90.89 and the shutter member 6
8 is driven to rotate. At this time, since the jig main body 86 does not rotate, the shutter member 58 rotates relative to the jig main body 86.
したがって本発明の最初の例と同様にシャッタ68の開
口69を次のサンプル基板の位置へ回動させることがで
きる。Therefore, as in the first example of the invention, the opening 69 of the shutter 68 can be rotated to the position of the next sample substrate.
この構成の特徴は、任意の停止状態にあるサンプル治具
86に対してシャッタ部材6・8と治具本体86を所望
角度相対運動させられることにある。A feature of this configuration is that the shutter members 6 and 8 and the jig main body 86 can be moved relative to each other at a desired angle with respect to the sample jig 86 in any stopped state.
以上、すべてスハノタ成嘆への適用について述べてきだ
が、それに限るものではなく、蒸着、イオンブレーティ
ング等のPVD及びCVD、さらにはエツチング、イオ
ン注入等にも適用可能である。Although all of the above has been described with regard to application to Suhanota etching, it is not limited thereto, and can also be applied to PVD and CVD such as vapor deposition and ion blasting, as well as etching, ion implantation, and the like.
また成膜プロセスも真空、気相、液相を問わず適用可能
である。Furthermore, the film formation process can be applied regardless of vacuum, gas phase, or liquid phase.
発明の効果
本発明は、複数のサンプル基板を保持すると共に、この
サンプル基板を選択的に露出させることが可能なサンプ
ル治具をキャリヤに設けて、このキャリヤを複数の薄膜
処理室に順次移送しつつサンプル治具を駆動して選択的
に露出させた、サンプル基板に所要の薄膜処理を行なう
ことができる。Effects of the Invention The present invention provides a carrier with a sample jig capable of holding a plurality of sample substrates and selectively exposing the sample substrates, and sequentially transports the carrier to a plurality of thin film processing chambers. At the same time, the sample jig can be driven to selectively expose the sample substrate, and required thin film processing can be performed on the sample substrate.
この結果サンプリングによる生産量の減少は唯の1枚と
なり、生産量の減少を極めて小さくすることが可能とな
る。As a result, the decrease in production due to sampling is only one piece, making it possible to minimize the decrease in production.
第1図は本発明の一実施例ておける薄膜処理装置の要部
の分解斜視図、第2図は本発明の一実施例の要部縦断面
図、第3図、第4図はそれぞれ第1図の部分拡大斜視図
、第5図は本発明の一実施例の要部の部分正面図、第6
図は第5図のA−A’断面図、第7図は第1図のB−B
’断面図、第8図は要部拡大斜視図、第9図は本発明の
一実施例の成膜装置の模式図、第10図は本発明の他の
実施例の一部を示す模式図、第11図は本発明の他の実
施例の模式図、第12図は本発明を説明するだめに示す
光ディスクの断面図、第13図は従来の成膜装置の一例
を示す模式図、第14図は第13図のA−A/略断面図
である。
43・・・・・・サンプル治具、44・・・・・・治具
本体、45・・・・・・サンプル基板、49・・・・・
・押え板、58・・・・・・シャッタ部材、59・・・
・・・開口、6o・・・・・・歯、75・・・・・・歯
車、40・・・・・・キャリヤ、66・・・・・・カム
。
代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第3図
弘
第 51 必−m
−キャリア乙6−−−カム
第7図 遍8図
第 9I71
7510図 遍11図
y′/□\
′yJ1 2図
/
第13図
n
)14図FIG. 1 is an exploded perspective view of essential parts of a thin film processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a vertical sectional view of essential parts of an embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 1 is a partially enlarged perspective view of FIG. 1, FIG. 5 is a partial front view of a main part of an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a sectional view taken along line A-A' in Figure 5, and Figure 7 is a cross-sectional view taken along line B-B in Figure 1.
8 is an enlarged perspective view of essential parts, FIG. 9 is a schematic diagram of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a schematic diagram showing a part of another embodiment of the present invention. , FIG. 11 is a schematic diagram of another embodiment of the present invention, FIG. 12 is a cross-sectional view of an optical disk shown to explain the present invention, and FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of a conventional film forming apparatus. FIG. 14 is a schematic cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 13. 43...Sample jig, 44...Jig body, 45...Sample board, 49...
・Press plate, 58...Shutter member, 59...
...Opening, 6o...Teeth, 75...Gear, 40...Carrier, 66...Cam. Name of agent: Patent attorney Toshio Nakao and 1 other person 2nd
Figure 3 Hirodai 51 Must-m
-Carrier Otsu 6---Cam Fig. 7 Fig. 8 Fig. 9I71 Fig. 7510 Fig. 11 y'/□\'yJ1 Fig. 2/ Fig. 13 n) Fig. 14
Claims (1)
体に相対運動可能に係合する部材であって、前記複数の
サンプル基板を覆うと共に、前記相対運動により前記複
数のサンプル基板の表面を選択的に露出させる開口を設
けたシャッタ部材と、前記治具本体とシャッタ部材より
成るサンプル治具を着脱自在に取付け可能であると共に
未処理基板を取付可能なキャリヤと、このキャリヤを複
数の薄膜処理室に順次移送する手段と、前記所要の薄膜
処理室あるいは前記キャリアの通路に設けられ、かつ前
記治具本体あるいはシャッタ部材の少なくともいずれか
一方と係合して両者を相対運動せしめて所要のサンプル
基板を露出せしめるサンプリング駆動手段とを備え、順
次複数の薄膜処理室を通過する過程で前記通過順に未処
理基板に薄膜処理すると共に、選択的に前記サンプル基
板へ薄膜処理して成る薄膜処理装置。A jig main body that holds a plurality of sample substrates; and a member that engages with the jig main body so as to be able to move relative to the jig main body, the member covers the plurality of sample substrates and also covers the surfaces of the plurality of sample substrates by the relative movement. a shutter member provided with an opening for selective exposure; a carrier to which the sample jig consisting of the jig body and the shutter member can be detachably attached; and an untreated substrate to which the carrier is attached; A means for sequentially transferring the thin film to the processing chamber, and a means provided in the passage of the required thin film processing chamber or the carrier, and engaging with at least one of the jig main body or the shutter member to cause them to move relative to each other. A thin film processing apparatus comprising: a sampling driving means for exposing a sample substrate; and in the process of sequentially passing through a plurality of thin film processing chambers, thin film processing is performed on unprocessed substrates in the order of passing, and selectively processing the thin film on the sample substrate. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63068593A JPH0832956B2 (en) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | Thin film processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01242779A true JPH01242779A (en) | 1989-09-27 |
JPH0832956B2 JPH0832956B2 (en) | 1996-03-29 |
Family
ID=13378245
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0832956B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010016792A1 (en) * | 2010-05-05 | 2011-11-10 | Aixtron Ag | Storage magazine of a CVD system |
CN110878409A (en) * | 2018-09-05 | 2020-03-13 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | Magnetron sputtering coating production line and method for preparing back electrode of solar cell |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5742153A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP63068593A patent/JPH0832956B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5742153A (en) * | 1980-08-27 | 1982-03-09 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010016792A1 (en) * | 2010-05-05 | 2011-11-10 | Aixtron Ag | Storage magazine of a CVD system |
CN110878409A (en) * | 2018-09-05 | 2020-03-13 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | Magnetron sputtering coating production line and method for preparing back electrode of solar cell |
Also Published As
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---|---|
JPH0832956B2 (en) | 1996-03-29 |
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