JPH01233280A - チオインジコ誘導体 - Google Patents
チオインジコ誘導体Info
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- JPH01233280A JPH01233280A JP5917588A JP5917588A JPH01233280A JP H01233280 A JPH01233280 A JP H01233280A JP 5917588 A JP5917588 A JP 5917588A JP 5917588 A JP5917588 A JP 5917588A JP H01233280 A JPH01233280 A JP H01233280A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、蛍光機能性置換基を有する新規なフォトクロ
ミックチオインジゴ誘導体に関する。
ミックチオインジゴ誘導体に関する。
(従来の技術)
チオインジゴ類はフォトクロミック化合物として知られ
ている。すなわち、光異性化によりトランス体とシス体
に相互変換可能な化合物として知られている。
ている。すなわち、光異性化によりトランス体とシス体
に相互変換可能な化合物として知られている。
しかし、上記の如きフォトクロミズムを利用し、光刺激
に応答して蛍光波長を可逆的に変化させうるチオインジ
ゴ類は知られていない。このような機能を有する化合物
は光スィッチ、光メモリ−、デイスプレィなどへの応用
が期待できる。
に応答して蛍光波長を可逆的に変化させうるチオインジ
ゴ類は知られていない。このような機能を有する化合物
は光スィッチ、光メモリ−、デイスプレィなどへの応用
が期待できる。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、フォトクロミック部位が光異性化により構造
の変化を示すことを利用して光信号に応答して蛍光波長
を可逆的に変化させうる新規なフォトクロミックチオイ
ンジゴ誘導体を提供することを目的とする。
の変化を示すことを利用して光信号に応答して蛍光波長
を可逆的に変化させうる新規なフォトクロミックチオイ
ンジゴ誘導体を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明は、下記一般式(I>又は(II)で表わされる
チオインジゴ誘導体である。
チオインジゴ誘導体である。
(但し、上記一般式(I>及び(II>において、×1
及び×2はそれぞれ同−又は異なっていてもよい、−C
OO−、−CONH−、−0CO−。
及び×2はそれぞれ同−又は異なっていてもよい、−C
OO−、−CONH−、−0CO−。
−NHCO−、−0−、−CH20−、−Go−及び−
〇H2−から選ばれた基を表わし、R1及びR2はピレ
ン、アントラセン、フェナントレン。
〇H2−から選ばれた基を表わし、R1及びR2はピレ
ン、アントラセン、フェナントレン。
ナフタレン、ベンゾ(a)アントラセン、ナフタセン、
ペリレン、トリノエニレン、クリセン。
ペリレン、トリノエニレン、クリセン。
ベンゾ(C)フェナントレン、コロネン、メチルナフタ
レン、フルオロナフタレン、ブロモナフタレン、クロル
ナフタレン、ヨードナフタレン。
レン、フルオロナフタレン、ブロモナフタレン、クロル
ナフタレン、ヨードナフタレン。
ニドOナフタレン、アミノナフタレン、ジメチルアミノ
ナフタレン、シアノナフタレン、アミノベンゼン、ジメ
チルアミノベンゼン、ニトロベンゼン、シアノベンゼン
及びジシアノベンゼンから選ばれた基を表わす。またR
1及びR2は互に同一であってもよい) 本発明のチオインジゴ誘導体の具体例としては、ジビレ
ニルチオインジゴ−7,7′ −ジカルボン酸アミド、
ジアントラニルチオインジゴ−7,7’ −カルボン酸
アミド、ジアントラニルチオインジゴ−7,7’ −カ
ルボン酸エステル、チオインジゴ−1−カルボン酸ピレ
ニルアミド−7′−カルボンW−p−ニトロフェニルア
ミド、チオインジゴ−7−カルボン酸アントラニルアミ
ド−7′−カルボン酸−p−二トロフェニルアミド、チ
オインジゴ−7−カルボン酸アントラニルアミド−7′
−カルボン酸ジシアノフェニルエステルなどのトランス
体及びシス体が挙げられる。
ナフタレン、シアノナフタレン、アミノベンゼン、ジメ
チルアミノベンゼン、ニトロベンゼン、シアノベンゼン
及びジシアノベンゼンから選ばれた基を表わす。またR
1及びR2は互に同一であってもよい) 本発明のチオインジゴ誘導体の具体例としては、ジビレ
ニルチオインジゴ−7,7′ −ジカルボン酸アミド、
ジアントラニルチオインジゴ−7,7’ −カルボン酸
アミド、ジアントラニルチオインジゴ−7,7’ −カ
ルボン酸エステル、チオインジゴ−1−カルボン酸ピレ
ニルアミド−7′−カルボンW−p−ニトロフェニルア
ミド、チオインジゴ−7−カルボン酸アントラニルアミ
ド−7′−カルボン酸−p−二トロフェニルアミド、チ
オインジゴ−7−カルボン酸アントラニルアミド−7′
−カルボン酸ジシアノフェニルエステルなどのトランス
体及びシス体が挙げられる。
本発明のチオインジゴ誘導体はチオインジゴ骨格の対応
位置に置換したカルボン酸体、ヒドロキシ体、アミノ体
又はクロルメチル体より製造することができる。すなわ
ち、上記一般式(I>のXl又はX2が−CO〇−又は
−CON H−の場合は、チオインジゴジカルボン酸と
R1及びR2のヒドロキシ体又はアミン体との縮合反応
により得られる。Xl又はX2が−OC〇−又は−NH
C〇−の場合は、チオインジゴのヒドロキシ体又はアミ
ノ体とR1及びR2のカルボン酸体、酸無水物体又は酸
塩化物体との縮合反応によって得られる。×1又はX2
が−0−の場合は、チオインジゴのヒドロキシ体とR1
及びR2のヒドロキシ体又はハロゲン体との縮合反応に
より得られる。
位置に置換したカルボン酸体、ヒドロキシ体、アミノ体
又はクロルメチル体より製造することができる。すなわ
ち、上記一般式(I>のXl又はX2が−CO〇−又は
−CON H−の場合は、チオインジゴジカルボン酸と
R1及びR2のヒドロキシ体又はアミン体との縮合反応
により得られる。Xl又はX2が−OC〇−又は−NH
C〇−の場合は、チオインジゴのヒドロキシ体又はアミ
ノ体とR1及びR2のカルボン酸体、酸無水物体又は酸
塩化物体との縮合反応によって得られる。×1又はX2
が−0−の場合は、チオインジゴのヒドロキシ体とR1
及びR2のヒドロキシ体又はハロゲン体との縮合反応に
より得られる。
Xl又はX2が−C1−120−の場合は、チオインジ
ゴのクロルメチル体とR1及びR2のヒドロキシ体との
縮合反応によって得られる。Xl又はX2が一〇〇−及
び−CH2−の場合は、チオインジゴのカルボン酸塩化
物とR1及びR2との7リ一デルクラフト反応によるア
シル化により一〇〇一体を得、ざらに還元反応により一
〇H2一体を得ることができる。
ゴのクロルメチル体とR1及びR2のヒドロキシ体との
縮合反応によって得られる。Xl又はX2が一〇〇−及
び−CH2−の場合は、チオインジゴのカルボン酸塩化
物とR1及びR2との7リ一デルクラフト反応によるア
シル化により一〇〇一体を得、ざらに還元反応により一
〇H2一体を得ることができる。
また上記製造法においては、概ねチオインジゴ誘導体の
トランス体−シス体の混合物(多くの場合はトランス体
過剰)が得られるが、特定波長の光を照射することによ
り対応するトランス体又はシス体として得ることができ
る。
トランス体−シス体の混合物(多くの場合はトランス体
過剰)が得られるが、特定波長の光を照射することによ
り対応するトランス体又はシス体として得ることができ
る。
(実施例)
実施例1
チオインジゴ−7,7′−ジカルボン酸180mg(0
,6m mof )を過剰の塩化チオニルと3時間還流
した。過剰の塩化チオニルを減圧下で留去し、アミノピ
レン250mcl (1,15m mol) 、ベンゼ
ン30rn!!及びピリジン20m1を加え2時間還流
した後5日間放置した。減圧下でベンゼン及びピリジン
を留去し、残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィに
より精製してジビレニルチオインジゴ−7,7’ −ジ
カルボン酸ジアミド(DPTIと略称する)のトランス
、シス混合物17mgを得た。ざらにチオインジゴ−7
−カルボン酸ピレニルアミド−7′〜カルボン酸のトラ
ンス、シス混合物64mgの副生物を得た。
,6m mof )を過剰の塩化チオニルと3時間還流
した。過剰の塩化チオニルを減圧下で留去し、アミノピ
レン250mcl (1,15m mol) 、ベンゼ
ン30rn!!及びピリジン20m1を加え2時間還流
した後5日間放置した。減圧下でベンゼン及びピリジン
を留去し、残分をシリカゲルカラムクロマトグラフィに
より精製してジビレニルチオインジゴ−7,7’ −ジ
カルボン酸ジアミド(DPTIと略称する)のトランス
、シス混合物17mgを得た。ざらにチオインジゴ−7
−カルボン酸ピレニルアミド−7′〜カルボン酸のトラ
ンス、シス混合物64mgの副生物を得た。
トランス−DPTI シス−DPTT
上記得られたDPTIの性状は以下のとおりであった。
上記得られたDPTIの性状は以下のとおりであった。
暗赤色結晶 m、p、 172〜174℃IRスペ
クトル(Cm″″1) (KBr錠)1720、16
60.1600.1530.1280.1120゜10
30、 840 UV (CH(j!3)λmax (nm)540
、 490. 345 NMR(CD(J3)δppm 7.36 (brod、 Ar −H)上記得られたD
PTI混合物をクロロホルムに溶かし、480nm光を
照射した。これによりλmax490nmの吸収帯が減
少し540nmの吸収帯が増加した。この光照射によっ
て混合物中のシス体がトランス体に変換したことが確認
された。
クトル(Cm″″1) (KBr錠)1720、16
60.1600.1530.1280.1120゜10
30、 840 UV (CH(j!3)λmax (nm)540
、 490. 345 NMR(CD(J3)δppm 7.36 (brod、 Ar −H)上記得られたD
PTI混合物をクロロホルムに溶かし、480nm光を
照射した。これによりλmax490nmの吸収帯が減
少し540nmの吸収帯が増加した。この光照射によっ
て混合物中のシス体がトランス体に変換したことが確認
された。
次に上記得られたトランス体のクロロホルム溶液に55
00m光を照射したところ、λmax 540nmが減
少しλmax 490nmの吸収帯が増加した。この光
照射によってシス−DPTIが得られたことが確認され
た。
00m光を照射したところ、λmax 540nmが減
少しλmax 490nmの吸収帯が増加した。この光
照射によってシス−DPTIが得られたことが確認され
た。
実施例2
実施例1で得られた副生成物、チオインジゴ−7−カル
ボン酸ピレニルアミド−7′−カルボン1164mci
を無水塩化メチレン50m1に溶かし、N、N’−ジシ
クロヘキシルカルボジイミド31m(]を加えて15分
間撹拌した。この溶液にp−ニトロアニリン21mgを
加えて至温で1時間反応させた。この溶液を200d冷
水に加えて有機層を分離し、希塩酸及び飽和重曹水で洗
浄した後硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で塩化メチレ
ンを留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィで精製しチオインジゴ−7−カルボン酸ピレニルアミ
ド−71−カルボン’FM−p−ニトロフェニルアミド
のトランス、シス混合物2mgを得た。
ボン酸ピレニルアミド−7′−カルボン1164mci
を無水塩化メチレン50m1に溶かし、N、N’−ジシ
クロヘキシルカルボジイミド31m(]を加えて15分
間撹拌した。この溶液にp−ニトロアニリン21mgを
加えて至温で1時間反応させた。この溶液を200d冷
水に加えて有機層を分離し、希塩酸及び飽和重曹水で洗
浄した後硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で塩化メチレ
ンを留去した。残分をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィで精製しチオインジゴ−7−カルボン酸ピレニルアミ
ド−71−カルボン’FM−p−ニトロフェニルアミド
のトランス、シス混合物2mgを得た。
トランス体 シス体上記生成物
の性状は以下のとおりであった。
の性状は以下のとおりであった。
暗赤色結晶
IRスペクトル(cm−’)(KBr錠)1720、1
660.1540.1350.1300.1100゜U
V (CHC13)λmax (nm)533、
490. 346. 330上記生成物をクロロホルム
に溶かし、480nm光を照射した。これによりλma
x 490nmの吸収帯が減少しλmax 533nm
の吸収帯が増加した。この光照射によって混合物中のシ
ス体がトランス体に変換したことが確認された。次に、
このトランス体のクロロホルム溶液に540nm光を照
射したところλmaX 533nmの吸収帯が減少しλ
max 490nmの吸収帯が増加した。この光照射に
よってシス体が得られたことが確認された。
660.1540.1350.1300.1100゜U
V (CHC13)λmax (nm)533、
490. 346. 330上記生成物をクロロホルム
に溶かし、480nm光を照射した。これによりλma
x 490nmの吸収帯が減少しλmax 533nm
の吸収帯が増加した。この光照射によって混合物中のシ
ス体がトランス体に変換したことが確認された。次に、
このトランス体のクロロホルム溶液に540nm光を照
射したところλmaX 533nmの吸収帯が減少しλ
max 490nmの吸収帯が増加した。この光照射に
よってシス体が得られたことが確認された。
実施例3
チオインジゴ−7,7′ −ジカルボンfil 300
mg(1mmol)を過剰の塩化チオニルと3時間速流
した。過剰の塩化チオニルを減圧下で留去し、ヘキサメ
チルフォスホリックトリアミド10d、2−アミノアン
トラセン773mg(4m mol )を加え室温で一
夜反応させた。反応混合物を冷水50dに加え、塩化メ
チレンで抽出した。塩化メチレン及びヘキサメチルフォ
スホリツクトリアミドを減圧下で留去し、残分をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、ジアントラ
ニルチオインジゴ−7,7′−ジカルボン酸アミドのト
ランス、シス混合物20mgを得た。
mg(1mmol)を過剰の塩化チオニルと3時間速流
した。過剰の塩化チオニルを減圧下で留去し、ヘキサメ
チルフォスホリックトリアミド10d、2−アミノアン
トラセン773mg(4m mol )を加え室温で一
夜反応させた。反応混合物を冷水50dに加え、塩化メ
チレンで抽出した。塩化メチレン及びヘキサメチルフォ
スホリツクトリアミドを減圧下で留去し、残分をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィにより精製し、ジアントラ
ニルチオインジゴ−7,7′−ジカルボン酸アミドのト
ランス、シス混合物20mgを得た。
トランス体 シス体上記生成物
の性状は以下のとおりでめった。
の性状は以下のとおりでめった。
暗赤色結晶
IRスペクトル(Cm−’)(KBr錠)1720、1
660.1520.1300. 845U V (C
HCl3)λmax (nm)540、 490.
330 上記生成物をクロロホルムに溶かし、480nm光を照
射した。これによりλmax 490nmの吸収帯が減
少しλmax 540nmの吸収帯が増加した。この光
照射によって混合物中のシス体がトランス体に変換した
ことが確認された。次に、このトランス体のクロロホル
ム溶液に550nm光を照射したところλmax 54
0nmの吸収帯が減少しλmaX 490nmの吸収帯
が増加した。この光照射によってシス体が1qられたこ
とが確認された。
660.1520.1300. 845U V (C
HCl3)λmax (nm)540、 490.
330 上記生成物をクロロホルムに溶かし、480nm光を照
射した。これによりλmax 490nmの吸収帯が減
少しλmax 540nmの吸収帯が増加した。この光
照射によって混合物中のシス体がトランス体に変換した
ことが確認された。次に、このトランス体のクロロホル
ム溶液に550nm光を照射したところλmax 54
0nmの吸収帯が減少しλmaX 490nmの吸収帯
が増加した。この光照射によってシス体が1qられたこ
とが確認された。
(発明の効果)
本発明のチオインジゴ誘導体は、フォトクロミックなト
ランス=シス光異性化を持つチオインジゴ骨格と蛍光性
機能を有する置換基とを併せ持つ新規化合物であり、波
長変換物質として有用である。
ランス=シス光異性化を持つチオインジゴ骨格と蛍光性
機能を有する置換基とを併せ持つ新規化合物であり、波
長変換物質として有用である。
Claims (1)
- (1)下記一般式( I )又は(II)で表わされるチオ
インジゴ誘導体。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (但し、上記一般式( I )及び(II)において、X^
1及びX^2はそれぞれ同一又は異なっていてもよい、
−COO−、−CONH−、−OCO−、−NHCO−
、−O−、−CH_2O−、−CO−及び−CH_2−
から選ばれた基を表わし、R^1及びR^2はピレン、
アントラセン、フェナントレンナフタレン、ベンゾ〔a
〕アントラセン、ナフタセン、ペリレン、トリフェニレ
ン、クリセン、ベンゾ〔c〕フェナントレン、コロネン
、メチルナフタレン、フルオロナフタレン、ブロモナフ
タレン、クロルナフタレン、ヨードナフタレン、ニトロ
ナフタレン、アミノナフタレン、シアノナフタレン、ジ
メチルアミノナフタレン、ニトロベンゼン、シアノベン
ゼン、アミノベンゼン、ジメチルアミノベンゼン及びジ
シアノベンゼンから選ばれた基を表わす。またR^1及
びR^2は互に同一であつてもよい)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63059175A JP2579796B2 (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | チオインジコ誘導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63059175A JP2579796B2 (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | チオインジコ誘導体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01233280A true JPH01233280A (ja) | 1989-09-19 |
JP2579796B2 JP2579796B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=13105794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63059175A Expired - Lifetime JP2579796B2 (ja) | 1988-03-12 | 1988-03-12 | チオインジコ誘導体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2579796B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS594674A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ゲスト―ホスト型液晶組成物 |
JPS59182878A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | ゲスト― ホスト型液晶組成物 |
-
1988
- 1988-03-12 JP JP63059175A patent/JP2579796B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS594674A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | ゲスト―ホスト型液晶組成物 |
JPS59182878A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-17 | Hitachi Ltd | ゲスト― ホスト型液晶組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2579796B2 (ja) | 1997-02-12 |
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