JPH01231329A - 蒸気洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、物品表面の有機物汚染、付着物の何れか又は
両者を除去するための装置に関し、特に半導体ウェーハ
の表面の蒸気洗浄装置に関する。

Ｃ従来の技術〕 半導体ウェーハの表面には、ダイオードやトランジスタ
などの半導体素子が形成され、それらが集積されると半
導体集積回路素子となり、半導体産業エレクトロニクス
の中心をなす先端的技術製品の重要な構成要素となる。

半導体ウェーハは、主として高純度シリコンウェーハ（
今後、単にシリコンウェーハという）からなるが、この
表面にダイオードやトランジスタが形成されるときは、
シリコンウェーハの半導体性質か有効に利用されなけれ
ばならないので、そのバルクの結晶品質、各種不純物は
勿論、表面の結晶品質、各種不純物の存在は重大な影響
をもつ。

最近の半導体素子製造技術では、バルクの結晶欠陥及び
不純物が内部ゲッタ効果として利用される以外は、結晶
品質はできるだけ完全なもの、又不純物はできるだけ少
ないことが望まれる。

特にシリコンウェーハの表面の不純物の除去、結晶品質
の向上は半導体素子の性能の向上、及び工業的生産にお
ける収率向上とコストタウンに必要不可欠である。最近
のように集積度が著しく向上する時代には、集積回路半
導体素子用の基板であるシリコンウェーハの表面品質に
対する要求は一段と厳しく精緻なものとなる。

シリコンウェー八表面の汚染には、その分離方法にもよ
るが一列をあげれば、イオン性の汚染と非イオン性の汚
染に分けることができる。前者はシリコンウェーハの製
造工程の酸・アルカリによる薬品洗浄、加工機器の部品
の加工時の接触や不用意に用いられる未処理の水道水や
地下水などが　　　一原因となり、後者は有機汚染が主
であるがワンクス、オイルやハンドリングなどプラスチ
ックとの接触から起こる。

有機汚染・無機汚染で注意しなければならないのは粒子
汚染で、加工工程、特に研磨工程の研磨剤の除去が不充
分なためとか、人体から発生したり、薬品純水から持ち
込まれたり、或いは空調の空気とともに搬入されたりし
て、シリコンウェー八表面に付着する。この粒子汚染は
有機系であったり無機系であったりする。

シリコンウェーハは、以上のように各種の゛表面汚れが
その表面に付着しているので、これらを除去するために
種々の洗浄法が工夫されている０例えば（１）有機物除
去のために、有機溶剤、界面活性剤等の処理、酸・アル
カリ（いずれも酸化剤を併用することがある）これらに
加えてブラシ水洗が行われ、（２）酸化膜（Ｎａｔｕｒ
ａｌ　０ｘｉｄｅ等）を除去するためのフッ化水素酸処
理、（３）金属不純物除去及びイオン性不純物除去のた
めの酸又はアル力りによる処理、金属不純物を酸化する
なめに酸化剤を併用することがある。（４）粒子状不純
物を除去するなめに超音波ブラシ水洗が行われ、（５）
酸化膜除去のためのフッ化水素酸処理、（６）水洗、（
７）乾燥のように行われる。

洗浄工程では、一種の化学的処理が表面でおこなわれる
ので、処理前とウェーハの接触を長くするために、界面
活性剤、超音波、撹拌などが各工程を通じて有効に利用
される。

経済的に安く、公害閉頭の全くない、且つ用意に入手出
来るという意味で高純度水は基本的なシリコンウェーハ
の洗浄剤となる。このため必す超高純度水が最終工程か
又は実質的な最終工程に多量に用いられる。

シリコンウェー八表面に残存する僅かな水分は、超高純
度であれば自然蒸発するので問題ないはずであるが、シ
リコンウェーハの保管された雰囲気が通常理想的な清浄
雰囲気ではないので、シリコンウェーハ上の水滴に雰囲
気中の塵やガスが捕獲又は溶解され、水滴蒸発後に塵又
はガスからの溶解した物質がフィルム状に固着し、しみ
となったり塵埃自身も強固な結合をし、その後の洗浄工
程で除去が雑しくなることもある。このような理由から
超高純度水で洗浄されたシリコンウェーハは必ず速やか
に乾燥され保管されなければならない。

更に超高純度水で洗浄されたシリコンウェーハは、本来
有機物が完全に除去されているべきであるが、作業環境
空間には機械回転部からの発生又は外部空気とともに搬
入されるオイルミスト又は、クリーンルームのシール材
、使用機材、塗料等の有機材料から発生ずる有８１物が
沢山あり、これがどうしてもシリコンウェーハの表面に
付着する。

この為有機物の完全除去が行われていない場合に備えて
、最終工程は有機物の除去にも効果のある乾燥法が必要
となる。

このような理由で、蒸気洗浄法がシリコンウェーハの最
終仕上のために重用される。

蒸気洗浄法は、室温で比較的揮発性の良い有機溶剤を底
部で沸騰させ、その蒸気を洗浄対象物に接触させ、洗浄
対象物の熱容量又は冷却コイルで洗浄対象物のまわりの
空間を冷却し、蒸気を液化させて、洗浄対象物の表面を
その液化蒸気で覆い、滴下とともに水分及び残存有機物
を除去するものであるが、従来法の蒸気洗浄法では蒸気
洗浄によって汚れた液化蒸気は直接底部の蒸気発生源で
ある有機溶剤に戻り、蒸気発生源を水及び／又は有機物
で汚染し、蒸気洗浄法でシリコンウェー八を洗浄する際
、シリコンウェーへの表面の洗浄後の清浄度が蒸気発生
源として使用した有機溶剤の使用時間の経過とともに著
しく劣化し、しばしばその表面に蒸気洗浄開始前に見ら
れないじみが多数党られ、何らかの改善が望まれていた
。

この改善方法として、例えば特公昭５９−３９１６２に
は少なくとも脱水槽、沸騰槽、蒸気槽ならびに凝縮器を
有する本体部と冷却除水部とを備え、前記’ａｍ器で生
成した凝縮液が冷却除水部に導かれて冷却除水ののち、
沸騰槽に変換されるエタノール含有トリクロロトリフル
オロエタンを洗液として物品の洗浄乾燥する装置が提案
されている６本願の改良点は、蒸気の凝縮液をそのまま
沸騰槽に導かず冷却除水部に導き、ここでエタノール水
溶液をトリクロロフルオロエタンから液状分離し、その
後トリクロロフルオロエタンのみを循環させ沸騰状態下
の洗浄は常に水不飽和状態におくものである。これによ
って洗浄対象物表面には完全な脱水が行われると考えら
れている。

前記発明は、２種類の有機溶剤を使うためにその組成を
制御するために技術的な困難と設備コストが高くなると
いう点に問題があり、また洗浄物の表面を覆い、汚れを
溶解した後滴下する液化洗浄液はそのまま沸騰液に戻り
、沸騰液中の水分濃度を高め、且つ有機物等で汚染する
点について全く考慮が払われていない。

次に、他の従来法としてイソプロピルアルコールを用い
る一液型の蒸気洗浄装置を紹介する。この場合、例えば
第４図に示されるように半導体ウェーハ（以下、ウェー
ハという）を蒸気洗浄対象物１として処理ハウジング内
上部に収容し、処理ハウジング内の下部に設けられた槽
内の揮発性液体を加熱することにより蒸気を発生させこ
の蒸気でウェーハを蒸気洗浄する。

第４図において、この洗浄機は蒸気洗浄対象物を含む空
間Ｆを備えており、この空間Ｆの底部には洗浄液を収納
する容器６を備えており、この容器６には例えばイソプ
ロピルアルコール（以下、ＩＰＡという）が貯留されて
いる。

このＩＰＡは容器６の下部に設けられた液体加熱浴から
なる蒸気発生装置５によって加熱されて蒸気９を発生す
る。蒸気洗浄対象物を含む空間Ｆの上方部には冷却用パ
イプ８が環状に敷設され、このパイプ８により蒸気９が
冷却されると、蒸気９は凝結して露状になり滴下し、回
収？１１１０の中に回収される。

このような乾燥機の空間Ｆに、洗浄工程を終えて湿潤状
態にある蒸気洗浄対象物１、例えばつ工−ハがワークホ
ルダ２に保持された状態で搬入されると、ウェーハに付
着していた洗浄工程での水分や残存有機物は、液化蒸気
に溶は込みドレンとなって蒸気洗浄対象物１の下方に設
置されたドレン回収パン４上に滴下される。そして、ド
レン回収パン４上のドレンは排出管２０を介して外部に
排出される。

しかしながら、第４図に示される蒸気洗浄装置の構造で
はドレン回収パン４が蒸気９によって直接加熱されるた
め、ドレン回収パン４の表面温度は洗浄液の沸点とほぼ
同等程度になる。

そのため、ドレン回収パン４に回収された凝縮液の再蒸
発が起こり、この際にドレンに含有された汚染水分、汚
れ等の不純物か空間Ｆ内に飛散・浮遊し、上方に位置す
る蒸気洗浄対象物１が再び汚れてしまうという問題が生
じる。

更に、ドレン回収パン４からの回収凝縮液からの再蒸発
蒸気が洗浄液を収納する容器６からの蒸気と混合し、こ
れらの混合蒸気が水分を多く含むために蒸気洗浄対象物
１表面の液膜の中で、極端な場合水の分離が起き、そう
でないとしても、洗浄対象物１表面の付着水の除去が不
充分となり、洗浄対象物１を一定の蒸気洗浄後本洗浄装
置の上部より外部に取り出した際、表面の洗浄液は瞬間
的に揮発し、洗浄対象物ｌの表面が露出するが、その表
面状には残存水分の原因による汚染が生じ、蒸気洗浄か
不完全となる。

なお、ドレン回収パン４の温度を下げてこの問題に対処
することは、蒸気９がドレン回収パン４の箇所で凝縮し
てしまうために有効な蒸気洗浄が行えない。

〔発明か解決しようとする課題〕

本発明は、物品の表面有機物汚染や付着水を除去する蒸
気洗浄装置、特に集積回路素子用の半導体基板の表面を
超高純度水等で洗浄化された後の残存有機物汚染や付着
水を効果的に除去するために、従来技術による蒸気洗浄
装置の欠点を完全に除き、半導体ウェーハ上の表面の清
浄化を向上するとともに、経済的な装置の使用によって
洗浄コストの低下を図ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、本発明は、■蒸気洗浄対象
物を含む空間と、その下部にあって洗浄液を揮発蒸発せ
しめる該洗浄液を収容する容器と、これに付属する加熱
源蒸気発生装置を有し、該洗浄液の揮発蒸発した蒸気を
前記蒸気洗浄対象物表面にて接触させ、該洗浄対象物の
表面上の付着水の除去及び／又は有機性汚染を除去する
に際し、該洗浄対象物の略垂直下方で且つ該洗浄対象物
表面に接触した液化洗浄液を収容する上部に開放部を有
する容器からなるドレン回収パンを設け、その側方又は
周囲に前記洗浄液を収容する容器および蒸気発生装置を
設け、該ドレン回収パンの回収液化洗浄液をその沸点以
下に保持し、且つ外部に放出されることを特徴とする蒸
気洗浄装置を提供し、更に ■上記蒸気洗浄装置に於いて、洗浄液としてフロン１１
３、塩化メチレン、１．１．１．−トリクロルエタン、
トリクロルエチレン、イソプロピルアルコール、クロロ
ホルムの何れか一つを用いることを提案する。

〔作用〕

蒸気洗浄法は、物品の表面についている有機物又は付着
水を除去し、物品の表面を清浄化するなめに工夫された
方法である。蒸気の発生源とじては、通常−液が用いら
れ、特に付着水が除去されなければならないときには、
水溶性の有機溶剤が混合使用される。かかる二液型は、
物品の表面の有機物汚れや付着水が肉眼で検出出来る程
に付着している場合には有効であるが、本発明のように
半導体ウェーハの場合には、汚れが少ないので、水溶性
の有機溶剤を含むと液組成の制御が複雑になり、また他
の理由で二液型の場合には汚染され易く、また空気中か
らの水分を吸い易く組成の変化が起こり易くかえって害
がある０通常、水溶性がないといわれる有機溶剤も、高
温液化状態では必ず僅かに水を溶解するので、半導体ウ
ェーハの洗浄には充分である。

半導体ウェーハは下方から上昇する揮発性有機洗浄液の
蒸気に触れて、当初はその表面で液化が起こり、この液
化蒸気膜が半導体ウェーハの表面の残存微量有機物及び
／又は付着水を溶解し、流化し、下方に分離滴下する。

しかし、時間の経過とともに半導体ウェーハは昇温し、
それとともに半導体ウェー八表面での液化は少なくなり
、蒸気洗浄装置の半導体ウェーハを囲繞する装置壁内側
に設けられた水冷蛇管等で冷却′ａ集された洗浄液ミス
トが半導体ウェーハ全体を覆い、表面で凝結して液膜を
形成するようになる。この平衡状態では半導体ウェーハ
の温度も蒸気温度に近く昇温され、半導体ウェー八表面
の有機物及び付着水の溶解除去が効果的に進められる。

本発明においては、蒸気源となる洗浄液を収納する容器
を蒸気洗浄装置の周縁部に設け、前記洗浄液を収納する
溶液に囲まれた蒸気洗浄装置の中央部にドレン回収パン
を設けていること、そのため蒸気は洗浄対象物方向に向
かって有効に流れるとともに、蒸気洗浄対象物を含む空
間の下方部に設けられたドレン回収パン４の表面温度を
ドレンが蒸発するほどに上昇させることもない、また、
この回収パン４は別途設けられた温度調節Ｒ１Ｒによっ
て、蒸気の源となる洗浄液の沸点より少し低く温度制御
されるので、回収ドレンは再蒸発することがなく、洗浄
対象物表面での凝縮液は水分が不飽和に保たれ、既に述
べたように洗浄対象物表面の付着水を良く溶かし、また
有ｔＲ物を良く溶かすことができる。

また洗浄液を収納する容器中には、上記ドレンは全く戻
らないので、液組成物が有機物及び水分で汚染されてい
ることなく、常に純粋な洗浄液の蒸気が洗浄対象物１の
表面を濡らすことになる。

洗浄液としては、フロン１１３、塩化メチレン、１．１
．１．−トリクロルエタン、トリクロルエチレン、イソ
プロピルアルコール、クロロホルム等のｍ発性液体が使
用出来る。沸点の高い程蒸気洗浄装置の上部開放口から
の逸出が少なく、回収率が良いし、また洗浄対象物が高
温で加熱されるので洗浄効果が高い。しかし、あまり高
すぎると蒸気洗浄の側部の保温が必要になったり、また
蒸気源の加熱源として特別の工夫が必要であるので、沸
点としては１００℃以下が望ましい、沸点の下限は室温
でのハンドリング及び洗浄対象物の温度上昇を考えると
、４０°Ｃ位に設定するのが良いと考えられる。水との
相溶性は本発明の目的の場合には、僅かにあれば良く、
上述した有機溶剤は洗浄対象の脱水に問題なく便用可能
である０次にそれぞれの沸点、水との共沸点及び組成を
示す。

フロン１１３　　４７．５７　　　４４．５０　　＜９
９．０）塩化メチレン　　３９．７５　　　３８．１０
　　＜９８．５＞１°１°１°−トリ　　　７４．００
　　　　６５．２０　　　＜９１．７＞クロルメタン ト　Ｉノ　り　７′し”　　　　　　８７．１９　　　
　　　　　７３．６０　　　　＜９４．６）チレン イソ７°０ビ′し　　８２．２６　　　　８０．１０　
　＜８８．０＞アルコール クロロホルム　　６１．１５　　　５６．１２　　＜９
７．８＞後述するように、ドレン回収パン４の表面温度
を洗浄液の沸点から５〜１０℃下げるが、これは水との
共沸によって低沸点の混合物を形成するため、この共沸
温度を下回るよう調節されなければならない。

〔実施例〕

以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって説明する
。第１図は、本発明による蒸気洗浄装置の一実施例を示
す縦断面図であり、第２図は第１図のＡ−Ａ’断面矢視
図である。

第１図に示されるように、本発明の蒸気洗浄装置は蒸気
洗浄対象物を含む空間Ｆとベーパ発生槽Ｅを有している
。空間Ｆの中央部には、蒸気洗浄対象物１例えばシリコ
ンウェーハがワークホルダ２によって保持される。ワー
クホルダ２の下方部にはドレン回収パン４が備えられ、
そのほぼ中央部に設けられた回収口はドレン配管２０に
連結される。さらにドレン回収パン４の下方には、回収
パン温度調節用浴７が設置される。他方、ワークホルダ
２の上方部には、洗浄蒸気凝縮用の冷却パイ１８および
若１１が設けられる。

蒸気洗浄装置底部の周縁部には、前記ドレン回収パン４
を囲むように上記矩形状のベーパ発生槽Ｅを有し、この
ベーパ発生槽Ｅは蒸気源となる洗浄液を収納する容器６
およびそれを加熱する洗浄液加熱浴などからなる加熱源
蒸気発生装置５からなる。

洗浄液を収納する容器６には、フロン１１３、塩化メチ
レン、１．１．１．−トリクロルエタン、トリクロルエ
チレン、イソプロピルアルコール、クロロホルムの何れ
か１つの洗浄液が貯留される。

この洗浄液を収納する容器６を加熱するなめ、例えば洗
浄液加熱浴等の蒸気発生装置５が熱伝導性のよい隔壁５
ａを介してジャケット状に配置される。上記加熱浴には
、例えば水、シリコーン油等の液体が貯留され、これら
は公知の種々の方法で加熱され、所定の温度に設定され
る。

なお、上記の蒸気発生装置５として加熱浴を用いる代り
に他の加熱手段、例えばホットプレート等を用いてもよ
い。

本発明の洗浄液を収納する容器６は、第２図に示される
ように蒸気洗浄装置の周縁部を一周するように連続的に
設けることが好ましいか、場合によっては、非連続的に
スポット的に配設してもよい。

ところで、本発明においては、矩形のベーパ発生槽Ｅの
中央部に設けられたドレン回収パン４の表面温度をドレ
ン回収パンの回収液化洗浄液の沸点以下に調整するため
、例えば、回収パン温度調節用浴７か、ある程度の空気
層を介して回収パン４を取り囲むように設けられる。

浴７中には、蒸気発生装置５として洗浄液加熱浴に貯留
される液体と同様な液体か、加熱・冷却の媒体として貯
留される。

この温度調節浴７によって、ドレン回収パン４の表面温
度は、乾燥に用いられる前記揮発性液体の沸点より５〜
１０°程度低く設定される。

この表面温度をあまり低く設定するとベーパ発生槽Ｅか
ら流入する蒸気が回収ハシ４付近で凝縮し蒸気が洗浄対
象物１方向に流れにくくなるという不都合が生じ、他方
この温度をあまり高く設定すると回収パン４に回収され
た凝ｌａ液の再蒸発が起こり、ドレンに含有された汚染
水分、汚れ等の不純物が飛散・浮遊するという不都合が
生じる。

次に、本実施例の作用について使用洗浄液をＩＰＡとし
て以下説明する。蒸気洗浄を行なう場合、加熱源蒸気発
生装置５により洗浄液を収納する容器６内のＩＰＡを加
熱するとＩＰＡは蒸発し、蒸発した蒸気９はベーパ発生
槽Ｅを経由して蒸気洗浄対象物を含む空間Ｆ内に流入す
る。流入した　　　−蒸気９は、空間Ｆ内に保持された
洗浄対象物１に付着した水分または液分を随伴蒸発させ
て洗浄対象物１を洗浄する。洗浄対象物１から滴下した
ドレンは、ドレン回収パン４に受けられ、ドレン配管２
０によって排出される。このドレン回収パン４は、前述
したように、回収パン温度調節用浴７によって、所定の
温度となるように制御されているので、凝縮液の再蒸発
による洗浄対象物１の汚れや、蒸気９の洗浄対象物方向
への流れを乱す外乱の要因とはなり得ない。

ところで、蒸気洗浄対象物を含む空間Ｆの上方に上昇し
た蒸気９は、冷却パイプ８によって冷却されると凝結し
、露状になり滴下し回収溝１０の中に回収され、廃棄ま
たは精製して再利用される。

蒸気の再利用に際しては第３図に示されるような循環シ
ステムとすることが好ましい。

第３図において、上記の回収溝１０に回収された蒸気凝
縮液は、戻り配管３２中を通って回収槽３７に回収され
る。さらに回収！３７には未使用の洗浄液が配管３８に
よって供給される０回収された凝縮液は循環ポンプ３４
によりオーバーフロー型タンク３６に輸送され、その輸
送配管中にはフィルタ３３が設けられる。

このフィルタ３３によって凝縮液中の不純物が除去され
る。オーバーフロー型タンク３６は、前記洗浄液を収納
する容器６に連通し、タンク３６の液面高さの設定によ
って容器６の洗浄液の液面高さが決定される。

なお、循環ポンプ３４の始動又は停止は、レベル計３５
の上面又は下面を検出することにより行なわれる。この
ような循環システムとすることにより、凝ｌ／Ｍ液中に
含有される不純物である微粒子の除去か極めて効果的に
、しかも迅速に処理できる。

すなわち、ＩＰＡの凝縮液に含有される不純物微粒子は
、乾燥初期のものに多く発生し、この凝縮液を例えばテ
フロン等の有機材料でできた（不導体の）フィルターを
通すことにより、静電除去の効果も大きく付加され、不
純物である微粒子の除去が極めて効果的に行なえる。

以下に、本発明の蒸気洗浄装置の効果を確認するために
具体的蒸気洗浄試験を行なった。蒸気洗浄装置は第１図
に示される４１１造とした。

蒸気洗浄対象物１として以下に示すシリコンウェーハを
使用した。

ずなわち、本実験に使用したシリコンウェーハは、通常
の方法で鏡面仕上げしたものを次の洗浄工程を経て前洗
浄したものを用いた。

■トリクロルエチレン　　　１０分　８０℃　超音波■
界面活性剤５％水溶液　　１０分　８０℃　超音波■エ
チルアルコール　　　　１０分　　　　超音波■純水リ
ンス（１８ＭΩ・１以上） ■ＮＨ０Ｈ−Ｈ２Ｏ２−Ｈ２Ｏ（１：　１　：　５）１
０分　８０℃　超音波 ■純水リンス（１８ＭΩ・１以上） ■ＨＰ浸漬（１％） ■純水リンス（１８ＭΩ・１以上） ■ＨＣ１−Ｈ２０２−Ｈ２０１ｏ分ａｏ−ｃ■純水リン
ス（１８ＭΩ・１以上） 本発明の蒸気洗浄するにあたって、蒸気源となる洗浄液
としてイソプロピルアルコールを用い、ドレン回収パン
の温度を７８℃に調節した。

なお、後述する比較例においてはドレン回収パンの温度
調節を行なわなかった。

本発明の蒸気洗浄を行った後、ウェーハを取り出し以下
の評価を行なった。なお比較乾燥試験として第４図に示
されるベーパ乾燥機を用いて同様な乾燥試験を行い、こ
れによって得られたウェーハについても同様な評価を行
った。

（１）表面汚れ 表面の汚れを分析する方法としては、オージェ−１ＥＳ
ＣＡ、ＸＭＡ及びＩＭＡなどが有効であるが、シリコン
ウェーハの分析としては必ずしも有効ではない。本発明
の実施例においては、古典的な光学的方法によりシリコ
ンウェーハの鏡面上の斑点などを検出してその洗浄度を
判定しな、測定方法は極めて単純で、ウェーハ表面に顕
微鏡の光源を約４５゛の角度で入射し、ウェーハ表面に
対し、略直角の方向から肉眼で照射面を見る方法で鏡面
が完全に曇らず深い黒色を呈する−様な表面の場合には
、半導体集積回路素子用基板面として充分な洗浄度を持
つと考えられている。従来法では、しばしば斑点状また
は毛筆の筆跡のように光沢のないくもりがウェーハの全
面又は部分的に観察されることであるが、かかる場合に
は清浄面でないとされる。

次に本発明の方法及び比較例の実験結果を示す。

シリコンウェーハそれぞれ１０枚づつ蒸気洗浄した。

本発明方法　　　　　　比較例 ウェーハ　　　く　　も　　リ　　　ウェーハ　　　く
　　も　　り番号　　　有無　　　番号　　　有無 １　　　　無し　　　１　　　　有り ２　　　　　ノＪ　　　　　２　　　　　有り３　　　
　　　　　ツノ　　　　　　　　３　　　　　　　　プ
；１４　　　　　　ｎ　　　　　　４　　　　　　有り
５　　　　　ノｌ　　　　　５　　　　　有り６　　　
　　　　　ツノ　　　　　　　　６　　　　　　　　有
り７　　　　　　ｕ　　　　　　７　　　　　　有り８
　　　　ノｌ　　　　８　　　　無し９　　　　ノｌ　
　　　９　　　　無し１０　　　　　　ＩＩ　　　　　
１０　　　　　　有り本発明では全くくもりが観察され
なかったが、比較例では１０枚中７枚にくもりが見られ
た。比較例の中でくもりがないのが３枚あったが、鏡面
全体が僅かに光沢がなく、全体に霞みがかった゛ように
観察された。おそらく洗浄が不充分であったと考えられ
る。

〔発明の効果〕

上記の結果より本発明の効果は明らかである。

すなわち、蒸気洗浄装置内に収容された洗浄対象物に揮
発性を有する洗浄液の蒸気を接触させて蒸気洗浄させる
蒸気洗浄装置において、本発明の装置は、蒸発源となる
洗浄液を収納する容器を本装置の周縁部に設け、この液
体格に囲まれた本装置の中央部にドレン回収パンを設け
、このドレン回収パンを例えば回収パン温度調節用浴に
より、所定の温度に設定する。そのため、蒸気は洗浄対
象物方向に向かって有効に流れドレン回収パン４に回収
されなドレンの再蒸発を有効に防止でき、ドレンに含有
される汚染水分、汚れ等の不純物が浮遊・飛散し、上方
に位置する洗浄対象物を再び汚したり、あるいは、ドレ
ンから発生した水分の多い蒸気により蒸気洗浄効果を劣
化するという問題は生じない。従って蒸気洗浄効果は従
来のそれと比べ格段と向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による蒸気洗浄装置の一実施例を示す
断面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ″断面矢視図、第３
図は、本発明の蒸気洗浄装置に附随する循環システムを
示す図面、第４図は、従来の蒸気洗浄装置の断面図であ
る。 １・・・洗浄対象物、２・・・ワークホルダ、４・・・
ドレン回収パン、６・・・洗浄液を収納する容器、７・
・・回収パン温度調節用浴、３３・・・フィルタ、３７
・・・回収槽、Ｅ・・・ベーパ発生槽、Ｆ・・・蒸気洗
浄対象物を含む空間。 出願人代理人　　石　　川　　泰　　男ｂ 第　　３　　図 第　　４　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、蒸気洗浄対象物を含む空間と、その下部にあつて洗
   浄液を揮発蒸発せしめる該洗浄液を収容する容器と、こ
   れに付属する加熱源蒸気発生装置を有し、該洗浄液の揮
   発蒸発した蒸気を前記蒸気洗浄対象物表面にて接触させ
   、該洗浄対象物の表面上の付着水の除去及び／又は有機
   性汚染を除去するに際し、該洗浄対象物の略垂直下方で
   且つ該洗浄対象物表面に接触した液化洗浄液を収容する
   上部に開放部を有する容器からなるドレン回収パンを設
   け、その側方又は周囲に前記洗浄液を収容する容器およ
   び蒸気発生装置を設け、該ドレン回収パンの回収液化洗
   浄液をその沸点以下に保持し、且つ外部に放出されるこ
   とを特徴とする蒸気洗浄装置。 ２、前記洗浄液として、フロン１１３、塩化メチレン、
   １、１、１、トリクロルエタン、トリクロルエチレン、
   イソプロピルアルコール、クロロホルムの何れかの一つ
   を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
   装置。