JPH01237475A - 電子ビーム装置のビームアライメント方法 - Google Patents

電子ビーム装置のビームアライメント方法

Info

Publication number
JPH01237475A
JPH01237475A JP63064447A JP6444788A JPH01237475A JP H01237475 A JPH01237475 A JP H01237475A JP 63064447 A JP63064447 A JP 63064447A JP 6444788 A JP6444788 A JP 6444788A JP H01237475 A JPH01237475 A JP H01237475A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulse
electron beam
sample
edge timing
difference
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63064447A
Other languages
English (en)
Inventor
Soichi Hama
壮一 濱
Akio Ito
昭夫 伊藤
Toshihiro Ishizuka
俊弘 石塚
Kazuo Okubo
大窪 和生
Kazuyuki Ozaki
一幸 尾崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63064447A priority Critical patent/JPH01237475A/ja
Publication of JPH01237475A publication Critical patent/JPH01237475A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 LSI等の動作解析試験を行うための電子ビーム装置に
おけるビームアライメント方法に関し、電子ビーム装置
における経時的変化に基づく走査線の位置ずれを補正し
て、時間的に安定した動作解析試験を行うことができる
ようにすることを目的とし、 基準パルスに応じて電子ビームを走査して絞り孔を通過
させることによって該基準パルスに同期したパルスビー
ムを発生させて基準パルスを印加した試料に照射し、発
生ずる二次電子信号を検出するとともに該パルスビーム
の発注位相を変化させることによって該二次電子信号か
ら該試料における動作パルスの波形を測定するストロボ
電子ビーム装置において、初期状態において基準試料に
ついて測定された動作パルス波形のエツジタイミングを
記憶保持するとともに、使用状態において該基準試料に
ついて測定された動作パルス波形のエツジタイミングと
前記記憶されたエツジタイミングとの差を求めて該差に
応して電子ビームのアライメントを制御することによっ
て構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発ツ農よLST等の動作解析試験を行うための電子ビ
ーム装置におけるビームアライメント方法に関するもの
である。
LSIの内部回路の動作解析試験を行うための装置とし
て、試料に電子ビームを照射して発生ずる二次電子を検
出することによって、試料各部の電圧を測定する電子ビ
ーム装置が開発されている。
特に高速なLSIの動作解析試験を行うためには、試料
の繰り返し動作に同期して電子ビームをパルス状に試料
に照射して電圧測定を行う、電子ストロボ法による電子
ビーム装置が有効である。
このような電子ビーム装置においては、パルスビームが
正しく試料に照射されるように、ビームのアライメント
を容易に行い得ることが必要である。
(従来の技術〕 第3図は従来のおよび本発明が適用される電子ビーム装
置の、全体の概略構成図である。
第3図において、1は電子ビーム鏡筒であって内部は真
空に保たれており、電子銃2から放出される電子流は電
磁レンズを構成するコイル群3を経て収束され、下部の
試料台4上に搭載されたIC5に細いビームとなって照
射される。この際試料台4を駆動することによって、I
C5の内部回路を構成する任意の導体にビームを照射す
ることができる。またこの場合アライメントコイル3八
に流す電流を設定することによって、電子ビームの軸位
置を調整することができるようになっている。
電子ビーム通路には主偏向器6.副偏向器7が直交して
設けられていて、それぞれ主偏向パルス発生回路8.副
偏向パルス発生回路9を経てパルスを印加されることに
よって電子ビームを走査して、絞り板10に設けられた
絞り孔1)を経て短いパルスビームを発生させる。
第4図は電子ビームの走査に基づくパルスビームの発生
を説明するものであって、主偏向器6を構成する対向す
る平面電極61.62および副偏向器7を構成する平面
電極7..72間に第5図に示すようなそれぞれ異なる
位相とオフセント電圧とを有する主偏向パルスと副偏向
パルスとを印加することによって、絞り板10上に矩形
の走査線12を描く。この際、絞り孔1)は走査線12
の矩形の一辺」二に位置するように設けられており、こ
れによって電子ビームの走査ごとに電子スI−ロボ用の
短いパルスビーム12八を発生ずる。
これによって発生したパルスビームがIC5に照射され
ると、照射位置にあるIC導体からその有する電圧値に
対応するエネルギー(初速度)を有する二次電子が放出
される。この二次電子流は二次電子検出器13によって
検出される。アナログディジタル(A/D>変換器15
は、主偏向パルスを固定遅延回路16を経て一定時間遅
延した信号によってサンプリングのタイミングを制御さ
れることによって、二次電子検出信号のピーク値をディ
ジタル信号に変換して出力する。加算平均回路17はA
/D変換器I5の出力を所定回数加算し平均値を求めて
出力する。ここで加算平均を行うのは、二次電子検出信
号におけるノイズの影響を軽減するためである。
一方IC5にはクロックに同期してパルスを発生するパ
ルス発生器18からパルスが入力されており、これによ
って動作状態になっている。また主偏向パルスは位相制
御回路14によってその位相を制御されるが、位相設定
器19ば、位相制御回路14における主偏向パルス発生
の位相を加算平均回路17の出力発生ごとに順次少しず
つ遅延させるように制御する。従って加算平均回路17
から出力される信号のエンベロープは、IC5の被照射
位置の導体におけるパルス波形を示すものとなるので、
これを図示されない表示装置において表示することによ
って、IC5の内部回路の動作状態を知ることができる
前述のように試料であるIC5に与えるパルスビームは
十分短くすることが可能であり、従って第4図の電子ビ
ーム装置によって、高い時間分解能でLSI各部の動作
状態の解析試験を行うことができる。
(発明が解決しようとする課題〕 第3図に示された電子ビーム装置においては、偏向器に
与えるパルス特に主偏向パルスのオフセント電圧や電子
ビームの軸の経時的変化に基づいて、描かれる走査線の
位置が変化すると、試料にパルスビームを照射するタイ
ミングが変化する。
そのため試料の動作解析試験を正確に行うことができな
くなるという問題があった。
第6図は電子ビーム偏向軌跡とパルスビームの照射タイ
ミングとの関係を示したものであって、正常時には(a
lに示すようにパルスビームを通過させる絞り孔1)が
矩形走査線12の下辺の中央にあるべきものが、走査線
位置が左方にずれた状態(blではパルスビームの照射
タイミングが早くなるので、電子ビームのアライメント
を右方に移動させる必要があり、同様に走査線位置が右
方にずれた状態(C1ではパルスビームの照射タイミン
グが遅くなるので、電子ビームのアライメントを左方に
移動させる必要があることが示されている。
本発明はこのような従来技術の課題を解決しようとする
ものであって、電子ビーム装置における経時的変化に基
づく走査線の位置ずれを補正して、時間的に安定した動
作解析試験を行うことができるようにすることを目的と
している。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は第1図の実施例に示されるように、基準パルス
に応じて電子ビームを走査して絞り板10を通過させる
ことによって該基準パルスに同期したパルスビームを発
生させて基準パルスを印加した試料5に照射し、発生す
る二次電子信号を検出するとともに該パルスビームの発
生位相を変化させることによって該二次電子信号から該
試料における動作パルスの波形を測定するストロボ電子
ビーム装置において、初期状態において基準試料につい
て測定された動作パルス波形のエツジタイミングを記憶
保持するとともに、使用状態において該基準試料につい
て測定された動作パルス波形のエツジタイミングと前記
記憶されたエツジタイミングとの差を求めて該差に応じ
て電子ビームのアライメントを制御するようにしたもの
である。
〔作 用〕
本発明において対象とするストロボ電子ビーム装置にお
いては、基準パルスに応して電子ビームを主偏向方向と
これと直交する副偏向方向とに偏向することによって、
絞り板10上において矩形走査を行い、その−辺が絞り
孔1)を通過するようにして短いパルスビームを発生さ
せて試料に照射し、試料から発生する二次電子信号を検
出する。
この場合試料5には基準パルスを印加されて動作状態に
しておく。また主偏向パルスの位相を変化せてパルスビ
ームの発生位相を変化させることによって、検出された
二次電子信号からその試料における動作パルスの波形を
測定するものである。
このような電子ビーム装置において、初期状態において
基準となる試料について測定を行って、それに印加され
ている動作パルス波形のエツジタイミングを記憶保持し
ておく。そして装置の使用状態において同じ基準試料を
用いて測定に行ったときの動作パルス波形のエツジタイ
ミングと、予め記憶されているエツジタイミングとの差
を求めて、この差に応じて電子ビームのアライメントを
調整する。
従って電子ビーム装置において、主偏向パルスのオフセ
ント電圧や電子ビームの軸の経時的変化に基づいて、描
かれる走査線の位置が変化したために試料にパルスビー
ムを照射するタイミングが変化し、そのため試料の動作
解析試験を正確に行うことができなくなるという問題を
解消することができるようになる。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を示す要部回路図であって、
第4図に示された電子ビーム装置と同じ部分を同じ番号
で示し、それらの動作もまた同様であるものとする。
本実施例においては、第3図に示された電子ビーム装置
において、初期状態における基準試料の動作パルスのエ
ツジタイミングを記憶しておき、これと使用時における
同じ試料の動作パルスのエツジタイミング測定値との差
を求めて主偏向パルスオフセット電圧を補償することに
よって、前述のような走査線の位置ずれを補正する。
第1図において、21は比較器、22は微分回路、23
はスイッチ、24はメモリ、25ば減算器、26はディ
ジクルアナログ(D/A)変換器である。
また第2図は第1図に示された実施例における各部信号
を示したものであって、本発明の詳細な説明するもので
ある。第2図において各信号ta+〜(glは第1図中
において、対応する箇所に示されたものである。
第1図において、位相制御回路14は位相設定器19の
制御に基づいてクロックに対して一定位相の信号(a+
を発生し、加算平均回路17はこの信号に基づいて加算
平均の動作を行う。一方位相制御回路14は位相設定器
19の制御に基づいて、クロックに対する遅延Diが順
次増加する変化を一定周期ごとに繰り返す信号(blを
発生し、主偏向パルス発生回路8ばこれに基づいて主偏
向パルスを発生ずる。
さらに固定遅延回路16は信号(b)に対して一定の遅
延Dcを与えて、信号(C)を発生ずる。A/D変換器
15は信号(C)に応じてサンプリングを行うことによ
って、(d)に示す二次電子検出器13の検出信号のピ
ーク値Siをディジタル信号に変換した信号を発生する
。上述の遅延Dcは、主偏向パルスの発生から二次電子
検出信号のピーク値の発生までの時間遅れを補償するも
のである。
加算平均回路17ば同じ遅延Diのときのピーク値Si
を所定の回数加算して平均値Siを算出して出力する。
位相設定器】9は前述のように、位相制御回路14にお
りる主偏向パルス発生の位相を順次少しずつ遅延させる
ように制御する。従って加算平均回路17から出力され
る信号Siのエンベロープは、遅延D+の変化に応じて
第2図telのPに示すようにIC5の被照射位置の導
体におけるパルス波形を示す。
比較器2Iは加算平均回路17の出力波形Pの振幅と、
一定の基準値sthとの大小を比較して、if)に示す
ようにそれぞれ“1゛または′0”の出力を発生する。
位相設定器19ば例えばカウンタからなり、比較器21
の出力状態が“′0”のときは、八に出力される位相制
御回路14に与える遅延量を定めるカラン]・値を順次
増加して、主偏向パルス発生の位相Diを遅延させ続け
る。そして比較器21の出力状態が“1′′になったと
き、そのときの遅延量を示すカウント値をBに出力する
スイッチ23は電子ビーム装置における初期状態の設定
時には閉じられていて、Bに出力された位相設定器19
のカウント値をメモリ24に記憶する。
メモリ24に対する設定が終了したときは、スイッチ2
3をオフにする。
ランニング状態において、微分器22は比較器21の出
力の“0”−“1”の立ち」二がりを検出して、(gl
に示すパルスを発生する。減算器25はこのパルスを与
えられることによって、メモリ24に記憶されている初
期状態のカウント値と、そのときの位相設定器19のカ
ウント値との差を求めて出力する。
D/A変換器26は減算器25のディジタル出力値をア
ナログ信号に変換して、オフセント電圧制御信号として
出力する。この信号は主偏向パルス発生回路8に与えら
れ、第5図に示された主偏向パルスのオフセット電圧V
mailを変化させる。
従って主偏向パルスの照射タイミングが初期状態から変
化した場合でも、オフセント電圧制御信号を与えて主偏
向パルスのオフセット電圧Vmainを制御することに
よって、主偏向パルスの照射りイミングの変動が補償さ
れる。
このように偏向器に与えるパルスのオフセット電圧や電
子ビームの軸の経時的変化等に基づいて、描かれる走査
線の位置が変化するため、試料にパルスビームを照射す
るタイミングが変化した場合にも、主偏向器6に与える
パルスのオフセント電圧を変化して補正するので、試料
の動作解析試験を正確に行うことができるようになる。
また主偏向器6に与えるパルスのオフセント電圧を変化
する代りに、第1図の回路の出力を用いて第3図に示さ
れたアライメントコイル3への電流を変化させて電子ビ
ームの軸位置を調整することによって、走査線位置を補
正するようにしてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、初期状態において
基準試料について測定された動作パルス波形のエツジタ
イミングを記憶保持し、これと使用状態においてこの基
準試料について測定された動作パルス波形のエツジタイ
ミングとの差を求めてこの差に応じて電子ビームのアラ
イメントを制御するようにしたので、偏向器に与えるパ
ルスのオフセット電圧や電子ビームの軸の経時的変化に
基づくパルスビームの照射タイミングの変化を補償する
ことができ、LSI等の作解析試験を常に正確に行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図、 第2図は本発明の詳細な説明する図、 第3図は従来のおよび本発明が適用される電子ビーム装
置の全体の概略構成図、 第4図はパルスビームの発生を説明する図、第5図は偏
向器印加パルスを示す図、 第6図は電子ビーム偏向軌跡とパルスビームの照射タイ
ミングとの関係を示す図である。 −I C 6−主偏向器 7−副偏向器 8−主偏向パルス発生回路 9−副偏向パルス発生回路 10−・絞り板 1)−絞り孔 12−走査線 12A−パルスビーム 13−二次電子検出器 14−位相制御回路 15−アナログディジタル(A/D)変換器16−固定
遅延回路 17−加算平均回路 18−パルス発生器 19−位相設定器 21−比較器 22−微分器 詔・−スイッチ 24−  メモリ 5−・減算器

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基準パルスに応じて電子ビームを走査して絞り板
    (10)を通過させることによって該基準パルスに同期
    したパルスビームを発生させて基準パルスを印加した試
    料(5)に照射し、発生する二次電子信号を検出すると
    ともに該パルスビームの発生位相を変化させることによ
    って該二次電子信号から該試料における動作パルスの波
    形を測定するストロボ電子ビーム装置において、 初期状態において基準試料について測定された動作パル
    ス波形のエッジタイミングを記憶保持するとともに、 使用状態において該基準試料について測定された動作パ
    ルス波形のエッジタイミングと前記記憶されたエッジタ
    イミングとの差を求めて該差に応じて電子ビームのアラ
    イメントを制御することを特徴とする電子ビーム装置の
    ビームアライメント方法。
  2. (2)前記電子ビームのアライメントの制御が、前記エ
    ッジタイミングの差に基づいて電子ビームを走査する偏
    向パルスのオフセット電圧を変化させることによって行
    われることを特徴とする請求項第1項記載の電子ビーム
    装置のビームアライメント方法。
JP63064447A 1988-03-17 1988-03-17 電子ビーム装置のビームアライメント方法 Pending JPH01237475A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63064447A JPH01237475A (ja) 1988-03-17 1988-03-17 電子ビーム装置のビームアライメント方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63064447A JPH01237475A (ja) 1988-03-17 1988-03-17 電子ビーム装置のビームアライメント方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01237475A true JPH01237475A (ja) 1989-09-21

Family

ID=13258521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63064447A Pending JPH01237475A (ja) 1988-03-17 1988-03-17 電子ビーム装置のビームアライメント方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01237475A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4220854A (en) Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and apparatus for implementing the method
US4807159A (en) Apparatus and method for controlling irradiation of an electron beam at a fixed position in an electron beam tester system
US4220853A (en) Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and arrangement for implementing the method
JPS6010720A (ja) 電子ビ−ム制御装置
JP3330382B2 (ja) 集積回路の試験・修復装置
US4788495A (en) Method for the indirect identification of the intensity distribution of particle beam pulses generated in a particle beam measuring instrument
JPH01237475A (ja) 電子ビーム装置のビームアライメント方法
US3909610A (en) Apparatus for displaying the energy distribution of a charged particle beam
EP0179716A2 (en) A secondary ion mass spectrometer
JPS5822854B2 (ja) カデンリユウシソウサケンビキヨウ
US6941006B1 (en) Method and system for calibrating the scan amplitude of an electron beam lithography instrument
JPH03254053A (ja) 一次電子着地誤差の補正方法
JP2837935B2 (ja) 電子ビーム装置
JPH0682720B2 (ja) 電子デバイスの試験装置およびその使用方法
JPH01221675A (ja) 電子ビーム装置の軸合せ方法
JPS6251145A (ja) ストロボ走査形電子顕微鏡
JPS6028151A (ja) 走査形ストロボイオン顕微鏡
JPS60143642A (ja) ストロボ電子ビ−ム装置
JPH01239949A (ja) 電子ビームプローブ装置
JPS61181051A (ja) 電子線装置
JPH11273602A (ja) 荷電粒子線装置
JPS61163548A (ja) 電子線装置
JPH10223171A (ja) 走査型顕微鏡の像表示方法および走査型顕微鏡
JPH063725B2 (ja) ストロボ電子ビ−ム装置における電子ビ−ムの位置決め方法
JPH0319923B2 (ja)